CN212845729U - 一种具有正向特性测试电路的igbt测试装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种具有正向特性测试电路的IGBT测试装置，包括外壳体；第一基板；第二基板；第三基板；总控制器；栅极阈值电压测试电路，所述栅极阈值电压测试电路与所述总控制器连接，并用于与一个第一待测IGBT模组连接；集射极截止电流测试电路，所述集射极截止电流测试电路与所述总控制器连接，并用于与一个第二待测IGBT模组连接；以及正向特性测试电路，所述正向特性测试电路与所述总控制器连接，并用于与一个第三待测IGBT模组连接；该IGBT测试装置有利于同时为多个待测IGBT模组进行测试或者对一个待测IGBT模组进行多种测试，从而综合测试待测IGBT模组的栅极阈值电压、集射极电流以及栅极漏电流。

Description

一种具有正向特性测试电路的IGBT测试装置

技术领域

本实用新型属于IGBT技术领域，具体涉及一种具有正向特性测试电路的IGBT测试装置。

背景技术

近年来，随着国家不断推进清洁能源建设，大功率IGBT、FRD功率半导体器件在电力电子设备、功率转换中用途越来越广泛，特别是在特高压直流输电、柔性直流输电系统、电动汽车、高铁等行业中，对大功率IGBT半导体器件的需求愈来愈大。随之而来的各种规格的大容量IGBT模块的质量检测问题也越来越突出。

现有技术中，缺乏对大功率IGBT元件的综合测试手段，造成对电力电子设备运行监护的困难，很难实现对在运设备进行系统全面的状态跟踪工作，对设备的长期安全稳定运行带来极大隐患。

由于电力电子设备的开发研制人员、运行维护人员缺乏相应的检测试验手段来测试检验元器件的各项参数指标，严重制约了电力电子设备的研究开发，也制约了电力电子器件国产化的进程。

因此，亟需有一种技术方案来克服或至少减轻现有技术的至少一个上述缺陷。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种具有正向特性测试电路的IGBT测试装置，该IGBT测试装置有利于综合测试待测IGBT模组的栅极阈值电压、集射极电流以及正向电压特性。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种具有正向特性测试电路的IGBT测试装置，其特征在于，所述IGBT测试装置包括：

外壳体；

第一基板，所述第一基板设置在所述外壳体内；

第二基板，所述第二基板设置在所述外壳体内；

第三基板，所述第三基板设置在所述外壳体内；

总控制器，所述总控制器设置在所述第一基板、第二基板以及第三基板中的任意一个上；

栅极阈值电压测试电路，所述栅极阈值电压测试电路设置在所述第一基板上，所述栅极阈值电压测试电路与所述总控制器连接，并用于与一个第一待测IGBT模组连接；

集射极截止电流测试电路，所述集射极截止电流测试电路设置在所述第二基板上，所述集射极截止电流测试电路与所述总控制器连接，并用于与一个第二待测IGBT模组连接；以及

正向特性测试电路，所述正向特性测试电路设置在所述第三基板上，所述正向特性测试电路与所述总控制器连接，并用于与一个第三待测IGBT模组连接；

所述总控制器用于选择性控制栅极阈值电压测试电路、集射极截止电流测试电路以及正向特性测试电路中的一个或多个工作；

所述栅极阈值电压测试电路用于检测与其连接的所述第一待测IGBT模组的栅极阈值电压并将结果传递给所述总控制器；

所述集射极截止电流测试电路用于检测与其连接的所述第二待测IGBT模组的集射极电流并将结果传递给所述总控制器；

所述正向特性测试电路用于检测与其连接的所述第三待测IGBT模组的正向电压特性并将结果传递给所述总控制器。

进一步地，所述IGBT测试装置进一步包括人机互动模块，所述人机互动模块设置在所述外壳体上并与所述总控制器连接。

进一步地，所述IGBT测试装置进一步包括温度传感器，所述温度传感器设置在外壳体内部上并与总控制器连接，用于检测基板的温度并将检测到的信息传递给所述总控制器。

进一步地，所述IGBT测试装置进一步包括报警装置，所述报警装置与所述总控制器连接，所述报警装置用于接收所述总控制器的控制信号，并根据所述控制信号进行报警。

进一步地，所述外壳体包括：

外壳本体，所述外壳本体上设置有外壳孔；以及

防护窗，所述防护窗与所述外壳本体铰接，从而具有打开状态以及封闭状态，在所述封闭状态，所述防护窗封闭所述外壳孔；在所述打开状态，所述外壳本体的外部空间与所述外壳本体的内部空间通过所述外壳孔连通。

