CN212434525U - 一种笔记本电脑键盘薄膜开关连接结构 - Google Patents
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Abstract
一种笔记本电脑键盘薄膜开关连接结构，包括上层基材及下层基材，其特征在于：上层基材底面印刷有上层线路，下层基材顶面印刷有下层线路，上层基材与下层基材相互叠设，上层线路与下层线路相对；下层线路与上层线路之间设置有隔断层，隔断层中心开设上下通透的隔断通孔；下层基材顶面中间部分具有凸起，上层基材与下层基材组合后，下层线路中间部分与上层电路相抵并连通。减少线路长度，省去传统工艺中热压工作，结构简单，加工方便，节约成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种笔记本电脑键盘薄膜开关连接结构。
背景技术
现在笔记本电脑小型且超薄，其中构件之一的键盘也需变小变薄，同时键盘的按键与按键间的距离减小，薄膜开关的单键结构开孔也大加大，同时增加键盘框架的固定热熔开孔。因此将上层线路与下层线路集中到一个地方后，再用异方性导电胶热压后连通，这种可能性越来越小，原因是集中到一起这需要一定的空间，受到空间结构限制，而现在没有充足的空间。
发明内容
为解决上述问题，本实用新型提供以下方案：
一种笔记本电脑键盘薄膜开关连接结构，包括上层基材及下层基材，上层基材底面印刷有上层线路，下层基材顶面印刷有下层线路，上层基材与下层基材相互叠设，上层线路与下层线路相对；下层线路与上层线路之间设置有隔断层，隔断层中心开设上下通透的隔断通孔；下层基材顶面中间部分具有凸起，上层基材与下层基材组合后，下层线路中间部分与上层电路相抵并连通。
进一步的，所述下层基材中间部分由下至上向上凹陷，凹陷部分形成凸起。
进一步的，所述上层基材为由绝缘材料制成的上层绝缘层，所述下层基材为由绝缘材料制成下层绝缘层。
加工时，先将下层基材中心位置向上压制凸起，再分别于上层基材及下层基材上分别印刷上层线路与下层线路，再在上层线路与下层线路之间设置隔断层，将上层基材与下层基材组合，上层线路与下层线路相对设置，下层线路位于下层基材凸起的部分透过隔断通孔与上层线路接触并连通。
本实用新型改进了现有的连接方式，避开了现在连接方式的束缚，把原本集中的上下层线路连接点，分散到薄膜开关上的合适位置，使薄膜开关的线路设计简单化，同时减少了线路长度，减少线路印刷的原料，通过下层基材的凸起实现上层线路与下层线路的连接，减少了异方型导电胶的贴片与热压工序，从而提高生产良率与效率，增加键盘内部空间的利用效率。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
图中：1.上层基材；2.下层基材；3.上层线路；4.下层线路；5.隔断层；6.隔断通孔；7.凸起。
具体实施方式
现结合附图对本实用新型进行详细说明：
实施例1：如图1所示，
一种笔记本电脑键盘薄膜开关连接结构，包括上层基材1及下层基材2，上层基材1底面印刷有上层线路3，下层基材2顶面印刷有下层线路4，上层基材1与下层基材2相互叠设，上层线路3与下层线路4相对；下层线路4与上层线路3之间设置有隔断层5，隔断层5中心开设上下通透的隔断通孔6；下层基材2顶面中间部分具有凸起7，上层基材1与下层基材2组合后，下层线路4中间部分与上层电路3相抵并连通。
进一步的，所述下层基材2中间部分由下至上向上凹陷，凹陷部分形成凸起7。
进一步的，所述上层基材1为由绝缘材料制成的上层绝缘层，所述下层基材2为由绝缘材料制成下层绝缘层。
加工时，先将下层基材2中心位置向上压制凸起7，再分别于上层基材1及下层基材2上分别印刷上层线路3与下层线路4，再在上层线路3与下层线路4之间设置隔断层5，将上层基材1与下层基材2组合，上层线路3与下层线路4相对设置，下层线路4位于下层基材2凸起的部分透过隔断通孔6与上层线路3接触并连通。
本实用新型改进了现有的连接方式，避开了现在连接方式的束缚，把原本集中的上下层线路连接点，分散到薄膜开关上的合适位置，使薄膜开关的线路设计简单化，同时减少了线路长度，减少线路印刷的原料，通过下层基材2的凸起实现上层线路3与下层线路4的连接，减少了异方型导电胶的贴片与热压工序，从而提高生产良率与效率，增加键盘内部空间的利用效率。
Claims (3)
1.一种笔记本电脑键盘薄膜开关连接结构，包括上层基材及下层基材，其特征在于：上层基材底面印刷有上层线路，下层基材顶面印刷有下层线路，上层基材与下层基材相互叠设，上层线路与下层线路相对；下层线路与上层线路之间设置有隔断层，隔断层中心开设上下通透的隔断通孔；下层基材顶面中间部分具有凸起，上层基材与下层基材组合后，下层线路中间部分与上层电路相抵并连通。
2.如权利要求1中所述一种笔记本电脑键盘薄膜开关连接结构，其特征在于：所述下层基材中间部分由下至上向上凹陷，凹陷部分形成凸起。
3.如权利要求1中所述一种笔记本电脑键盘薄膜开关连接结构，其特征在于：所述上层基材为由绝缘材料制成的上层绝缘层，所述下层基材为由绝缘材料制成下层绝缘层。
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2020
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