CN212907705U - 防护结构、绝缘栅双极型晶体管模块和设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了防护结构、绝缘栅双极型晶体管模块和设备，防护结构包括陶瓷覆铜板；电子器件，与所述陶瓷覆铜板连接固定；第一胶体，覆盖所述陶瓷覆铜板以及所述电子器件；第二胶体，覆盖所述第一胶体，所述第二胶体的邵氏硬度大于所述第一胶体的邵氏硬度。本实用新型通过设置所述第一胶体覆盖所述陶瓷覆铜板以及所述电子器件，使所述第二胶体覆盖所述第一胶体，而所述第二胶体的邵氏硬度大于所述第一胶体的邵氏硬度，使得所述第一胶体能够保护所述电子器件且能避免对所述电子器件造成损伤，而所述第二胶体的设置又能够保护所述第一胶体，起到缓冲和防止外部影响的作用，保护效果好，可广泛应用于封装技术领域。

Description

防护结构、绝缘栅双极型晶体管模块和设备

技术领域

本实用新型涉及封装技术领域，尤其是一种防护结构、绝缘栅双极型晶体管模块和设备。

背景技术

现有绝缘栅双极型晶体管模块(IGBT模块)对于内部元件的保护主要是在外壳组装后通过点胶管一次向内部填充胶体后固化的方式，依此来达到对成品在后续使用时的保护目的。然而，填充的胶体种类单一，在满足与内部元件良好接触时，没办法为内部元件提供有效的保护，使得内部元件容易受到外部的影响。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型的目的在于：提供一种保护效果好的防护结构、绝缘栅双极型晶体管模块和设备。

本实用新型所采取的技术方案是：

防护结构，包括：

陶瓷覆铜板；

电子器件，与所述陶瓷覆铜板连接固定；

第一胶体，覆盖所述陶瓷覆铜板以及所述电子器件；

第二胶体，覆盖所述第一胶体，所述第二胶体的邵氏硬度大于所述第一胶体的邵氏硬度。

进一步，所述第一胶体的邵氏硬度大于等于10度且小于等于30度。

进一步，所述第二胶体的邵氏硬度大于等于35度且小于等于55度。

进一步，所述第一胶体包括硅胶和环氧胶的其中一种，所述第二胶体包括硅胶和环氧胶的其中一种。

进一步，还包括第三胶体，所述第三胶体覆盖所述第二胶体。

进一步，还包括外壳，所述外壳容纳所述电子器件、所述第一胶体、所述第二胶体和所述第三胶体。

进一步，所述第三胶体的邵氏硬度大于等于30度且小于等于60度。

进一步，还包括底板，所述底板与所述陶瓷覆铜板连接固定，所述底板与所述电子器件分别位于所述陶瓷覆铜板的不同侧。

本实用新型还提供一种绝缘栅双极型晶体管模块，包括所述防护结构。

本实用新型还提供一种设备，包括所述绝缘栅双极型晶体管模块。

本实用新型的有益效果是：通过设置所述第一胶体覆盖所述陶瓷覆铜板以及所述电子器件，使所述第二胶体覆盖所述第一胶体，而所述第二胶体的邵氏硬度大于所述第一胶体的邵氏硬度，使得所述第一胶体能够保护所述电子器件且能避免对所述电子器件造成损伤，而所述第二胶体的设置又能够保护所述第一胶体，起到缓冲和防止外部影响的作用，保护效果好。

附图说明

图1为本实用新型防护结构的结构示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。

本申请的说明书和权利要求书及所述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

下面结合说明书附图和具体实施例对本实用新型作进一步解释和说明。

参照图1，本实用新型实施例提供了一种防护结构，包括陶瓷覆铜板1(DBC)、电子器件2、第一胶体3、第二胶体4、第三胶体5、底板6以及外壳7。

在本实施例中，陶瓷覆铜板1的上方和下方均设置有内部电路(未图示)。

参照图1，在本实施例中，电子器件2包括但不限于IGBT芯片21、二极管22和线材23。IGBT芯片21以及二极管22固定于陶瓷覆铜板1的上方，可选地IGBT芯片21以及二极管22通过线材23与陶瓷覆铜板1进行电性连接，可选地为与陶瓷覆铜板1的内部电路连接，线材23可以为铝线、金线、银线和合金线。可选地，IGBT芯片21以及二极管22通过锡膏或银胶固定于陶瓷覆铜板1上，IGBT芯片21以及二极管22在陶瓷覆铜板1上间隔设置。

参照图1，在本实施例中，底板6与陶瓷覆铜板1连接固定，固定于陶瓷覆铜板1的下方，与电子器件2位于陶瓷覆铜板1的不同侧；可选地，固定的方式可以为通过锡膏或银胶进行固定。

