CN212264049U - 一种真空等离子处理设备及其处理腔体 - Google Patents
一种真空等离子处理设备及其处理腔体 Download PDFInfo
- Publication number
- CN212264049U CN212264049U CN202020603682.6U CN202020603682U CN212264049U CN 212264049 U CN212264049 U CN 212264049U CN 202020603682 U CN202020603682 U CN 202020603682U CN 212264049 U CN212264049 U CN 212264049U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cavity
- electrode
- vacuum plasma
- plasma processing
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种真空等离子处理设备及其处理腔体，包括气缸、上腔体和下腔体，所述上腔体内设有第一空腔，第一空腔的内侧壁上设有镜面不锈钢护罩，所述下腔体内设有第二空腔，所述第二空腔内设有电极，所述电极电极的上方及侧面设有绝缘片，电极的下端设置绝缘底板，所述气缸与上腔体连接，气缸带动上腔体上下滑动，所述电极的下端连接电极馈入件，本实用新型的真空等离子处理设备及其处理腔体适用范围广泛，可以大范围的用于半导体、摄像头、指纹模组等流水线制成设备的架设处理要求，采用上下腔体的结构，在下电极的周围设置绝缘层，被处理物体表面造成损伤或者二此次污染，降低二次污染及批量式清洗可能出现的损伤几率。
Description
技术领域
本实用新型涉及等离子处理技术领域，特别涉及一种真空等离子处理设备及其处理腔体。
背景技术
真空等离子体清洗工艺，是指在真空腔体里，通过电极，在一定的压力情况下产生高能量的无序等离子体，通过等离子体轰击被清洗产品，也就是物体表面，以达到清洗目的的一种等离子体表面处理工艺。
半导体衬底、引线框架、集成电路板是现今半导体生产流程各个阶段的产品，在生产过程中，常常都需要利用到真空等离子体表面处理设备来清洗表面。因此这些产品都是常见的真空等离子清洗的物体。
现有的真空等离子清洗机都是单机式的，无法与上下段加工设备对接，整个生产过程需要对产品来回搬运。生产时无法对产品进行跟踪并监控生产信息，在生产搬运过程中，很容易造成产品的损伤和材料损失，加大了生产成本，同时费时费力，增大了整体生产线设备的占地面积；且真空箱体都是由腔体和电极板构成，在正常的清洗工作中，容易对被处理物体表面造成损伤或者二此次污染，影响处理良率。
发明内容
为了克服上述缺陷，本实用新型提供了一种真空等离子处理设备及其处理腔体，降低二次污染及批量式清洗可能出现的损伤几率。
本实用新型为了解决其技术问题所采用的技术方案是：一种真空等离子处理设备及其处理腔体，包括上腔体和下腔体，所述上腔体内设有第一空腔，第一空腔的内侧壁上设有镜面不锈钢护罩，所述下腔体内设有第二空腔，所述第二空腔内设有电极，所述电极的上方及侧面设有绝缘片，电极的下端设置绝缘底板，所述电极的下端连接电极馈入件。
作为本实用新型的进一步改进，还包括一腔体升降装置，所述腔体升降装置与上腔体连接，腔体升降装置带动上腔体上下滑动，所述腔体升降装置为气缸，所述上腔体的上端设有气缸连接件，所述气缸连接件与气缸主轴连接，气缸通过气缸连接件带动上腔体上下垂直运动。
作为本实用新型的进一步改进，所述上腔体上设有外部气体进气口，所述外部气体进气口处设有气体流量计，所述下腔体(3)上设有真空抽气口。
作为本实用新型的进一步改进，所述下腔体上两边设有定位导轨，中间设有若干调节导轨，调节导轨通过设置在下腔体上的滑槽滑动设置在下腔体上，调节导轨与定位导轨之间形成可以放置电极的传输轨道，在传输轨道的进料端和出料端设有光电传感器。
作为本实用新型的进一步改进，所述电极与电极馈入件的连接处设有电极馈入绝缘件。
作为本实用新型的进一步改进，所述下腔体的上表面周边设有燕尾槽，所述燕尾槽内嵌设密封圈，使得上腔体和下腔体之间密封连接。
作为本实用新型的进一步改进，所述气缸固定在上腔体上方的固定板上，所述固定板固定在机架上，固定板下方设有直线轴套，对应上腔体上设有插入直线轴套的导向轴，直线轴套与导向轴配合保证升降时的精度及稳定性。
