CN213184331U - 反极性发光二极管芯片 - Google Patents

Abstract

公开了一种反极性发光二极管芯片，依次包括第二衬底，键合层，反射镜层，全方位反射镜结构，外延层和第一电极，还包括：多个扩展电极，多个所述扩展电极与所述第一电极连接，位于所述发光二极管的出光面，多个所述扩展电极沿第一轴对称式分布。本实用新型提供的反极性发光二极管芯片，通过在出光面设置多个对称均匀分布的扩展电极，从而保证在合适的欧姆接触比下，提高电流扩展效果。

Description

反极性发光二极管芯片

技术领域

本实用新型涉及发光二极管技术领域，特别涉及一种反极性发光二极管芯片。

背景技术

AlGalnP系材料可用于制作黄绿光到红光波段的LED，广泛用于景观照明、背光源、数码管等领域。在大尺寸反极性红光LED(发光二极管)上，为了实现更好的电流扩展，N电极面往往需要制作扩展电极，更广的电极分布有利于提高N型欧姆接触面积，从而提升电流扩展性并减小电压，但这也意味着遮光面积的增加，会导致亮度降低，如何达到两者的平衡成为关键。传统的中心电极扩展条多采用“王”字型分布，在中大尺寸的芯片上带有“王字型”分布的扩展条之间的间距太大可能导致电流横向扩展距离大，增大了电阻而使芯片电压偏高，并且导致发光区光分布不均匀。电极图形的设计应使电极占用尽可能小的遮光面积，并且让电流能均匀扩展到整个芯片的发光区。

实用新型内容

鉴于上述问题，本实用新型的目的在于提供一种反极性发光二极管芯片，通过在出光面设置对称均匀分布的扩展电极，从而保证在合适的欧姆接触比下，提高电流扩展效果。

根据本实用新型的一方面，提供一种反极性发光二极管芯片，依次包括第二电极，第二衬底，键合层，全方位反射镜结构，外延层和第一电极，其特征在于，还包括：多个扩展电极，多个所述扩展电极与所述第一电极连接，位于所述发光二极管的出光面，多个所述扩展电极沿第一轴对称式分布。

可选地，所述多个扩展电极沿所述第一轴对称，且沿第二轴对称，所述第一轴与所述第二轴垂直。

可选地，所述扩展电极包括：第一扩展电极与第三扩展电极，所述第一扩展电极与第三扩展电极形状相同，且关于所述第一轴对称分布。

可选地，所述扩展电极包括：第一扩展电极与第三扩展电极，所述第一扩展电极与第三扩展电极形状不相同，且关于所述第一轴对称分布。

可选地，所述扩展电极还包括：第二扩展电极与第四扩展电极，所述第二扩展电极与第四扩展电极形状相同，且关于所述第二轴对称分布。

可选地，所述扩展电极包括：第一扩展电极至第六扩展电极，其中，所述第一扩展电极与第四扩展电极形状相同，且关于所述第一轴对称分布，第二扩展电极与第六扩展电极形状相同，且关于所述第二轴对称分布，第三扩展电极与第五扩展电极形状相同，且关于所述第二轴对称分布。

可选地，每个所述扩展电极均包括至少一个扩展条，所述扩展条分别沿第一方向和/或第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向垂直，所述第一方向与所述第一轴平行。

可选地，至少一个所述扩展电极中的至少一个扩展条延伸到所述反极性发光二极管芯片出光面的中心区域。

可选地，至少一个所述扩展电极中的至少一个扩展条延伸到所述反极性发光二极管芯片出光面的边缘区域。

可选地，沿同一方向延伸的多个所述扩展条之间的间隔距离相等。

可选地，沿所述第一方向延伸的多个扩展条之间的间隔距离与沿所述第二方向延伸的多个扩展条之间的间隔距离相等。

可选地，所述多个扩展电极的面积为所述反极性发光二极管芯片的面积的2％～10％。

可选地，所述全方位反射镜结构包括：反射镜层和位于所述反射镜层上的介质层，所述反射镜层位于所述键合层上。

可选地，所述介质层中包括多个介质孔，所述反射镜层填充所述多个介质孔，所述多个介质孔均匀分布于所述多个扩展电极之间。

可选地，第一电极为N电极，第二电极为P电极。

在本申请中，多个扩展电极中至少两个扩展电极延伸到反极性发光二极管芯片的发光区四周靠近边缘的部分，保证了电流能够扩展到发光区边缘部分。

在一个优选地实施例中，每个扩展电极具有两个及以上的扩展条，且扩展条延伸到反极性发光二极管芯片的发光区的中心区域及四周靠近边缘的部分，这些对称分布的扩展条保证了第一电极附近的电流扩展，同时在尽可能小的扩展电极面积下，保证电流扩展的范围和均匀性。

