CN212257992U - 激光发射器、投影模组、光电装置和电子设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提出一种激光发射器，包括：衬底；多个发光单元，由半导体工艺制作生长于衬底，每个发光单元包括发光层结构、第一电极和第二电极，第一电极包括第一金属部和第二金属部，第一金属部和第二金属部通过一贯穿衬底的过孔电性连接，第二电极设于发光层结构远离衬底的一侧；及多个焊盘，设于衬底设有发光层结构的一侧且位于多个发光单元的外围；其中，多个第一电极和多个第二电极中的至少一者包括至少两个电极组，每个电极组中的所有电极均电连接且与相应的焊盘电连接。上述激光发射器能够实现分区点亮，结构简单且可靠性较高。本实用新型同时提出一种投影模组、光电装置和电子设备。
Description
技术领域
本实用新型涉及成像技术领域，具体涉及一种激光发射器、投影模组、光电装置和电子设备。
背景技术
用于采集物体三维轮廓信息的光电装置越来越受关注，光电装置可以通过结构光技术向物体投影特定的光信息，图像传感器接收物体反射的光线，根据光信息的变化来获取物体的三维轮廓信息。其中，在编码结构光技术中，通常使用发光单元(Vertical CavitySurface Emitting Laser，发光单元)阵列作为光源。
在实现本申请过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：发光单元阵列中的各发光点通常都是一起点亮，而图像传感器仅能侦测各区域最早返回的激光点信号，后续该区域内其他激光点返回讯号将变成噪声，无法利用，从而光电装置的总分辨率受限于图像传感器的像素。
实用新型内容
鉴于以上内容，有必要提出一种激光发射器、投影模组、光电装置和电子设备，以解决上述问题。
本实用新型的实施例提供一种激光发射器，包括：衬底；多个发光单元，由半导体工艺制作生长于所述衬底，每个所述发光单元包括发光层结构、第一电极和第二电极，所述第一电极包括第一金属部和第二金属部，所述第一金属部位于所述衬底设有所述发光层结构的一侧且与所述发光层结构间隔，所述第二金属部位于所述衬底远离所述发光层结构的一侧，且所述第一金属部和所述第二金属部通过一贯穿所述衬底的过孔电性连接，所述第二电极设于所述发光层结构远离所述衬底的一侧；及多个焊盘，设于所述衬底设有所述发光层结构的一侧且位于多个所述发光单元的外围；其中，多个所述第一电极和多个所述第二电极中的至少一者包括至少两个电极组，每个电极组中的所有电极均电连接且与相应的所述焊盘电连接。
上述实施例的激光发射器中，由于多个所述第一电极和多个所述第二电极中的至少一者包括至少两个电极组，每个电极组中的所有电极均电连接且与相应不同的所述焊盘电连接，能够实现多个发光单元的分区点亮，且能够节省焊盘的数量，无须再经由多条金线的连接来达到分区点亮的电性连接功能，解决了金线坍塌或脱落的问题，激光发射器使用时，只需要在电路板上针对各焊盘作连接即可，减少激光发射器使用时的复杂度，激光发射器结构简单且可靠性较高。
在一些实施例中，每个所述发光单元具有一发光孔，所述发光孔开设于所述第二金属部中且与所述发光层结构对应设置，所述发光层结构产生的激光经由所述发光孔射出；
多个所述发光单元至少形成第一阵列和第二阵列；
所述第一阵列的行中的所述发光单元的发光孔与所述第二阵列的行中的所述发光单元的发光孔依次交错分布。
由于发光单元的数量较多，上述交错分布的方式可以节省衬底空间，从而降低激光发射器的成本。
在一些实施例中，所述第一阵列的列中的发光单元的发光孔与所述第二阵列的列中的所述发光单元的发光孔依次交错分布。
如此，可以进一步节省衬底空间，从而降低激光发射器的成本。
在一些实施例中，所述第一阵列中的多个所述第二金属部形成第一回路，所述第二阵列中的多个所述第二金属部形成第二回路，所述第一回路和所述第二回路分别通过一贯穿所述衬底的第一连接孔连接相应的所述焊盘；