作为本实用新型的进一步改进，所述绝缘片为陶瓷片，绝缘片的厚度小于绝缘底板。
作为本实用新型的进一步改进，所述上腔体和下腔体的侧边分别设有一个或者多个相互密封配合的连接块，所述下腔体侧边的连接块上设有金属网带槽，金属网带槽内设置金属网带，上腔体和下腔体通过金属网带紧密连接。
作为本实用新型的进一步改进，在所述的上腔体、下腔体或连接真空抽气口的管路上设有两个接口，一个接口连接真空计，另一接口为破空口，破空口连接外部通气设备。
本实用新型的有益效果是：本实用新型的真空等离子处理设备及其处理腔体适用范围广泛，可以大范围的用于半导体、摄像头、指纹模组等流水线制成设备的架设处理要求，采用上下腔体的结构，在下电极的周围设置绝缘层，被处理物体表面造成损伤或者二此次污染，降低二次污染及批量式清洗可能出现的损伤几率。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图；
图2为本实用新型结构侧视图之一；
图3为本实用新型结构侧视图之二；
图4为图3中A部放大示意图；
图5为为本实用新型连接块的放大示意图；
图中标示：1-气缸；2-上腔体；3-下腔体；4-第一空腔；5-镜面不锈钢护罩；6-第二空腔；7-电极；8-绝缘片；9-绝缘底板；10-电极馈入件；11-气缸连接件；12-气缸主轴；13-外部气体进气口；14-真空抽气口；15-定位导轨；16-调节导轨；17-滑槽；18-电极馈入绝缘件；19-固定板；20-直线轴套；21-导向轴；22-连接块；23-金属网带槽。
具体实施方式
为了加深对本实用新型的理解，下面将结合实施例和附图对本实用新型作进一步详述，该实施例仅用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型保护范围的限定。
图1-4出示了本实用新型一种真空等离子处理设备及其处理腔体的一种实施方式，一种真空等离子处理设备及其处理腔体，包括上腔体2和下腔体3，所述上腔体2内设有第一空腔4，第一空腔4的内侧壁上设有镜面不锈钢护罩5，所述下腔体3内设有第二空腔6，所述第二空腔6内设有电极7，所述电极7的上方及侧面设有绝缘片8，电极7的下端设置绝缘底板9，所述电极7的下端连接电极馈入件10。
还包括一腔体升降装置1，所述腔体升降装置1与上腔体2连接，腔体升降装置1带动上腔体2上下滑动，所述腔体升降装置1为气缸，所述上腔体2的上端设有气缸连接件11，所述气缸连接件11与气缸主轴12连接，气缸通过气缸连接件11带动上腔体2上下垂直运动。
所述上腔体2上设有外部气体进气口13，所述外部气体进气口13处设有气体流量计，所述下腔体3上设有真空抽气口14。
所述下腔体3上两边设有定位导轨15，中间设有若干调节导轨16，调节导轨16通过设置在下腔体3上的滑槽17滑动设置在下腔体3上，调节导轨16与定位导轨15之间形成可以放置电极7的传输轨道，在传输轨道的进料端和出料端设有光电传感器。
所述电极7与电极馈入件10的连接处设有电极馈入绝缘件18。
所述下腔体3的上表面周边设有燕尾槽，所述燕尾槽内嵌设密封圈，使得上腔体2和下腔体3之间密封连接。
所述气缸1固定在上腔体2上方的固定板19上，所述固定板19固定在机架上，固定板19下方设有直线轴套20，对应上腔体2上设有插入直线轴套的导向轴21，直线轴套20与导向轴21配合保证升降时的精度及稳定性。
所述绝缘片8为陶瓷片，绝缘片8的厚度小于绝缘底板9。
如图5所示，所述上腔体2和下腔体3的侧边分别设有一个或者多个相互密封配合的连接块22，所述下腔体3侧边的连接块22上设有金属网带槽23，金属网带槽23内设置金属网带，上腔体2和下腔体3通过金属网带紧密连接。
在所述的上腔体2、下腔体3或连接真空抽气口14的管路上设有两个接口，一个接口连接真空计，另一接口为破空口，破空口连接外部通气设备。
本实施例中的等离子处理设备的处理过程及原理：
1：系统自动把物料搬运到腔体内部的下腔体3上的物料传输导轨上，当全部搬运动作完成后，此时所有腔体进出料端光电感应器没有物料遮挡时，腔体升降装置1即气缸执行上腔体下降动作。
2：下腔体3上面设有燕尾槽密封圈，当上下腔体闭合时，会形成一个密封腔室。同时通过上、下腔体的连接块把两个腔体完全链接住，保证等离子电源更好的工作及稳定性，设备开始执行抽空等清洗工作。
3：当清洗工作完成后，与破空口相连的接口，通过充入空气或者纯净气体来完成物料清洗后的破除密封腔体的真空状态。
4：当密封腔体内部破空完成后，腔体升降装置1执行上腔体2上升动作。