在一个优选地实施例中，扩展电极中的多个扩展条，分别沿第一方向和第二方向延伸，沿第一方向延伸的多个扩展条中，相邻的扩展条之间的间隔距离相等，沿第二方向延伸的多个扩展条中，相邻的扩展条之间的间隔距离相等，保证电流均匀扩展。

在一个优选地实施例中，沿第一方向延伸的多个扩展条之间的间隔距离与沿第二方向延伸的多个扩展条之间的间隔距离相等，保证电流均匀扩展。

在一个优选地实施例中，扩展电极与外延层的接触面积应为芯片面积的2％～10％，占据了尽可能小的出光面的面积，降低了对出光率的影响。

在本申请中，扩展电极采用沿第一轴对称和/或沿第二轴对称的对称式的结构，既保证了欧姆接触面积，同时也避免了扩展电极过大的遮光面积对出光率的影响，又能同时满足亮度和电流扩展均匀性的需求。

在本申请中，介质层中包括多个介质孔，多个介质孔均匀的位于多个扩展电极之间，有利于P区的电流扩展，同时提高了亮度。

附图说明

通过以下参照附图对本实用新型实施例的描述，本实用新型的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：

图1示出了本实用新型实施例一的反极性发光二极管芯片的立体图；

图2a和图2b示出了本实用新型实施例一的反极性发光二极管芯片的结构图以及扩展电流图；

图3a至图3d示出了本实用新型实施例一的反极性发光二极管芯片的俯视图、主视图、左视图以及仰视图；

图4a和图4b示出了本实用新型实施例二的反极性发光二极管芯片的立体图及俯视图；

图5a和图5b示出了本实用新型实施例三的反极性发光二极管芯片的立体图及俯视图；

图6a和图6b示出了本实用新型实施例四的反极性发光二极管芯片的立体图及俯视图；

图7a和图7b示出了本实用新型实施例五的反极性发光二极管芯片的立体图及俯视图；

图8a和图8b示出了本实用新型实施例六的反极性发光二极管芯片的立体图及俯视图；

图9a和图9b示出了本实用新型实施例七的反极性发光二极管芯片的立体图及俯视图；

图10a和图10b示出了本实用新型实施例八的反极性发光二极管芯片的立体图及俯视图。

具体实施方式

以下将参照附图更详细地描述本实用新型的各种实施例。在各个附图中，相同的元件采用相同或类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。

下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。

传统的反极性发光二极管芯片的出光面，形成有多个扩展电极，每个扩展电极均与中心电极连接，多个扩展电极采用“王”字形分布，当芯片为中大型尺寸的芯片时，“王”字形分布的多个扩展电极之间的间距太大导致电流横向扩展距离大，增大了电阻使得芯片电压偏高，并且导致发光区域的光分布不均匀。

扩展电极为与中心电极连接的电极，每个扩展电极包括至少一个扩展条，每个扩展条沿第一方向或第二方向延伸，第一方向与第二方向垂直，根据多个扩展条的延伸方向和连接位置的不同，组成形状各不相同的扩展电极。

图1示出了本实用新型实施例一的反极性发光二极管芯片的立体图；图2a示出了本实用新型实施例一的反极性发光二极管芯片的结构图，图2a为图1中沿AA线的截面图，具体为沿截面看向没有第一电极202一侧的截面图。

参考图1和图2a，反极性发光二极管芯片200从下至上依次包括：第二电极219，第二衬底218，键合层217，反射镜层216，介质层214，外延层220，第一电极202以及扩展电极201。其中，在介质层214中，还形成有多个介质孔213，反射镜层216填充多个所述介质孔213。

