CN212303632U - 一种芯片能使用化学方法划片的划片道结构 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种芯片能使用化学方法划片的划片道结构,包括晶圆,晶圆的前壁上设有衬底,且衬底前壁开设有安装槽,安装槽内设有若干个芯片,且安装槽内若干个芯片呈矩阵阵列排列设置,相邻芯片之间的安装槽上开设有划片道,安装槽内靠近左右两侧分别设有夹板,且两个夹板的后壁均与安装槽内腔侧壁靠近后侧处活动连接,两个夹板相远离的一侧外均设有偏心轮,通过氮化硅层和二氧化硅层的相互配合,可以实现化学切割,同时进行多条划片道的切割,提高了切割效率和经济效益,从而可以实现经济效益高和切割效率好的效果。

Description

一种芯片能使用化学方法划片的划片道结构
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术领域,具体为一种芯片能使用化学方法划片的划片道结构。
背景技术
在芯片的加工过程中,为了后续的划片操作,在晶圆的生产过程中会加入划片道的结构。目前的划片方式大多为物理方式,即在划片道处使用带钻石颗粒的砂轮在高速旋转的情况下对芯片进行切割,但是现有技术的划片道结构由于芯片硬度很大,对砂轮的损耗过大,需要频繁更换砂轮,经济效益偏低且由于使用物理方式,每次只能进行一条划片道的切割,切割效率低。为此,我们提出一种芯片能使用化学方法划片的划片道结构。
实用新型内容
本实用新型解决的技术问题在于克服现有技术的经济效益低和切割效率低等缺陷,提供一种芯片能使用化学方法划片的划片道结构。所述一种芯片能使用化学方法划片的划片道结构具有经济效益高和切割效率好等特点。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种芯片能使用化学方法划片的划片道结构,包括晶圆,所述晶圆的前壁上设有衬底,且衬底前壁开设有安装槽,所述安装槽内设有若干个芯片,且安装槽内若干个芯片呈矩阵阵列排列设置,相邻芯片之间的安装槽上开设有划片道,所述安装槽内靠近左右两侧分别设有夹板,且两个夹板的后壁均与安装槽内腔侧壁靠近后侧处活动连接,两个所述夹板相远离的一侧外均设有偏心轮,且两个偏心轮后壁均与安装槽内腔侧壁靠近后侧处活动连接,两个所述偏心轮的底部靠近中间处分别固定连接有拨动杆。
优选的,两个所述夹板上方和下方分别设有限位柱,且两侧的两个限位柱相靠近的一侧分别与两个夹板顶部和底部相接触,两侧的两个所述限位柱的后端均与安装槽内腔侧壁靠近后侧处固定连接。
优选的,两个所述夹板相远离的一侧靠近顶部和底部分别固定连接有弹簧,且两侧的两个弹簧相远离的一端均与安装槽的内腔侧壁固定连接。
优选的,所述安装槽的内腔侧壁靠近左右两侧处分别固定连接有螺纹杆,且两个偏心轮的后壁靠近底部处分别开设有与螺纹杆相匹配的螺纹孔。
优选的,两个所述偏心轮相靠近的一侧分别固定连接有弧形抵板,且两个弧形抵板相靠近的一侧分别与两个所述夹板相靠近的一侧相接触。
优选的,所述划片道上设有二氧化硅层,所述二氧化硅层顶部上设有两个氮化硅层,且两个氮化硅层相远离的一侧分别与划片道内腔侧壁靠近左右两侧处固定连接。
优选的,所述二氧化硅层的厚度设置大于氮化硅层的厚度设置。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1、在本技术方案中,通过偏心轮、夹板、弧形抵板、螺纹杆、螺纹孔、限位柱和拨动杆的相互配合,可以实现芯片划片切割时的固定,保证了稳定性,弹簧则对夹板的运动进行缓冲保护,避免芯片受到损坏;
2、在本技术方案中,通过氮化硅层和二氧化硅层的相互配合,可以实现化学切割,同时进行多条划片道的切割,提高了切割效率和经济效益,从而可以实现经济效益高和切割效率好的效果。
附图说明
图1为本实用新型的原始结构图;
图2为图1中划片道的正视图;
图3为图2中晶圆减薄后的示意图;
图4为图3中芯片划片后的示意图;
图5为图1中的A处放大图。
图中标号:1、晶圆;2、芯片;3、划片道;4、安装槽;5、夹板;6、偏心轮;7、弧形抵板;8、拨动杆;9、螺纹杆;10、螺纹孔;11、限位柱;12、弹簧;13、氮化硅层;14、二氧化硅层;15、衬底。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-5,本实用新型提供一种技术方案:一种芯片能使用化学方法划片的划片道结构,包括晶圆1,晶圆1的前壁上设有衬底15,且衬底15前壁开设有安装槽4,安装槽4内设有若干个芯片2,且安装槽4内若干个芯片2呈矩阵阵列排列设置,相邻芯片2之间的安装槽4上开设有划片道3,划片道3上设有二氧化硅层14,二氧化硅层14顶部上设有两个氮化硅层13,且两个氮化硅层13相远离的一侧分别与划片道3内腔侧壁靠近左右两侧处固定连接,二氧化硅层14的厚度设置大于氮化硅层13的厚度设置,通过氮化硅层13和二氧化硅层14的相互配合,可以实现化学切割,同时进行多条划片道3的切割,提高了切割效率和经济效益,安装槽4内靠近左右两侧分别设有夹板5,且两个夹板5 的后壁均与安装槽4内腔侧壁靠近后侧处活动连接,两个夹板5上方和下方分别设有限位柱11,且两侧的两个限位柱11相靠近的一侧分别与两个夹板5顶部和底部相接触,两侧的两个限位柱11的后端均与安装槽4内腔侧壁靠近后侧处固定连接,两个夹板5相远离的一侧外均设有偏心轮6,且两个偏心轮6后壁均与安装槽4内腔侧壁靠近后侧处活动连接,安装槽4的内腔侧壁靠近左右两侧处分别固定连接有螺纹杆9,且两个偏心轮6的后壁靠近底部处分别开设有与螺纹杆9相匹配的螺纹孔10,两个偏心轮6相靠近的一侧分别固定连接有弧形抵板7,且两个弧形抵板7相靠近的一侧分别与两个夹板5相靠近的一侧相接触,两个偏心轮6的底部靠近中间处分别固定连接有拨动杆8,两个夹板5相远离的一侧靠近顶部和底部分别固定连接有弹簧12,且两侧的两个弹簧12相远离的一端均与安装槽4的内腔侧壁固定连接,通过偏心轮6、夹板5、弧形抵板7、螺纹杆9、螺纹孔10、限位柱11和拨动杆8的相互配合,可以实现芯片2划片切割时的固定,保证了稳定性,弹簧12则对夹板5的运动进行缓冲保护,避免芯片2受到损坏,从而可以实现经济效益高和切割效率好的效果。
工作原理:在本技术方案中,首先拨动两个拨动杆8,使两个偏心轮6通过螺纹杆9和螺纹孔10的辅助进行转动,两个偏心轮6上的两个弧形抵板7带动两个夹板5进行相向运动,两个夹板5顶部和底部上的两个限位柱11能够保证两个夹板5进行线性运动,避免发生偏移,从而实现芯片2的夹持固定,而弹簧12通过弹性拉伸效果对两个夹板5的相向运动进行缓冲,保护芯片2不受损坏,而划片道3上的二氧化硅层14可以通过氢氟酸进行反应进行化学切割,实现能同时能化学切割多条划片道3,提高了切割效率和经济效益,而氮化硅层13能够保证氢氟酸到达二氧化硅层14的位置,进行反应实现化学切割,同时也能对芯片2进行保护,接着在切割后,对晶圆1的衬底15部分进行减薄处理,从而可以实现经济效益高和切割效率好的效果。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (7)

