CN211879575U - 介质滤波耦合结构与通信装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种介质滤波耦合结构与通信装置，介质滤波耦合结构包括介质块与导电层。端口耦合孔、对接部位及第一导电层所形成的结构相当于端口耦合结构，与电路板或射频连接器相连，实现介质滤波耦合结构的信号输入输出。对接部位上的第一导电层与电路板的第一焊盘或射频连接器的内导体进行对位焊接连接，可以实现介质滤波耦合结构与电路板或射频连接器相连，这样无需如传统技术中通过在端口金属化孔中焊接设置pin针后再与电路板或射频连接器进行对位焊接连接。如此，无需在端口金属化孔中焊接设置pin针，能避免焊接pin针导致的介质块碎裂风险，还能避免由于焊接pin针导致表面不平整，避免端口金属化孔中pin针脱落降低可靠性，能提高生产效率。

Description

介质滤波耦合结构与通信装置

技术领域

本实用新型涉及天线通信技术领域，特别是涉及一种介质滤波耦合结构与通信装置。

背景技术

滤波器是一种选频器件，是通信设备不可或缺的一部分。随着通信系统的高速发展进入到5G时代，器件的小型化是其通信设备发展的关键，而小型化、高性能、低功耗滤波器又是5G设备小型化的关键，介质滤波耦合结构同时具有5G设备小型化的所有特点，因此在5G通信设备中具有广泛的应用前景。介质滤波耦合结构将传统波导滤波器的空气填充形式改进成高介电常数陶瓷材料填充，陶瓷介质材料通过压铸成型，起到传输信号和结构支撑的作用，金属材料附着在瓷介质材料表面，作为电壁，起到电磁屏蔽作用。

传统技术中，通信装置包括介质滤波耦合结构与电路板(例如为多层PCB板)。其中，介质滤波耦合结构包括介质块，介质块的表面做金属化被银(可以理解为电镀工艺)处理，形成位于介质块外表面上的导电层。介质块的上表面设置有频率调节孔，下表面有端口开口环及与频率调节孔位置对应设置的端口金属化孔。端口开口环绕端口金属化孔设置，使得端口金属化孔的孔壁导电层与介质块其余区域的导电层完全隔离开。端口金属化孔中焊接设置有pin针，电路板设有与pin针相对应的焊盘，pin针与焊盘对应焊接相连。

然而，生产过程中，采用高温锡膏在约220℃(具体例如240℃)的炉温环境下，在端口金属化孔内焊接设置pin针时，必须注意锡量的控制及焊接温度曲线的控制，当锡量与焊接温度曲线不合适时，将导致如下不良现象：1、pin针受热膨胀会导致挤裂陶瓷介质滤波器；2、pin针焊接到端口金属化孔内后，导致介质滤波耦合结构的下表面凸凹不平；3、焊接时，工作温度曲线不合适时容易导致焊锡与端口金属化孔孔壁的导电层发生反应，使得pin针、焊锡与导电层(例如银层)相结合后脱落，连接可靠性低；4、陶瓷介质滤波器加pin针焊接后，再与电路板的焊盘焊接，多次焊接导致生产效率低。

实用新型内容

基于此，有必要克服现有技术的缺陷，提供一种介质滤波耦合结构与通信装置，它能够降低陶瓷介质碎裂风险，提高表面平整度，增强可靠性，以及提高生产效率。

其技术方案如下：一种介质滤波耦合结构，所述介质滤波耦合结构包括：介质块与导电层；所述介质块的表面上设有与电路板的第一焊盘或射频连接器的内导体位置对应的对接部位，所述表面上还设有与所述对接部位相邻的端口耦合孔；所述导电层设于所述介质块的表面上，所述导电层包括第一导电层与第二导电层，所述导电层设有开口环，所述第一导电层通过所述开口环与所述第二导电层相隔离，所述对接部位与所述端口耦合孔均位于所述开口环内轮廓线的围成区域，所述第一导电层设于所述端口耦合孔的孔壁及所述对接部位的表面上。

