CN113471348A - Led芯片封装结构 - Google Patents

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杨发展
李�杰
刘鹏
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Abstract

本发明公开了一种LED芯片封装结构，其包括基板、反射装置、第一硅胶层和第二硅胶层；所述反射装置设置于所述基板上，且在所述基板上围成一用于贴装LED芯片的封装腔体；所述第一硅胶层设置于所述LED芯片与连接导线的连接处，且将该连接处包围，用于防止该连接处的所述LED芯片与连接导线的连接断点；所述第二硅胶层设置于所述封装腔体内，将所述LED芯片封装，且所述第二硅胶层位于所述第一硅胶层外侧，以及所述第二硅胶层的邵氏硬度大于所述述第一硅胶层的邵氏硬度。通过设置不同硬度的封装硅胶层，可降低LED芯片与连接导线连接处容易折断的问题，从而提高使用寿命，以及提高LED芯片的照明效果。

Description

LED芯片封装结构
技术领域
本发明涉及LED芯片封装技术领域，具体涉及一种LED芯片封装结构。
背景技术
LED半导体照明被认为是取代传统照明光源的新型节能照明光源,正受到日益广泛的关注和研究。LED的核心是LED芯片，LED芯片作为封装的核心部件,其光学性能决定了封装的最终光学性能。改进LED芯片结构,不断提高LED芯片的性能是当前LED芯片技术研究的重点。而目前的LED芯片设计经常忽略芯片在封装制造过程中的潜在问题,导致芯片的封装效果低于预期。这意味着一些对芯片性能提升效果十分明显的结构设计方法,不一定能有效的改善封装性能。为达到预期的封装效果,在封装设计之初,就必须充分考虑所采用芯片的结构。不同的芯片结构需要采用不同的封装结构设计和制造工艺,才能使封装后的具有最佳的光学性能。当所要实现的封装效果不能通过某种芯片满足时,就必须采用特定的芯片来进行封装设计。否则,无论如何改进封装设计,不仅不会实现目标,还会造成资源浪费,影响整个设计和制造流程。因此,封装设计技术与芯片制备工艺相结合是芯片技术研究的必然之趋。现有封装技术，存在LED芯片与导线连接处容易折断的技术问题，从而影响LED灯的使用寿命。
发明内容
本发明提供一种LED芯片封装结构，旨在解决的技术问题之一是：LED芯片与导线连接处容易折断，从而影响LED灯使用寿命的技术问题。
考虑到现有技术的上述问题，根据本发明公开的一个方面，本发明采用以下技术方案：
一种LED芯片封装结构，其包括：
基板；
反射装置，所述反射装置设置于所述基板上，且在所述基板上围成一用于贴装LED芯片的封装腔体；
第一硅胶层，所述第一硅胶层设置于所述LED芯片与连接导线的连接处，且将该连接处包围，用于防止该连接处的所述LED芯片与连接导线的连接断点；
第二硅胶层，所述第二硅胶层设置于所述封装腔体内，将所述LED芯片封装，且所述第二硅胶层位于所述第一硅胶层外侧，以及所述第二硅胶层的邵氏硬度大于所述述第一硅胶层的邵氏硬度。
为了更好地实现本发明，进一步的技术方案是：
进一步地，所述第二硅胶层内设置荧光粉。
进一步地，所述第一硅胶层的邵氏硬度为43-47。
进一步地，所述第二硅胶层的邵氏硬度为60-87。
进一步地，所述连接导线与所述基板的连接处也设置第一硅胶层。
进一步地，所述第一硅胶层的形状为半球形。
进一步地，所述反射装置围成所述封装腔体的内侧为斜面。
与现有技术相比，本发明的有益效果之一是：
本发明的一种LED芯片封装结构，通过设置不同硬度的封装硅胶层，可降低LED芯片与连接导线连接处容易折断的问题，从而提高使用寿命，以及提高LED芯片的照明效果，通过实验发现，采用本发明结构后的设备，其使用寿命大于等于10000小时，温度小于等于48摄氏度，亮度可以达到2001m/w，色温在4000-4500K。
附图说明
为了更清楚的说明本申请文件实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术的描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是对本申请文件中一些实施例的参考，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的情况下，还可以根据这些附图得到其它的附图。
图1为根据本发明一个实施例的LED芯片封装结构的示意图。
图2为根据本发明另一个实施例的LED芯片封装结构的示意图。
其中，附图中的附图标记所对应的名称为：
1－基板，2－反射装置，3－LED芯片，4－封装腔体，5－第一硅胶层，6－连接导线，7－第二硅胶层。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
如图1所示，一种LED芯片封装结构，其包括基板1、反射装置2、第一硅胶层5和第二硅胶层7；所述反射装置2设置于所述基板1上，且在所述基板1上围成一用于贴装LED芯片3的封装腔体4；所述第一硅胶层5设置于所述LED芯片3与连接导线6的连接处，且将该连接处包围，用于防止该连接处的所述LED芯片3与连接导线6的连接断点；所述第二硅胶层7设置于所述封装腔体4内，将所述LED芯片3封装，且所述第二硅胶层7位于所述第一硅胶层5外侧，以及所述第二硅胶层7的邵氏硬度大于所述述第一硅胶层5的邵氏硬度。本实施例中，由于第一硅胶层5的邵氏硬度较低，在受到热胀冷缩的冲击时，其第一硅胶层5的内部应力较小，可对LED芯片3与连接导线6的连接处进行保护，以防止较大的热胀冷缩应力使LED芯片3与连接导线6在连接处折断，从而提高LED芯片的使用寿命。第二硅胶层7的邵氏硬度较大，其受热膨胀系数小，使得第二硅胶层7的封装效果更好，可减少第二硅胶层7与封装腔体4各壁之间的缝隙，包括第二硅胶层7与基板1的缝隙和第二硅胶层7与反射装置2的缝隙，从而提高气密性，减缓硫蒸气对反射装置2底部镀银层的化学反应，减少了对光通量的吸收，提升了出光效率。通过实验发现，采用本发明结构后的LED芯片，其使用寿命大于等于10000小时，温度小于等于48摄氏度，亮度可以达到2001m/w，色温在4000-4500K。
所述第二硅胶层7内可以设置荧光粉，从而提高LED封装器件光效和改善光色品质，其根据需达到的效果，控制荧光粉的添加量。当然，也可选择不添加荧光粉。
对于第一硅胶层5在达到上述实例提到的防止连接处断点的问题时，其一优选方案是，第一硅胶层5的邵氏硬度为43-47。通过该范围值的邵氏硬度，可较好的提高产品的使用寿命。
对于第二硅胶层7的硬度，一般选择邵氏硬度为60-87。
另一实施例，如图2所示，所述连接导线6与所述基板1的连接处也设置第一硅胶层5。
所述第一硅胶层5的形状为半球形。
所述反射装置2围成所述封装腔体4的内侧为斜面。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分相互参见即可。
在本说明书中所谈到的“一个实施例”、“另一个实施例”、“实施例”、等，指的是结合该实施例描述的具体特征、结构或者特点包括在本申请概括性描述的至少一个实施例中。在说明书中多个地方出现同种表述不是一定指的是同一个实施例。进一步来说，结合任一实施例描述一个具体特征、结构或者特点时，所要主张的是结合其他实施例来实现这种特征、结构或者特点也落在本发明的范围内。
尽管这里参照本发明的多个解释性实施例对本发明进行了描述，但是，应该理解，本领域技术人员可以设计出很多其他的修改和实施方式，这些修改和实施方式将落在本申请公开的原则范围和精神之内。更具体地说，在本申请公开和权利要求的范围内，可以对主题组合布局的组成部件和/或布局进行多种变型和改进。除了对组成部件和/或布局进行的变型和改进外，对于本领域技术人员来说，其他的用途也将是明显的。

