CN212128338U - 一种拉晶设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型实施例提供了一种拉晶设备，所述设备包括：单晶炉和加料装置；加料装置，用于储存硅料并将所述硅料运送至单晶炉内；单晶炉内设有第一热场、导料管和第二热场；第二热场内设有第二坩埚，第二坩埚与加料装置的一端相对，第二热场用于将加料装置运送至第二坩埚内的硅料熔化为硅液；第一热场内设有第一坩埚；导料管的一端连接第二坩埚，另一端伸入第一坩埚内，导料管用于将硅液导送至第一坩埚内。本实用新型实施例的拉晶设备，可以有效避免了向第一坩埚内直接添加块状或颗粒状硅料导致的溅液问题，并且还能减缓第一坩埚的熔料时间，提高第一坩埚的使用寿命以及减少杂质混入晶棒，提升晶棒的品质。

Description

一种拉晶设备

技术领域

本实用新型涉及太阳能光伏技术领域，特别是涉及一种拉晶设备。

背景技术

随着光伏技术的快速发展，单晶硅的使用也越来越广泛。近些年，单晶硅的需求量不断增大，因此，单晶硅生产效率的提升就尤为重要。

目前，单晶硅的生产工艺主要为直拉法。在直拉法生产单晶硅的工艺中，CCZ(Continuous Czocharlski，连续直拉法)相较于RCZ(Recharged Czocharlski，多次装料拉晶技术)，由于节省了熔料时间，有效提升了生产效率，因此，近些年来，CCZ技术在单晶硅生产中被广泛应用。然而，在CCZ生产工艺中，在添加新的硅料时，不可避免的会出现溅料，导致晶棒生长界面的温度波动较大，从而会影响单晶硅的品质。