所述第一阵列和所述第二阵列中的多个所述第二电极电性连接，并与一个所述焊盘相连接。
由于第一回路和第二回路分别通过第一连接孔连接焊盘，而无需使用金线连接，节省了电性连接所需的金属层和空间，且避免金线坍塌或脱落的问题。
在一些实施例中，所述第一阵列中每行的第二金属部分别电性连接，且连接至一第一连接部；
所述第二阵列中每行的第二金属部分别电性连接，且连接至一第二连接部；
所述第一连接部和所述第二连接部分别连接相应的所述焊盘，且分别设于所述多个发光单元的两侧。
如此，避免两个回路之间发生导通，提升激光发射器的可靠性。
在一些实施例中，所述第一阵列和所述第二阵列中的多个所述第二金属部电性连接，且通过一贯穿所述衬底的第二连接孔连接一个所述焊盘；
所述第一阵列中的多个所述第二电极形成第一回路，所述第二阵列中的多个所述第二电极形成第二回路，所述第一回路和所述第二回路分别连接两个所述焊盘。
如此，通过将第二电极分成两个回路的方式，也可以实现分区点亮的控制。
在一些实施例中，所述激光发射器还包括绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第一回路和所述第二回路。
绝缘层不导电，可保护第一回路和第二回路免于暴露在外，避免倒晶封装的激光发射器连接至基板时各回路之间产生短路。
在一些实施例中，所述发光层结构包括依次设于所述衬底一侧的第一DBR层、有源层和第二DBR层。
第一电极和第二电极用于连接供电电源，以施加电场到有源层，从而使有源层产生自发辐射并在第一DBR层和第二DBR层构成谐振腔的作用下发射激光。
本实用新型的实施例还提供一种投影模组，包括:
基板；
如上任意一实施例所述的激光发射器，所述激光发射器电性连接于所述基板；
准直元件，用于准直所述激光发射器发射的激光；及
衍射光学器件，用于接收所述准直元件准直的激光并将激光扩束以形成激光图案。
上述投影模组中，激光发射器可实现将多个发光单元分区点亮；无须再经由多条金线的连接来达到分区点亮的电流电性连接功能，解决了金线坍塌或脱落的问题，激光发射器使用时，只需要在电路板上针对各焊盘作连接即可，减少激光发射器使用时的复杂度。
本实用新型的实施例还提供一种光电装置，包括：
所述投影模组，和
接收模组，用于接收经目标物体调制后的激光图案。
上述光电装置中，激光发射器可实现将多个发光单元分区点亮；且无须再经由多条金线的连接来达到分区点亮的电流电性连接功能，解决了金线坍塌或脱落的问题，激光发射器使用时，只需要在电路板上针对各焊盘作连接即可，减少激光发射器使用时的复杂度。上述投影模组的投影模组用于朝目标物体发射激光图案，接收模组用于接收经目标物体调制后的激光图案，光电装置根据接收模组接收到的激光图案得到物体的三维信息。
本实用新型的实施例还提供一种电子设备，包括所述光电装置。
上述电子设备包括所述光电装置，可以通过光电装置获取物体的三维轮廓信息，上述光电装置中的激光发射器无须经由多条金线的连接来达到分区点亮的功能，解决了金线坍塌或脱落的问题，激光发射器结构简单且可靠性较高。
附图说明
图1是本实用新型第一实施例的光电装置的结构示意图。
图2是图1所示的光电装置中激光发射器的局部剖面示意图。
图3是本实用新型第一实施例的激光发射器上表面金属层的局部示意图。
图4是本实用新型第一实施例的激光发射器下表面焊盘的示意图。
图5是本实用新型第二实施例的激光发射器上表面金属层的局部示意图。
图6是本实用新型第二实施例的激光发射器下表面金属层和焊盘的局部示意图。
图7是本实用新型第三实施例的电子设备的结构示意图。
主要元件符号说明
投影模组 100
激光发射器 10
衬底 11
过孔 112
第一连接孔 114
第二连接孔 116
发光单元 12
发光层结构 122
