CN211809095U - 用于使中间电路电容器放电的装置和将来自能量源的电能传输给致动器的中间电路 - Google Patents

用于使中间电路电容器放电的装置和将来自能量源的电能传输给致动器的中间电路 Download PDF

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Abstract

本实用新型提出一种用于使中间电路电容器(140)放电的装置(105)和将来自能量源的电能传输给致动器的中间电路，其中，装置(105)包括放电单元(145)，其用于使中间电路电容器(140)放电，其中，放电单元(145)可联接或联接在中间电路电容器(140)的两个接线端子(155)之间，其中，中间电路电容器(140)能通过施加于放电单元(145)的驱控输入端(160)的驱控电压(Uge)来控制。装置(105)还包括驱控单元(150)，其被构造成用于以驱控电压(Uge)来加载放电单元(145)的驱控输入端(160)，其中，驱控单元(150)还被构造成用于在中间电路电容器(125)的放电过程中或开始时改变驱控电压(Uge)。

Description

用于使中间电路电容器放电的装置和将来自能量源的电能传 输给致动器的中间电路
技术领域
本实用新型涉及用于使中间电路电容器放电的装置和将来自能量源的电能传输给致动器的中间电路。
背景技术
在存在故障情况下，出于安全原因，功率电子的驱动系中的中间电路电容器应能够在调控下被放电。为此，例如通过具有高阻性的电阻器或冗余的主动放电电路，获得永久性施加的被动放电。主动放电电路可以例如包括接收中间电路电容器的能量的多个功率电阻器和/或视需要使负载电阻器与中间电路电容器互联的高压半导体开关。这种技术可以例如用于高达400V的系统。
针对800V系统的问题在于，高压半导体开关和负载电阻器明显变得更大，这是因为中间电路电容器在电容相同的情况下含有四倍的能量。
实用新型内容
在此背景下，本实用新型提供一种改进的用于使中间电路电容器放电的装置以及一种将来自能量源的电能传输给致动器的中间电路，所述中间电路具有中间电路电容器以及与所述中间电路电容器耦合的根据本发明所述的装置。
本实用新型提出一种用于使中间电路电容器放电的装置，该装置包括以下特征：
-放电单元，其用于使中间电路电容器放电，其中，该放电单元可联接或联接在中间电路电容器的两个接线端子之间，其中，中间电路电容器能通过施加于放电单元的驱控输入端上的驱控电压来控制；以及
-驱控单元，其被构造成用于以驱控电压来加载放电单元的驱控输入端，其中，该驱控单元还被构造成用于在中间电路电容器的放电过程中或放电过程开始时改变驱控电压。
放电单元可以例如被理解为如下单元或元件，该元件能够响应于驱控信号地实现通过电流，以便使中间电路电容器在放电过程中放电。例如，放电单元可以是半导体元件，尤其是功率电子领域中的半导体元件。驱控单元可以被理解为如下单元、尤其是电子单元，其根据预定的规则或电路拓扑结构产生驱控电压。例如，可以通过用数字表示地或电路技术地生成驱控电压。例如，可以使用逆变器的部件或元件作为放电单元。
本文所提出的方案是基于以下认识：例如依赖于当前的温度地，放电单元可以具有不同的转换特性，从而通过对放电单元的驱控输入端加载可变的驱控电压来可靠地驱控放电单元的工作点，在其中，也实现了对中间电路电容器的安全放电。本文所提出的方案提供以下优点：响应于驱控信号或驱控电压地，在不同的应用场景中，能够采用技术上简单又廉价的手段来可靠地使中间电路电容器放电。
因此，本文所提出的方案提供以下解决方案：根据一种实施方式，通过适当地驱控作为放电单元的、例如作为逆变器一部分的半导体开关实现冗余的主动放电。由此可以省去相应的负载电阻和所属的高压负载电阻。为此，例如使作为放电单元的实施方式的一个/多个功率半导体在线性范围内运行，并且以这种方式调节用于使中间电路电容器放电的限定的电阻和放电电流。