在等离子电源工作时，通过电极馈入件10把能量传输到电极7上，因下部与四周的绝缘底板9较厚，从而保证电极板不会对下腔体3的底部或者四周放电，电极7上部的绝缘片较薄，会通过绝缘薄片对上部腔体介质放电，从而产生等离子体。
因为等离子体消耗会很快，所以上腔体2内部采用镜面不锈钢板，会对等离子体产生折射作用，从而提高腔体内部的等离子浓度，达到更好的处理效果。
因为上腔体内部采用镜面不锈钢板，会对等离子体产生折射作用，同时镜面不锈钢板密度较高，所以不会因为等离子轰击表面而产生粉尘或者其它杂质，从而不会污染产品。
下腔体3上的绝缘片8采用陶瓷或者玻璃等高密度绝缘材料，保证表面更耐等离子。
Claims (10)
1.一种真空等离子处理设备及其处理腔体，其特征在于：包括上腔体(2)和下腔体(3)，所述上腔体(2)内设有第一空腔(4)，第一空腔(4)的内侧壁上设有镜面不锈钢护罩(5)，所述下腔体(3)内设有第二空腔(6)，所述第二空腔(6)内设有电极(7)，所述电极(7)的上方及侧面设有绝缘片(8)，电极(7)的下端设置绝缘底板(9)，所述电极(7)的下端连接电极馈入件(10)。
2.根据权利要求1所述的一种真空等离子处理设备及其处理腔体，其特征在于：还包括一腔体升降装置(1)，所述腔体升降装置(1)与上腔体(2)连接，腔体升降装置(1)带动上腔体(2)上下滑动，所述腔体升降装置（1）为气缸，所述上腔体(2)的上端设有气缸连接件(11)，所述气缸连接件(11)与气缸主轴(12)连接，气缸通过气缸连接件(11)带动上腔体(2)上下垂直运动。
3.根据权利要求1所述的一种真空等离子处理设备及其处理腔体，其特征在于：所述上腔体(2)上设有外部气体进气口(13)，所述外部气体进气口(13)处设有气体流量计，所述下腔体(3)上设有真空抽气口(14)。
4.根据权利要求1所述的一种真空等离子处理设备及其处理腔体，其特征在于：所述下腔体(3)上两边设有定位导轨(15)，中间设有若干调节导轨(16)，调节导轨(16)通过设置在下腔体(3)上的滑槽(17)滑动设置在下腔体(3)上，调节导轨(16)与定位导轨(15)之间形成可以放置电极(7)的传输轨道，在传输轨道的进料端和出料端设有光电传感器。
5.根据权利要求1所述的一种真空等离子处理设备及其处理腔体，其特征在于：所述电极(7)与电极馈入件(10)的连接处设有电极馈入绝缘件(18)。
6.根据权利要求1所述的一种真空等离子处理设备及其处理腔体，其特征在于：所述下腔体(3)的上表面周边设有燕尾槽，所述燕尾槽内嵌设密封圈，使得上腔体(2)和下腔体(3)之间密封连接。
7.根据权利要求2所述的一种真空等离子处理设备及其处理腔体，其特征在于：所述腔体升降装置(1)固定在上腔体(2)上方的固定板(19)上，所述固定板(19)固定在机架上，固定板(19)下方设有直线轴套(20)，对应上腔体(2)上设有插入直线轴套的导向轴(21)，直线轴套(20)与导向轴(21)配合保证升降时的精度及稳定性。
8.根据权利要求1所述的一种真空等离子处理设备及其处理腔体，其特征在于：所述绝缘片(8)为陶瓷片，绝缘片(8)的厚度小于绝缘底板(9)。
9.根据权利要求1所述的一种真空等离子处理设备及其处理腔体，其特征在于：所述上腔体(2)和下腔体(3)的侧边分别设有一个或者多个相互密封配合的连接块(22)，所述下腔体(3)侧边的连接块(22)上设有金属网带槽(23)，金属网带槽(23)内设置金属网带，上腔体(2)和下腔体(3)通过金属网带紧密连接。
10.根据权利要求1所述的一种真空等离子处理设备及其处理腔体，其特征在于：在所述的上腔体(2)、下腔体(3)或连接真空抽气口(14)的管路上设有两个接口，一个接口连接真空计，另一接口为破空口，破空口连接外部通气设备。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202020603682.6U CN212264049U (zh) | 2020-04-21 | 2020-04-21 | 一种真空等离子处理设备及其处理腔体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202020603682.6U CN212264049U (zh) | 2020-04-21 | 2020-04-21 | 一种真空等离子处理设备及其处理腔体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN212264049U true CN212264049U (zh) | 2021-01-01 |