为了方便描述，参考图2a和图2b，在附图所示的立体图中将第二电极219，第二衬底218，键合层217，反射镜层216和介质层214整体示出为键合衬底区210。反射镜层216和介质层214组成全方位反射结构(ODR)。外延层220从下至上依次包括：P型窗口层228，P型限制层227，P型空间层226，量子阱层225，N型空间层224，N型限制层223，N型窗口层222以及N型欧姆接触层221，P型窗口层228与介质层214相接触。在该实施例中，第二电极219为P电极，第一电极202为N电极。

在该实施例中，第一电极202和扩展电极201位于外延层220远离第二衬底218的一侧，且第一电极201和扩展电极202所在的一面为反极性发光二极管芯片200的出光面。

在该实施例中，N型欧姆接触层221的形状与扩展电极201的形状一致，且通常位于第一电极202下方的N型欧姆接触层221被去除，避免电流从第一电极202下方通过，使得电流从第一电极202周围扩展，同时避免了第一电极202下方的N型欧姆接触层211的吸光。

图2b示出了本实用新型实施例一的反极性发光二极管芯片的扩展电流图；图3a至图3d示出了本实用新型实施例一的反极性发光二极管芯片的俯视图、主视图、左视图以及仰视图。

参考图1至图3d，扩展电极201与第一电极202连接，不仅关于第一轴对称，而且关于第二轴对称，扩展电极201包括第一扩展电极2011，第二扩展电极2012，第三扩展电极2013以及第四扩展电极2014。其中，第一轴与第二轴互相垂直，第一轴与第二轴例如为图3a中所示的x轴和y轴。

在该实施例中，每个扩展电极201都包括沿第一方向和第二方向延伸的多个扩展条，第一方向例如与第一轴平行，第二方向例如与第二轴平行，即第一方向与第二方向垂直。具体的，第一扩展电极2011与第三扩展电极2013具有相同的形状，例如为“T”型，第二扩展电极2012与第四扩展电极2014具有相同的形状，例如为“E”型。

第一扩展电极2011，第二扩展电极2012，第三扩展电极2013以及第四扩展电极2014分别与第一电极202连接，且分别包括至少一个的扩展条。其中，第一扩展电极2011与第三扩展电极2013关于第一电极202的x轴对称，多个扩展条包括沿第一方向延伸的扩展条与沿第二方向延伸的扩展条，延伸至发光区域的边缘区域；第二扩展电极2012与第四扩展电极2014关于第一电极202的y轴对称，多个扩展条包括沿第一方向延伸的扩展条与沿第二方向延伸的扩展条，主要位于发光区域的中心和部分边缘区域。第一扩展电极2011与第三扩展电极2013位于第二扩展电极2012与第四扩展电极2014之间，即第一扩展电极2011至第四扩展电极2014依次围绕第一电极202并与第一电极202连接。

参考图1和2b，第一电极202位于反极性发光二极管芯片的出光面的发光区中心，扩展电极201与第一电极202连接，多个扩展条分别沿第一方向和第二方向向发光区的边缘延伸，因此保证了电流能够扩展到发光区的边缘。扩展电极201的多个扩展条中沿第一方向延伸的扩展条之间的距离相等，沿第二方向延伸的扩展条之间的距离相等，优选地，沿第一方向延伸的扩展条的间距与沿第二方向延伸的扩展条的间距相等，即在发光区，扩展条间隔均匀的设置，使得扩展电流也能够均匀分布。参考图3b，图中位于外延层220中的虚线203即表示扩展电流。图3b中将外延层220中多个层整体示出为一层，使得扩展电流203可以在图3b中较为明显的示出。

此外，相对于现有技术中的“王”字型分布的扩展电极，在该实施例中，扩展电极201的多个扩展条之间的间隔距离相对较小，可以使得扩展电流203尽量在整个发光区分布均匀，能够减小电流在外延层220中的横向扩展，提高电流纵向扩展效果，最终实现低电压和均匀的光分布，提高出光效率。扩展条之间的距离太小可能导致局部电流拥挤，同时对应扩展电极面积大也会影响出光；扩展条之间的距离太大会导致电流扩展效果差，导致高电压和影响出光。因此，扩展条之间的距离设置需要恰当，使电流均匀的扩展到整个发光区，并且尽可能小的占据出光面的面积。

在该实施例中，扩展电极201具体呈对称式的叉状分布，每个扩展电极201的扩展条的宽度为4um～10um，多个扩展条之间的距离相等，且扩展电极201与外延层220的接触面积应为芯片面积(衬底面积)的2％～10％。

在该实施例中，与第一电极202连接的四个扩展电极201与外延层220的接触面积相近，避免了与第一电极202相连接的单个扩展条承载的电流过大，使电流能够朝四个扩展电极方向均匀扩展。

在其他实施例中，扩展电极201的形状和数量可以根据反极性发光二极管芯片的形状以及大小进行改变，同时，每个扩展电极201具有的扩展条的形状、数量和间距也可以根据反极性发光二极管芯片的形状以及大小进行改变，从而使得反极性发光二极管芯片的扩展电极在合适的欧姆接触比下，提高电流扩展效果，使发光区的光分布均匀。

在该实施例中，形成反极性发光二极管芯片的步骤例如为：在第一衬底上形成外延层220，外延层220的形成顺序依次为N型欧姆接触层221，N型窗口层222，N型限制层223，N型空间层224，量子阱层225，P型空间层226，P型限制层227以及P型窗口层228，其中，N型欧姆接触层221与第一衬底相接触，第一衬底例如为GaAs衬底。

进一步地，在P型窗口层228的表面形成介质层214以及在介质层214中形成介质孔213。

在该实施例中，介质孔213将会均匀的分布在扩展电极201的多个扩展条之间，以利于P区的电流扩展，同时提升反极性发光二极管芯片的发光亮度。介质孔213与P型窗口层228的面积比例如为3％～10％。其中，P区指外延层220的P型半导体区，包括P型窗口层228，P型限制层227，P型空间层226。

在该实施例中，介质孔的设计有利于电流扩展，可使P区电流向孔的附近扩展，合理的设计能使电流扩展范围更大，扩展更加均匀，同时防止局部电流拥挤造成老化问题。

进一步地，在介质层214的表面形成反射镜层216，反射镜层216为合金层，反射镜层216中的合金原子经过退火扩散，从介质层214的介质孔213中到达P型窗口层228中，反射镜层216在介质孔213中的部分与P型窗口层228形成P型欧姆接触。

进一步地，通过键合层217将上述步骤形成的半导体结构与第二衬底218进行高温键合，然后去除第一衬底。其中，键合层位于反射镜层216远离介质层214的一面。

进一步地，还包括对N型欧姆接触层221进行蚀刻，以及在N型欧姆接触层221的表面蒸镀形成第一电极202以及扩展电极201。其中，第一电极202和扩展电极201与N型欧姆接触层221形成N型欧姆接触。

在该实施例中，第一电极202例如为圆形，直径例如为80nm-130nm，位于发光区的中心区域，方便与扩展电极201进行连接。第一电极202也可以是其他形状，或第一电极202也可以不是位于发光区的中心区域，而是位于侧面或边缘区域。

进一步地，还包括对外延层220进行深槽蚀刻，蚀刻掉四周的外延层220，然后对第二衬底218进行减薄，并蒸镀形成第二电极219，最后进行划片裂片。

在该实施例中，多个扩展电极中至少两个扩展电极延伸到反极性发光二极管芯片的发光区四周靠近边缘的部分，保证了电流能够扩展到发光区边缘部分。

在一个优选地实施例中，每个扩展电极具有两个及以上的扩展条，且扩展条延伸到反极性发光二极管芯片的发光区的中心区域及四周靠近边缘的部分，这些对称分布的扩展条保证了第一电极附近的电流扩展，同时在尽可能小的扩展电极面积下，保证电流扩展的范围和均匀性。

在一个优选地实施例中，扩展电极中的多个扩展条，分别沿第一方向和第二方向延伸，沿第一方向延伸的多个扩展条中，相邻的扩展条之间的间隔距离相等，沿第二方向延伸的多个扩展条中，相邻的扩展条之间的间隔距离相等，保证电流均匀扩展。

在一个优选地实施例中，沿第一方向延伸的多个扩展条之间的间隔距离与沿第二方向延伸的多个扩展条之间的间隔距离相等，保证电流均匀扩展。

在一个优选地实施例中，扩展电极与外延层的接触面积应为芯片面积的2％～10％，占据了尽可能小的出光面的面积，降低了对出光率的影响。

在一个优选地实施例中，多个介质孔均匀的位于多个扩展电极之间，有利于P区的电流扩展，同时提高了亮度。

在该实施例中，扩展电极采用对称式(沿第一轴对称和沿第二轴对称)的结构，既保证了欧姆接触面积，同时也避免了扩展电极过大的遮光面积对出光率的影响，又能同时满足亮度和电流扩展均匀性的需求。

图4a和图4b示出了本实用新型实施例二的反极性发光二极管芯片的立体图及俯视图。实施例二的反极性发光二极管芯片与实施例一的反极性发光二极管芯片的区别仅在于扩展电极的形状不同，此处不再赘述相同之处，仅对不同之处做出说明。

参考图4a和图4b，本实用新型实施例二的反极性发光二极管芯片中，扩展电极301与第一电极302连接，采用了沿x轴对称和y轴对称的对称式结构，扩展电极301包括第一扩展电极3011，第二扩展电极3012，第三扩展电极3013以及第四扩展电极3014。

在该实施例中，每个扩展电极301都包括沿第一方向和第二方向延伸的多个扩展条，第一方向与第二方向垂直。具体的，第一扩展电极3011与第三扩展电极3013具有相同的形状，例如为“土”字型，“土”字型顶部与第一电极302连接，第二扩展电极3012与第四扩展电极3014具有相同的形状，例如为“T”字型，“T”字型底部与第一电极302连接。

第一扩展电极3011，第二扩展电极3012，第三扩展电极3013以及第四扩展电极3014分别与第一电极302连接。其中，第一扩展电极3011与第三扩展电极3013关于x轴对称，包括沿第一方向延伸的部分与沿第二方向延伸的部分，主要位于发光区域的中心和部分边缘区域；第二扩展电极3012与第四扩展电极3014关于y轴对称，包括沿第一方向延伸的部分与沿第二方向延伸的部分，主要位于发光区域的部分边缘区域。第一扩展电极3011与第三扩展电极3013位于第二扩展电极3012与第四扩展电极3014之间，即第一扩展电极3011至第四扩展电极3014依次围绕第一电极302并与第一电极302连接。

在该实施例中，多个扩展电极301的多个扩展条之间，沿第一方向延伸的扩展条之间的距离相等，沿第二方向延伸的扩展条之间的距离相等，有利于电流均匀扩展。

图5a和图5b示出了本实用新型实施例三的反极性发光二极管芯片的立体图及俯视图。实施例三的反极性发光二极管芯片与实施例一和二的反极性发光二极管芯片的区别仅在于扩展电极401的形状不同，此处不再赘述相同之处，仅对不同之处做出说明。

参考图5a和图5b，本实用新型实施例三的反极性发光二极管芯片中，扩展电极401与第一电极402连接，采用了沿x轴对称和y轴对称的对称式结构，扩展电极401包括第一扩展电极4011，第二扩展电极4012，第三扩展电极4013，第四扩展电极4014，第五扩展电极4015以及第六扩展电极4016。

在该实施例中，第一扩展电极4011与第四扩展电极4014具有相同的形状，例如为“T”型，主要位于发光区域的边缘区域；第二扩展电极4012，第三扩展电极4013，第五扩展电极4015与第六扩展电极4016具有相同的形状，例如为“一”字型，主要位于发光区域的中心区域及部分边缘区域。第一扩展电极4011至第六扩展电极4016依次围绕第一电极402并与第一电极402连接，其中，第一扩展电极4011，第二扩展电极4012以及第六扩展电极4016大致组成一个“H”型，位于发光区域的一侧，第三扩展电极4013，第四扩展电极4014以及第五扩展电极4015大致组成一个“H”型，位于发光区域的另一侧。

在该实施例中，多个扩展电极401的多个扩展条之间，沿x轴方向延伸的扩展条之间的距离相等，有利于电流均匀扩展。

图6a和图6b示出了本实用新型实施例四的反极性发光二极管芯片的立体图及俯视图。实施例四的反极性发光二极管芯片与实施例一至三的反极性发光二极管芯片的区别仅在于扩展电极501的形状不同，此处不再赘述相同之处，仅对不同之处做出说明。