因此，根据本文所提出的方案的一方面能够实现一种尤其简单又具功能性的用于作为放电单元的实施方式的功率半导体的驱控方法，以便在调控下执行对中间电路电容器的主动放电。因此，根据本文所述方案的实施方式，提出了一种对例如呈功率半导体形式的放电单元的新颖驱控方法，以便能够将对中间电路电容器的冗余的主动放电的功能集成到驱控中。
根据尤其有利的实施方式，驱控单元可以被构造成用于将驱控电压从低电压电平向高电压电平改变。以这种方式，能够有利地以如下方式驱控放电单元，即，经由放电单元尽量快速又安全地使中间电路电容器放电。
根据另一实施方式，驱控单元也可以被构造成用于均匀地、线性地和/或单调地、尤其是严格单调地改变驱控电压。以这种方式，可以例如确保使放电单元在驱控电压的最佳电压范围内被足够长地驱控，从而能够可靠又快速地使中间电路电容器放电。同时，这种驱控电压能够在技术上简单又高效地来提供。
在本文所述方案的如下实施方式是尤其有利的，在其中，驱控单元具有RC环节，以便获知驱控电压的电压电平。这种实施方式在电路技术上能够非常容易实现。
根据本文所述方案的另一实施方式，驱控单元可以被构造成用于在放电过程中或一开始时引起驱控电压的电压跳变，并且/或者在放电过程结束后引起驱控电压的电压跳变。这样的实施方式提供的优点是，以如下方式驱控放电单元，即，在期望开始放电过程之前，中间电路电容器不会发生意外放电，并且/或者在放电过程结束后，放电单元又能够迅速地进入可以使中间电路电容器重新充电的状态。
就此而言，在本文所述方案的如下尤其有利的实施方式是尤其有利的，在其中，驱控单元被构造成用于在放电过程开始时将驱控电压设定到0伏的水平，尤其是从在放电过程开始前施加在放电单元的驱控输入端上的最小值起，并且/或者其中，驱控单元被构造成用于在放电过程结束后将驱控电压设定到最小值，尤其是从在放电过程结束时施加在放电单元的驱控输入端上的最大值起。以这种方式，可以以如下方式驱控放电单元，即，使得在期望的放电时间点或放电时间间隔内，实现使中间电路电容器放电的最大安全性，而在其他时间点或时间间隔内，可以尽量可靠地避免使中间电路电容器的放电。
根据本文所述方案的另一实施方式，放电单元也可以被构造为半导体开关，尤其是功率半导体开关。以这种方式，能够实现非常快速又简单地驱控对中间电路电容器的放电。同时，该半导体开关可以例如是中间电路的逆变器的一部分，从而使得中间电路的已经使用的部件可以用于附加的功能，并且由此可以节省附加的单独部分，由此能够非常廉价地实现本文所提出的方案。特别有利地，半导体开关也可以在线性(特性曲线)范围内运行，由此使得半导体开关的技术上的功能可以尽量高效地用于中间电路的放电过程，例如用于将中间电路电容器中存储的电能转换成热能。
根据本文所述方案的另一实施方式，放电单元也可以被构造为晶体管、尤其是MOSFET晶体管或IGBT。这样的实施方式提供的优点是，能够特别快速又可靠地实现对放电单元或者使中间电路电容器放电的驱控，例如，中间电路用于其他功能的部件又可以用作放电单元，由此可以降低用于实施本文所述方案的制造成本。
在本文所述方案的另一实施方式中，驱控单元也可以被构造成用于依赖于放电单元的或放电单元的部件的温度地确定驱控电压。这样的实施方式提供的优点是，驱控尽量最快地与放电单元的最佳工作点相匹配的驱控电压，从而能够尽量最快地使中间电路电容器放电。
当使用电路拓扑结构时，能够尤其简单且廉价地实施本文所述方案，在其中，驱控单元具有至少两个电阻，其中，其中一个电阻借助第一开关能与其中另一电阻并联或者与放电单元的驱控输入端耦合或能与之耦合，并且/或者其中，驱控单元具有电容，该电容可联接或联接在放电单元的驱控输入端与中间电路电容器的端子之间，尤其其中，该电容具有第二开关，以便使该电容并联到驱控输入端与中间电路电容器的端子之间。本文所述方案的这种实施方式提供的优点是，能够以技术上简单的手段在放电过程期间提供期望的驱控电压变化或者用于启动放电过程。