Family
ID=73877015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202020603682.6U Active CN212264049U (zh) | 2020-04-21 | 2020-04-21 | 一种真空等离子处理设备及其处理腔体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN212264049U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111318520A (zh) * | 2020-04-21 | 2020-06-23 | 昆山索坤莱机电科技有限公司 | 一种真空等离子处理设备及其处理腔体 |
-
2020
- 2020-04-21 CN CN202020603682.6U patent/CN212264049U/zh active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111318520A (zh) * | 2020-04-21 | 2020-06-23 | 昆山索坤莱机电科技有限公司 | 一种真空等离子处理设备及其处理腔体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101616765B1 (ko) | 웨이퍼 분리 장치, 웨이퍼 분리 반송 장치, 웨이퍼 분리 방법, 웨이퍼 분리 반송 방법 및 태양 전지용 웨이퍼 분리 반송 방법 | |
| CN212264049U (zh) | 一种真空等离子处理设备及其处理腔体 | |
| CN112140371B (zh) | 一种用于生产太阳能电池板的多晶硅片切割装置 | |
| CN117116826B (zh) | 一种硅片镀膜的自动供收料装置及供料方法 | |
| CN112259477A (zh) | 一种集成电路半导体芯片封装设备及其封装方法 | |
| KR20190013530A (ko) | 분진 흡인 장치 | |
| KR20140051052A (ko) | 기판 주연부를 가공하는 블라스트 가공 장치 및 이 장치를 이용한 블라스트 가공 방법 | |
| CN111318520A (zh) | 一种真空等离子处理设备及其处理腔体 | |
| CN104466255B (zh) | 化成封装机 | |
| CN106409726A (zh) | 一种具有增强腔体排气效果的排气装置的单片清洗机台 | |
| CN214672522U (zh) | 一种硅片清洗设备 | |
| CN218352832U (zh) | 等离子蚀刻装置及其双腔结构 | |
| CN203339120U (zh) | 晶圆/光罩密封式载具的充气净化系统 | |
| CN206005024U (zh) | 一种pcb生产线齿轮传动装置 | |
| KR101848256B1 (ko) | 코팅부를 구비한 반도체 제조용 플라즈마 세정장치 | |
| CN220012796U (zh) | 镀膜设备进片室装置 | |
| CN117545184B (zh) | 用于pcb基板贴膜的控制方法 | |
| CN211365611U (zh) | 一种硅片脱胶周转装置 | |
| KR100260995B1 (ko) | 반도체 패키지 제조용 디플래시 방법 및 장치 | |
| CN210632573U (zh) | 一种载板清废装置 | |
| CN218023618U (zh) | 具备上下双层全密封收尘装置的皮带机 | |
| CN209853264U (zh) | 一种半导体封装用陶瓷片上料机构 | |
| WO2024202970A1 (ja) | クリーニング装置、樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法 | |
| CN109318376A (zh) | 粉尘飞散防止装置及具备该粉尘飞散防止装置的基板加工装置 | |
| CN218123378U (zh) | 一种大尺寸硅片插片机分片装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |