CN211805515U - 晶片研磨加工装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及研磨加工领域，且公开了晶片研磨加工装置，包括工作台，工作台为长方形的工作面板，工作台的上方壁面设置有清洗箱，清洗箱为长方形的箱体，本实用新型中，首先将晶片放在晶片槽上，这时启动电机，电机便可以带动转轴旋转，这时转轴便会带动打磨头旋转，这时便可以握住握块然后压动握块，这时挤块在握块的带动下便会向晶片槽上的晶片移动，当收缩块与压块接触后，压块会被收缩块挤压向清洗箱的内部移动，清洗箱的内部放置有水，这时清洗箱内部的水便会从出水槽中向压块的上方壁面溢出，这时打磨头在对晶片槽上的晶片研磨时，碎屑就会随着水源和打磨头旋转产生的离心力被清除，这样出水槽就达到了自动清理，提高人工效率的效果。

Description

晶片研磨加工装置

技术领域

本实用新型涉及研磨加工领域，尤其涉及晶片研磨加工装置。

背景技术

新技术的飞速发展，对晶片的质量要求不断提高，研磨技术作为制备高表面质量的晶片的最重要手段，在今天受到了越来越多的关注。传统研磨对表面损伤少，加工后晶片完整，面形精度较高，但是晶片的减薄工作不仅量大，加工效率往往很难达到要求。例如，化学机械研磨系统，可以在保证材料去除效率的同时，获得较完美的表面，得到的平整度比单纯使用这两种研磨要高出一到二个数量级，并且可以实现纳米级到原子级的表面粗糙度，实现晶片的研磨减薄，目前市场上已有的晶片研磨加工装置对研磨上盘的清洗大多是采用人工清洗的方式进行，人工清洗费时费力效率低下，为此，我们提出晶片研磨加工装置。

实用新型内容

(一)解决的技术问题

本实用新型主要是解决上述现有技术所存在的技术问题，提供晶片研磨加工装置。

(二)技术方案

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案，晶片研磨加工装置，包括工作台，所述工作台为长方形的工作面板，所述工作台的上方壁面设置有清洗箱，清洗箱为长方形的箱体，且清洗箱的内部为空心，所述清洗箱的上方壁面开设有有孔槽，孔槽为长方形的槽，所述清洗箱的内部设置有压块，压块为长方形的块，所述压块贯穿所述孔槽且一直延伸至所述工作台的内部，所述压块的上方壁面开设有晶片槽，晶片槽为长方形的槽，所述压块的上方壁面开设有有出水槽，出水槽为圆形的孔槽，且出水槽总共有四组，位于所述工作台的内部的压块的下方壁面固定安装有挡板，挡板为长方形的板，四组所述出水槽的下端均贯穿所述压块的上方壁面且一直延伸至所述挡板的下方壁面与工作台的内部相通，所述工作台的上方壁面左右两端均设置有支撑杆，支撑杆为圆形的杆，且支撑杆总共有两组，两组所述支撑杆的外圆处均固定安装有固定块，固定块为长方形的块，两组所述支撑杆的外圆处固定安装有弹簧，两组所述弹簧的下端与两组所述固定块的上方壁面活动连接，两组所述支撑杆的外圆处均活动连接有移动块，移动块为长方形的块，且移动块自身下方壁面设有孔洞。

作为优选，所述移动块的前方壁面固定安装有固定箱，固定箱为长方形的箱体，且固定箱的内部为空心，所述固定箱的前方壁面固定安装有握块，握块为圆形的块，所述固定箱的上方壁面通过活动轴固定安装有转轴，转轴为圆形的轴。

作为优选，所述挤块的下方壁面设有孔槽二，且孔槽二为长方形的槽，所述孔槽二总共有两组，且两组孔槽二的内部为空心，两组所述孔槽二的内部上方壁面均固定安装有弹簧二。

作为优选，两组所述弹簧二的下端均固定安装有挡块二，挡块二为长方形的块，两组所述挡块二的下方壁面固定安装有收缩块，收缩块为圆形的块。

作为优选，位于所述固定箱下端的转轴的下方壁面贯穿所述挤块的上方壁面且一直延伸至所述挤块的下方壁面，位于所述挤块下方壁面的转轴的下端通过活动轴固定安装有打磨头，打磨头为圆形的刀头。

有益效果

本实用新型提供了晶片研磨加工装置。具备以下有益效果：

(1)、该晶片研磨加工装置，首先将晶片放在晶片槽上，这时启动电机，电机便可以带动转轴旋转，这时转轴便会带动打磨头旋转，这时便可以握住握块然后压动握块，这时挤块在握块的带动下便会向晶片槽上的晶片移动，当收缩块与压块接触后，压块会被收缩块挤压向清洗箱的内部移动，清洗箱的内部放置有水，这时清洗箱内部的水便会从出水槽中向压块的上方壁面溢出，这时打磨头在对晶片槽上的晶片研磨时，碎屑就会随着水源和打磨头旋转产生的离心力被清除，这样出水槽就达到了自动清理，提高人工效率的效果。