本文所述方案的实施方式能够特别有效地用在用于将来自能量源的电能传输给致动器的中间电路，其中，该中间电路具有中间电路电容器以及与该中间电路电容器耦合的根据本文所提出的变型方案的装置，尤其其中，该装置(联合)使用至少一个部件，该部件还被与中间电路互联的逆变器使用。在此，被逆变器使用的部件可以用作该装置的放电单元。这样的实施方式提供的优点是，能够高效、快速又可靠地通过该装置使中间电路电容器放电。
还有利的是，本文所提出的方案作为借助本文所提出的装置的变型方案使中间电路电容器放电的方法的实施方式，其中，该方法包括以下步骤：
-给放电单元的驱控输入端加载驱控电压，其中，该加载以如下方式进行，即，在中间电路电容器的放电过程中或开始时改变驱控电压。
通过这样的实施方式，也能够快速又高效地实现本文所述方案的优点。
还有利的是本文所提出的方案作为控制器的实施方式，该控制器被设立成用于在相应的单元中执行和/或驱控本文所提出的方法的步骤。
控制器可以是处理电信号(例如传感器信号)并且据此输出控制信号的电设备。控制器可以具有一个或多个适当的接口，这些接口可以硬件和/或软件式地构成。在硬件式的构造中，接口例如可以是实施该装置功能的集成电路的一部分。这些接口也可以是固有的、集成的电路或至少部分地由分立的结构元件构成。在软件式的构造中，接口例如可以是微控制器上除其他软件模块之外还存在的软件模块。
优点还在于具有程序代码的计算机程序产品，程序代码可以存储在诸如半导体存储器、硬盘存储器或光学存储器的机器可读的载体上，并且当程序在计算机或控制器上实施时，用于执行根据上述实施方式之一的方法。
附图说明
结合附图示例性地详细阐述本实用新型。其中：
图1示出车辆的示意图，在该车辆中可以使用根据实施例的用于使中间电路电容器放电的装置；
图2示出用于说明作为放电单元的功率半导体的调制特性的图表；
图3示出驱控电压的变化曲线的示意图；
图4示出与如图2的图表相应的图表，然而其中现在可以看出，在特性曲线上通过可变的门极电压实现最佳工作点或最佳门极电压；
图5示出可以用于简单又廉价地实现本文所述方案的可行的电路拓扑结构；
图6示出为了更深入理解图5的电路的功能而示出随时间变化的不同的电变量的图表；以及
图7示出根据实施例的方法的流程图表。
在下文对本实用新型优选实施例的描述中，相同或相似的附图标记用于各图中示出并起相似作用的元件，其中省略对这些元件的赘述。
具体实施方式
图1示出了车辆100的示意图，在其中可以使用根据实施例的用于使中间电路电容器放电的装置105。车辆100例如设计为混合动力车或电动车。由电池或蓄电池作为蓄能器110向车辆100供应电能，例如400伏的电压UB，或者在更新型的车辆中，也向车辆100的能量供应系统115中馈入800伏的电压。此时，为了能用该出自蓄能器110 的能量使车辆100的驱动马达120运行，通常需要具有逆变器130的中间电路125，以便例如由作为直流电压地从能量源110馈入到车辆 100的能量供应系统115的能量生成交流电压，尤其是驱动能量供应系统135中的多相的交流电压，以用于使驱动马达120运行。为此，逆变器130可以具有一个或多个桥接电路(为清楚起见，图1中未示出)，以便由出自能量供应系统115的直流电压UB获知适用于馈入到驱动能量供应系统135中的交流电压。
现在为了在驱动马达120的负载变换时避免或整平滑能量供应系统115中的电压UB的波动，设置有中间电路电容器140。在此，该中间电路电容器140通常以如下方式设计，即，使其能够吸收大部分能量，以便拦截能量供应系统115中的电压UB的相应波动。然而，如果现在车辆100的电系统中出现故障，例如短路或电损伤，则出于安全原因需要尽量快地使中间电路电容器140放电，以便例如尽量最小化因中间电路电容器140中可能仍处于高电压而使车辆100遭受火灾的风险或使车辆100的乘员遭受电击的风险。为此，通常使用相应的保护电路，如本文所述的用于使中间电路电容器140放电的装置105。
在此，用于使中间电路电容器140放电的装置105具有放电单元 145和驱控单元150。在此，放电单元145可以例如联接在中间电路电容器140的接线端子155之间，其中，通过放电单元145对中间电路电容器140的放电能借助施加于驱控输入端160上的驱控电压来控制。驱控单元150被构造成用于给放电单元145的驱控输入端160加载驱控电压，其中，驱控单元150以如下方式提供驱控电压，即，使得在放电过程期间或者为了使中间电路电容器140放电(即开始放电时)，改变驱控电压。
为了开启对中间电路电容器140的放电，例如响应于由故障识别单元165识别到的并且借助故障信号170被传送给驱控单元150的故障，例如车辆100的电系统中的损伤地，可以在驱控单元150中生成相应的驱控电压Uge并加载给放电单元145的驱控输入端160，这方面如下仍将详述。
如果现在使用功率半导体作为放电单元145，该功率半导体例如是逆变器130的一部分或逆变器130的桥接电路，则可能在调控下驱控该功率半导体方面存在问题，由此该功率半导体仅引导极小的电流 (几百毫安)，而不是其额定电流(数百安培)。为此，应将该功率半导体的门极电压Uge(即，用作放电单元145的功率半导体的门极与源极端子之间的电压)调整到特定的恒定值(Uge,konst)，该门极电压调整了功率半导体中的电流I。因为对于期望的、调控下的低放电电流来说，所需的门极电压Uge取决于许多参数，诸如温度和制造公差，因此通过施加事先固定限定的门极电压Uge就无法实现主动放电。
图2示出了用于说明作为放电单元145的功率半导体的调制特性的图表，其中，横坐标表示门极电压Uge，纵坐标表示流过功率半导体的电流IC。此外，该图表中还绘出三条特性曲线200，其中，特性曲线 200中的第一特性曲线200a映射了功率半导体在150℃的温度下的电流 IC随门极电压Uge变化的相关性，特性曲线200中的第二特性曲线200b 映射了功率半导体在25℃的温度下的电流IC随门极电压Uge变化的相关性，并且特性曲线200中的第三特性曲线200c映射了功率半导体在 -40℃的温度下的电流IC随门极电压Uge变化的相关性。在此，从图2 中可以看出，仅在功率半导体的25℃温度的情况下，才能可靠地实现对中间电路电容器140放电所需的放电电流210；在功率半导体具有-40℃温度的情况下，恒定的门极电压Uge过低，而在功率半导体的 150℃温度的情况下，恒定的门极电压Uge过高。
因此，图2清楚地说明了例如使用功率半导体作为放电单元在变化温度下(这会极大地影响放电电流)例如可靠地驱控放电单元145 的问题。因此，图2示出了形式为功率半导体的放电单元145在恒定的门极电压(Uge,konst)下随着温度变化而无法控制放电电流IC的问题。
换而言之，在图2所示的实施例中，针对25℃的温度如下这样地调节恒定的门极电压(Uge,konst)，即，使得期望的放电电流IC流动。而如果半导体过热(T＝150℃)，则在施加相同门极电压的情况下，过高的放电电流将流过放电单元145的一个或多个半导体，由此可能会导致对它们损坏或损毁。对于低温(T＝-40℃)，可能出现这样的问题：门极电压不足以开启作为放电单元145的半导体的电子通道并且没有放电电流IC流动。这个问题导致无法利用经由作为放电单元145的功率半导体的主动放电。