进一步地，所述IGBT测试装置进一步包括水冷装置，所述水冷装置包括水冷源以及管道，所述管道设置在所述外壳体的内壁上并与所述水冷源连通。

进一步地，所述栅极阈值电压测试电路包括：

栅极阈值第一直流电压源，所述栅极阈值第一直流电压源与所述第一待测IGBT模组连接；

栅极阈值第二直流电压源，所述栅极阈值第二直流电压源与所述第一待测IGBT模组连接；以及

栅极阈值第一电压表，所述栅极阈值第一电压表与所述第一待测IGBT模组连接；

所述栅极阈值第一直流电压源用于为所述第一待测IGBT模组的集电极-发射极提供电压；

所述栅极阈值第二直流电压源用于为所述第一待测IGBT模组的栅极-发射极提供电压；

所述栅极阈值第一电压表用于测量栅极阈值电压并将结果传递给所述总控制器。

进一步地，所述集射极截止电流测试电路包括：

集射极截止电流直流电压源，所述集射极截止电流直流电压源与所述第二待测IGBT模组连接；

集射极截止电流电压表，所述集射极截止电流电压表与所述第二待测IGBT模组连接；以及

集射极截止电流电流表，所述集射极截止电流电流表与所述第二待测IGBT模组连接；

所述集射极截止电流直流电压源用于为所述第二待测IGBT模组提供电压；

所述集射极截止电流电压表用于检测所述第二待测IGBT模组的集电极-发射极的电压；

所述集射极截止电流电流表用于检测所述第二待测IGBT模组的集电极-发射极的电流并将结果传递给总控制器。

进一步地，所述正向特性测试电路包括：

正向特性直流电压源，所述正向特性直流电压源与所述第三待测IGBT模组连接；

正向特性电压表，所述正向特性电压表与所述第三待测IGBT模组连接；以及

正向特性脉冲装置，所述正向特性脉冲装置与所述第三待测IGBT模组连接；

所述正向特性直流电压源用于为所述第三待测IGBT模组提供电压；

所述正向特性电压表用于检测所述第三待测IGBT模组的栅极的电压；

所述栅极漏电流电流电流表用于检测所述第三待测IGBT模组的栅极的电流并将结果传递给总控制器。

相较于现有技术，本实用新型具有以下有益效果：该IGBT测试装置能够同时为多个待测IGBT模组进行测试或者对一个待测IGBT模组进行多种测试，从而综合测试待测IGBT模组的栅极阈值电压、集射极电流以及正向电压特性，具有测试装置工作稳定、可靠，不受高压大电流等强电磁场干扰的优点。

附图说明

图1是本实用新型一实施例的IGBT测试装置框图。

图2是图1中栅极阈值电压测试电路的电路示意图。

图3是本实用新型另一实施例中栅极阈值电压测试电路的电路示意图。

图4是图1中集射极截止电流测试电路的电路示意图。

图5是图1中正向特性测试电路的电路示意图。

图6是图1中外壳体的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型实施的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行更加详细的描述。在附图中，自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。下面结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型保护范围的限制。

图1是本实用新型一实施例的IGBT测试装置的装置示意图。图2是图1所示的栅极阈值电压测试电路的电路示意图。图3是本实用新型另一实施例的栅极阈值电压测试电路的电路示意图。图4是图1所示的集射极截止电流测试电路的电路示意图。图5是图1所示的正向特性测试电路的电路示意图。图6是图1所示的IGBT测试装置的外壳体结构示意图。

如图1以及图6所示的IGBT测试装置包括外壳体90、第一基板1、第二基板77、第三基板78、总控制器2、栅极阈值电压测试电路3、集射极截止电流测试电路4以及正向特性测试电路19；其中，第一基板1设置在外壳体上；第二基板77设置在外壳体上；第三基板78设置在外壳体上；总控制器2设置在第一基板1、第二基板以及第三基本中的任意一个上；栅极阈值电压测试电路3设置在第一基板上，栅极阈值电压测试电路3与总控制器2连接以及用于与一个第一待测IGBT模组7连接；

集射极截止电流测试电路4设置在第二基板上，集射极截止电流测试电路4与总控制器2连接以及用于与一个第二待测IGBT模组13连接；

正向特性测试电路19设置在第三基板上，正向特性测试电路19与总控制器2连接以及用于与一个第三待测IGBT模组28连接；其中，

总控制器2用于选择性控制栅极阈值电压测试电路3、集射极截止电流测试电路4以及正向特性测试电路19中的一个或多个工作；

栅极阈值电压测试电路用于检测第一待测IGBT模组栅极阈值电压并将结果传递给总控制器；

集射极截止电流测试电路用于检测第二待测IGBT模组的集射极电流并将结果传递给所述总控制器；

正向特性测试电路用于检测第三待测IGBT模组的正向电压特性并将结果传递给所述总控制器。

本实用新型的IGBT测试装置能够同时为多个待测IGBT模组进行测试或者对一个待测IGBT模组进行多种测试，从而综合测试待测IGBT模组的栅极阈值电压、集射极电流、正向电压特性，具有测试装置工作稳定，可靠，不受高压大电流等强电磁场干扰的优点。

在本实施中，总控制器设置在第一基板上，在其他实施例中，可以设置在第二基板或第三基板上。

在本实施例中，外壳体上设置有两个分隔板，两个分隔板将外壳体内部分隔成三个区域，一个区域内设置有一个第一基板、第二基板以及第三基板中的一个。

参见图2，在本实施例中，栅极阈值电压测试电路3采用的是开路的技术方案，具体地，在规定测试温度下，调整集电极电流Ic以达到规定值，测量出栅极电压，即是栅极阈值电压V_GE(th)。本测试装置采用高精度运放电路设计0～2A恒流源，注入被测器件的集电极-发射极，可在0～2A范围内按规定值调整电流值，同时测试界面显示测试值及波形，并做出相应判断。测试界面显示值V_GE(th)是输出稳定后-结束时(波形开始下降前)的平均值。

参见图2，在本实施例中，栅极阈值电压测试电路包括栅极阈值第一直流电压源6、栅极阈值第二直流电压源8、栅极阈值第一电压表9，栅极阈值第一直流电压源与第一待测IGBT模组7连接；栅极阈值第二直流电压源8与第一待测IGBT模组7连接；栅极阈值第一电压表与第一待测IGBT模组7连接；其中，栅极阈值第一直流电压源6用于为第一待测IGBT模组7的集电极-发射极提供电压；栅极阈值第二直流电压源8用于为第一待测IGBT模组7的栅极-发射极提供电压；栅极阈值第一电压表用于测量栅极阈值电压并将结果传递给所述总控制器。在本实施例中，第一待测IGBT模组7处于开路状态。

在一个备选实施例中，栅极阈值电压测试电路进一步包括栅极阈值第二电压表以及栅极阈值第一电流表，栅极阈值第二电压表与第一待测IGBT模组连接；栅极阈值第一电流表与第一待测IGBT模组连接；其中，栅极阈值第二电压表用于检测第一待测IGBT 模组的集电极-发射极的电压；栅极阈值第一电流表用于检测第一待测IGBT模组的集电极-发射极的电流。

参见图3，在另一个实施例中，栅极阈值电压测试电路采用的是短路的技术方案，具体地，在规定测试温度下，调整集电极电流Ic以达到规定值，测量出栅极电压，即是栅极阈值电压V_GE(th)。本测试装置采用高精度运放电路设计0～2A恒流源，注入被测器件的集电极-发射极，可在0～2A范围内按规定值调整电流值，同时测试界面显示测试值及波形，并做出相应判断。测试界面显示值V_GE(th)是输出稳定后-结束时(波形开始下降前)的平均值。

参见图3，在本实施例中，栅极阈值电压测试电路包括电流源6、电压表9，电流源 6与第一待测IGBT模组7连接，用于为第一待测IGBT模组7的集电极-发射极提供电流，电压表9与第一待测IGBT模组7连接，用于检测栅极电压。其中，第一待测IGBT 模组处于短路状态。

在本实施例中，集射极截止电流测试电路4采用的是短路的技术方案，具体地，如图4所示，将栅极-发射极短路，在规定测试温度下，在集电极-发射极施加规定的电压 Vce，测试此时集射极电流Ic即是I_CES，I_CES即是集射极截止电流。I_CES的测量通常在室温及结温条件下，由于集电极漏电流会随结温的升高而增加，因此对施加电压进行脉宽限制减少结温升高，减少漏电流因结温受到的影响。I_CES在室温及结温条件下，漏电流在μA级到mA级变化，为了线性化本测试装置采用了硬件分档，总控制器自动识别的方法满足了全量程测试精度要求。测试结束后，测试界面显示测试值及波形，并做出相应判断，测试值读数均是输出稳定后-结束时(波形下降前)的平均值。

参见图4，在本实施例中，集射极截止电流测试电路4包括集射极截止电流直流电压源10、集射极截止电流电压表11以及集射极截止电流电流表12，集射极截止电流直流电压源10与第二待测IGBT模组13连接；集射极截止电流电压表与第二待测IGBT 模组连接；集射极截止电流电流表12与第二待测IGBT模组13连接；其中，第二待测 IGBT模组13的发射极接地；集射极截止电流直流电压源10用于为第二待测IGBT模组13提供电压V_CE；集射极截止电流电压表11用于检测第二待测IGBT模组的集电极- 发射极的电压；集射极截止电流电流表12用于检测第二待测IGBT模组的集电极-发射极的电流并将结果传递给总控制器。

在本实施例中，如图5所示的正向特性检测电路19对与其连接的第三待测IGBT 模组的栅极不施加电压，对集电极-发射极施加规定二极管正向电流I_C，对第三待测IGBT 模组施加不产生显著附加结温升的窄脉冲I_C并测量规定时刻的V_CE即为V_F(正向电压特性)。

参见图5，在本实施例中，正向特性测试电路19包括正向特性直流电压源25、正向特性电压表26以及正向特性脉冲装置27，正向特性直流电压源25与第三待测IGBT 模组28连接；正向特性电压表26与第三待测IGBT模组28连接；正向特性脉冲装置 27与第三待测IGBT模组28连接；其中，第三待测IGBT模组28的发射极接地；正向特性直流电压源25用于为第三待测IGBT模组28提供电压；正向特性电压表26用于检测第三待测IGBT模组28的栅极的电压。

正向特性直流电压源25与正向特性脉冲装置27连接，为正向特性脉冲装置27提供电流(其电流方向为图5中的E-C方向)、正向特性脉冲装置27与第三待测IGBT模组28连接，用于为第三待测IGBT模组28提供宽度可调的脉冲电流，正向特性电压表 26与为待测IGBT模组并联，用于检测待测IGBT模组的电压情况。

在本实施例中，第一基板1、第二基板77以及第三基板78均可以是PCB板，也可以是其他类型的基板。

可以理解的是，待测IGBT模组7、13、28可以是相同的待测IGBT模组，也可以是不同的待测IGBT模组。

参见图6，在本实施例中，IGBT测试装置进一步包括人机互动模块91，人机互动模块91设置在外壳体90上并与所总控制器连接。

在本实施例中，总控制器与人机互动模块通讯，可以将总控制器从各个电路获取的信息传递给人机互动模块并在人机互动模块上显示，而人机互动模块也可以为总控制器提供工作指令，从而使总控制器根据工作指令工作。