上述的介质滤波耦合结构，端口耦合孔、对接部位及第一导电层所形成的结构相当于是端口耦合结构，用于与电路板或射频连接器相连，实现介质滤波耦合结构的输入或输出。其中，通过对接部位上的第一导电层与电路板的第一焊盘或射频连接器的内导体进行对位焊接连接，便可以实现介质滤波耦合结构与电路板或射频连接器相连，这样无需如传统技术中通过在端口金属化孔中焊接设置pin针后再与电路板的第一焊盘或射频连接器的内导体进行对位焊接连接。如此，由于无需在端口金属化孔中焊接设置pin针，能避免焊接pin针导致的介质块碎裂风险，还能避免由于焊接pin针导致表面不平整，能避免端口金属化孔中pin针脱落降低可靠性，以及能提高生产效率。

在其中一个实施例中，所述端口耦合孔为绕所述对接部位周向设置的封闭式环形孔或非封闭式环形孔。

在其中一个实施例中，所述非封闭式环形孔包括相对的第一端和第二端；所述第一端和所述第二端间隔设置，所述第一端至所述对接部位的中心线的连线为第一边界线，所述第二端至所述对接部位的中心线的连线为第二边界线，所述第一边界线与所述第二边界线之间的夹角为β，且0°<β<360°。

在其中一个实施例中，所述非封闭式环形孔为两个以上，两个以上所述非封闭式环形孔绕所述对接部位的中心线依次间隔设置。

在其中一个实施例中，所述非封闭式环形孔为两个，两个所述非封闭式环形孔关于所述对接部位的中心线中心对称设置；其中一个所述非封闭式环形孔的第一边界线与另一个所述非封闭式环形孔的第二边界线之间的夹角为a，且a≥60°；所述非封闭式环形孔的内轮廓线直径为d1,所述非封闭式环形孔的外轮廓线直径为d2，且d2-d1≥0.85mm。

在其中一个实施例中，两个以上所述非封闭式环形孔绕所述对接部位的中心线依次等间隔设置；其中一个所述非封闭式环形孔第一端与相邻的另一个所述非封闭式环形孔第二端的最近两点间的距离为W1，且W1≥1mm。

在其中一个实施例中，所述对接部位与所述表面上对接部位以外的部位齐平或基本齐平。

一种通信装置，包括所述的介质滤波耦合结构，还包括电路板或射频连接器，所述电路板的第一焊盘或所述射频连接器的内导体与所述对接部位位置相对应，所述电路板的第一焊盘或所述射频连接器的内导体与所述对接部位的第一导电层焊接相连。

上述的通信装置，端口耦合孔、对接部位及第一导电层所形成的结构相当于是端口耦合结构，用于与电路板或射频连接器相连，实现介质滤波耦合结构的输入或输出。其中，通过对接部位上的第一导电层与电路板的第一焊盘或射频连接器的内导体进行对位焊接连接，便可以实现介质滤波耦合结构与电路板或射频连接器相连，这样无需如传统技术中通过在端口金属化孔中焊接设置pin针后再与电路板的第一焊盘或射频连接器的内导体进行对位焊接连接。如此，由于无需在端口金属化孔中焊接设置pin针，能避免焊接pin针导致的介质块碎裂风险，还能避免由于焊接pin针导致表面不平整，能避免端口金属化孔中pin针脱落降低可靠性，以及能提高生产效率。

在其中一个实施例中，所述对接部位为圆形面，所述对接部位的直径为d1,所述第一焊盘的直径为d3，且d1≤d3，所述对接部位的所述第一导电层通过焊锡与所述第一焊盘焊接相连。

在其中一个实施例中，所述电路板的外表面设有第三导电层，所述电路板的中间层设有与所述第一焊盘电性连接的导线；所述第三导电层上设有开口区，所述开口区与所述开口环外轮廓线的围成区域对应设置；所述第三导电层上还设有若干个第二焊盘，所述第二焊盘与所述第二导电层焊接相连。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型一实施例所述的介质滤波耦合结构的第一表面的结构示意图；

