CN213149729U

CN213149729U - 一种触控屏结构

Info

Publication number: CN213149729U
Application number: CN202022056053.9U
Authority: CN
Inventors: 王强; 许汉东; 吴美叶; 刘汉龙; 钟慧萍; 刘振东; 郑聪秀
Original assignee: Fujian Huajiacai Co Ltd
Current assignee: Fujian Huajiacai Co Ltd
Priority date: 2020-09-18
Filing date: 2020-09-18
Publication date: 2021-05-07
Anticipated expiration: 2030-09-18

Abstract

本实用新型公开了一种触控屏结构，TFT开关的输入端与数据线连接；TFT开关的控制端与设置于TFT开关一侧的栅极线连接，TFT开关的输出端置于栅极线上方；TP信号线设置于第一绝缘层上，TP信号线设置于栅极线的上方；第二绝缘层置于第一绝缘层和TP信号线上，公共电极置于第二绝缘层上，第三绝缘层置于第二绝缘层和公共电极上，像素电极通过第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层上的通孔与TFT开关的输出端连接。通过将TFT开关的输出端延长，使TFT开关的输出端置于栅极线与TP信号线之间，避免TP信号线收到栅极线的耦合影响。使电容置于TP信号线与TFT开关的输出端之间，用于消除TP信号线受到栅极线耦合导致的触控屏横纹。

Description

一种触控屏结构

技术领域

本实用新型涉及触控面板领域，尤其涉及一种触控屏结构。

背景技术

近年来，触控屏显示市场目前已进入产品多元化，从小尺寸的手机到中大尺寸的NB、平板、车载甚至到IT产品。触控技术主要分外挂式(Out cell)与内嵌式(In cell)两种，以手机、平板以及NB产品来说，为因应因成本、重量、厚度上考量，内嵌式(In cell)产品逐渐取代外挂式(Out cell)产品。

目前内嵌式(In cell)产品有逐渐往中大尺寸趋势，随着面板尺寸越大趋势，内嵌式(In cell)产品于闪屏画面下，TP Block(触控屏横纹)会越趋严重。

已知技术，TP信号线皆于数据线重叠(图1)，但由于尺寸增加及解像力增加情况，势必数据线对于TP信号线之间电容偶合效应加大，故会将TP信号线不与数据线重叠(图2)作为设计，但TP信号线与栅极线重叠仍存在。因TP Block主要来自于TP信号线受到栅极线的耦合影响(图3)，尺寸越大，解像力越高，触控屏横纹问题会越趋严重。

实用新型内容

为此，需要提供一种触控屏结构，解决触控屏横纹的问题。

为实现上述目的，本申请提供了一种触控屏结构，包括：基板、TFT开关、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、公共电极、像素电极、栅极线、TP信号线和数据线；

所述TFT开关设置在所述基板上，所述TFT开关的输入端与所述数据线连接；所述TFT开关的控制端与设置于所述TFT开关一侧的所述栅极线连接，所述TFT开关的输出端置于所述栅极线上方；所述第一绝缘层设置于所述TFT开关和所述栅极线上；所述TP信号线设置于所述第一绝缘层上，且所述TP信号线设置于所述栅极线的上方；

所述第二绝缘层置于所述第一绝缘层和所述TP信号线上，所述公共电极置于所述第二绝缘层上，所述第三绝缘层置于所述第二绝缘层和所述公共电极上，所述像素电极通过所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层上的通孔与所述TFT开关的输出端连接。

进一步地，所述TFT开关包括：栅极层、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极；

所述栅极层置于所述基板上，所述第一绝缘层置于所述栅极上，所述有源层置于所述第一绝缘层上，且所述源极和漏极分别置于所述有源层两侧；

所述TFT开关的控制端为栅极层；所述TFT开关的输出端为源极或漏极，所述TFT开关的输入端为漏极或源极。

进一步地，所述第一绝缘层为依次层叠的钝化层和平坦层。

进一步地，任意一条所述TP信号线与任意一条所述数据线在竖直方向上不重合。

区别于现有技术，上述技术方案通过将所述TFT开关的输出端延长，使所述TFT开关的输出端置于所述栅极线与所述TP信号线之间，避免所述TP信号线收到所述栅极线的耦合影响。使电容置于所述TP信号线与所述TFT开关的输出端之间，用于消除TP信号线受到栅极线耦合导致的触控屏横纹。