实用新型内容

为了解决或部分的解决上述问题，本实用新型公开了一种拉晶设备。

本实用新型公开了一种拉晶设备，所述设备包括：单晶炉和加料装置；

所述加料装置，用于储存硅料并将所述硅料运送至所述单晶炉内；

所述单晶炉内设有第一热场、导料管和第二热场；

所述第二热场内设有第二坩埚，所述第二坩埚与所述加料装置的一端相对，所述第二热场用于将所述加料装置运送至所述第二坩埚内的硅料熔化为硅液；

所述第一热场内设有第一坩埚；

所述导料管的一端连接所述第二坩埚，另一端伸入所述第一坩埚内，所述导料管用于将所述硅液导送至所述第一坩埚内。

可选的，所述第二热场内还设有加热器，所述加热器用于将所述第二坩埚内的所述硅料熔化为所述硅液。

可选的，所述单晶炉内还设有保温盖，所述第一坩埚与所述保温盖同轴设置；

所述保温盖上设有第一通孔和第二通孔，所述第一坩埚与所述第一通孔相对，所述第二坩埚穿设于所述第二通孔，所述第二通孔位于所述第一通孔与所述加料装置之间。

可选的，所述第二坩埚的埚壁上设有第一挂耳，所述第二坩埚穿过所述第二通孔且所述第一挂耳搭接在所述保温盖上。

可选的，所述导料管包括导料通道和外管壁，所述外管壁设置于所述导料通道外侧；

所述第二坩埚上开设有溢料孔；

所述导料通道的一端与所述溢料孔连通，所述导料通道的另一端伸入所述第一坩埚内。

可选的，所述保温盖上还设有第三通孔，第三通孔位于所述第一通孔和第二通孔之间；

所述外管壁上设有第二挂耳，所述导料管穿过所述第三通孔且所述第二挂耳搭接在所述保温盖上。

可选的，所述单晶炉内还设有缓料通道；

所述缓料通道一端与所述第一通孔连通，另一端与所述导料通道连通。

可选的，所述缓料通道与所述第二坩埚为一体成型结构或可拆卸连接。

可选的，所述第二热场还设有保温层，所述保温层贴附于所述第二坩埚的外侧。

可选的，所述第一坩埚包括内坩埚和外坩埚，所述内坩埚设置于所述外坩埚内，且所述内坩埚的埚壁与所述外坩埚的埚壁之间形成间隙；

所述导料管的另一端与所述间隙相对。

可选的，所述加料装置包括：储料部和运料通道；

所述储料部用于储存硅料；

所述运料通道的一端与所述储料部相连，另一端穿过所述单晶炉的炉壁与所述第二坩埚相对。

可选的，所述加料装置还包括：掺料组件；

所述掺料组件与所述运料通道相对设置，所述掺料组件用于向所述运料通道的硅料上投放掺杂剂。

与现有技术相比，本实用新型实施例包括以下优点：

本实用新型实施例中，由于在单晶炉内设置第一热场、导料管和第二热场，将第二热场内的第二坩埚与加料装置相对，并通过导料管的一端连接第二坩埚，另一端伸入第一热场内的第一坩埚内，因此，在第一坩埚内进行拉晶时，可以通过加料装置将硅料不断的运送至所述第二坩埚内，并将硅料在所述第二坩埚内熔化成硅液后，再通过导料管将硅液导送至第一坩埚内。由于向第一坩埚内导入的为液态的硅液，硅液对第一坩埚内硅液的冲击较小，这样就有效避免了向第一坩埚内直接添加块状或颗粒状硅料导致溅液的问题，在给第一坩埚内不断加料的同时，还能保持第一坩埚内硅液温度的稳定，并且通过在第二坩埚内将硅料熔化为硅液，还减缓了第一坩埚的熔料时间，提高了第一坩埚的使用寿命、减少混入晶棒的杂质，提升了晶棒的品质。

附图说明

图1是本实用新型实施例的一种拉晶设备的结构示意图；

图2是本实用新型实施例图1中A位置的放大示意图；

图3是本实用新型实施例的一种第二坩埚的结构示意图。

附图标记说明：

10-单晶炉，20-加料装置，101-第一热场，102-导料管，103-第二热场，111-第一坩埚，113-第二坩埚，201-储料部，202-运料通道，11-通孔，30-隔离阀，40-驱动装置，50-伸缩件，203-振动组件，204-称重传感器，205-掺料组件，121-加热器，104-保温盖，1041-第一通孔，1042-第二通孔，105-第一热场保温层，12-热屏，1112-第一挂耳，112-保温层，1021-导料通道，1022-外管壁，1131-溢料孔，1023-第二挂耳，106-缓料通道，1043-第三通孔，1031-内坩埚，1032-外坩埚，1033-间隙。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型实施例作进一步详细的说明。

本实用新型实施例提供了一种拉晶设备，所述设备包括：单晶炉和加料装置；所述加料装置，用于储存硅料并将所述硅料运送至所述单晶炉内；所述单晶炉内设有第一热场、导料管和第二热场；所述第二热场内设有第二坩埚，所述第二坩埚与所述加料装置的一端相对，所述第二热场用于将所述加料装置运送至所述第二坩埚内的硅料熔化为硅液；所述第一热场内设有第一坩埚；所述导料管的一端连接所述第二坩埚，另一端伸入所述第一坩埚内，所述导料管用于将所述硅液导送至所述第一坩埚内。

本实用新型实施例中，由于在单晶炉内设置第一热场、导料管和第二热场，将第二热场内的第二坩埚与加料装置相对，并通过导料管的一端连接第二坩埚，另一端伸入第一热场内的第一坩埚内，因此，在第一坩埚内进行拉晶时，可以通过加料装置将硅料不断的运送至所述第二坩埚内，并将硅料在所述第二坩埚内熔化成硅液后，再通过导料管将硅液导送至第一坩埚内。由于向第一坩埚内导入的为液态的硅液，硅液对第一坩埚内硅液的冲击较小，这样就有效避免了向第一坩埚内直接添加块状或颗粒状硅料导致的溅液问题，在给第一坩埚不断加料的同时，还能保持第一坩埚内硅液温度的稳定，并且通过在第二坩埚内将硅料熔化为硅液，还减缓了第一坩埚的熔料时间，提高第一坩埚的使用寿命、减少混入晶棒的杂质，提升晶棒的品质。

参照图1，示出了本实用新型实施例的一种拉晶设备的结构示意图。参照图2，示出了本实用新型实施例图1中A位置的放大示意图。如图1和图2所示，所述设备具体可以包括：单晶炉10和加料装置20；加料装置20，用于储存硅料并将所述硅料运送至单晶炉10内；单晶炉10内设有第一热场101、导料管102和第二热场103；第二热场103内设有第二坩埚113，第二坩埚113与加料装置20的一端相对，第二热场103用于将加料装置20运送至第二坩埚113内的硅料熔化为硅液；第一热场101内设有第一坩埚111；导料管102的一端连接第二坩埚113，另一端伸入第一坩埚111内，导料管102用于将所述硅液导送至第一坩埚111内。