第一DBR层 1222
有源层 1224
孔径层 1226
第二DBR层 1228
第一电极 124
第一金属部 1242
第二金属部 1244
第二电极 126
发光孔 128
焊盘 13
第一阵列 14
第二阵列 15
第一连接部 16
第二连接部 17
准直元件 20
衍射光学器件 30
基板 40
光电装置 1000
接收模组 200
成像透镜 210
图像传感器 220
支架 300
第一收容空间 310
第二收容空间 320
电子设备 500
壳体 510
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中设置的元件。当一个元件被认为是“设置在”另一个元件，它可以是直接设置在另一个元件上或者可能同时存在居中设置的元件。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
请参阅图1，本实用新型第一实施例提供一种光电装置1000，用于采集物体的三维轮廓信息，光电装置1000包括投影模组100和接收模组200。投影模组100用于朝目标物体发射激光图案，接收模组200用于接收经目标物体调制后的激光图案，光电装置1000根据接收模组200接收到的激光图案得到物体的三维信息并进行成像(深度图像)。
投影模组100包括基板40、激光发射器10、准直元件20和衍射光学器件30。
基板40可以是柔性电路板、硬质电路板或软硬结合电路板中的至少一种。
激光发射器10电性连接于基板40，用于发射激光。
准直元件20设置在激光发射器10的光路上并用于准直激光发射器10发射的激光。
衍射光学器件30(Diffractive Optical element，DOE)设置在激光发射器10的光路上，用于接收准直元件20准直后的激光并将激光扩束以形成激光图案。
接收模组200包括成像透镜210和图像传感器220，图像传感器220位于成像透镜210的像侧，成像透镜210用于将入射的光线汇聚到图像传感器220。成像透镜210包括至少一个光学透镜。在一个例子中，成像透镜210可以是一个光学透镜。在另一个例子中，成像透镜210可以是多个光学透镜的组合。如此，接收模组200通过成像透镜210可以提高图像传感器220的成像效果。
如此，图像传感器220可以采集物体反射的光线，图像传感器220是一种专门用于光飞行时间(TOF)测量的图像传感器220，例如可以是CMOS(互补金属氧化物半导体)、APD(雪崩光电二极管)、SPAD(单光子雪崩光电二极管)等图像传感器220，图像传感器220的像素可以是单点、线阵或者面阵等形式。
光电装置1000还包括支架300，支架300可为一体结构且开设有第一收容空间310和第二收容空间320，投影模组100至少部分地设置在第一收容空间310中，接收模组200至少部分地设置在第二收容空间320中，且投影模组100和接收模组200并排设置。
激光发射器10包括衬底11和连接于衬底11的多个发光单元12。请参照图2，图2示意出了衬底11和一个发光单元12。多个发光单元12由半导体工艺制作生长于衬底11。
在本实施例中，发光单元12为倒晶封装结构。激光发射器10包括上表面和下表面。上表面为发光面，即远离基板40的一面；下表面为靠近基板40的一面。
在一实施例中，衬底11为砷化镓衬底，但不限于此，衬底11也可为磷化铟衬底、氮化镓衬底、锑化铟衬底等。
多个发光单元12设于衬底11上，每个发光单元12包括发光层结构122、第一电极124和第二电极126。发光层结构122和第二电极126设于衬底11的同侧，第一电极124至少部分设于衬底11远离发光层结构122的一侧。
发光层结构122大致呈圆柱台面状，包括依次叠设于衬底11一侧的第一DBR层1222、有源层1224和第二DBR层1228。其中，DBR为分布式布拉格反射镜(Distributed BraggReflector)。