图2为图1在A-A处的剖视结构图；

图3为本实用新型一实施例所述的介质滤波耦合结构的第二表面的结构示意图；

图4为本实用新型一实施例所述的电路板用于与介质滤波耦合结构相焊接的一面的结构示意图；

图5为图4在B-B处的剖视结构图；

图6为本实用新型一实施例所述的通信装置的剖视图；

图7为图6在P处的放大结构示意图；

图8为本实用新型另一实施例所述的介质滤波耦合结构的第一表面的结构示意图；

图9为本实用新型又一实施例所述的介质滤波耦合结构的第一表面的结构示意图；

图10为本实用新型再一实施例所述的介质滤波耦合结构的第一表面的结构示意图；

图11为图10在C-C处的剖视结构图；

图12为传统的介质滤波耦合结构的S参数图；

图13为本实用新型一实施例的所述的介质滤波耦合结构的S参数图。

10、介质滤波耦合结构；11、介质块；111、对接部位；112、端口耦合孔；1121、第一边界线；1122、第二边界线；113、频率调节孔；12、导电层；121、第一导电层；122、第二导电层；123、开口环；20、电路板；21、金属化过孔；22、第一焊盘；23、第三导电层；231、开口区；24、导线；25、第二焊盘。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。

参阅图1与图2，图1示出了本实用新型一实施例所述的介质滤波耦合结构10的第一表面的结构示意图；图2为图1在A-A处的剖视结构示意图。本实用新型一实施例提供的一种介质滤波耦合结构10，介质滤波耦合结构10包括介质块11与导电层12。

请参阅图1至图3，图3示出了本实用新型一实施例所述的介质滤波耦合结构10的第二表面的结构示意图。介质块11包括相对设置的第一表面与第二表面。第一表面对应于图1示意出的表面，以及图2示意出的上表面；第二表面对应于图3示意出的表面，以及图2示意出的下表面。

请参阅图4至图6，图4示意出了本实用新型一实施例所述的电路板20用于与介质滤波耦合结构10相焊接的一面的结构示意图；图5为图4在B-B处的剖视结构图；图6示意出了本实用新型一实施例所述的通信装置的剖视图。第一表面上设有与电路板20的第一焊盘22或射频连接器的内导体位置对应的对接部位111，第一表面上还设有与对接部位111相邻并朝向第二表面延伸的端口耦合孔112。导电层12设于介质块11的表面上，导电层12包括第一导电层121与第二导电层122。第一表面上的导电层12设有开口环123，第一导电层121通过开口环123与第二导电层122相隔离。对接部位111与端口耦合孔112均位于开口环123内轮廓线的围成区域，第一导电层121设于端口耦合孔112的孔壁及对接部位111的表面上。

需要说明的是，开口环123设有内轮廓线与外轮廓线，内轮廓线位于外轮廓线内部，内轮廓线与外轮廓线之间的区域为开口环123，内轮廓线与外轮廓线之间的区域没有导电层12，裸露出介质块11的壁面。具体的实现方式为，可以在介质块11的整个表面上镀设导电层12后，将内轮廓线与外轮廓线之间的区域的导电层12进行移除处理，或者，在介质块11的内轮廓线与外轮廓线之间的区域不进行镀设导电层12，而是直接在介质块11的其它区域进行镀设导电层12，这样就省去了移除内轮廓线与外轮廓线之间的区域的导电层12的步骤。此外，还可以在介质块11的整个表面上镀设导电层12后，将在介质块11的第一表面上的导电层12按预设形状去除从而开设出开口环123的外轮廓线，再在开口环123的外轮廓线内设置第一导电层121形成开口环123的内轮廓线。

请参阅图6与图7，图7为图6在P处的放大结构示意图。上述的介质滤波耦合结构10，端口耦合孔112、对接部位111及第一导电层121所形成的结构相当于是端口耦合结构，用于与电路板20或射频连接器相连，实现介质滤波耦合结构10的输入或输出。其中，通过对接部位111上的第一导电层121与电路板20的第一焊盘22或射频连接器的内导体进行对位焊接连接，便可以实现介质滤波耦合结构10与电路板20或射频连接器相连，这样无需如传统技术中通过在端口金属化孔中焊接设置pin针21后再与电路板20的第一焊盘22或射频连接器的内导体进行对位焊接连接。如此，由于无需在端口金属化孔中焊接设置pin针21，能避免焊接pin针21导致的介质块11碎裂风险，还能避免由于焊接pin针21导致表面不平整，能避免端口金属化孔中pin针21脱落降低可靠性，以及能提高生产效率。