为了应对这种针对恒定并受调控的放电电流的与参数有关的门极电压的问题，根据实施例，本文提出一种新颖的驱控方法。在此，放电单元145(本例中例如构造为半导体)并不以恒定的门极电压来驱控，而是以可变的驱控电压来驱控，例如以斜坡门极电压来驱控。
图3示出了根据本文所述方案的实施例可以加载放电单元145的驱控输入端160的驱控电压的变化曲线300的示意图。在此，在如图3 所示的图表中，横坐标表示时间t，纵坐标表示门极电压Uge。可以看出，门极电压Uge的变化曲线随着时间点t递增而线性地或单调地或甚至严格单调地提升，其中，在原点的时间点相应于例如响应于故障信号170而激活放电过程的时间点。因此，门极电压Uge作为可变的驱控电压或斜坡门极电压赋予给驱控输入端160。
使用这样的可变的门极电压Uge作为加载给驱控输入端160的例如根据本文所提出的方案的实施例呈斜坡门极电压的形式的驱控电压，在此能够实现驱控电压随时间变化的以固定的斜率地提高，从而逐渐经历所有相关的门极电压Uge。这种驱控导致，无论其温度和其他参数怎样，作为放电单元145的半导体在任何情况下都能随时施加门极电压Uge，该门极电压导致开启电子通道并使最佳的放电电流IC流过作为半导体的放电单元145，由此可以使中间电路电容器145放电。
图4示出了与如图2所示的线图相应的图表，但本图中可以看出，通过可变的门极电压Uge，无论作为放电单元145的半导体的当前温度怎样，在其中任一个特性曲线200上都实现了用于开启形式为半导体的放电单元145来能够可靠又快速地使中间电路电容器130放电的最佳工作点或最佳的门极电压。因此，图4中示出了通过例如可变的斜坡门极电压作为待赋予给驱控输入端160的驱控电压以最佳方式驱控作为放电单元145的半导体。针对作为放电单元145的半导体的各种温度，都能快速又可靠地实现期望或需要的放电电流210。
使用斜坡的斜率可以调节，应多快地开启用作放电单元145的半导体的电子通道，进而是应怎样动态地进行中间电路电容器140的放电过程。
图5示出了可以用于简单又廉价地实现本文所述方案的可行的电路拓扑结构500。在此，电路拓扑结构500可以被理解为用于产生例如作为斜坡门极电压的可变的驱控电压的电路概念。但也可以通过其他可能性来实现驱控电压或斜坡门极电压，例如通过对相应电压源的用数字表示的或数字式的驱控。但是，图5中所示的电路结构500提供了本文所述方案的十分简单的实现可行性。
在此，半导体(作为放电单元145)的驱控电路或驱控单元150 还补充了四个另外的构件，即第一开关S1、第二开关S2、电容CAD和电阻RAD，其中，例如两个开关S1和S2可以根据故障信号170地在开关控制单元510居中促成的情况下被闭合或断开。在此，例如使用半导体或功率半导体(在此例如是MOSFET功率晶体管)作为放电单元 145，其也可以是逆变器130的一部分，例如逆变器130的桥接电路，该逆变器用于将直流电压UB转换为用于使驱动马达120运行的交流电压。
在正常切换的运行中(即，当不存在故障情况时)，第一开关S1闭合而第二开关S2断开。因为电阻RAD选择得比门极电阻Rg大得多(例如10倍)，因此作为放电单元145的半导体的切换特性不受RAD和Rg并联电路的影响。由于第二开关S2断开，使得电容CAD无效。如果要使中间电路125或中间电路电容器140放电，则例如通过故障信号170 开启这一过程，并且开关控制单元510驱控电压源，以便将控制电压 Us切换成正的控制电压，其中，第一开关S1断开而第二开关S2闭合。因为CAD的电容比作为放电单元145的半导体的门极-源极电容大得多(例如10倍)，因此门极-源极电容的电压立刻与电容CAD的电压相等 (例如通过典型的从-5V跳变到0V)。通过由RAD和CAD组成的RC 延时继电器的充电来确定门极电压Uge的进一步走向，由此实现例如相应于图4所示的期望的斜坡门极电压Uge。
