CN212935881U - 一种低相位噪声快速置频的频率合成器模块 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种低相位噪声快速置频的频率合成器模块，包括两个功分器、倍频器、主环、预置环、I/Q混频器、可变分频器，两个滤波器；功分器一的输出端分别与倍频器、主环、预置环连接，倍频器与滤波器一相连，滤波器一与I/Q混频器的本振端相连，I/Q混频器的中频端口与功分器二的输入端相连；功分器二与主环的输入端相连，主环的输出端和预置环的输出端同时连接环路开关，环路开关的输出端与滤波器二的输入端相连，滤波器二的输出端与压控振荡器相连，压控振荡器的输出端与可变分频器的输入端相连，可变分频器的输出端分两路，一路与I/Q混频器的射频端相连，另一路与预置环相连。本实用新型的装置可广泛应用于带内混频的低相噪本振等领域。
Description
技术领域
本实用新型涉及频率合成器技术领域，特别涉及一种低相位噪声快速置频的频率合成器模块。
背景技术
现有的频率合成器模块，由于对跳频时间要求高，噪声低等特点，预置部分采用的是DA预置。而DA预置将会带入一部分电源噪声，从而影响频率合成器最终输出的相位噪声，并且对于精确预置难度大，且调试工作量大，可靠性相对较低等缺点。
实用新型内容
本实用新型的目的是针对现有频率合成器存在的上述问题，提供一种低相位噪声快速置频的频率合成器模块，具有稳定性好、成本低、可靠性高、快速跳频、低相位噪声等特点。
本实用新型提供的低相位噪声快速置频的频率合成器模块，包括两个功分器、倍频器、主环、预置环、I/Q混频器、可变分频器，两个滤波器和压控振荡器（VCO）。
两个功分器分别是功分器一和功分器二。功分器一的输出端分别与倍频器、主环、预置环连接。倍频器的输出端与滤波器一相连，滤波器一的输出端与I/Q混频器的本振端相连，I/Q混频器的中频端口与功分器二的输入端相连。功分器二（I/Q功分器）的输出端与主环的射频输入端相连，主环的输出端和预置环的输出端同时连接环路开关，环路开关的输出端与滤波器二的输入端相连，滤波器二的输出端与压控振荡器相连。压控振荡器的输出端与可变分频器的输入端相连，可变分频器的输出端分两路，一路与I/Q混频器的射频端相连，另一路与预置环相连。
所述主环与预置环通过与环路开关合并为一路输出，通过环路滤波器与VCO调谐端相连，VCO的输出端与可变分频器输入端相连接，可变分频器分别为I/Q混频器与预置环提供射频信号，I/Q混频后的低频信号经过I/Q功分器进入主环，形成一个完整的环路。
优选的是，所述功分器一采用SBTC-2-10L+功分器。功分器二采用QCV-151+功分器。
所述主环采用ADF4002型号的鉴相器。所述预置环采用ADF4108型号的鉴相器。
所述I/Q混频器型号LTC5594。所述可变分频器型号是HMC862LP3E。
所述滤波器一采用声表滤波器TA0751，滤波器二采用AD8065ARZ运算放大器。
所述环路开关是ADG849YKSZ电源开关。
所述倍频器采用的是谐波发生器。
所述压控振荡器采用HMC733LC4B。
本实用新型的频率合成器模块通过参考输入经过内部倍频滤波的方式，输出一个本振信号，与分频输出频率混频滤波后，进入锁相环的射频输入端，以降低锁相环的倍频系数，达到低相噪的特性，通过预置环来实现快速预置，后一级环路滤波器实现环路电压保持的特性。从而实现带内混频快速预置的低相噪的频率合成器。
与现有技术相比，本实用新型的有益之处在于：
本实用新型频率合成器采用低成本、高温度稳定性、高可靠性的锁相环预置的方案，解决了用DA预置带入的电源噪声和成本高的问题。本实用新型产品一致性好，调试量小，生产成本低，温度稳定性好，可靠性高可广泛应用于带内混频的高相噪本振等领域。
本实用新型的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现，部分还将通过对本实用新型的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。
附图说明
图1为本实用新型的频率合成器模块的连接示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
