CN212845730U - 一种具有栅极漏电流测试电路的igbt测试装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种具有栅极漏电流测试电路的IGBT测试装置，包括：基板；总控制器，所述总控制器设置在所述基板上；栅极阈值电压测试电路，所述栅极阈值电压测试电路与所述总控制器连接，并用于与一个待测IGBT模组连接；集射极截止电流测试电路，所述集射极截止电流测试电路与所述总控制器连接，并用于与一个待测IGBT模组连接；以及栅极漏电流测试电路，所述栅极漏电流测试电路与所述总控制器连接，并用于与一个待测IGBT模组连接；该IGBT测试装置有利于同时为多个待测IGBT模组进行测试或者对一个待测IGBT模组进行多种测试，从而综合测试待测IGBT模组的栅极阈值电压、集射极电流以及栅极漏电流。
Description
技术领域
本实用新型属于IGBT技术领域，具体涉及一种具有栅极漏电流测试电路的IGBT测试装置。
背景技术
近年来，随着国家不断推进清洁能源建设，大功率IGBT、FRD功率半导体器件在电力电子设备、功率转换中用途越来越广泛，特别是在特高压直流输电、柔性直流输电系统、电动汽车、高铁等行业中，对大功率IGBT半导体器件的需求愈来愈大。随之而来的各种规格的大容量IGBT模块的质量检测问题也越来越突出。
现有技术中，缺乏对大功率IGBT元件的综合测试手段，造成对电力电子设备运行监护的困难，很难实现对在运设备进行系统全面的状态跟踪工作，对设备的长期安全稳定运行带来极大隐患。
由于电力电子设备的开发研制人员、运行维护人员缺乏相应的检测试验手段来测试检验元器件的各项参数指标，严重制约了电力电子设备的研究开发，也制约了电力电子器件国产化的进程。
因此，亟需有一种技术方案来克服或至少减轻现有技术的至少一个上述缺陷。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种具有栅极漏电流测试电路的IGBT测试装置，该IGBT测试装置有利于综合测试待测IGBT模组的栅极阈值电压、集射极电流以及栅极漏电流。
为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种具有栅极漏电流测试电路的IGBT测试装置，所述IGBT测试装置包括：
基板；
总控制器，所述总控制器设置在所述基板上；
栅极阈值电压测试电路，所述栅极阈值电压测试电路与所述总控制器连接，并用于与一个待测IGBT模组连接；
集射极截止电流测试电路，所述集射极截止电流测试电路与所述总控制器连接，并用于与一个待测IGBT模组连接；以及
栅极漏电流测试电路，所述栅极漏电流测试电路与所述总控制器连接，并用于与一个待测IGBT模组连接；
所述总控制器用于选择性控制栅极阈值电压测试电路、集射极截止电流测试电路以及栅极漏电流测试电路中的一个或多个工作；
所述栅极阈值电压测试电路用于检测与其连接的所述待测IGBT模组的栅极阈值电压并将结果传递给所述总控制器；
所述集射极截止电流测试电路用于检测与其连接的所述待测IGBT模组的集射极电流并将结果传递给所述总控制器；
所述栅极漏电流测试电路用于检测与其连接的所述待测IGBT模组的栅极漏电流并将结果传递给所述总控制器。
进一步地，所述栅极阈值电压测试电路、集射极截止电流测试电路以及栅极漏电流测试电路均设置在所述基板上。
进一步地，所述栅极阈值电压测试电路包括：
栅极阈值第一直流电压源，所述栅极阈值第一直流电压源与所述待测IGBT模组连接；
栅极阈值第二直流电压源，所述栅极阈值第二直流电压源与所述待测IGBT模组连接；以及
栅极阈值第一电压表，所述栅极阈值第一电压表与所述待测IGBT模组连接；
所述栅极阈值第一直流电压源用于为所述待测IGBT模组的集电极-发射极提供电压；
所述栅极阈值第二直流电压源用于为所述待测IGBT模组的栅极-发射极提供电压；
所述栅极阈值第一电压表用于测量栅极阈值电压并将结果传递给所述总控制器。
进一步地，所述栅极阈值电压测试电路进一步包括：
栅极阈值第二电压表，所述栅极阈值第二电压表与所述待测IGBT模组连接；以及
栅极阈值第一电流表，所述栅极阈值第一电流表与所述待测IGBT模组连接；
所述栅极阈值第二电压表用于检测所述待测IGBT模组的集电极-发射极的电压；
所述栅极阈值第一电流表用于检测所述待测IGBT模组的集电极-发射极的电流。
进一步地，所述集射极截止电流测试电路包括：
集射极截止电流直流电压源，所述集射极截止电流直流电压源与所述待测IGBT模组连接；
集射极截止电流电压表，所述集射极截止电流电压表与所述待测IGBT模组连接；以及
集射极截止电流电流表，所述集射极截止电流电流表与所述待测IGBT模组连接；
所述集射极截止电流直流电压源用于为所述待测IGBT模组提供电压；
所述集射极截止电流电压表用于检测所述待测IGBT模组的集电极-发射极的电压；
所述集射极截止电流电流表用于检测所述待测IGBT模组的集电极-发射极的电流并将结果传递给总控制器。
进一步地，所述栅极漏电流测试电路包括：
栅极漏电流直流电压源，所述栅极漏电流直流电压源与所述IGBT模组连接；
栅极漏电流电压表，所述栅极漏电流电压表与所述IGBT模组连接；以及
栅极漏电流电流电流表，所述栅极漏电流电流电流表与所述待测IGBT模组连接；
所述栅极漏电流直流电压源用于为所述待测IGBT模组提供电压；
所述栅极漏电流电压表用于检测所述待测IGBT模组的栅极的电压；
所述栅极漏电流电流电流表用于检测所述待测IGBT模组的栅极的电流并将结果传递给总控制器。
进一步地，所述基板上设置有多个隔离条，各个所述隔离条将所述基板分隔成三个容纳区域，每个容纳区域用于容纳所述栅极阈值电压测试电路、集射极截止电流测试电路以及栅极漏电流测试电路中的一个；所述总控制器设置在所述三个容纳区域中的任意一个容纳区域内。
进一步地，所述IGBT测试装置进一步包括外壳体，所述基板、总控制器、栅极阈值电压测试电路、集射极截止电流测试电路以及栅极漏电流测试电路设置在所述外壳体内部。
相较于现有技术，本实用新型具有以下有益效果：该IGBT测试装置能够同时为多个待测IGBT模组进行测试或者对一个待测IGBT模组进行多种测试，从而综合测试待测IGBT模组的栅极阈值电压、集射极电流以及栅极漏电流，具有测试装置工作稳定、可靠，不受高压大电流等强电磁场干扰的优点。
附图说明
图1是本实用新型一实施例的IGBT测试装置框图。
图2是图1中栅极阈值电压测试电路的电路示意图。
图3是本实用新型另一实施例中栅极阈值电压测试电路的电路示意图。
图4是图1中集射极截止电流测试电路的电路示意图。
图5是图1中栅极漏电流测试电路的电路示意图。
图6是图1中外壳体的结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型实施的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行更加详细的描述。在附图中，自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。下面结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型保护范围的限制。
图1是本实用新型一实施例的IGBT测试装置的装置示意图。图2是图1所示的栅极阈值电压测试电路的电路示意图。图3是本实用新型另一实施例的栅极阈值电压测试电路的电路示意图。图4是图1所示的集射极截止电流测试电路的电路示意图。图5是图1所示的栅极漏电流测试电路的电路示意图。图6是图1所示的IGBT测试装置的外壳体结构示意图。
如图1所示的IGBT测试装置包括基板1、总控制器2、栅极阈值电压测试电路3、集射极截止电流测试电路4、栅极漏电流测试电路19。
在本实施例中，总控制器2设置在基板1上；栅极阈值电压测试电路3与总控制器2连接以及用于与一个待测IGBT模组7连接；集射极截止电流测试电路4与总控制器2连接以及用于与一个待测IGBT模组13连接；饱和导通压降测试电路5与总控制器2连接以及用于与一个待测IGBT模组17连接；其中，
总控制器2用于选择性控制栅极阈值电压测试电路3、集射极截止电流测试电路4以及饱和栅极漏电流测试电路19中的一个或多个工作；
栅极阈值电压测试电路3用于检测与其连接的待测IGBT模组栅极阈值电压并将结果传递给所述总控制器；
集射极截止电流测试电路4用于检测与其连接的待测IGBT模组的集射极电流并将结果传递给总控制器；
栅极漏电流测试电路19用于检测与其连接的待测IGBT模组的饱和栅极漏电流并将结果传递给所述总控制器。
本实用新型的IGBT测试装置能够同时为多个待测IGBT模组进行测试或者对一个待测IGBT模组进行多种测试，从而综合测试待测IGBT模组的栅极阈值电压、集射极电流、栅极漏电流，具有测试装置工作稳定，可靠，不受高压大电流等强电磁场干扰的优点。
参见图2，在本实施例中，栅极阈值电压测试电路3采用的是开路的技术方案，具体地，在规定测试温度下，调整集电极电流Ic以达到规定值，测量出栅极电压，即是栅极阈值电压VGE（th）。本测试装置采用高精度运放电路设计0~2A恒流源，注入被测器件的集电极-发射极，可在0~2A范围内按规定值调整电流值，同时测试界面显示测试值及波形，并做出相应判断。测试界面显示值VGE（th）是输出稳定后-结束时（波形开始下降前）的平均值。
参见图2，在本实施例中，栅极阈值电压测试电路3包括栅极阈值第一直流电压源6、栅极阈值第二直流电压源8、栅极阈值第一电压表9，栅极阈值第一直流电压源与IGBT模组7连接；栅极阈值第二直流电压源8与IGBT模组7连接；栅极阈值第一电压表与IGBT模组7连接；其中，栅极阈值第一直流电压源6用于为IGBT模组7的集电极-发射极提供电压；栅极阈值第二直流电压源8用于为IGBT模组7的栅极-发射极提供电压；栅极阈值第一电压表用于测量栅极阈值电压并将结果传递给所述总控制器。在本实施例中，待测IGBT模组7处于开路状态。
在一个备选实施例中，栅极阈值电压测试电路进一步包括栅极阈值第二电压表以及栅极阈值第一电流表，栅极阈值第二电压表与IGBT模组连接；栅极阈值第一电流表与IGBT模组连接；其中，栅极阈值第二电压表用于检测IGBT模组的集电极-发射极的电压；栅极阈值第一电流表用于检测IGBT模组的集电极-发射极的电流。
参见图3，在另一个实施例中，栅极阈值电压测试电路采用的是短路的技术方案，具体地，在规定测试温度下，调整集电极电流Ic以达到规定值，测量出栅极电压，即是栅极阈值电压VGE（th）。本测试装置采用高精度运放电路设计0~2A恒流源，注入被测器件的集电极-发射极，可在0~2A范围内按规定值调整电流值，同时测试界面显示测试值及波形，并做出相应判断。测试界面显示值VGE（th）是输出稳定后-结束时（波形开始下降前）的平均值。
参见图3，在本实施例中，栅极阈值电压测试电路包括电流源6、电压表9，电流源6与待测IGBT模组7连接，用于为待测IGBT模组7的集电极-发射极提供电流，电压表9与待测IGBT模组7连接，用于检测栅极电压。其中，待测IGBT模组处于短路状态。
在本实施例中，集射极截止电流测试电路4采用的是短路的技术方案，具体地，如图4所示，将栅极-发射极短路，在规定测试温度下，在集电极-发射极施加规定的电压Vce，测试此时集射极电流Ic即是ICES，ICES即是集射极截止电流。ICES的测量通常在室温及结温条件下，由于集电极漏电流会随结温的升高而增加，因此对施加电压进行脉宽限制减少结温升高，减少漏电流因结温受到的影响。ICES在室温及结温条件下，漏电流在μA级到mA级变化，为了线性化本测试装置采用了硬件分档，总控制器自动识别的方法满足了全量程测试精度要求。测试结束后，测试界面显示测试值及波形，并做出相应判断，测试值读数均是输出稳定后-结束时（波形下降前）的平均值。
参见图4，在本实施例中，集射极截止电流测试电路4包括集射极截止电流直流电压源10、集射极截止电流电压表11以及集射极截止电流电流表12，集射极截止电流直流电压源10与IGBT模组13连接；集射极截止电流电压表与IGBT模组连接；集射极截止电流电流表12与IGBT模组13连接；其中，IGBT模组13的发射极接地；集射极截止电流直流电压源10用于为IGBT模组13提供电压VCE；集射极截止电流电压表11用于检测IGBT模组的集电极-发射极的电压；集射极截止电流电流表12用于检测IGBT模组的集电极-发射极的电流并将结果传递给总控制器。