附图说明

图1为背景技术所述TP信号线与所述数据线重合结构图；

图2为背景技术所述TP信号线与所述数据线不重合结构图；

图3为背景技术触控屏横纹原理示意图；

图4为一种触控屏结构结构图；

图5为背景技术所述TP信号线被所述栅极线耦合剖视图；

图6为一种触控屏结构剖视图。

附图标记说明：

1、基板；2、TFT开关；3、第一绝缘层；4、第二绝缘层；5、第三绝缘层；6、公共电极；7、像素电极；8、栅极线；9、TP信号线；10、数据线；

201、栅极层；202、栅极绝缘层；203、有源层；204、输出端；205、输入端；206、控制端；

301、钝化层；302、平坦层。

具体实施方式

为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。

请参阅图1至图6，本实施例提供了一种触控屏结构，包括：基板1、TFT开关2、第一绝缘层3、第二绝缘层4、第三绝缘层5、公共电极6、像素电极7、栅极线8(G1、G2、G3…)、TP信号线9和数据线10；所述TFT开关2设置在所述基板1上，所述TFT开关2的输入端205与所述数据线10连接；所述TFT开关2的控制端206与设置于所述TFT开关2一侧的所述栅极线8连接，所述TFT开关2的输出端204置于所述栅极线8上方；所述第一绝缘层3设置于所述TFT开关2和所述栅极线8上；所述TP信号线9设置于所述第一绝缘层3上，且所述TP信号线9设置于所述栅极线8上方；所述第二绝缘层4置于所述第一绝缘层3和所述TP信号线9上，所述公共电极6置于所述第二绝缘层4上，所述第三绝缘层5置于所述第二绝缘层4和所述公共电极6上，所述像素电极7通过所述第一绝缘层3、第二绝缘层4和第三绝缘层5上的通孔与所述TFT开关2的输出端204连接。说第二绝缘层4为VA层，所述第三绝缘层5为CH层需要说明的是，在本申请中，所述TFT开关2的输出端204将延伸至所述TP信号线9与所述栅极线8之间，使原本置于所述TP信号线9与栅极线8之间的电动置于所述TFT开关2的输出端204与所述TP信号线9之间，避免了TP信号线9收到栅极线8的耦合。具体的，所述栅极线8是需要频繁进行开关的，以此控制所述TFT开关2的开启或者关闭，在这种情况下所述栅极线8与所述TP信号线9之间所述形成的电容就及其不稳定，导致所述TP信号线9被所述栅极线8耦合，出现触控屏横纹的现象。在本申请中，所述TFT开关2的输出端204置于所述TP信号线9与所述栅极线8之间，所述TFT开关2的输出端204在所述公共电极6(Vcom)的作用下将会产生一个相对稳定的电压，使所述TFT开关2的输出端204与所述TP信号线9之间的电压相对稳定。需要进一步说明的是，在所述栅极线8关闭期间，所述公共电极6中的一个电容为另一个电容进行充电，维持相应的电压，使该TFT开关上的电压可以维持到下一次所述栅极线8开启的时候。上述技术方案通过将所述TFT开关2的输出端204延长，使所述TFT开关2的输出端204置于所述栅极线8与所述TP信号线9之间，避免所述TP信号线9收到所述栅极线8的耦合影响。使电容置于所述TP信号线9与所述TFT开关2的输出端204之间，用于消除TP信号线9受到栅极线8耦合导致的触控屏横纹。

请参阅图6，在某些实施例中，所述TFT开关2包括：栅极层201、栅极绝缘层202、有源层203、源极、漏极；所述栅极层201置于所述基板1上，所述第一绝缘层3置于所述栅极上，所述有源层203置于所述第一绝缘层3上，且所述源极和漏极分别置于所述有源层203两侧；所述TFT开关2的控制端206为栅极层201；所述TFT开关2的输出端204为源极或漏极，所述TFT开关2的输入端205为漏极或源极。需要说明的是，在本实施例中，所述TFT开关2的源极和漏极是置于所述有源层203两侧，并与所述有源层203连接的；同时源极与漏极是通过所连接的数据线10的极性确定；即，连接正极数据线10的TFT开关2来说，输入端205为漏极，输出端204为源极。反之，连接正极数据线10的TFT开关2来说，输入端205为源极，输出端204为漏极。需要进一步说明的是，在本实施例中，所述TFT开关2的输出端204置于所述栅极线8上，所述栅极层201与所述栅极线8连接。

请参阅图5，在现技术中，所述TP信号线9与所述栅极线8间无任何遮蔽模块。请参阅图4，本申请技术，为减轻所述栅极线8对TP信号线9电容耦合，于TP信号线9与所述栅极线8间利用一讯号(此发明以像素讯号为例)进行屏蔽，由剖面图可了解，已知技术所述栅极线8对TP信号线9间无任何的讯号作为遮蔽；请参阅图6，而本申请技术中的栅极线8对TP信号线9间却有一讯号作为遮蔽，进而可消除所述栅极线8对所述TP信号线9的电容偶合效应，故可在不增加成本和制程顺序下，达到减小触控屏横纹的目的。