第一DBR层1222和第二DBR层1228均具有高反射率，其中，第一DBR层1222为N型DBR层，第二DBR层1228为P型DBR层。
在一实施例中，第一DBR层1222包括多个交替设置的砷化铝(AlAs)层和砷化镓(GaAs)层，砷化铝层和砷化镓层的折射率不同，砷化铝层和砷化镓层的数量分别为多层，以使第一DBR层1222具有高反射率，其中，第一分布式布拉格反射镜的反射率可达到99.99％。第二DBR层1228也可包括多个交替设置的砷化铝镓层和砷化镓层。
有源层1224用以将电能转换为光能，有源层1224可覆盖第一DBR层1222，沿着第一DBR层1222和第二DBR层1228的层叠方向，有源层1224与第一DBR层1222的横截面的宽度相等。在一实施例中，有源层1224包括铟镓砷(INGaAs)或砷化铝镓，但不限于此。
第二DBR层1228包括多个交替设置的砷化铝层和砷化镓层，砷化铝层和砷化镓层的数量分别为多层，以使第二分布式布拉格反射镜具有高反射率，其中，第二分布式布拉格反射镜的反射率可达到99％。第二DBR层1228也可包括多个交替设置的砷化铝镓层和砷化镓层。
第一电极124和第二电极126用于连接供电电源，以施加电场到有源层1224，从而使有源层1224产生自发辐射并在第一DBR层1222和第二DBR层1228构成谐振腔的作用下发射激光。第一电极124为N型电极，第二电极126为P型电极。
第一电极124、第二电极126由欧姆接触材料制成，欧姆接触材料可包括镍(Ni)、金(Au)、钯(Pd)、银(Ag)中的至少一种。
在本实施例中，第二电极126设于发光层结构122远离衬底11的一侧，且设于第二DBR层1228远离衬底11的一侧。
第一电极124包括第一金属部1242和第二金属部1244，第一金属部1242位于衬底11设有发光层结构122的一侧且与发光层结构122间隔，第二金属部1244位于衬底11远离发光层结构122的一侧，且第一金属部1242和第二金属部1244通过一贯穿衬底11的过孔112电性连接。
每个发光单元12具有一发光孔128，发光孔128开设于第二金属部1244中且与发光层结构122对应设置，发光层结构122产生的激光经由发光孔128射出。第一电极124的第二金属部1244和第二电极126分别位于衬底11的两侧，以分别对有源层1224施加电场。
在一实施例中，发光单元12还包括孔径层1226，孔径层1226设于有源层1224和第二DBR层1228之间，孔径层1226包括孔径区域和围绕孔径区域的阻挡区域，孔径区域能够透光，阻挡区域用于限制电流注入的范围，以控制发光孔径的大小。阻挡区域可由高阻值和高导热率的材质制成，例如氮化硅(SiN)、氮化硼(BN)和氮化铝(AlN)中的一种；阻挡区域也可由侧向氧化制成，例如对砷化铝镓层进行侧向氧化。
在一实施例中，发光单元12还包括氮化硅层123，氮化硅层123设于衬底11远离发光层结构122的一侧且对应发光孔128设置，起到保护作用，也可同时位于发光层结构122的周侧。发光单元12还包括欧姆接触层125，欧姆接触层125位于发光层结构122和第二电极126之间，有金半接触的作用，作为金属与半导体的过渡层。欧姆接触层125可为钛金材料等金属材料，也可为重掺杂之后具有导电性的砷化镓材料。
请同时参照图2至图4，激光发射器10还包括多个焊盘13，位于衬底11设有发光层结构122的一侧且位于多个发光单元12的外围，即焊盘13位于激光发射器10的下表面且位于非发光区。
多个第一电极124和多个第二电极126中的至少一者包括至少两个电极组，每个电极组中的所有电极均电连接且与相应的焊盘13电连接。因此，多个发光单元12可进行分区点亮。
在一实施方式中，多个发光单元12的第一电极124和第二电极126中的一者电性连接并连接一个焊盘13，另一者分成至少两个回路，每个回路分别连接一个相应的焊盘13。
