CN212077200U - 硅铸锭装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种硅铸锭装置，其包括坩埚及遮盖于所述坩埚上方的盖板，所述盖板的下表面安装有一导流件，所述导流件呈倒置的漏斗状。与现有技术相比，本实用新型通过在盖板下方设置导流件，以在气体回流路径中增加阻挡，使得腔体内气流变成三个涡旋，以此改善进气路径，将腔体气流划分为三部分，改善腔体内涡旋分布，有利于将氧元素顺利排出腔体。
Description
技术领域
本实用新型涉及光伏制造领域，尤其涉及一种硅铸锭装置。
背景技术
类单晶生产过程中氧含量的控制非常关键，氧元素主要来自于坩埚，坩埚内氧元素进入硅溶液，挥发出来进入盖板与硅液表面形成的腔体，腔体内有氩气形成气路，氧元素会随着气体在盖板与熔体表面及护板或坩埚形成的腔体内流动，如果气路不合理，气体不能很顺畅的流出腔体，而反流回腔体，造成气体携带氧元素再次与熔体表面接触，造成氧元素浸入到熔液内，造成氧含量的增加，而现有的铸锭装置中的气路是大多都存在较大的回流，这必然会造成较大的氧含量回流。
实用新型内容
本实用新型所解决的技术问题在于提供一种硅铸锭装置，以改善现有技术中气路不够优化、氧元素回流较大的问题。
为解决上述技术问题，本实用新型提供一种硅铸锭装置，其包括坩埚及遮盖于所述坩埚上方的盖板，所述盖板的下表面安装有一导流件，所述导流件呈倒置的漏斗状。
进一步地，所述导流件设有顶部气口、底部气口以及连接顶部气口和底部气口的环壁。
进一步地，所述盖板的中心位置开设有一通气孔，所述通气孔与所述顶部气口、底部气口在竖直方向上位置对应。
进一步地，所述顶部气口和底部气口均呈圆形，且顶部气口的直径小于底部气口的直径，且顶部气口与底部气口的距离为50mm-100mm。
进一步地，所述导流件通过连接件与所述盖板相连，所述连接件采用高度为20-50mm的石墨吊杆。
进一步地，所述顶部气口的直径与所述通气孔的直径相同，且为80-120mm；所述底部气口的直径为200-300mm。
进一步地，所述顶部气口、底部气口及通气孔的中心在竖直方向上均位于同一条直线上。
与现有技术相比，本实用新型通过在盖板下方设置导流件，以在气体回流路径中增加阻挡，使得腔体内气流变成三个涡旋，以此改善进气路径，将腔体气流划分为三部分，改善腔体内涡旋分布，有利于将氧元素顺利排出腔体。
附图说明
图1为本实用新型所述硅铸锭装置的盖板的剖面视图。
图2为本实用新型所述硅铸锭装置的盖板的导流件的结构示意图。
图3为本实用新型所述硅铸锭装置内的气路流向示意图。
具体实施方式
请参阅图1至图3所示，本实用新型提供一种硅铸锭装置，包括坩埚10、遮盖于所述坩埚10上方的盖板20以及安装于所述盖板20下表面的导流件30，所述坩埚10与所述盖板20形成一腔体40，所述坩埚10内用于盛放硅料，并通过加热的方式使硅料变成熔融状态。
所述盖板20的中心位置开设有一通气孔21，所述通气孔21用于接入铸锭过程所需要的气体，如氩气。所述盖板20的四周边缘架设于所述坩埚10的侧壁上。所述导流件30呈倒置的漏斗状，其设有顶部气口31、底部气口32以及连接顶部气口31和底部气口32的环壁33，优选地，所述顶部气口31和底部气口32均呈圆形，且顶部气口31的直径R小于底部气口32的直径S，且顶部气口31与底部气口32的距离D为50mm-100mm。所述环壁33设有倾斜设置的壁面，所述壁面为锥形面。所述导流件30通过连接件50与所述盖板20相连，具体来说，所述连接件50的底部与所述壁面一体连接，所述连接件50的顶部则与所述盖板20的底表面固定连接，优选地，所述连接件50为石墨吊杆，其高度为20-50mm。另外，所述顶部气口31、底部气口32以及通气孔21的中心在竖直方向上位于同一条直线上，且所述顶部气口31与所述盖板20上的通气孔21位置对应，从而使得外部通入的气体可经由所述通气孔21而进入所述导流件30的顶部气口31，并进一步通过所述导流件30的内部，从导流件30的底部气口32排出。
另外，所述顶部气口31的直径R与所述通气孔21的直径相同，优选为80-120mm，而所述底部气口32的直径S为200-300mm。
可见，本实用新型通过在盖板20下方设置导流件30，以在气体回流路径中增加阻挡，使得腔体40内气流变成三个涡旋，以此改善进气路径，使得中心区域气体通过第一涡旋A能够完全排到第二个涡旋，而第二个涡旋B方向与最外圈涡旋方向相反，可以将携带的氧元素顺利传递给第三个涡旋C，通过所述三个涡旋可以顺利将氧元素依次往外传递，从而可以将氧元素排出腔体40。
以上所述，仅是本实用新型的最佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围情况下，利用上述揭示的方法内容对本实用新型技术方案做出许多可能的变动和修饰，均属于权利要求书保护的范围。
Claims (5)
1.一种硅铸锭装置，包括坩埚及遮盖于所述坩埚上方的盖板，其特征在于，所述盖板的下表面安装有一导流件，所述导流件呈倒置的漏斗状，所述导流件设有顶部气口、底部气口以及连接顶部气口和底部气口的环壁，所述盖板的中心位置开设有一通气孔，所述通气孔与所述顶部气口、底部气口在竖直方向上位置对应。
2.根据权利要求1所述的硅铸锭装置，其特征在于：所述顶部气口和底部气口均呈圆形，且顶部气口的直径小于底部气口的直径，且顶部气口与底部气口的距离为50mm-100mm。
3.根据权利要求2所述的硅铸锭装置，其特征在于：所述导流件通过连接件与所述盖板相连，所述连接件采用高度为20-50mm的石墨吊杆。
4.根据权利要求3所述的硅铸锭装置，其特征在于：所述顶部气口的直径与所述通气孔的直径相同，且为80-120mm；所述底部气口的直径为200-300mm。
5.根据权利要求4所述的硅铸锭装置，其特征在于：所述顶部气口、底部气口及通气孔的中心在竖直方向上均位于同一条直线上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201922329291.XU CN212077200U (zh) | 2019-12-23 | 2019-12-23 | 硅铸锭装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201922329291.XU CN212077200U (zh) | 2019-12-23 | 2019-12-23 | 硅铸锭装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN212077200U true CN212077200U (zh) | 2020-12-04 |
Family
ID=73565716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201922329291.XU Active CN212077200U (zh) | 2019-12-23 | 2019-12-23 | 硅铸锭装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN212077200U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112853485A (zh) * | 2021-01-08 | 2021-05-28 | 浙江旭盛电子有限公司 | 一种直拉单晶硅生产用的熔硅装置及熔硅方法 |
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2019
- 2019-12-23 CN CN201922329291.XU patent/CN212077200U/zh active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112853485A (zh) * | 2021-01-08 | 2021-05-28 | 浙江旭盛电子有限公司 | 一种直拉单晶硅生产用的熔硅装置及熔硅方法 |
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