如图1所示，本实用新型提供的低相位噪声快速置频的频率合成器模块，包括功分器一1，所述功分器一1的输出端分别与倍频器2输入端、主环6的参考输入端、预置环7的参考输入端相连，所述倍频器2的输出端与滤波器一3的输入端相连，所述滤波器一3的输出端与I/Q混频器4的本振端相连，I/Q混频器4的中频端口与功分器二5的输入端相连，功分器二5是I/Q功分器。功分器二5与主环6的射频输入端相连，主环6的输出端和预置环7的输出端同时与环路开关8相连，环路开关8的输出端与滤波器二9（即环路滤波器）的输入端相连。滤波器二9作为环路滤波器，滤波器二9的输出端与压控振荡器VCO 10的输入端相连，压控振荡器VCO 10的输出端与可变分频器11的输入端相连。可变分频器11输出端与I/Q混频器4相连。图1中，REF-IN指的是参考信号输入。RF-OUT指的是射频信号输出。LO-IN指的是本振输入信号。IF代表中频，I，Q代表相位相差90度的正交，I-IF和Q-IF代表相位相差90度的正交中频信号。
在一个具体的实施例中，所述功分器一1采用SBTC-2-10+型号的功分器。所述倍频器2采用谐波发生器。所述滤波器一3采用TA0751声表滤波器，所述I/Q混频器4采用LTC5594，所述功分器二5采用QCV-151+型功分器。所述主环6采用ADF4002型号的鉴相器。所述预置环7采用ADF4108型号鉴相器。所述环路开关8采用ADG849YKSZ型号开关。所述滤波器二9采用AD8065ARZ型号运算放大器。所述压控振荡器VCO 10采用HMC733LC4B型号的VCO，所述可变分频器11采用HMC862LP3E型号的分频器。在本实施例中，所述ADF4002型号的鉴相器具有良好的底部噪声，功耗低，体积小的特点。
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
Claims (9)
1.一种低相位噪声快速置频的频率合成器模块，其特征在于，包括两个功分器、倍频器、主环、预置环、I/Q混频器、可变分频器，两个滤波器和压控振荡器；功分器一的输出端分别与倍频器、主环、预置环连接，倍频器的输出端与滤波器一相连，滤波器一的输出端与I/Q混频器的本振端相连，I/Q混频器的中频端口与功分器二的输入端相连；功分器二的输出端与主环的射频输入端相连，主环的输出端和预置环的输出端同时连接环路开关，环路开关的输出端与滤波器二的输入端相连，滤波器二的输出端与压控振荡器相连，压控振荡器的输出端与可变分频器的输入端相连，可变分频器的输出端分两路，一路与I/Q混频器的射频端相连，另一路与预置环相连。
2.如权利要求1所述的低相位噪声快速置频的频率合成器模块，其特征在于，所述功分器一采用SBTC-2-10L+功分器；功分器二采用QCV-151+功分器。
3.如权利要求1所述的低相位噪声快速置频的频率合成器模块，其特征在于，所述主环采用ADF4002型号的鉴相器，所述预置环采用ADF4108型号的鉴相器。
4.如权利要求1所述的低相位噪声快速置频的频率合成器模块，其特征在于，所述I/Q混频器的型号是LTC5594。
5.如权利要求1所述的低相位噪声快速置频的频率合成器模块，其特征在于，所述可变分频器型号是HMC862LP3E。
6.如权利要求1所述的低相位噪声快速置频的频率合成器模块，其特征在于，所述滤波器一采用声表滤波器TA0751，滤波器二采用AD8065ARZ运算放大器。
7.如权利要求1所述的低相位噪声快速置频的频率合成器模块，其特征在于，所述环路开关是ADG849YKSZ电源开关。
8.如权利要求1所述的低相位噪声快速置频的频率合成器模块，其特征在于，所述倍频器采用的是谐波发生器。
9.如权利要求1所述的低相位噪声快速置频的频率合成器模块，其特征在于，所述压控振荡器采用HMC733LC4B。
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN114726368A (zh) * | 2022-06-08 | 2022-07-08 | 成都世源频控技术股份有限公司 | 一种低相位噪声环路及应用该环路的环路预置方法 |
| CN116054823A (zh) * | 2023-04-03 | 2023-05-02 | 成都威频科技有限公司 | 一种模拟分频低相噪频率源电路 |
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