Claims (7)

1.一种LED芯片封装结构，其特征在于包括：
基板(1)；
反射装置(2)，所述反射装置(2)设置于所述基板(1)上，且在所述基板(1)上围成一用于贴装LED芯片(3)的封装腔体(4)；
第一硅胶层(5)，所述第一硅胶层(5)设置于所述LED芯片(3)与连接导线(6)的连接处，且将该连接处包围，用于防止该连接处的所述LED芯片(3)与连接导线(6)的连接断点；
第二硅胶层(7)，所述第二硅胶层(7)设置于所述封装腔体(4)内，将所述LED芯片(3)封装，且所述第二硅胶层(7)位于所述第一硅胶层(5)外侧，以及所述第二硅胶层(7)的邵氏硬度大于所述述第一硅胶层(5)的邵氏硬度。
2.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于所述第二硅胶层(7)内设置荧光粉。
3.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于所述第一硅胶层(5)的邵氏硬度为43-47。
4.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于所述第二硅胶层(7)的邵氏硬度为60-87。
5.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于所述连接导线(6)与所述基板(1)的连接处也设置第一硅胶层(5)。
6.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于所述第一硅胶层(5)的形状为半球形。
7.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于所述反射装置(2)围成所述封装腔体(4)的内侧为斜面。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100735391B1 (ko) * 2006-04-26 2007-07-04 삼성전기주식회사 넓은 지향각을 갖고 안정성이 향상된 발광다이오드 패키지
KR20130007199A (ko) * 2011-06-30 2013-01-18 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
CN105810800A (zh) * 2014-12-29 2016-07-27 宁波海奈特照明科技有限公司 一种led集成发光器件及其制作方法
CN107123641A (zh) * 2015-12-19 2017-09-01 嘉兴山蒲照明电器有限公司 Led球泡灯及其led灯丝
CN207441736U (zh) * 2017-09-20 2018-06-01 广东晶科电子股份有限公司 一种高可靠性的led封装器件
JP2019003978A (ja) * 2017-06-12 2019-01-10 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
CN109888077A (zh) * 2017-12-06 2019-06-14 深圳市灏天光电有限公司 一种led芯片封装支架及其生产方法
US20200161521A1 (en) * 2018-11-21 2020-05-21 Lumileds Holding B.V. Light-emitting device and method of packaging the same
CN212907705U (zh) * 2020-08-20 2021-04-06 广东芯聚能半导体有限公司 防护结构、绝缘栅双极型晶体管模块和设备

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100735391B1 (ko) * 2006-04-26 2007-07-04 삼성전기주식회사 넓은 지향각을 갖고 안정성이 향상된 발광다이오드 패키지
KR20130007199A (ko) * 2011-06-30 2013-01-18 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
CN105810800A (zh) * 2014-12-29 2016-07-27 宁波海奈特照明科技有限公司 一种led集成发光器件及其制作方法
CN107123641A (zh) * 2015-12-19 2017-09-01 嘉兴山蒲照明电器有限公司 Led球泡灯及其led灯丝
JP2019003978A (ja) * 2017-06-12 2019-01-10 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
CN207441736U (zh) * 2017-09-20 2018-06-01 广东晶科电子股份有限公司 一种高可靠性的led封装器件
CN109888077A (zh) * 2017-12-06 2019-06-14 深圳市灏天光电有限公司 一种led芯片封装支架及其生产方法
US20200161521A1 (en) * 2018-11-21 2020-05-21 Lumileds Holding B.V. Light-emitting device and method of packaging the same
CN212907705U (zh) * 2020-08-20 2021-04-06 广东芯聚能半导体有限公司 防护结构、绝缘栅双极型晶体管模块和设备

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