请参阅图1与图3，在一个实施例中，端口耦合孔112为绕对接部位111周向设置的封闭式环形孔。当端口耦合孔112绕对接部位111周向设置时，能使得产品性能可靠。需要解释的是，封闭式环形孔的两端相互连通，形成例如封闭形式的圆环状孔、封闭形式的方形环状孔或封闭形式的椭圆形环状孔。而非封闭式环形孔设有相对的两端，非封闭式环形孔的相对两端之间有间隔，并没有相互连通，也就是，非封闭式环形孔例如为非封闭形式的圆环状孔、非封闭形式的方形环状孔或非封闭形式的椭圆形环状孔。

此外，请参阅图8、图9或图10与图11，图8示出了本实用新型另一实施例所述的介质滤波耦合结构10的第一表面的结构示意图，图9示出了本实用新型又一实施例所述的介质滤波耦合结构10的第一表面的结构示意图，图10示出了本实用新型再一实施例所述的介质滤波耦合结构10的第一表面的结构示意图，图11示意出了图10在C-C处的剖视图。在另一个实施例中，端口耦合孔112为绕对接部位111周向设置的非封闭式环形孔。如此，当端口耦合孔112绕对接部位111周向设置时，能使得产品性能可靠。

请参阅图12及图13，图12为传统的介质滤波耦合结构10的S参数图，图13为本实用新型一实施例的所述的介质滤波耦合结构10的S参数图。可以发现在近端抑制指标相当的情况下，本实施例的介质滤波耦合结构10的远端抑制有改善。另外，当端口耦合孔112的深度越浅时，介质滤波耦合结构10的远端抑制改善越明显。端口耦合孔112的深度指的是端口耦合孔112由第一表面朝向第二表面延伸的距离。

请再参阅图9，进一步地，非封闭式环形孔包括相对的第一端和第二端。第一端和第二端间隔设置，第一端至对接部位111的中心线的连线为第一边界线1121，第二端至对接部位111的中心线的连线为第二边界线1122。第一边界线1121与第二边界线1122之间的夹角为β，且0°<β<360°。如此，沿非封闭式环形孔的长度方向，非封闭式环形孔由第一端延伸至第二端，第一端与第二端的间隔设置，从而实现非封闭式环形孔绕对接部位111的部分周向设置而不是完整地绕对接部位111的周向设置。同时，可以通过调节第一边界线1121与第二边界线1122之间的夹角β，β可以为30°、45°、90°、135°、180°、225°、250°、300°或其他角度。

需要说明的是，非封闭式环形孔可以是一个、二个、三个、四个或其它数量，在此不进行限定。当非封闭式环形孔的数量较多时，多到一定值时两个以上非封闭式环形孔首尾相连便相当于是一个封闭式环形孔，此外，非封闭式环形孔的深度随着数量增多可以做的更小，当非封闭式环形孔的深度变小时能有利提高产品的电气性能。但是随着非封闭式环形孔的开孔数量增大，开孔区域面积相应增大，此时对接部位111与其周围结构连接部位相对减小，导致对接部位111与其周围结构的连接强度变弱，容易在较大外力作用下出现对接部位111撕裂断开风险。

请参阅图8与图9，在一个实施例中，非封闭式环形孔为两个以上，两个以上非封闭式环形孔绕对接部位111的中心线依次间隔设置。

请参阅图9，进一步地，本实施例中，非封闭式环形孔为两个，两个非封闭式环形孔关于对接部位111的中心线中心对称设置。具体而言，其中一个非封闭式环形孔的第一边界线1121与另一个非封闭式环形孔的第二边界线1122之间的夹角为a，且a≥60°。此外，可选地，非封闭式环形孔的内轮廓线直径为d1,非封闭式环形孔的外轮廓线直径为d2，且d2-d1≥0.85mm。如此，一方面，能保证电气性能，结构的可靠性，另一方面，能加强对接部位111的结构强度，避免对接部位111受外力作用时出现断裂的不良现象。

进一步地，其中一个非封闭式环形孔第一端与相邻的另一个非封闭式环形孔第二端的最近两点间的距离为W1，且W1≥1mm。如此，产品性能更好，便于加工生产。

在一个实施例中，两个以上非封闭式环形孔绕对接部位111的中心线依次等间隔设置。作为一个示例，请再参阅图8，图8示意出的非封闭式环形孔为三个，三个非封闭式环形孔绕对接部位111的中心线依次等间隔设置。如此，产品性能更好，便于加工生产。

