CN212902125U - 半导体加工冷却装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型属于晶元基材加工技术领域,尤其涉及一种半导体加工冷却装置。它解决了现有冷却装置其存在一定的安全隐患问题。本半导体加工冷却装置包括呈竖直设置的冷却筒,在冷却筒的顶部设有冷却平面,在冷却筒的下端套设有环形座并且环形座的下端面位于冷却筒的下端面下方,还包括进水管和回水管,进水管的出水端连接在冷却筒的底部并且进水管和冷却筒连通,回水管贯穿冷却筒的底部并且回水管的进水端延长至冷却筒的顶部下方,所述的进水管和回水管相互平行。本申请的优点在于:进水管和回水管的设计其可以防止冷却筒内部由于热交换而导致的蒸汽或者热量可以及时排出,提高了生产安全性。
Description
技术领域
本实用新型属于晶元基材加工技术领域,尤其涉及一种半导体加工冷却装置。
背景技术
晶元基材其在半导体加工过程中需要进行冷却。
冷却一般采用冷却换热装置进行降温,现有的冷却装置其在内部圆筒中有一竖直隔板,隔板将圆筒分隔成两个腔室并且两个腔室的顶部连通,然后圆筒的底部有进水管和回水管,进水管和其中一个腔室连通,回水管与另外一个腔室连通。
这种方式的缺陷在于:冷却过程中其圆筒内顶部容易产生蒸汽和较多的热量,无法及时排出则存在较大的安全隐患。
实用新型内容
本实用新型的目的是针对上述问题,提供一种可以解决上述技术问题的半导体加工冷却装置。
为达到上述目的,本实用新型采用了下列技术方案:
本半导体加工冷却装置包括呈竖直设置的冷却筒,在冷却筒的顶部设有冷却平面,在冷却筒的下端套设有环形座并且环形座的下端面位于冷却筒的下端面下方,还包括进水管和回水管,进水管的出水端连接在冷却筒的底部并且进水管和冷却筒连通,回水管贯穿冷却筒的底部并且回水管的进水端延长至冷却筒的顶部下方,所述的进水管和回水管相互平行。
在上述的半导体加工冷却装置中,所述的进水管出水端与冷却筒的底部内表面齐平。
在上述的半导体加工冷却装置中,所述的回水管顶部设有倾斜坡面,并且回水管顶部与冷却筒的顶部下表面留有间隙。
在上述的半导体加工冷却装置中,所述的环形座下端内壁设有扩孔。
在上述的半导体加工冷却装置中,所述的环形座下端面设有环形V槽。
在上述的半导体加工冷却装置中,所述的冷却筒轴心线和环形座轴心线重合。
与现有的技术相比,半导体加工冷却装置的优点在于:
进水管和回水管的设计其可以防止冷却筒内部由于热交换而导致的蒸汽或者热量可以及时排出,提高了生产安全性。
附图说明
图1是本实用新型提供的结构示意图。
图中,冷却筒1、冷却平面10、环形座2、扩孔20、环形V槽21、进水管3、回水管4、倾斜坡面40。
具体实施方式
以下是实用新型的具体实施例并结合附图,对本实用新型的技术方案作进一步的描述,但本实用新型并不限于这些实施例。
如图1所示,本半导体加工冷却装置包括呈竖直设置的冷却筒1,冷却筒1呈圆筒状并且冷却筒1的上下两端被封闭。
在冷却筒1的顶部设有冷却平面10,晶元体放置在冷却平面上,通过与冷却筒1内部的冷却换热介质进行热交换,在冷却筒1的下端套设有环形座2并且环形座2的下端面位于冷却筒1的下端面下方,环形座2和冷却筒1焊接连接。
冷却筒1轴心线和环形座2轴心线重合。
还包括进水管3和回水管4,进水管3的出水端连接在冷却筒1的底部并且进水管3和冷却筒1连通,回水管4贯穿冷却筒1的底部并且回水管4的进水端延长至冷却筒1的顶部下方,所述的进水管3和回水管4相互平行。
倾斜坡面40的上侧位于正常液位的上方。
进水管3和回水管4通过焊接与冷却筒1密封连接。
优选地,进水管3出水端与冷却筒1的底部内表面齐平。
其次,在回水管4顶部设有倾斜坡面40,并且回水管4顶部与冷却筒1的顶部下表面留有间隙。
在环形座2下端内壁设有扩孔20。进水管3和回水管4贯穿扩孔20。
在环形座2下端面设有环形V槽21。环形V槽21其可以形成密封,可以用于环形座2的固定密封。
进水管3进水,此时的冷却筒1中其水位不断提升,当冷却筒1的液位达到正常液位后,此时回水管4其顶部的倾斜坡面40倾斜设置且可以将冷却液进行回流,即,从回水管4的上端回流并与外接的水冷系统形成循环冷却,进水管3的进水端与水冷系统连接,水冷系统其为冷却塔等等,当然,也可以是制冷片的冷却,另外,本申请的上述构造其可以防止水垢碳酸钙的形成。
本文中所描述的具体实施例仅仅是对本实用新型精神作举例说明。本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代,但并不会偏离本实用新型的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。
Claims (6)
1.半导体加工冷却装置,包括呈竖直设置的冷却筒(1),其特征在于,在冷却筒(1)的顶部设有冷却平面(10),在冷却筒(1)的下端套设有环形座(2)并且环形座(2)的下端面位于冷却筒(1)的下端面下方,还包括进水管(3)和回水管(4),进水管(3)的出水端连接在冷却筒(1)的底部并且进水管(3)和冷却筒(1)连通,回水管(4)贯穿冷却筒(1)的底部并且回水管(4)的进水端延长至冷却筒(1)的顶部下方,所述的进水管(3)和回水管(4)相互平行。
2.根据权利要求1所述的半导体加工冷却装置,其特征在于,所述的进水管(3)出水端与冷却筒(1)的底部内表面齐平。
3.根据权利要求1所述的半导体加工冷却装置,其特征在于,所述的回水管(4)顶部设有倾斜坡面(40),并且回水管(4)顶部与冷却筒(1)的顶部下表面留有间隙。
4.根据权利要求1所述的半导体加工冷却装置,其特征在于,所述的环形座(2)下端内壁设有扩孔(20)。
5.根据权利要求1所述的半导体加工冷却装置,其特征在于,所述的环形座(2)下端面设有环形V槽(21)。
6.根据权利要求1所述的半导体加工冷却装置,其特征在于,所述的冷却筒(1)轴心线和环形座(2)轴心线重合。
Priority Applications (1)
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CN202021452849.XU CN212902125U (zh) | 2020-07-21 | 2020-07-21 | 半导体加工冷却装置 |
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CN202021452849.XU CN212902125U (zh) | 2020-07-21 | 2020-07-21 | 半导体加工冷却装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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CN212902125U true CN212902125U (zh) | 2021-04-06 |
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ID=75291764
Family Applications (1)
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CN202021452849.XU Active CN212902125U (zh) | 2020-07-21 | 2020-07-21 | 半导体加工冷却装置 |
Country Status (1)
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CN (1) | CN212902125U (zh) |
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2020
- 2020-07-21 CN CN202021452849.XU patent/CN212902125U/zh active Active
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