1.一种芯片能使用化学方法划片的划片道结构,包括晶圆(1),其特征在于:所述晶圆(1)的前壁上设有衬底(15),且衬底(15)前壁开设有安装槽(4),所述安装槽(4)内设有若干个芯片(2),且安装槽(4)内若干个芯片(2)呈矩阵阵列排列设置,相邻芯片(2)之间的安装槽(4)上开设有划片道(3),所述安装槽(4)内靠近左右两侧分别设有夹板(5),且两个夹板(5)的后壁均与安装槽(4)内腔侧壁靠近后侧处活动连接,两个所述夹板(5)相远离的一侧外均设有偏心轮(6),且两个偏心轮(6)后壁均与安装槽(4)内腔侧壁靠近后侧处活动连接,两个所述偏心轮(6)的底部靠近中间处分别固定连接有拨动杆(8)。
2.根据权利要求1所述的一种芯片能使用化学方法划片的划片道结构,其特征在于:两个所述夹板(5)上方和下方分别设有限位柱(11),且两侧的两个限位柱(11)相靠近的一侧分别与两个夹板(5)顶部和底部相接触,两侧的两个所述限位柱(11)的后端均与安装槽(4)内腔侧壁靠近后侧处固定连接。
3.根据权利要求1所述的一种芯片能使用化学方法划片的划片道结构,其特征在于:两个所述夹板(5)相远离的一侧靠近顶部和底部分别固定连接有弹簧(12),且两侧的两个弹簧(12)相远离的一端均与安装槽(4)的内腔侧壁固定连接。
4.根据权利要求1所述的一种芯片能使用化学方法划片的划片道结构,其特征在于:所述安装槽(4)的内腔侧壁靠近左右两侧处分别固定连接有螺纹杆(9),且两个偏心轮(6)的后壁靠近底部处分别开设有与螺纹杆(9)相匹配的螺纹孔(10)。
5.根据权利要求1所述的一种芯片能使用化学方法划片的划片道结构,其特征在于:两个所述偏心轮(6)相靠近的一侧分别固定连接有弧形抵板(7),且两个弧形抵板(7)相靠近的一侧分别与两个所述夹板(5)相靠近的一侧相接触。
6.根据权利要求1所述的一种芯片能使用化学方法划片的划片道结构,其特征在于:所述划片道(3)上设有二氧化硅层(14),所述二氧化硅层(14)顶部上设有两个氮化硅层(13),且两个氮化硅层(13)相远离的一侧分别与划片道(3)内腔侧壁靠近左右两侧处固定连接。
7.根据权利要求6所述的一种芯片能使用化学方法划片的划片道结构,其特征在于:所述二氧化硅层(14)的厚度设置大于氮化硅层(13)的厚度设置。
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