具体地，多个发光单元12至少形成第一阵列14和第二阵列15，也即是说，多个发光单元12被分为第一阵列14的多个发光单元12和第二阵列15的多个发光单元12。本实施例仅以多个发光单元12被分为第一阵列14的多个发光单元12和第二阵列15的多个发光单元12为例进行说明，则多个发光单元12形成大于两个阵列的情况则依次类推。例如，多个发光单元12可被分为三个阵列、四个阵列、五个阵列等。
第一阵列14的行中的发光单元12的发光孔128和第二阵列15的行中的发光单元12的发光孔128依次交错分布。由于发光单元12的数量较多，上述交错分布的方式可以节省衬底11空间，从而降低激光发射器10的成本。在本申请中，所述“行”是指阵列的发光单元12中沿第一方向排列成一排，所述“列”是指阵列的发光单元12中沿第二方向排列成一排，第一方向与第二方向垂直或大致垂直。
以图3为例，第一阵列14为整个阵列中(即第一阵列14和第二阵列15组成的阵列)的奇数行组成，第二阵列15为整个阵列中的偶数行组成。交错分布指的是，第一行X1为第一阵列14的第一行，第二行X2为第二阵列15的第一行，第三行X3为第二阵列15的第二行，第四行X4为第二阵列15的第二行，依次类推。
在一些实施例中，第一阵列14的列中的发光单元12的发光孔128与第二阵列15的列中的发光单元12的发光孔128依次交错分布，以进一步节省衬底11空间，从而降低激光发射器10的成本。以图3为例，第一阵列14为整个阵列中的奇数列组成，第二阵列15为整个阵列中的偶数列组成。交错分布指的是，第一列Y1为第一阵列14的第一列，第二列Y2为第二阵列15的第一列，第三列Y3为第二阵列15的第二列，第四列Y4为第二阵列15的第二列，依次类推。
在另一些实施例中，每一列也可同时分布有第一阵列14和第二阵列15的发光单元12。
在第一实施例中，请同时参照图2和图3，在激光发射器10的上表面，第一阵列14中的多个第二金属部1244形成第一回路，第二阵列15中的多个第二金属部1244形成第二回路，第一回路和第二回路分别通过一贯穿衬底11的第一连接孔114连接相应的焊盘13。
具体地，所述第一阵列14中每行的第二金属部1244分别电性连接，且连接至一第一连接部16；所述第二阵列15中每行的第二金属部1244分别电性连接，且连接至一第二连接部17；所述第一连接部16和所述第二连接部17分别设于所述多个发光单元12的两侧，以避免两个回路之间发生导通，提升激光发射器10的可靠性。
由于第一回路和第二回路分别通过第一连接孔114连接焊盘13，而无需使用金线连接，节省了电性连接所需的金属层和空间，且避免金线坍塌或脱落的问题。
如图4所示，在激光发射器10的下表面，激光发射器10包括三个焊盘13，各焊盘13用于与基板40电性连接。
第一连接部16和第二连接部17分别通过第一连接孔114连接相应的焊盘13。
第一阵列14和第二阵列15中的第二电极126均电性连接，并共同连接一个焊盘13，即所有的发光单元12的第二电极126共电性。
上述光电装置1000的投射模组可在同一时间针对整个画面发出激光点，图像传感器220的像素阵列按照画面位置，分别计算各位置激光发射回来的时间差来得到该方向上的距离，画面更新速度较快。
假设图像传感器220具有5x5像素的解析能力，衍射光学器件30也为5x5的分束结构。当发光单元12阵列形成两个阵列时，发光单元12可分为两区点亮，依照时间差作点亮的动作，可以增加扫描分辨率。由于衍射光学器件30的分束设计为5x5个区域，搭配激光发射器10的分区点亮，共可产生2x5x5个激光点，分辨率可变为原本的两倍。