在实际应用中，加料装置20储存的硅料可以为块状、片状或颗粒状，本领域技术人员可以根据实际情况设定，本实用新型再次不作具体限定。

本申请实施例中，加料装置20，用于储存硅料并将所述硅料运送至单晶炉10内。在实际应用中，加料装置20可以包括储料部201和运料通道202，储料部201用于储存物料(硅料等)，运料通道202的一端与储料部201相连，另一端可以穿过单晶炉10的侧壁伸入单晶炉10内。运料通道202伸入单晶炉10内时，运料通道202的另一端与第二坩埚113相对，以便于运料通道202运送的硅料正好落入第二坩埚113内。

本申请实施例中，运料通道202穿过单晶炉10的侧壁进入单晶炉10内，这样就可以有效减少硅料到第二坩埚113内的垂直下落距离，进而硅料在第二坩埚113内被熔化为硅液，硅液经由导料管102导送至第一坩埚111内的距离也可以有效降低，更为有效的降低了硅液进入第一坩埚111内溅料的风险。

在实际应用中，单晶炉10的侧壁上设有通孔11，运料通道202的一端穿过通孔11伸入单晶炉内。为了保障物料加入单晶炉10内的过程在真空环境中进行，在通孔11的位置还可以设有隔离阀30，隔离阀30可以控制单晶炉10与运料通道202的通断，在加料的状况下，隔离阀30打开，单晶炉10与加料装置20连通，硅料通过运料通道202进入单晶炉10内，在不加料的状况下，隔离阀30闭合，单晶炉10与加料装置20相互隔离。

可选的，为了提升加料装置20的利用率以及便利性，所述拉晶设备还可以包括驱动装置40，加料装置20设置于驱动装置40上，驱动装置40用于驱动加料装置20的运料通道202伸入单晶炉10内或缩回单晶炉10外，以便于更为方便的控制对单晶炉10内硅料的添加量以及填料频率等；驱动装置40还用于，驱动加料装置20向不同的方向移动，以便于给多个单晶炉10添加硅料，这样，多个单晶炉10可以共用同一个加料装置20，加料装置20的利用率可以显著提升，避免了资源占用以及浪费。

本申请实施例中，加料装置20上与单晶炉10相连接的位置还可以设有伸缩件50，伸缩件50不但可以起到缓冲的作用，还可以有效降低单晶炉10与加料装置20连接难度。

在实际应用中，伸缩件50可以为波纹管、弹性硅胶管或弹性橡胶管等，本领域的技术人员可以根据实际情况进行选择和设置，本实用新型实施例对此不作具体限定。

本申请实施例中，在向单晶炉10内加料时，单晶炉10与加料装置20之间的伸缩件50被压缩，加料装置20内的运料通道202的一端穿过单晶炉10的侧壁与第二坩埚113相对，从而使得储料部201内存储的硅料可以经过运料通道202到达第二坩埚113内，硅料在第二坩埚113内被加热为硅液，再通过导料管102导送至第一坩埚111内，硅液通过导料管102进入第一坩埚111内可以有效减少溅料，避免硅液温度波动较大。

可选的，加料装置20还可以包括与储料部201相连的振动组件203以及位于振动组件203下方的称重传感器204，其中，振动组件203用于驱动储料部201输出的硅料在运料通道202上移动，振动组件203可以有效提升硅料运送的效率以及规范硅料运送方向；称重传感器204用于使硅料在运料通道202上进行定量传输，通过称重传感器204对储料部201输出的硅料进行称重，从而控制最终向单晶炉10的第一坩埚111内加入硅液的量。

可选的，加料装置20还可以包括掺料组件205，掺料组件205设置于设置于运料通道202的侧上方，通过合理的控制掺料组件205内的掺杂剂(例如，掺硼、掺砷、掺磷等)投放量，从而使掺杂剂随同运料通道202上运送的硅料一同被运送至单晶炉10内，进而保证在拉晶过程中的电阻率恒定。在实际应用中，在单晶硅生长过程中通过在硅原料熔融液中添加磷、锑、砷等掺杂剂可以对其电阻率进行调整。

在实际应用中，运料通道202通常设置为水平的，这样有利于储料部201内的硅料通过运料通道202更加平稳的输送到单晶炉10内。

可选的，第二热场103内还设有加热器121，加热器121用于将第二坩埚113内的所述硅料熔化为所述硅液。

在实际应用中，加热器121可以设置于第二坩埚113的底部，以减小布局难度；或者加热器121还可以为U型包围或侧边包围结构，通过将加热器121围设于第二坩埚113的外侧，这样就可以对第二坩埚113底部和侧壁同时进行加热，有利于第二坩埚113内硅料受热更加均匀，提升第二坩埚113熔料的效率。