如图5所示的栅极漏电流测试电路将待测IGBT模组的集电极、发射极短接，对待测IGBT模组20的栅极-发射极施加高精度电压VGES，测试此时栅极-集电极回路电流即为IGES。栅极-发射极施加的电源是由高精度运算放大器将DA信号放大后的线性度极高的电压源，根据DA信号的极性得到0~±40V连续可调电压。
栅极漏电流IGES是nA级到μA级变化的微小电流，因此本实用新型采用高精度放大器采样，硬件电路分档放大，微处理器自动识别的方法满足了全量程测试精度要求。为避免因栅极电容位移电流所产生的误差，测量须在栅极电压稳定后才可进行。测试结束后，测试界面显示测试值及波形，并做出相应判断，测试值读数均是输出稳定后-结束时（波形下降前）的平均值。
参见图5，在本实施例中，栅极漏电流测试电路包括栅极漏电流直流电压源22、栅极漏电流电压表23以及栅极漏电流电流电流表21，栅极漏电流直流电压源22与IGBT模组20连接；栅极漏电流电压表与IGBT模组20连接；栅极漏电流电流电流表21与IGBT模组20连接；其中，IGBT模组20的发射极接地；栅极漏电流直流电压源22用于为IGBT模组20提供电压；栅极漏电流电压表23用于检测IGBT模组20的栅极的电压；栅极漏电流电流电流表21用于检测IGBT模组20的栅极的电流并将结果传递给总控制器2。
在本实施例中，栅极阈值电压测试电路2、集射极截止电流测试电路3以及栅极漏电流测试电路19均设置在基板上。
在其他备选实施例中，上述的各个测试电路或测试装置可以选择性的设置在基板上。
在本实施例中，基板可以是PCB板，也可以是其他类型的基板。
可以理解的是，待测IGBT模组7、13、20可以是相同的待测IGBT模组、也可以是不同的待测IGBT模组。
在本实施例中，待测IGBT模组可以是IGBT、功率MOSFET、碳化硅MOSFET、二极管或者其他可以测试的IGBT模组。
在本实施例中，基板上设置有隔离条，隔离条将基板分隔成三个容纳区域，每个容纳区域用于容纳栅极阈值电压测试电路、集射极截止电流测试电路以及栅极漏电流测试电路中的一个；总控制器设置在三个容纳区域中的任意一个区域内。
在本实施例中，隔离条的数量为三个。
在其他实施例中，可以根据上述的测试电路的数量以及测试装置的数量设置隔离条，从而使一个容纳区域仅容纳一个测试电路或测试装置。
采用这种设置，可以防止各个电路互相干扰。
参见图6，在本实施例中，IGBT测试装置进一步包括外壳体90，基板、总控制器、栅极阈值电压测试电路、集射极截止电流测试电路以及栅极漏电流测试电路设置在所述外壳体内部。
在其他实施例中，上述的测试装置以及测试电路可以全部设置在外壳体内部，也可以部分设置在外壳体内部部分设置在外壳体外部。
通过设置外壳体可以保护各个电路不收外界环境干扰。
在本实施例中，IGBT测试装置进一步包括人机互动模块91，人机互动模块91设置在外壳体上并与所述总控制器连接。
在本实施例中，总控制器与人机互动模块通讯，可以将总控制器从各个电路获取的信息传递给人机互动模块并在人机互动模块上显示，而人机互动模块也可以为总控制器提供工作指令，从而使总控制器根据工作指令工作。
例如，总控制器可以将上述的待测IGBT模组的集射极电流情况、正向电压特性情况、栅极阈值电压、过电压保护值、通过总控制器判断后的过电压保护值的判断结果、波形信息中的一个或者多个显示在人机互动模块上。
采用人机互动模块，可以使使用者方便控制总控制器以进行各种操作，另外，总控制器所采集到的信息也可以通过人机互动模块显示。
人机互动模块通常包括输入装置、显示装置、信号处理装置等，其中，信号处理装置与总控制器连通，用于互通数据，显示装置与信号处理装置连通，用于显示从信号处理装置传递的信息，输入装置与所述信号处理装置连通，用于为信号处理装置下发指令。
举例来说，人机互动模块可以是一个上位机、平板电脑、手机。
在本实施例中，IGBT测试装置进一步包括温度传感器，温度传感器设置在基板上并与总控制器连接，用于检测基板的温度并将检测到的信息传递给所述总控制器。