上述实施例中，由于多个发光单元12至少形成了第一阵列14和第二阵列15，第一阵列14和第二阵列15中的发光单元12的第一电极124分别形成两个回路，并分别通过相应的第一连接孔114导通至激光发射器10的下表面，彼此并不交集，能够实现激光发射器10的分区点亮的控制，节省了焊盘13数量，无须再经由多条金线的连接来达到分区点亮的电流电性连接功能，解决了金线坍塌或脱落的问题，激光发射器10使用时，只需要在电路板上针对各焊盘13作连接即可，减少激光发射器10使用时的复杂度。
可以理解，发光单元12可形成N个阵列(N≥1)，每个阵列中垂直腔面发射器的第一电极124分别使用一个焊盘13，所有阵列中的垂直腔面发射器的第二电极126共享一个焊盘13，故焊盘13的最小数量为N+1。
假设图像传感器220具有5x5像素的解析能力，衍射光学器件30也为5x5的分束结构。当发光单元12形成四个阵列时，激光发射器10可分为四区点亮，依照时间差作点亮的动作，可以增加扫描分辨率，共可产生4x5x5个激光点，分辨率可变为原本的四倍。
可以理解，所有阵列中的垂直腔面发射器的第二电极126也可使用多个焊盘13，例如M个(M≥2)，此时，焊盘13的总数量为N+M。
本实用新型的第二实施例提供一种激光发射器10。图5为第二实施例的激光发射器10上表面金属层的局部结构示意图，图6是第二实施例的激光发射器10下表面金属层和焊盘13的局部结构示意图。
激光发射器10同样包括衬底11和多个发光单元12，多个发光单元12至少形成第一阵列14和第二阵列15，在此不再赘述。
在激光发射器10的下表面，激光发射器10包括三个焊盘13。
在第二实施例中，在激光发射器10的上表面，第一阵列14和第二阵列15中的多个第二金属部1244电性连接，并通过一贯穿衬底11的第二连接孔116连接一个焊盘13。即，所有的发光单元12的第一电极124共电性。
第一阵列14中的多个第二电极126形成第一回路，第二阵列15中的多个第二电极126形成第二回路，第一回路和第二回路分别连接两个焊盘13。
在本实施例中，第一阵列14中每行的第二电极126分别电性连接，并连接一个焊盘13，第二阵列15中每行的第二电极126分别电性连接，且连接另一个焊盘13，两个焊盘13分别位于整个阵列的两侧。
在一实施例中，激光发射器10还包括绝缘层(图未示)，绝缘层覆盖第一回路和第二回路(虚线范围)。由于激光发射器10的下表面用于连接基板40，绝缘层不导电，可保护第一回路和第二回路免于暴露在外，避免倒晶封装的激光发射器10连接至基板40时各回路之间产生短路。绝缘层可为二氧化硅，但不限于此。
可以理解，上述图3、图5及图6仅为示意图，金属层的实际形状不限于此。
可以理解，在其他实施方式中，多个第一电极124和多个第二电极126均可包括至少两个电极组，每个电极组中的所有电极均电连接且与相应不同的焊盘13电连接，同样能够实现分区点亮。
请参阅图7，本实用新型的第三实施例提供一种电子设备500，包括壳体510和上述任一实施例的光电装置1000，光电装置1000设于壳体510中。
电子设备500可以通过光电装置1000获取物体的三维轮廓信息，从而实现更多功能。例如，电子设备500可以获取人脸的三维轮廓信息，从而实现人脸识别，人脸解锁等功能。
电子设备500包括但不限于手机、平板电脑、笔记本电脑、智能穿戴设备、门锁、车载终端、无人机等电子设备。在图7所示的例子中，电子设备500为手机。
对于本领域技术人员而言，显然本申请不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本申请的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本申请。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本申请的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化涵括在本申请内。