例如，总控制器可以将上述的待测IGBT模组的集射极电流情况、正向电压特性情况、栅极阈值电压、过电压保护值、通过总控制器判断后的过电压保护值的判断结果、波形信息中的一个或者多个显示在人机互动模块上。

采用人机互动模块，可以使使用者方便控制总控制器以进行各种操作，另外，总控制器所采集到的信息也可以通过人机互动模块显示。

人机互动模块通常包括输入装置、显示装置、信号处理装置等，其中，信号处理装置与总控制器连通，用于互通数据，显示装置与信号处理装置连通，用于显示从信号处理装置传递的信息，输入装置与所述信号处理装置连通，用于为信号处理装置下发指令。

例如，人机互动模块可以是平板电脑、上位机等。

在本实施例中，总控制器可以是PLC、单片机或者上位机。

在本实施例中，IGBT测试装置进一步包括温度传感器，温度传感器设置在外壳体内部并与总控制器连接，用于检测基板的温度并将检测到的信息传递给所述总控制器。

举例来说，温度传感器粘贴在外壳体内部或者通过焊接、螺栓连接等方式安装在外壳体内部。

通过检测温度，可以防止上述的电路出现故障而使温度升高而使用者不知情。

在本实施例中，IGBT测试装置进一步包括报警装置92，报警装置92与总控制器连接，报警装置用于接收总控制器的控制信号，并根据控制信号进行报警。

可以理解的是，报警装置可以是声音报警装置、也可以是报警灯，或者是两者的结合。

例如，当报警装置为声音报警装置时，可以根据总控制器发出的指令发出对应的声音。

当报警装置为报警灯时，可以根据总控制器发出的指令发出对应的颜色。

在本实施例中，外壳体90包括外壳本体901以及防护窗902，外壳本体901上设置有外壳孔；防护窗902与外壳本体铰接，从而具有打开状态以及封闭状态，在封闭状态，防护窗封闭所述外壳孔；在打开状态，外壳本体的外部空间与外壳本体的内部空间通过外壳孔连通。

采用这种方式，方便使用者对外壳本体内部的各个部件进行维修更换。

另外，防护窗采用玻璃或者其他可透光的材料制成，这样，可以使使用者在使用的时候观察外壳本体的情况。

在本实施例中，IGBT测试装置进一步包括水冷装置，水冷装置包括水冷源以及管道，管道设置在外壳体的内壁上并与水冷源连通。

由于上述一些测试需要固定温度或者在一定温度范围内进行，又或者一些实验可能需要人为调节温度，通过水冷装置可以改变环境温度。

另外，还可以增加加热装置，例如，增加加热器，并使加热器与水冷装置连接，此时，水冷装置不仅可以降温，还可以升温，从而形成调温装置，从而更好的使使用者更改温度。

最后需要指出的是：以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制。尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (8)

1.一种具有正向特性测试电路的IGBT测试装置，其特征在于，所述IGBT测试装置包括：

外壳体（90）；

第一基板（1），所述第一基板（1）设置在所述外壳体（90）内；

第二基板（77），所述第二基板（77）设置在所述外壳体（90）内；

第三基板（78），所述第三基板（78）设置在所述外壳体（90）内；

总控制器（2），所述总控制器（2）设置在所述第一基板（1）、第二基板（77）以及第三基板（78）中的任意一个上；

栅极阈值电压测试电路（3），所述栅极阈值电压测试电路（3）设置在所述第一基板（1）上，所述栅极阈值电压测试电路（3）与所述总控制器（2）连接，并用于与一个第一待测IGBT模组（7）连接；

集射极截止电流测试电路（4），所述集射极截止电流测试电路（4）设置在所述第二基板（77）上，所述集射极截止电流测试电路（4）与所述总控制器（2）连接，并用于与一个第二待测IGBT模组（13）连接；以及

正向特性测试电路（19），所述正向特性测试电路（19）设置在所述第三基板（78）上，所述正向特性测试电路（19）与所述总控制器（2）连接，并用于与一个第三待测IGBT模组（28）连接；