为了更深入理解如图5所示的电路的功能，图6示出了在图表的纵坐标左侧(电压Uce、Uge和电流IC)和右侧(消耗功率或消耗能量) 绘出的不同的电变量随在横坐标绘出的时间t变化的图表。在此，基于测量结果和本文所述的驱控集成的主动放电概念的功能验证说明本文所述方案的放电概念。
在时间点t＝0s，激活放电电路，由此使门极电压(特性曲线600) 在时间点0s跳变到0V。随后，赋予斜坡门极电压。在范围610中，开始开启作为放电单元145起作用的半导体的通道，并且使受控的放电电流(特性曲线620)流动，该放电电流最大为1A。中间电路的电压Uce(特性曲线630)在0.7s的放电时间间隔td内因放电电流IC从800V 下降到0V。在此在其损耗能量eloss为200J时减少了500W的损耗功率 ploss。
本文所述方案的重要方面在于，经由可变的驱控电压、例如斜坡门极电压，来驱控放电单元(在此实现为半导体)，可以实现用于触发对中间电路电容器140的主动放电。在此，可变的驱控电压或斜坡电压可以通过不同的变型方案，例如具有施以电压或限定的电流源的 RC环节来产生。这样的实施例的极大优点是，因此可以使用所有类型的放电单元，例如有利地待使用的在许多相关电压等级(650V、1200V、 1700V)中的半导体类型(Si-IGBT，Si-MOSFET和SiC-MOSFET)，以便根据本文所提出的概念来实现驱控集成的冗余的主动的放电电路。
图7示出了作为用于借助本文所提出的装置的变型方案使中间电路电容器放电的方法700的实施例的流程图表，其中，方法700包括给放电单元的驱控输入端加载以驱控电压的步骤710，其中，该加载如此进行，即，在中间电路电容器的放电过程期间或开始时改变驱控电压。
所描述的和在附图中所示的实施例也只是示例性地选用而已。不同的实施例能够完全地或者相对于单个的特征彼此组合。实施例也可以通过另一实施例的特征进行补充。
此外，根据本实用新型的方法步骤可以重复地以及以不同于所述顺序的另一种顺序来实施。
如果实施例在第一特征和第二特征之间包括“和/或”作为连接词，那么这就可以如此理解，即，该实施例根据实施方式不仅具有第一特征而且也具有第二特征，并且根据另一实施方式要么只具有第一特征要么只具有第二特征。
附图标记列表
100 车辆
105 放电装置
110 蓄能器
115 能量供应系统
120 驱动马达
125 中间电路
130 逆变器
135 驱动能量供应系统
140 中间电路电容器
145 放电单元
150 驱控单元
155 接线端子
160 驱控输入端
165 故障识别单元
170 故障信号
200、200a、200b、200c 特性曲线
210 放电电流
300 驱控电压曲线
500 电路拓扑结构
510 开关控制单元
S1 第一开关
S2 第二开关
CAD 电容
RAD 电阻
600 特性曲线
610 特性曲线
620 特性曲线
630 特性曲线
700 用于使中间电路电容器放电的方法
710 加载步骤。

Claims (17)

1.一种用于使中间电路电容器(140)放电的装置(105)，其中，所述装置(105)包括以下特征：
-放电单元(145)，所述放电单元用于使所述中间电路电容器(140)放电，其中，所述放电单元(145)联接或能联接在所述中间电路电容器(140)的两个接线端子(155)之间，其中，所述中间电路电容器(140)的放电能通过施加于所述放电单元(145)的驱控输入端(160)上的驱控电压(Uge)来控制；以及
-驱控单元(150)，所述驱控单元被构造成用于以所述驱控电压(Uge)来加载所述放电单元(145)的驱控输入端(160)，其中，所述驱控单元(150)还被构造成用于在所述中间电路电容器(140)的放电过程中或放电过程开始时改变所述驱控电压(Uge)。