本申请实施例中，加热器121还可以为带状加热带或加热棒等，本领域技术人员可以根据实际需求进行设定，本申请实施例对此不作具体限定。

本申请实施例中，在单晶炉10内通过第二坩埚113和加热器121形成第二热场103，就可以通过控制加热器121的功率，使硅料在第二坩埚113内被加热熔化为硅液，有利于减少第一坩埚111的熔料时间，延长第一坩埚111的使用寿命，在第一坩埚111内进行拉晶时，由于第一坩埚111内的熔料时间减短，第一坩埚111与硅液发生反应时间减短，这样就避免了杂质混入硅液，有利于提升硅棒的品质。

可选的，单晶炉10内还设有保温盖104；保温盖104上设有第一通孔1041和第二通孔1042，第一坩埚111与第一通孔1041相对，第二坩埚113穿设于第二通孔1042，第二通孔1042位于第一通孔1041与加料装置20之间。

在实际应用中，保温盖104可以设置于第一坩埚111的上方，与第一坩埚111同轴设置，这样第一通孔1041可以作为晶棒的拉升通道，从而保证晶棒的质量。保温盖104设置于围设在第一坩埚111周围的第一热场保温层105上，如，承载于第一热场保温层105上，或借助卡合结构与第一热场保温层105相结合等。单晶炉10的热屏12设置于保温盖104中心处，且位于所述第一坩埚111上方，如，热屏12设置于保温盖104的第一通孔1041中。保温盖104用于使第一坩埚111周围形成的第一热场101温度更加稳定。

本申请实施例中，通过第二坩埚113穿设于第二通孔1042，第二通孔1042设于第一通孔1041与加料装置20之间，从而使硅料可以更加便利的运送至第二坩埚113内，并且还可以使第二坩埚113的固定以及拆装维护更为便利。

本申请实施例中，第二热场103还保温层112，保温层112贴附于第二坩埚113的外侧。

在实际应用中，保温层112可以夹设于第二坩埚113的埚壁与保温盖104之间，这样既可以避免第二坩埚113的热量向保温盖104上传递，又可以起到对第二坩埚113的保温作用。

可选的，第二坩埚113的埚壁上还设有第一挂耳1112，第二坩埚113穿过第二通孔1042且第一挂耳1112搭接在保温盖104上。

本申请实施例中，通过在第二坩埚113的埚壁上设置第一挂耳1112结构，从而使第二坩埚113可以穿过第二通孔1042挂设于保温盖104上。在实际应用中，挂耳可以设置在坩埚111的埚壁上，或者，挂耳还可以设置在保温层112上。例如，保温层112上设置第一挂耳结构，使得保温层112既可以起到保温作用，又可以起到固定第二坩埚113的作用。在实际应用中，第一挂耳1112还可以设置为与第二坩埚113为一体成型结构，或者第一挂耳1112与保温层112为一体成型结构，这样就可以使第一挂耳1112与第二坩埚113或第一挂耳1112与保温层112的连接强度有效提高。

可选的，导料管102包括导料通道1021和外管壁1022，外管壁1022设置于导料通道1021外侧；第二坩埚113上开设有溢料孔1131，导料通道1021的一端与溢料孔1131连通，导料通道1021的另一端伸入第一坩埚111内。

本申请实施例中，溢料孔1131可以开设于第二坩埚113的埚壁上，当硅料在第二坩埚113内熔化为硅液后，新加入的硅料会使原有第二坩埚113内的硅液由溢料孔1131溢出，硅液经由导料通道1021导入第一坩埚111内，新加入的硅料再熔化为硅液，不断循环，这样就可以通过溢料孔1131不断溢出新的硅液并加入到第一坩埚111内。在实际应用中，为了进一步减小硅液下降的高度，减小导料通道的长度，还可以在第二坩埚113的锅底或者靠近锅底的位置设置溢料孔1131，这样硅液由第二坩埚113到第一坩埚111的距离就可以有效缩短，进而硅液导入第一坩埚111时引起的溅料概率就可以大大减小。