所述总控制器（2）用于选择性控制栅极阈值电压测试电路（3）、集射极截止电流测试电路（4）以及正向特性测试电路（19）中的一个或多个工作；

所述栅极阈值电压测试电路（3）用于检测与其连接的所述第一待测IGBT模组的栅极阈值电压并将结果传递给所述总控制器；

所述集射极截止电流测试电路（4）用于检测与其连接的所述第二待测IGBT模组的集射极电流并将结果传递给所述总控制器；

所述正向特性测试电路（19）用于检测与其连接的所述第三待测IGBT模组的正向电压特性并将结果传递给所述总控制器。

2.根据权利要求1所述的一种具有正向特性测试电路的IGBT测试装置，其特征在于，所述IGBT测试装置进一步包括人机互动模块，所述人机互动模块设置在所述外壳体（90）上并与所述总控制器（2）连接。

3.根据权利要求1所述的一种具有正向特性测试电路的IGBT测试装置，其特征在于，所述IGBT测试装置进一步包括温度传感器，所述温度传感器设置在外壳体内部上并与总控制器连接，用于检测基板的温度并将检测到的信息传递给所述总控制器。

4.根据权利要求1所述的一种具有正向特性测试电路的IGBT测试装置，其特征在于，所述IGBT测试装置进一步包括报警装置（92），所述报警装置（92）与所述总控制器连接，所述报警装置（92）用于接收所述总控制器的控制信号，并根据所述控制信号进行报警。

5.根据权利要求1所述的一种具有正向特性测试电路的IGBT测试装置，其特征在于，所述外壳体（90）包括：

外壳本体（901），所述外壳本体（901）上设置有外壳孔；以及

防护窗（902），所述防护窗（902）与所述外壳本体铰接，从而具有打开状态以及封闭状态，在所述封闭状态，所述防护窗封闭所述外壳孔；在所述打开状态，所述外壳本体的外部空间与所述外壳本体的内部空间通过所述外壳孔连通。

6.根据权利要求1所述的一种具有正向特性测试电路的IGBT测试装置，其特征在于，所述IGBT测试装置进一步包括水冷装置，所述水冷装置包括水冷源以及管道，所述管道设置在所述外壳体的内壁上并与所述水冷源连通。

7.根据权利要求1所述的一种具有正向特性测试电路的IGBT测试装置，其特征在于，所述栅极阈值电压测试电路（3）包括：

栅极阈值第一直流电压源（6），所述栅极阈值第一直流电压源（6）与所述第一待测IGBT模组连接；

栅极阈值第二直流电压源（8），所述栅极阈值第二直流电压源（8）与所述第一待测IGBT模组连接；以及

栅极阈值第一电压表（9），所述栅极阈值第一电压表（9）与所述第一待测IGBT模组连接；

所述栅极阈值第一直流电压源（6）用于为所述第一待测IGBT模组的集电极-发射极提供电压；

所述栅极阈值第二直流电压源（8）用于为所述第一待测IGBT模组的栅极-发射极提供电压；

所述栅极阈值第一电压表（9）用于测量栅极阈值电压并将结果传递给所述总控制器。

8.根据权利要求1所述的一种具有正向特性测试电路的IGBT测试装置，其特征在于，所述集射极截止电流测试电路（4）包括：

集射极截止电流直流电压源（10），所述集射极截止电流直流电压源（10）与所述第二待测IGBT模组连接；

集射极截止电流电压表（11），所述集射极截止电流电压表（11）与所述第二待测IGBT模组连接；以及

集射极截止电流电流表（12），所述集射极截止电流电流表（12）与所述第二待测IGBT模组连接；

所述集射极截止电流直流电压源（10）用于为所述第二待测IGBT模组提供电压；

所述集射极截止电流电压表（11）用于检测所述第二待测IGBT模组的集电极-发射极的电压；

所述集射极截止电流电流表（12）用于检测所述第二待测IGBT模组的集电极-发射极的电流并将结果传递给总控制器。

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