在一个实施例中，第二表面上设有频率调节结构，频率调节结构与第一导电层121位置对应设置。

频率调节结构与第一导电层121的位置对应设置，是指在第二表面设置频率调节结构后，在频率调节结构落在第一表面的投影区域内设置第一导电层121，换言之，频率调节结构落在第一表面的投影区域为开口环123内轮廓线的围成区域。

需要说明的是，频率调节结构可以设置为槽型、孔型或其他能够对介质滤波器的频率进行调节的结构。

请参阅图2、图6、图7或图11，进一步地，频率调节结构设置为频率调节孔113，频率调节孔113的位置与第一导电层121的位置对应设置。如此，利用频率调节孔113能够对介质滤波耦合结构10的频率进行相应的调节，使得介质滤波耦合结构10满足使用需求。其中，需要说明的是，频率调节孔113的孔壁设有导电层12。

请参阅图2、图6、图7或图11，在一个实施例中，对接部位111与第一表面上对接部位111以外的部位齐平或基本齐平。其中，基本齐平指的是对接部位111相对于第一表面上对接部位111以外的部位而言，可以因为实际加工误差而导致的外凸或内凹现象，对接部位111与第一表面上对接部位111以外的部位之间的偏差距离例如为1mm以内，具体偏差距离为多少，在此不进行限定。

需要说明的是，介质滤波耦合结构10上的对接部位111的数量不进行限制，可以是一个、两个或其它数量。当介质滤波耦合结构10上的端口耦合结构为两个时，相应地，对接部位111为两个，两个对接部位111分别与电路板20的两个第一焊盘22或射频连接器的两个内导体一一对应设置。

在一个实施例中，请再参阅图6与图7，一种通信装置，包括上述任一实施例所述的介质滤波耦合结构10，还包括电路板20或射频连接器。电路板20的第一焊盘22或射频连接器的内导体与对接部位111位置相对应。电路板20的第一焊盘22或射频连接器的内导体与对接部位111的第一导电层121焊接相连。

上述的通信装置，端口耦合孔112、对接部位111及第一导电层121所形成的结构相当于是端口耦合结构，用于与电路板20或射频连接器相连，实现介质滤波耦合结构10的输入或输出。其中，通过对接部位111上的第一导电层121与电路板20的第一焊盘22或射频连接器的内导体进行对位焊接连接，便可以实现介质滤波耦合结构10与电路板20或射频连接器相连，这样无需如传统技术中通过在端口金属化孔中焊接设置pin针21后再与电路板20的第一焊盘22或射频连接器的内导体进行对位焊接连接。如此，由于无需在端口金属化孔中焊接设置pin针21，能避免焊接pin针21导致的介质块11碎裂风险，还能避免由于焊接pin针21导致表面不平整，能避免端口金属化孔中pin针21脱落降低可靠性，以及能提高生产效率。

请再参阅图5、图7及图9，在一个实施例中，对接部位111为圆形面，对接部位111的直径为d1,第一焊盘22的直径为d3，且d1≤d3，对接部位111的第一导电层121通过焊锡与第一焊盘22焊接相连。如此，焊接时，第一焊盘22位于对接部位111的正下方，第一焊盘22上的焊锡沿着竖向方向爬到对接部位111，使得第一焊盘22与对接部位111稳定地焊接固定在一起。需要说明的是，封闭式环形孔的内轮廓线以内区域对应于对接部位111，或者说非封闭式环形孔的内轮廓线以内区域对应于对接部位111，即对接部位111的直径为d1与非封闭式环形孔的内轮廓线直径d1相同。

请参阅图4、图5及图7，在一个实施例中，电路板20的外表面设有第三导电层23。电路板20的中间层设有与第一焊盘22电性连接的导线24。具体而言，导线24通过金属化过孔21与第一焊盘22实现电性连接。第三导电层23上设有开口区231。开口区231与开口环123外轮廓线的围成区域对应设置。第三导电层23上还设有若干个第二焊盘25，第二焊盘25与第二导电层122焊接相连。

需要说明的是，开口区231与开口环123外轮廓线的围成区域对应设置，指的是开口区231的中心位置与开口环123外轮廓线的围成区域相同或因为加工误差而存在允许范围的偏差。此外，开口区231的直径d4与开口环123外轮廓线的直径d5相同或因为加工误差而存在允许范围的偏差。具体而言，开口区231与开口环123外轮廓线均为圆形开口，并同轴设置。