通过检测温度，可以防止上述的电路出现故障而使温度升高而使用者不知情。
在本实施例中，温度传感器的数量为三个，每个容纳区域设置有一个温度传感器。
可以理解的是，根据需要，可以更改温度传感器的数量，例如，可以根据容纳空间的数量设置与容纳空间数量相同的温度传感器，且一个温度传感器设置在一个容纳空间内，每个温度传感器与总控制器连接。
采用这种方式，能够使使用者更为清楚是哪个电路出现故障。
在本实施例中，IGBT测试装置进一步包括报警装置92，报警装置92与总控制器连接，报警装置用于接收总控制器的控制信号，并根据控制信号进行报警。
可以理解的是，报警装置92可以是声音报警装置、也可以是报警灯，或者是两者的结合。
在本实施例中，外壳体包括外壳本体901以及防护窗902，外壳本体901上设置有外壳孔；防护窗902与外壳本体铰接，从而具有打开状态以及封闭状态，在封闭状态，防护窗封闭所述外壳孔；在打开状态，外壳本体的外部空间与外壳本体的内部空间通过外壳孔连通。
采用这种方式，方便使用者对外壳本体内部的各个部件进行维修更换。
另外，防护窗采用玻璃或者其他可透光的材料制成，这样，可以使使用者在使用的时候观察外壳本体的情况。
在本实施例中，IGBT测试装置进一步包括水冷装置，水冷装置包括水冷源以及管道，管道设置在外壳体的内壁上并与水冷源连通。
由于上述一些测试需要固定温度或者在一定温度范围内进行，又或者一些实验可能需要人为调节温度，通过水冷装置可以改变环境温度。
另外，还可以增加加热装置，例如，增加加热器，并使加热器与水冷装置连接，此时，水冷装置不仅可以降温，还可以升温，从而形成调温装置，从而更好的使使用者更改温度。
最后需要指出的是：以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制。尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (8)
1.一种具有栅极漏电流测试电路的IGBT测试装置，其特征在于，所述IGBT测试装置包括：
基板（1）；
总控制器（2），所述总控制器（2）设置在所述基板（1）上；
栅极阈值电压测试电路（3），所述栅极阈值电压测试电路（3）与所述总控制器（2）连接，并用于与一个待测IGBT模组连接；
集射极截止电流测试电路（4），所述集射极截止电流测试电路（4）与所述总控制器（2）连接，并用于与一个待测IGBT模组连接；以及
栅极漏电流测试电路（19），所述栅极漏电流测试电路（19）与所述总控制器（2）连接，并用于与一个待测IGBT模组连接；
所述总控制器（2）用于选择性控制栅极阈值电压测试电路（3）、集射极截止电流测试电路（4）以及栅极漏电流测试电路（19）中的一个或多个工作；
所述栅极阈值电压测试电路（3）用于检测与其连接的待测IGBT模组的栅极阈值电压并将结果传递给所述总控制器；
所述集射极截止电流测试电路（4）用于检测与其连接的待测IGBT模组的集射极电流并将结果传递给所述总控制器；
所述栅极漏电流测试电路（19）用于检测与其连接的待测IGBT模组的栅极漏电流并将结果传递给所述总控制器。
2.根据权利要求1所述的一种具有栅极漏电流测试电路的IGBT测试装置，其特征在于，所述栅极阈值电压测试电路（3）、集射极截止电流测试电路（4）以及栅极漏电流测试电路（19）均设置在所述基板（1）上。
3.根据权利要求1所述的一种具有栅极漏电流测试电路的IGBT测试装置，其特征在于，所述栅极阈值电压测试电路（3）包括：
栅极阈值第一直流电压源（6），所述栅极阈值第一直流电压源（6）与所述待测IGBT模组连接；
栅极阈值第二直流电压源（8），所述栅极阈值第二直流电压源（8）与所述待测IGBT模组连接；以及
栅极阈值第一电压表（9），所述栅极阈值第一电压表（9）与所述待测IGBT模组连接；
所述栅极阈值第一直流电压源（6）用于为所述待测IGBT模组的集电极-发射极提供电压；
所述栅极阈值第二直流电压源（8）用于为所述待测IGBT模组的栅极-发射极提供电压；
所述栅极阈值第一电压表（9）用于测量栅极阈值电压并将结果传递给所述总控制器。