参照图1，在本实施例中，第一胶体3覆盖陶瓷覆铜板1以及所述电子器件2，可选地第一胶体3包覆电子器件2以及覆盖陶瓷覆铜板1的一部分上表面。本实施例中，由于第一胶体3与陶瓷覆铜板1以及电子器件2和线材23直接接触，因此第一胶体3选用应力小且热稳定性好的硅胶，避免对IGBT芯片21、二极管22和线材23造成的应力损伤，可选地固化后的第一胶体3的邵氏硬度A可以为10≤A≤30(单位：度)。

参照图1，在本实施例中，第二胶体4覆盖所述第一胶体3，可选地为包覆第一胶体3，可以理解的是包覆包括但不限于完全包覆第一胶体3。在本实施例中，第二胶体4选用对环境的湿度、污染、温度抵抗力强且硬度、应力大于第一胶体3的胶体，对第一胶体3减刑保护，起到缓冲和防止外部对电子器件2造成损害的作用，因此选用的第二胶体4的邵氏硬度B大于第一胶体3的邵氏硬度A，可选地固化后的第二胶体4的邵氏硬度B可以为35≤A≤55(单位：度)。可选地，第二胶体4与陶瓷覆铜板1间隔设置。

参照图1，在本实施例中，为了进一步加强对电子器件2的保护，将第三胶体5覆盖于第二胶体4的，可选地为包覆第二胶体4，可以理解的是包覆包括但不限于完全包覆第二胶体4。在本实施例中，第三胶体5选用对环境的湿度、污染、温度抵抗力强、机械强度高且硬度、应力大于第二胶体4的胶体，进一步防止电子器件2受到外部影响，且能起到对外部污染物质的防护作用。可选地固化后的第二胶体4的邵氏硬度B可以为30≤A≤60(单位：度)。可选地，第三胶体5与陶瓷覆铜板1间隔设置。

可选地，第一胶体3、第一胶体3和第三胶体5可以种类不同也可以种类相同，包括但不限于硅胶和环氧胶的其中一种。

通过设置第一胶体3对电子器件2以及线材23进行保护而不会对其造成损伤，第二胶体4设置于第一胶体3和第三胶体5之间起到过渡缓冲的作用，第三胶体5的设置则能有效防止外部对电子器件2造成损害。

参照图1，在本实施例中，外壳7设置于第三胶体5外围，所述外壳7容纳所述电子器件2、所述第一胶体3、所述第二胶体4和所述第三胶体5。可选地，容纳陶瓷覆铜板1和/或底板6。

可选地，在喷涂第一胶体3、第二胶体4和第三胶体5时，可以通过控制用于喷涂胶体的针嘴的孔径以及设置流量计控制喷涂胶量，通过设置气压计控制喷涂速度，通过设置计时器控制喷涂次数，通过设置脉冲控制器对喷涂动作进行开关控制，以控制第一胶体3、第二胶体4以及第三胶体5的喷涂时间、顺序和位置，保证第一胶体3、第二胶体4以及第三胶体5的准确喷涂，达到本方案所能实现的效果。

本方案还提供一种绝缘栅双极型晶体管模块(IGBT模块)，包括上述防护结构。

本方案还提供一种设备，包括上述的绝缘栅双极型晶体管模块，可选地，设备包括但不限于汽车和家电。

以上是对本实用新型的较佳实施进行了具体说明，但本实用新型并不限于所述实施方式，熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型精神的前提下还可做作出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。

Claims (10)

1.防护结构，其特征在于，包括：

陶瓷覆铜板；

电子器件，与所述陶瓷覆铜板连接固定；

第一胶体，覆盖所述陶瓷覆铜板以及所述电子器件；

第二胶体，覆盖所述第一胶体，所述第二胶体的邵氏硬度大于所述第一胶体的邵氏硬度。

2.根据权利要求1所述的防护结构，其特征在于：所述第一胶体的邵氏硬度大于等于10度且小于等于30度。

3.根据权利要求1所述的防护结构，其特征在于：所述第二胶体的邵氏硬度大于等于35度且小于等于55度。

4.根据权利要求1所述的防护结构，其特征在于：所述第一胶体包括硅胶和环氧胶的其中一种，所述第二胶体包括硅胶和环氧胶的其中一种。

5.根据权利要求1所述的防护结构，其特征在于：还包括第三胶体，所述第三胶体覆盖所述第二胶体。

6.根据权利要求5所述的防护结构，其特征在于：还包括外壳，所述外壳容纳所述电子器件、所述第一胶体、所述第二胶体和所述第三胶体。

7.根据权利要求5所述的防护结构，其特征在于：所述第三胶体的邵氏硬度大于等于30度且小于等于60度。

8.根据权利要求1所述的防护结构，其特征在于：还包括底板，所述底板与所述陶瓷覆铜板连接固定，所述底板与所述电子器件分别位于所述陶瓷覆铜板的不同侧。

9.一种绝缘栅双极型晶体管模块，其特征在于：包括如权利要求1-8任一项所述的防护结构。

10.一种设备，其特征在于：包括如权利要求9所述的绝缘栅双极型晶体管模块。

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