最后应说明的是，以上实施例仅用以说明本申请的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本申请进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本申请的技术方案进行修改或等同替换，而不脱离本申请技术方案的精神和范围。
Claims (11)
1.一种激光发射器，其特征在于，包括：
衬底；
多个发光单元，由半导体工艺制作生长于所述衬底，每个所述发光单元包括发光层结构、第一电极和第二电极，所述第一电极包括第一金属部和第二金属部，所述第一金属部位于所述衬底设有所述发光层结构的一侧且与所述发光层结构间隔，所述第二金属部位于所述衬底远离所述发光层结构的一侧，且所述第一金属部和所述第二金属部通过一贯穿所述衬底的过孔电性连接，所述第二电极设于所述发光层结构远离所述衬底的一侧；及
多个焊盘，设于所述衬底设有所述发光层结构的一侧且位于多个所述发光单元的外围；
其中，多个所述第一电极和多个所述第二电极中的至少一者包括至少两个电极组，每个电极组中的所有电极均电连接且与相应的所述焊盘电连接。
2.如权利要求1所述的激光发射器，其特征在于，
每个所述发光单元具有一发光孔，所述发光孔开设于所述第二金属部中且与所述发光层结构对应设置，所述发光层结构产生的激光经由所述发光孔射出；
多个所述发光单元至少形成第一阵列和第二阵列；
所述第一阵列的行中的所述发光单元的发光孔与所述第二阵列的行中的所述发光单元的发光孔依次交错分布。
3.如权利要求2所述的激光发射器，其特征在于，
所述第一阵列的列中的发光单元的发光孔与所述第二阵列的列中的所述发光单元的发光孔依次交错分布。
4.如权利要求2或3所述的激光发射器，其特征在于，
所述第一阵列中的多个所述第二金属部形成第一回路，所述第二阵列中的多个所述第二金属部形成第二回路，所述第一回路和所述第二回路分别通过一贯穿所述衬底的第一连接孔连接相应的所述焊盘；
所述第一阵列和所述第二阵列中的多个所述第二电极电性连接，并与一个所述焊盘相连接。
5.如权利要求4所述的激光发射器，其特征在于，
所述第一阵列中每行的第二金属部分别电性连接，且连接至一第一连接部；
所述第二阵列中每行的第二金属部分别电性连接，且连接至一第二连接部；
所述第一连接部和所述第二连接部分别连接相应的所述焊盘，且分别设于所述多个发光单元的两侧。
6.如权利要求2或3所述的激光发射器，其特征在于，
所述第一阵列和所述第二阵列中的多个所述第二金属部电性连接，且通过一贯穿所述衬底的第二连接孔连接一个所述焊盘；
所述第一阵列中的多个所述第二电极形成第一回路，所述第二阵列中的多个所述第二电极形成第二回路，所述第一回路和所述第二回路分别连接两个所述焊盘。
7.如权利要求6所述的激光发射器，其特征在于，所述激光发射器还包括绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第一回路和所述第二回路。
8.如权利要求1所述的激光发射器，其特征在于，所述发光层结构包括依次设于所述衬底一侧的第一DBR层、有源层和第二DBR层。
9.一种投影模组，包括:
基板；
如权利要求1至8中任意一项所述的激光发射器，所述激光发射器电性连接于所述基板；
准直元件，用于准直所述激光发射器发射的激光；及
衍射光学器件，用于接收所述准直元件准直的激光并将激光扩束以形成激光图案。
10.一种光电装置，包括：
如权利要求9所述的投影模组，和
接收模组，用于接收经目标物体调制后的激光图案。
11.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求10所述的光电装置。
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