参考图6a和图6b，本实用新型实施例四的反极性发光二极管芯片中，扩展电极501与第一电极502连接，采用了沿x轴对称和y轴对称的对称式结构，扩展电极501包括第一扩展电极5011，第二扩展电极5012，第三扩展电极5013以及第四扩展电极5014。

在该实施例中，每个扩展电极501都包括沿第一方向和第二方向延伸的多个扩展条，第一方向与第二方向垂直。第一扩展电极5011与第三扩展电极5013具有相同的形状，例如为“T”字型，“T”型的底部与第一电极502连接，主要位于发光区域的边缘部分；第二扩展电极5012与第四扩展电极5014具有相同的形状，例如为“E”字型，其中，三条平行的扩展条中间的扩展条开口一端与第一电极502连接，主要位于发光区域的中心区域及部分边缘区域。第一扩展电极5011至第四扩展电极5014依次围绕第一电极502并与第一电极502连接。

在该实施例中，第二扩展电极5012和第四扩展电极5014与实施例一中的第二扩展电极2012和第四扩展电极2014具有相同的形状，但与第一电极的连接方向不同。具体的，在实施例一中，第二扩展电极2012和第四扩展电极2014的“E”字型的开口背向第一电极202，而在实施例四中，第二扩展电极5012和第四扩展电极5014的“E”字型的开口面向第一电极502。

在该实施例中，多个扩展电极501的多个扩展条之间，沿第一方向延伸的扩展条之间的距离相等，沿第二方向延伸的扩展条之间的距离相等，有利于电流均匀扩展。

图7a和图7b示出了本实用新型实施例五的反极性发光二极管芯片的立体图及俯视图。实施例五的反极性发光二极管芯片与实施例一至四的反极性发光二极管芯片的区别仅在于扩展电极601的形状不同，此处不再赘述相同之处，仅对不同之处做出说明。

参考图7a和图7b，本实用新型实施例五的反极性发光二极管芯片中，扩展电极601与第一电极602连接，采用了沿x轴对称和y轴对称的对称式结构，扩展电极601包括第一扩展电极6011，第二扩展电极6012，第三扩展电极6013以及第四扩展电极6014。

在该实施例中，每个扩展电极601都包括沿第一方向和第二方向延伸的多个扩展条，第一方向与第二方向垂直。第一扩展电极6011与第三扩展电极6013具有相同的形状，例如为“H”字型，主要位于发光区域的中间部分及部分边缘区域，“H”型的腰部一侧与第一电极602连接；第二扩展电极6012与第四扩展电极6014具有相同的形状，例如为“T”字型，主要位于发光区域的边缘区域，“T”型的底部与第一电极602连接。第一扩展电极6011至第四扩展电极6014依次围绕第一电极602并与第一电极602连接。

在该实施例中，第二扩展电极6012和第四扩展电极6014与实施例二中的第二扩展电极3012和第四扩展电极3014具有类似的形状，第一扩展电极6011和第三扩展电极6013与实施例二中第一扩展电极3011和第三扩展电极3013形状类似，但是扩展条的长度不同，因此，实施例五与实施例二中的扩展电极在反极性发光二极管芯片的出光面的分布不同，导致扩展电流的分布和发光效果也会有所不同。

在该实施例中，多个扩展电极601的多个扩展条之间，沿第一方向延伸的扩展条之间的距离相等，沿第二方向延伸的扩展条之间的距离相等，有利于电流均匀扩展。

图8a和图8b示出了本实用新型实施例六的反极性发光二极管芯片的立体图及俯视图。实施例六的反极性发光二极管芯片与实施例一至五的反极性发光二极管芯片的区别仅在于扩展电极701的形状不同，此处不再赘述相同之处，仅对不同之处做出说明。

参考图8a和图8b，本实用新型实施例六的反极性发光二极管芯片中，扩展电极701与第一电极702连接，采用了沿x轴对称的对称式结构，扩展电极701包括第一扩展电极7011和第三扩展电极7013。

在该实施例中，每个扩展电极701都包括沿第一方向和第二方向延伸的多个扩展条，第一方向与第二方向垂直。第一扩展电极7011和第三扩展电极7013具有类似的形状，例如为类似“山”字型，中间的扩展条的长度小于两边的扩展条，且与第一电极702连接。此外，第一扩展电极7011和第三扩展电极7013的大小也不同，例如第一扩展电极7011的延伸范围较大，主要位于发光区的边缘区域，第三扩展电极7013延伸的范围较小，主要位于发光区的中心区域及部分边缘区域。

在该实施例中，多个扩展电极701的多个扩展条之间，沿第一方向延伸的扩展条之间的距离相等，有利于电流均匀扩展。

图9a和图9b示出了本实用新型实施例七的反极性发光二极管芯片的立体图及俯视图。实施例七的反极性发光二极管芯片与实施例一至六的反极性发光二极管芯片的区别仅在于扩展电极801的形状不同，此处不再赘述相同之处，仅对不同之处做出说明。

参考图9a和图9b，本实用新型实施例七的反极性发光二极管芯片中，扩展电极801与第一电极802连接，采用了沿x轴对称和y轴对称的对称式结构，扩展电极801包括第一扩展电极8011，第二扩展电极8012，第三扩展电极8013以及第四扩展电极8014。

在该实施例中，每个扩展电极801都包括沿第一方向和第二方向延伸的多个扩展条，第一方向与第二方向垂直。第一扩展电极8011和第三扩展电极8013具有相同的形状，例如为“T”字形，“T”型的底部与第一电极802连接，主要位于发光区域的部分边缘区域；第二扩展电极8012和第四扩展电极8014具有相同的形状，例如为“非”字形的一半，其中三条平行的扩展条中位于中间位置的扩展条与第一电极802连接，主要位于发光区域的中心区域及边缘区域。

在该实施例中，多个扩展电极801的多个扩展条之间，沿第一方向延伸的扩展条之间的距离相等，沿第二方向延伸的扩展条之间的距离相等，有利于电流均匀扩展。

图10a和图10b示出了本实用新型实施例八的反极性发光二极管芯片的立体图及俯视图。实施例八的反极性发光二极管芯片与实施例一至七的反极性发光二极管芯片的区别仅在于扩展电极901的形状不同，此处不再赘述相同之处，仅对不同之处做出说明。

参考图10a和图10b，本实用新型实施例八的反极性发光二极管芯片中，扩展电极901与第一电极902连接，采用了沿x轴对称和y轴对称的对称式结构，扩展电极901包括第一扩展电极9011，第二扩展电极9012，第三扩展电极9013以及第四扩展电极9014。

在该实施例中，每个扩展电极901都包括沿第一方向和第二方向延伸的多个扩展条，第一方向与第二方向垂直。第一扩展电极9011和第二扩展电极9012具有相同的形状，例如为“T”字形，“T”型的底部与第一电极902连接，主要位于发光区域的部分边缘区域；第二扩展电极9012和第四扩展电极9014具有相同的形状，例如为类似“E”字形，其中，第二扩展电极9012和第四扩展电极9014的开口背向第一电极902，三条平行的扩展条中中间的扩展条与第一电极902连接，同时，在三条平行的扩展条中边缘的两条扩展条开口一端还连接有垂直于三条平行的扩展条方向的扩展条，从而使第二扩展电极9012和第四扩展电极9014主要位于发光区域的中心区域及边缘区域。

在该实施例中，多个扩展电极901的多个扩展条之间，沿第一方向延伸的扩展条之间的距离相等，沿第二方向延伸的扩展条之间的距离相等，优选地，沿第一方向延伸的扩展条的间距与沿第二方向延伸的扩展条的间距相等，有利于电流均匀扩展。

根据上述的多个实施例，在本申请中，多个扩展电极中至少两个扩展电极延伸到反极性发光二极管芯片的发光区四周靠近边缘的部分，保证了电流能够扩展到发光区边缘部分。

在一个优选地实施例中，每个扩展电极具有两个及以上的扩展条，且扩展条延伸到反极性发光二极管芯片的发光区的中心区域及四周靠近边缘的部分，这些对称分布的扩展条保证了第一电极附近的电流扩展，同时在尽可能小的扩展电极面积下，保证电流扩展的范围和均匀性。

在一个优选地实施例中，扩展电极中的多个扩展条，分别沿第一方向和第二方向延伸，沿第一方向延伸的多个扩展条中，相邻的扩展条之间的间隔距离相等，沿第二方向延伸的多个扩展条中，相邻的扩展条之间的间隔距离相等，保证电流均匀扩展。