本申请实施例中，导料管102可以包括导料通道1021和外管壁1022，通过导料通道1021的一端与溢料孔1131连通，另一端伸入第一坩埚111内，从而使第二坩埚113内的硅液可以平稳的导入第一坩埚111内。

在实际应用中，导料通道1021与外管壁1022可以为一体成型结构，例如，可以使用耐高温、高纯的石英等制作而成的具有导料通道1021和外管壁1022的导料管。或者，导料通道1021和外管壁1022可以为不同材质制作而成的双层结构，导料通道1021设置于内侧，由于直接接触高温硅液，可以有高纯石英灯材质制作，外管壁1022套设于导料通道1021外侧，可以为耐高温的石墨或碳碳材质。

本申请实施例中，为了使第二坩埚113内的硅液更为平稳顺滑的导入第一坩埚111内，还可以在单晶炉10内设有缓料通道106；缓料通道106一端与溢料孔1131连通，另一端与导料通道1021连通。

在实际应用中，为了避免缓料通道106与导料管102之间的连接，还可以将缓料通道106与导料管102设置为一体成型结构，或为了缓料通道106与第二坩埚113的连接，还可以将缓料通道106与第二坩埚113设置为一体成型，这样就可以有效减小缓料通道106的安装以及维护难度，并且大大降低了缓料通道106与导料通道1021、以及溢料孔1131的适配问题和连接可靠性的问题，且由于一体成型还可以减短缓料通道106的长度，这样还可以减少杂质混入硅液中，使硅液纯度更高。

参照图3，示出了本实用新型实施例的一种第二坩埚的示意图。如图3所示，第二坩埚113与缓料通道106为一体成型结构，在实际应用中，第二坩埚113与缓料通道106设置为一体成型结构，可以减少装配工序，并且可以使缓料通道与第二坩埚113之间的连接更为平滑，从而既可以有效缓冲硅液，降低硅液的溅射，又可以使硅液平稳导入第一坩埚111内不会对硅液造成阻碍。

本申请实施例中，缓料通道106还可以与第二坩埚113为可拆卸连接，这样，缓料通道106的拆装维护更为便利，可以对缓料通道106进行单独的维护，从而可以有效节省维护成本。

本申请实施例中，缓料通道106还可以水平设置或与第二坩埚113的埚壁成预设角度倾斜设置。在实际应用中，缓料通道106按照预设角度倾斜设置(例如，倾斜角度为60°)，可以使硅液导入缓料通道106更为平滑顺畅；或者为了使缓料通道106减缓硅液流速，还可以将缓料通道106设置为弯曲通道或者螺旋通道等。关于缓料通道106本领域技术人员可以根据实际需求进行设置，本申请实施例对此不作具体限定。

在实际应用中，缓料通道106的材质可以为石英、陶瓷、氮化硅、碳化硅等。例如，由于陶瓷耐热、耐腐蚀以及耐磨性能较好，硬度较高，因此，石英材质的缓料通道也具有耐磨、耐腐蚀、耐磨性以及较高的硬度，石英材质的缓料通道的使用寿命可以有效延长，进而减少了缓料通道的维修成本。

可选的，保温盖104上还设有第三通孔1043；外管壁1022上设有第二挂耳1023，导料管102穿过第三通孔1043且第二挂耳1023搭接在保温盖104上。

本申请实施例中，为了使导料管102的安装和拆卸更为便利，还可以通过在外管壁102上设置挂耳1023，在保温盖104上设置第三通孔1043，将导料管102直接穿过第三通孔1043，使第二挂耳1023搭接(挂设)在保温盖104上。

当然，为了进一步提升导料管102的安装可靠性，还可以通过螺钉等连接件将第二挂耳1023与保温盖104连接固定，本领域技术人员可以根据实际需求进行设定，本实用新型实施例对此不作限定。

可选的，第一坩埚111包括内坩埚1031和外坩埚1032，内坩埚1031设置于外坩埚1032内，且内坩埚1031的埚壁与外坩埚1032的埚壁之间形成间隙1033；导料通道1021的另一端伸入间隙1033内。

本实用新型实施例中，通过将硅料导入到内坩埚1031和外坩埚1032之间形成的间隙1033内，硅料在间隙1033内被加热形成用于拉晶的拉晶硅液，拉晶硅液进入到内坩埚1031从而在内坩埚1031被拉晶形成硅棒，这样内坩埚1031内的硅液温度较为平稳，形成的硅棒的品质可以有效提升。