请参阅图5或图6，在某些实施例中，所述第一绝缘层3为依次层叠的钝化层301和平坦层302。任意一条所述TP信号线9与任意一条所述数据线10在竖直方向上不重合。需要进一步说明的是，在本实施例中，所述TFT开关2一侧设置有数据线10不予另一个TFT开关2一侧的TP信号线9重合。即，使所述TP信号线9不与所述数据线10重合；具体的，所述TFT开关2的输入端205与所述数据线10连接，所述TFT开关2的输出端204上方设置有TP信号线9，所述TFT开关2的控制端206与所述栅极线8连接；所述数据线10设置和所述TP信号线9设置于一个所述TFT开关2的两侧。所述TP信号和数据线10沿水平方向阵列排布；即，两个相邻的所述TFT开关2之间设置有一条TP信号线9和一条数据线10，且所述TP信号线9和数据线10不重合；进一步避免了触控屏的横纹现象。

请参阅图5至图6，还提供一种触控屏结构制作方法，包括步骤：于基板1上制作TFT开关2和栅极线8，所述TFT开关2的控制端206与所述栅极线8连接，且所述TFT开关2的输出端204置于所述栅极线8上方；于所述TFT开关2上制作第一绝缘层3；于所述第一绝缘层3上制作TP信号线9，所述TP信号线9置于所述栅极线8上方；制作第二绝缘层4，并于所述第二绝缘层4上方一侧制作公共电极6；制作第三绝缘层5；蚀刻所述第一绝缘层3、第二绝缘层4和第三绝缘层5，形成以所述TFT输出端204为底的通孔；于通孔区域制作像素电极7，使所述像素电极7与所述TFT开关2连接。当然，在某些实施例中，所述第一绝缘的制作步骤还可以包括制作钝化层301，并与所述钝化层301上制作平坦层302。需要说明的是，在本申请中，所述TFT开关2的输出端204将延伸至所述TP信号线9与所述栅极线8之间，使原本置于所述TP信号线9与栅极线8之间的电动置于所述TFT开关2的输出端204与所述TP信号线9之间，避免了TP信号线9收到栅极线8的耦合。上述技术方案通过将所述TFT开关2的输出端204延长，使所述TFT开关2的输出端204置于所述栅极线8与所述TP信号线9之间，避免所述TP信号线9收到所述栅极线8的耦合影响。使电容置于所述TP信号线9与所述TFT开关2的输出端204之间，用于消除TP信号线9受到栅极线8耦合导致的触控屏横纹。

请参阅图6，在某些实施例中，制作所述TFT开关2包括步骤：于基板1上制作栅极层201，所述栅极层201与位于栅极层201一侧的栅极线8连接；制作栅极绝缘层202，所述栅极绝缘层202置于所述栅极层201和栅极线8上；制作有源层203，所述有源层203置于所述栅极层201上方；制作源极和漏极，所述源极和所述漏极分别置于所述有源层203两侧。需要说明的是，在本实施例中，所述TFT开关2的源极和漏极是置于所述有源层203两侧，并与所述有源层203连接的；同时源极与漏极是通过所连接的数据线10的极性确定；即，连接正极数据线10的TFT开关2来说，输入端205为漏极，输出端204为源极。反之，连接正极数据线10的TFT开关2来说，输入端205为源极，输出端204为漏极。需要进一步说明的是，在本实施例中，所述TFT开关2的输出端204延伸至所述栅极线8上以及所述TP信号线9下方，且所述栅极层201与所述栅极线8连接。

需要说明的是，尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述，但并非因此限制本实用新型的专利保护范围。因此，基于本实用新型的创新理念，对本文所述实施例进行的变更和修改，或利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域，均包括在本实用新型的专利保护范围之内。

Claims

1.一种触控屏结构，其特征在于，包括：基板、TFT开关、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、公共电极、像素电极、栅极线、TP信号线和数据线；

2.根据权利要求1所述一种触控屏结构，其特征在于，所述TFT开关包括：栅极层、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极；

3.根据权利要求1所述一种触控屏结构，其特征在于，所述第一绝缘层为依次层叠的钝化层和平坦层。

4.根据权利要求1所述一种触控屏结构，其特征在于，任意一条所述TP信号线与任意一条所述数据线在竖直方向上不重合。