在一个优选地实施例中，沿第一方向延伸的多个扩展条之间的间隔距离与沿第二方向延伸的多个扩展条之间的间隔距离相等，保证电流均匀扩展。

在一个优选地实施例中，扩展电极与外延层的接触面积应为芯片面积的2％～10％，占据了尽可能小的出光面的面积，降低了对出光率的影响。

在一个优选地实施例中，多个介质孔均匀的位于多个扩展电极之间，有利于P区的电流扩展，同时提高了亮度。

在本申请中，扩展电极采用沿第一轴对称和/或沿第二轴对称的对称式的结构，既保证了欧姆接触面积，同时也避免了扩展电极过大的遮光面积对出光率的影响，又能同时满足亮度和电流扩展均匀性的需求。

依照本实用新型的实施例如上文所述，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该实用新型仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本实用新型的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本实用新型以及在本实用新型基础上的修改使用。本实用新型仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (15)

1.一种反极性发光二极管芯片，依次包括第二电极，第二衬底，键合层，全方位反射镜结构，外延层和第一电极，其特征在于，还包括：

多个扩展电极，多个所述扩展电极与所述第一电极连接，位于所述发光二极管的出光面，多个所述扩展电极沿第一轴对称式分布。

2.根据权利要求1所述的反极性发光二极管芯片，其特征在于，所述多个扩展电极沿所述第一轴对称，且沿第二轴对称，所述第一轴与所述第二轴垂直。

3.根据权利要求2所述的反极性发光二极管芯片，其特征在于，所述扩展电极包括：

第一扩展电极与第三扩展电极，所述第一扩展电极与第三扩展电极形状相同，且关于所述第一轴对称分布。

4.根据权利要求1所述的反极性发光二极管芯片，其特征在于，所述扩展电极包括：

第一扩展电极与第三扩展电极，所述第一扩展电极与第三扩展电极形状不相同，且关于所述第一轴对称分布。

5.根据权利要求3所述的反极性发光二极管芯片，其特征在于，所述扩展电极还包括：

第二扩展电极与第四扩展电极，所述第二扩展电极与第四扩展电极形状相同，且关于所述第二轴对称分布。

6.根据权利要求2所述的反极性发光二极管芯片，其特征在于，所述扩展电极包括：

第一扩展电极至第六扩展电极，其中，所述第一扩展电极与第四扩展电极形状相同，且关于所述第一轴对称分布，第二扩展电极与第六扩展电极形状相同，且关于所述第二轴对称分布，第三扩展电极与第五扩展电极形状相同，且关于所述第二轴对称分布。

7.根据权利要求1所述的反极性发光二极管芯片，其特征在于，每个所述扩展电极均包括至少一个扩展条，所述扩展条分别沿第一方向和/或第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向垂直，所述第一方向与所述第一轴平行。

8.根据权利要求7所述的反极性发光二极管芯片，其特征在于，至少一个所述扩展电极中的至少一个扩展条延伸到所述反极性发光二极管芯片出光面的中心区域。

9.根据权利要求7所述的反极性发光二极管芯片，其特征在于，至少一个所述扩展电极中的至少一个扩展条延伸到所述反极性发光二极管芯片出光面的边缘区域。

10.根据权利要求7所述的反极性发光二极管芯片，其特征在于，沿同一方向延伸的多个所述扩展条之间的间隔距离相等。

11.根据权利要求7所述的反极性发光二极管芯片，其特征在于，沿所述第一方向延伸的多个所述扩展条之间的间隔距离与沿所述第二方向延伸的多个所述扩展条之间的间隔距离相等。

12.根据权利要求1所述的反极性发光二极管芯片，其特征在于，所述多个扩展电极的面积为所述反极性发光二极管芯片的面积的2％～10％。

13.根据权利要求1所述的反极性发光二极管芯片，其特征在于，所述全方位反射镜结构包括：反射镜层和位于所述反射镜层上的介质层，所述反射镜层位于所述键合层上。

14.根据权利要求13所述的反极性发光二极管芯片，其特征在于，所述介质层中包括多个介质孔，所述反射镜层填充所述多个介质孔，所述多个介质孔均匀分布于所述多个扩展电极之间。

15.根据权利要求1所述的反极性发光二极管芯片，其特征在于，所述第一电极为N电极，所述第二电极为P电极。

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