综上，本实用新型实施例所述的拉晶设备具有以下优点：

本实用新型实施例中，由于在单晶炉内设置第一热场、导料管和第二热场，将第二热场内的第二坩埚与加料装置相对，并通过导料管的一端连接第二坩埚，另一端伸入第一热场内的第一坩埚内，因此，在第一坩埚内进行拉晶时，可以通过加料装置将硅料不断的运送至所述第二坩埚内，并将硅料在所述第二坩埚内熔化成硅液后，再通过导料管将硅液导送至第一坩埚内。由于向第一坩埚内导入的为液态的硅液，硅液对第一坩埚内硅液的冲击较小，这样就有效避免了向第一坩埚内直接添加块状或颗粒状硅料导致溅液问题，在给第一坩埚不断加料的同时，还能保持第一坩埚内硅液温度的稳定，并且通过在第二坩埚内将硅料熔化为硅液，还减缓了第一坩埚的熔料时间，提高了第一坩埚的使用寿命、减少混入晶棒的杂质，提升了晶棒的品质。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

以上对本实用新型实施例所提供的一种拉晶设备进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本实用新型实施例的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型实施例的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型实施例的限制。

Claims (12)

1.一种拉晶设备，其特征在于，所述设备包括：单晶炉和加料装置；

所述加料装置，用于储存硅料并将所述硅料运送至所述单晶炉内；

所述单晶炉内设有第一热场、导料管和第二热场；

所述第二热场内设有第二坩埚，所述第二坩埚与所述加料装置的一端相对，所述第二热场用于将所述加料装置运送至所述第二坩埚内的硅料熔化为硅液；

所述第一热场内设有第一坩埚；

所述导料管的一端连接所述第二坩埚，另一端伸入所述第一坩埚内，所述导料管用于将所述硅液导送至所述第一坩埚内。

2.根据权利要求1所述的拉晶设备，其特征在于，所述第二热场内还设有加热器，所述加热器用于将所述第二坩埚内的所述硅料熔化为所述硅液。

3.根据权利要求1所述的拉晶设备，其特征在于，所述单晶炉内还设有保温盖，所述第一坩埚与所述保温盖同轴设置；

所述保温盖上设有第一通孔和第二通孔，所述第一坩埚与所述第一通孔相对，所述第二坩埚穿设于所述第二通孔，所述第二通孔位于所述第一通孔与所述加料装置之间。

4.根据权利要求3所述的拉晶设备，其特征在于，所述第二坩埚的埚壁上设有第一挂耳，所述第二坩埚穿过所述第二通孔且所述第一挂耳搭接在所述保温盖上。

5.根据权利要求3所述的拉晶设备，其特征在于，所述导料管包括导料通道和外管壁，所述外管壁设置于所述导料通道外侧；

所述第二坩埚上开设有溢料孔；

所述导料通道的一端与所述溢料孔连通，所述导料通道的另一端伸入所述第一坩埚内。

6.根据权利要求5所述的拉晶设备，其特征在于，所述保温盖上还设有第三通孔，第三通孔位于所述第一通孔和第二通孔之间；

所述外管壁上设有第二挂耳，所述导料管穿过所述第三通孔且所述第二挂耳搭接在所述保温盖上。

7.根据权利要求5所述的拉晶设备，其特征在于，所述单晶炉内还设有缓料通道；

所述缓料通道一端与所述溢料孔连通，另一端与所述导料通道连通。

8.根据权利要求7所述的拉晶设备，其特征在于，所述缓料通道与所述第二坩埚为一体成型结构或可拆卸连接。

9.根据权利要求1所述的拉晶设备，其特征在于，所述第二热场还设有保温层，所述保温层贴附于所述第二坩埚的外侧。

10.根据权利要求1所述的拉晶设备，其特征在于，所述第一坩埚包括内坩埚和外坩埚，所述内坩埚设置于所述外坩埚内，且所述内坩埚的埚壁与所述外坩埚的埚壁之间形成间隙；

所述导料管的另一端与所述间隙相对。

11.根据权利要求1所述的拉晶设备，其特征在于，所述加料装置包括：储料部和运料通道；

所述储料部用于储存硅料；

所述运料通道的一端与所述储料部相连，另一端穿过所述单晶炉的炉壁与所述第二坩埚相对。

12.根据权利要求11所述的拉晶设备，其特征在于，所述加料装置还包括：掺料组件；

所述掺料组件与所述运料通道相对设置，所述掺料组件用于向所述运料通道的硅料上投放掺杂剂。

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