4.根据权利要求3所述的一种具有栅极漏电流测试电路的IGBT测试装置，其特征在于，所述栅极阈值电压测试电路（3）进一步包括：
栅极阈值第二电压表，所述栅极阈值第二电压表与所述待测IGBT模组连接；以及
栅极阈值第一电流表，所述栅极阈值第一电流表与所述待测IGBT模组连接；
所述栅极阈值第二电压表用于检测所述待测IGBT模组的集电极-发射极的电压；
所述栅极阈值第一电流表用于检测所述待测IGBT模组的集电极-发射极的电流。
5.根据权利要求1所述的一种具有栅极漏电流测试电路的IGBT测试装置，其特征在于，所述集射极截止电流测试电路（4）包括：
集射极截止电流直流电压源（10），所述集射极截止电流直流电压源（10）与所述待测IGBT模组连接；
集射极截止电流电压表（11），所述集射极截止电流电压表（11）与所述待测IGBT模组连接；以及
集射极截止电流电流表（12），所述集射极截止电流电流表（12）与所述待测IGBT模组连接；
所述集射极截止电流直流电压源（10）用于为所述待测IGBT模组提供电压；
所述集射极截止电流电压表（11）用于检测所述待测IGBT模组的集电极-发射极的电压；
所述集射极截止电流电流表（12）用于检测所述待测IGBT模组的集电极-发射极的电流并将结果传递给总控制器。
6.根据权利要求1所述的一种具有栅极漏电流测试电路的IGBT测试装置，其特征在于，所述栅极漏电流测试电路（19）包括：
栅极漏电流直流电压源（22），所述栅极漏电流直流电压源（22）与所述待测IGBT模组连接；
栅极漏电流电压表（23），所述栅极漏电流电压表（23）与所述待测IGBT模组连接；以及
栅极漏电流电流电流表（21），所述栅极漏电流电流电流表（21）与所述待测IGBT模组连接；
所述栅极漏电流直流电压源（22）用于为所述待测IGBT模组提供电压；
所述栅极漏电流电压表（23）用于检测所述待测IGBT模组的栅极的电压；
所述栅极漏电流电流电流表（21）用于检测所述待测IGBT模组的栅极的电流并将结果传递给总控制器。
7.根据权利要求1所述的一种具有栅极漏电流测试电路的IGBT测试装置，其特征在于，所述基板（1）上设置有多个隔离条，各个所述隔离条将所述基板分隔成三个容纳区域，每个容纳区域用于容纳所述栅极阈值电压测试电路（3）、集射极截止电流测试电路（4）以及栅极漏电流测试电路（19）中的一个；所述总控制器（2）设置在所述三个容纳区域中的任意一个容纳区域内。
8.根据权利要求1所述的一种具有栅极漏电流测试电路的IGBT测试装置，其特征在于，所述IGBT测试装置进一步包括外壳体（90），所述基板（1）、总控制器（2）、栅极阈值电压测试电路（3）、集射极截止电流测试电路（4）以及栅极漏电流测试电路（19）设置在所述外壳体内部。
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|---|---|---|---|
| CN202020425305.8U CN212845730U (zh) | 2020-03-30 | 2020-03-30 | 一种具有栅极漏电流测试电路的igbt测试装置 |
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| CN202020425305.8U CN212845730U (zh) | 2020-03-30 | 2020-03-30 | 一种具有栅极漏电流测试电路的igbt测试装置 |
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|---|---|---|---|---|
| CN113341298A (zh) * | 2021-06-01 | 2021-09-03 | 广东汇芯半导体有限公司 | 半导体电路测试方法、装置、电子设备及计算机存储介质 |
| CN119619770A (zh) * | 2025-02-13 | 2025-03-14 | 成都高投芯未半导体有限公司 | 一种探针卡检测系统与方法 |
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