2.根据权利要求1所述的装置(105)，其特征在于，所述驱控单元(150)被构造成用于将所述驱控电压(Uge)从低电压电平向高电压电平改变。
3.根据前述权利要求中任一项所述的装置(105)，其特征在于，所述驱控单元(150)被构造成用于均匀地、线性地和/或单调地改变所述驱控电压(Uge)。
4.根据权利要求1-2中任一项所述的装置(105)，其特征在于，所述驱控单元(150)具有RC环节，以便获知所述驱控电压(Uge)的电压电平。
5.根据权利要求1-2中任一项所述的装置(105)，其特征在于，所述驱控单元(150)被构造成用于在放电过程开始时或对于放电过程的开始引起所述驱控电压(Uge)的电压跳变，并且/或者在放电过程结束后引起所述驱控电压(Uge)的电压跳变。
6.根据权利要求5所述的装置(105)，其特征在于，所述驱控单元(150)被构造成用于在放电过程开始时将所述驱控电压(Uge)设定到0伏的水平，并且/或者其中，所述驱控单元(150)被构造成用于在放电过程结束后将所述驱控电压(Uge)设定到最小值。
7.根据权利要求1-2中任一项所述的装置(105)，其特征在于，所述放电单元(145)构造为半导体开关。
8.根据权利要求7所述的装置(105)，其特征在于，所述放电单元(145)构造为晶体管。
9.根据权利要求1-2中任一项所述的装置(105)，其特征在于，所述驱控单元(150)被构造成用于依赖于所述放电单元(145)的或所述放电单元(145)的部件的温度(T)地确定所述驱控电压(Uge)。
10.根据权利要求1-2中任一项所述的装置(105)，其特征在于，所述驱控单元(150)具有至少两个电阻(RAD、Rg)，其中一个电阻(Rg)借助第一开关(S1)能与其中另一电阻(RAD)并联或者与所述放电单元(145)的驱控输入端(160)耦合或能耦合，并且/或者其中，所述驱控单元(150)具有电容(CAD)，所述电容(CAD)联接或能联接在所述放电单元(145)的驱控输入端(160)与所述中间电路电容器(140)的端子(155)之间。
11.根据权利要求1-2中任一项所述的装置(105)，其特征在于，所述驱控单元(150)被构造成用于均匀地、线性地和/或严格单调地改变所述驱控电压(Uge)。
12.根据权利要求5所述的装置(105)，其特征在于，所述驱控单元(150)被构造成用于在放电过程开始时将所述驱控电压(Uge)从在放电过程开始前施加在所述放电单元(145)的驱控输入端(160)上的最小值起设定到0伏的水平，并且/或者其中，所述驱控单元(150)被构造成用于在放电过程结束后将所述驱控电压(Uge)从在放电过程结束时施加在所述放电单元(145)的驱控输入端(160)上的最大值起设定到最小值。
13.根据权利要求1-2中任一项所述的装置(105)，其特征在于，所述放电单元(145)构造为功率半导体开关。
14.根据权利要求7所述的装置(105)，其特征在于，所述放电单元(145)构造为MOSFET晶体管或IGBT。
15.根据权利要求10所述的装置(105)，其特征在于，所述电容(CAD)具有第二开关(S2)，以便使所述电容(CAD)并联到所述驱控输入端(160)与所述中间电路电容器(140)的端子(155)之间。
16.一种用于将来自能量源(110)的电能传输给致动器(120)的中间电路(125)，其中，所述中间电路(125)具有中间电路电容器(140)以及与所述中间电路电容器(140)耦合的根据前述权利要求中任一项所述的装置(105)。
17.根据权利要求16所述的中间电路，其特征在于，所述装置(105)使用至少一个部件，所述部件还被与所述中间电路(125)互联的逆变器(130)使用。
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