作为一个可选的方案，端口耦合孔112并不需要绕对接部位111周向设置，只是设置于对接部位111的邻侧并位于开口环123内轮廓线的围成区域内即可，端口耦合孔112的具体形状在此也不进行限定，可以根据实际产品相应设置。

需要说明的是，介质块11的介质材料选为高介电常数材质，可以通过一体成型方式制得，不仅能够起到传输信号的作用，还能起到结构支撑的作用；优选为采用高介电常数的陶瓷介质材质，可以通过压铸成型的方式制得，能够显著减小整个介质滤波耦合结构10的尺寸和重量。介质块11的导电层12，例如可以通过电镀的方式形成，起到电磁屏蔽的作用，导电层12可以为镀银层或其他金属层。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

Claims (10)

1.一种介质滤波耦合结构，其特征在于，所述介质滤波耦合结构包括：

介质块与导电层；所述介质块的表面上设有与电路板的第一焊盘或射频连接器的内导体位置对应的对接部位，所述表面上还设有与所述对接部位相邻的端口耦合孔；所述导电层设于所述介质块的表面上，所述导电层包括第一导电层与第二导电层，所述导电层设有开口环，所述第一导电层通过所述开口环与所述第二导电层相隔离，所述对接部位与所述端口耦合孔均位于所述开口环内轮廓线的围成区域，所述第一导电层设于所述端口耦合孔的孔壁及所述对接部位的表面上。

2.根据权利要求1所述的介质滤波耦合结构，其特征在于，所述端口耦合孔为绕所述对接部位周向设置的封闭式环形孔或非封闭式环形孔。

3.根据权利要求2所述的介质滤波耦合结构，其特征在于，所述非封闭式环形孔包括相对的第一端和第二端；所述第一端和所述第二端间隔设置，所述第一端至所述对接部位的中心线的连线为第一边界线，所述第二端至所述对接部位的中心线的连线为第二边界线，所述第一边界线与所述第二边界线之间的夹角为β，且0°<β<360°。

4.根据权利要求3所述的介质滤波耦合结构，其特征在于，所述非封闭式环形孔为两个以上，两个以上所述非封闭式环形孔绕所述对接部位的中心线依次间隔设置。

5.根据权利要求4所述的介质滤波耦合结构，其特征在于，所述非封闭式环形孔为两个，两个所述非封闭式环形孔关于所述对接部位的中心线中心对称设置；其中一个所述非封闭式环形孔的第一边界线与另一个所述非封闭式环形孔的第二边界线之间的夹角为a，且a≥60°；所述非封闭式环形孔的内轮廓线直径为d1,所述非封闭式环形孔的外轮廓线直径为d2，且d2-d1≥0.85mm。

6.根据权利要求4所述的介质滤波耦合结构，其特征在于，两个以上所述非封闭式环形孔绕所述对接部位的中心线依次等间隔设置；其中一个所述非封闭式环形孔第一端与相邻的另一个所述非封闭式环形孔第二端的最近两点间的距离为W1，且W1≥1mm。

7.根据权利要求1～6任意一项所述的介质滤波耦合结构，其特征在于，所述对接部位与所述表面上对接部位以外的部位齐平或基本齐平。

8.一种通信装置，其特征在于，包括如权利要求1～7任意一项所述的介质滤波耦合结构，还包括电路板或射频连接器，所述电路板的第一焊盘或所述射频连接器的内导体与所述对接部位位置相对应，所述电路板的第一焊盘或所述射频连接器的内导体与所述对接部位的第一导电层焊接相连。

9.根据权利要求8所述的通信装置，其特征在于，所述对接部位为圆形面，所述对接部位的直径为d1,所述第一焊盘的直径为d3，且d1≤d3，所述对接部位的所述第一导电层通过焊锡与所述第一焊盘焊接相连。

10.根据权利要求8所述的通信装置，其特征在于，所述电路板的外表面设有第三导电层，所述电路板的中间层设有与所述第一焊盘电性连接的导线；所述第三导电层上设有开口区，所述开口区与所述开口环外轮廓线的围成区域对应设置；所述第三导电层上还设有若干个第二焊盘，所述第二焊盘与所述第二导电层焊接相连。

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