CN212810324U - 一种集成电路陶瓷基板 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及灯具封装基板技术领域,特别涉及一种集成电路陶瓷基板,包括基板本体,所述基板本体上下两面均设有凹槽,所述凹槽内设有铜箔,所述铜箔高度小于凹槽高度,所述凹槽内设有贯穿凹槽表面和底面的通孔;本实用新型的一种集成电路陶瓷基板具有平整度佳,废品率低,便于存储和使用成本低等特点,减少了基板本体的厚度,进一步保证了陶瓷基板的散热效果。
Description
技术领域
本实用新型涉及陶瓷基板技术领域,特别涉及一种集成电路陶瓷基板。
背景技术
由于现有的陶瓷基板具有优良的热传导性、可靠的电绝缘性、较低的介电常数和较低的介电损耗,因此,LED产品陶瓷基板也得到了很好的应用。
传统的陶瓷基板上的铜箔、电路和焊锡保护层一般设置在其表面,铜箔、电路和焊锡保护层凸出在基板表面,使基板平整度不佳,不适于存储,容易使基板表面的线路毁坏,废品率高,并同时提高了使用成本;因此,亟待需要一种新型的陶瓷支架来解决上述问题。
实用新型内容
为了克服上述问题,本实用新型提出了一种集成电路陶瓷基板,具有平整度佳,废品率低,便于存储和使用成本低等特点。
本实用新型解决上述技术问题提供的一种技术方案是:提供了一种集成电路陶瓷基板,包括基板本体,其中,所述基板本体上下两面均设有凹槽,所述凹槽内设有铜箔,所述铜箔高度小于凹槽高度,所述凹槽内设有贯穿凹槽表面和底面的通孔。
进一步地,所述基板本体为双面陶瓷基板。
进一步地,所述基板本体厚度为0.2-1mm。
进一步地,所述基板本体为氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板、氮化硅陶瓷基板或微晶玻璃。
与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:
1、本实用新型的集成电路陶瓷基板,具有高绝缘性、高导热性、高功率,还具有耐高温的特点;将基板本体上下两面设有凹槽,使铜箔和电路板设置在凹槽内,保证基板本体表面没有凸出的部分,平整度佳,适于存储;
2、在基板本体上下两面均设置凹槽,比传统的基板厚度薄,利于散热,更进一步提高基板使用性能;
3、基板本体表面或底面接近于平面结构,不会导致基板表面的电路、铜箔和焊锡保护层刮花或损坏,保证废品率降低,降低了使用成本。
附图说明
图1为本实用新型的一种集成电路陶瓷基板的主视结构示意图。
图中:1基板本体、2凹槽、3铜箔、4通孔。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施实例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用于解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
如图1所示,一种集成电路陶瓷基板,包括基板本体1,所述基板本体1上下两面均设有凹槽2,所述凹槽内设有铜箔3,所述铜箔3高度小于凹槽2高度,所述凹槽2内设有贯穿凹槽表面和底面的通孔4。
基板本体1为双面陶瓷基板,两面你均可设置电路,所述基板本体1厚度为0.2-1mm,一般为0.5mm,所述基板本体1为氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板、氮化硅陶瓷基板或微晶玻璃。
本实用新型的集成电路陶瓷基板,具有高绝缘性、高导热性、高功率,还具有耐高温的特点;将基板本体上下两面设有凹槽,使铜箔、和电路板设置在凹槽内,保证基板本体表面没有凸出的部分,平整度佳,适于存储;在基板本体上下两面均设置凹槽,比传统的基板厚度薄,利于散热,更进一步提高基板使用性能;基板本体表面或底面接近于平面结构,不会导致基板表面的电路、铜箔和焊锡保护层刮花或损坏,保证废品率降低,降低了使用成本。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是在本实用新型的构思之内所作的任何修改,等同替换和改进等均应包含在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (4)
1.一种集成电路陶瓷基板,包括基板本体,其特征在于:所述基板本体上下两面均设有凹槽,所述凹槽内设有铜箔,所述铜箔高度小于凹槽高度,所述凹槽内设有贯穿凹槽表面和底面的通孔。
2.根据权利要求1所述的一种集成电路陶瓷基板,其特征在于:所述基板本体为双面陶瓷基板。
3.根据权利要求1所述的一种集成电路陶瓷基板,其特征在于:所述基板本体厚度为0.2-1mm。
4.根据权利要求1所述的一种集成电路陶瓷基板,其特征在于:所述基板本体为氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板、氮化硅陶瓷基板或微晶玻璃。
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CN202022084076.0U CN212810324U (zh) | 2020-09-22 | 2020-09-22 | 一种集成电路陶瓷基板 |
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CN202022084076.0U Active CN212810324U (zh) | 2020-09-22 | 2020-09-22 | 一种集成电路陶瓷基板 |
Country Status (1)
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- 2020-09-22 CN CN202022084076.0U patent/CN212810324U/zh active Active
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