(2)、该晶片研磨加工装置，当人们通过握块将固定箱向下压动时，打磨头便会对下方的晶片进行研磨，当固定箱向下移动时，移动块也会随着向下移动，这时弹簧就会被挤压，当晶片的厚度需要休整时，便可以减少对握块向下的压力，这时移动块就会被弹簧向上弹回一些，这样弹簧就达到了提高了该设备的实用性的效果。

附图说明

图1为本实用新型整体结构图；

图2为本实用新型A的放大图；

图3为本实用新型握块局部示意图。

图例说明：

1工作台、2清洗箱、3孔槽、4压块、5晶片槽、6出水槽、7挡板、8 支撑杆、9固定块、10弹簧、11移动板、12固定箱、13握块、14转轴、15 电机、16挤块、17孔槽二、18弹簧二、19挡块二、20收缩块、21打磨头。

具体实施方式

下面通过实施例，并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明。

实施例：晶片研磨加工装置，如图1-图3所示，包括工作台1，所述工作台1为长方形的工作面板，所述工作台1的上方壁面设置有清洗箱2，清洗箱2为长方形的箱体，且清洗箱2的内部为空心，所述清洗箱2的上方壁面开设有有孔槽3，孔槽3为长方形的槽，所述清洗箱2的内部设置有压块4，压块4为长方形的块，所述压块4贯穿所述孔槽3且一直延伸至所述工作台1 的内部，所述压块4的上方壁面开设有晶片槽5，晶片槽5为长方形的槽，所述压块4的上方壁面开设有有出水槽6，出水槽6为圆形的孔槽，且出水槽6 总共有四组，位于所述工作台1的内部的压块4的下方壁面固定安装有挡板7，挡板7为长方形的板，四组所述出水槽6的下端均贯穿所述压块4的上方壁面且一直延伸至所述挡板7的下方壁面与工作台1的内部相通，所述工作台1 的上方壁面左右两端均设置有支撑杆8，支撑杆8为圆形的杆，且支撑杆8总共有两组，两组所述支撑杆8的外圆处均固定安装有固定块9，固定块9为长方形的块，两组所述支撑杆8的外圆处固定安装有弹簧10，两组所述弹簧10 的下端与两组所述固定块9的上方壁面活动连接，两组所述支撑杆8的外圆处均活动连接有移动块11，移动块11为长方形的块，且移动块11自身下方壁面设有孔洞，所述移动块11的前方壁面固定安装有固定箱12，固定箱12 为长方形的箱体，且固定箱12的内部为空心，所述固定箱12的前方壁面固定安装有握块13，握块13为圆形的块，所述固定箱12的上方壁面通过活动轴固定安装有转轴14，转轴14为圆形的轴，所述转轴14贯穿所述固定箱12 的上方壁面且一直延伸至所述固定箱12的下方壁面，所述转轴14的上端固定安装有电机15，所述电机15与外部设备固定连接，位于所述固定箱12下端的转轴14的下方壁面固定安装有挤块16，挤块16为长方形的块，所述挤块16的下方壁面设有孔槽二17，且孔槽二17为长方形的槽，所述孔槽二17 总共有两组，且两组孔槽二17的内部为空心，两组所述孔槽二17的内部上方壁面均固定安装有弹簧二18，两组所述弹簧二18的下端均固定安装有挡块二19，挡块二19为长方形的块，两组所述挡块二19的下方壁面固定安装有收缩块20，收缩块20为圆形的块，位于所述固定箱12下端的转轴14的下方壁面贯穿所述挤块16的上方壁面且一直延伸至所述挤块16的下方壁面，位于所述挤块16下方壁面的转轴14的下端通过活动轴固定安装有打磨头21，打磨头21为圆形的刀头。

本实用新型的工作原理：首先将晶片放在晶片槽5上，这时启动电机15，电机15便可以带动转轴14旋转，这时转轴14便会带动打磨头21旋转，这时便可以握住握块13然后压动握块13，这时挤块16在握块13的带动下便会向晶片槽5上的晶片移动，当收缩块20与压块4接触后，压块4会被收缩块 20挤压向清洗箱2的内部移动，清洗箱2的内部放置有水，这时清洗箱2内部的水便会从出水槽6中向压块4的上方壁面溢出，这时打磨头21在对晶片槽5上的晶片研磨时，碎屑就会随着水源和打磨头21旋转产生的离心力被清除，这样出水槽6就达到了自动清理，提高人工效率的效果。

当人们通过握块13将固定箱12向下压动时，打磨头21便会对下方的晶片进行研磨，当固定箱12向下移动时，移动块11也会随着向下移动，这时弹簧10就会被挤压，当晶片的厚度需要休整时，便可以减少对握块13向下的压力，这时移动块11就会被弹簧10向上弹回一些，这样弹簧10就达到了提高了该设备的实用性的效果。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征即本使用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (6)

1.晶片研磨加工装置，包括工作台(1)，其特征在于：所述工作台(1)的上方壁面设置有清洗箱(2)，所述清洗箱(2)的上方壁面开设有有孔槽(3)，所述清洗箱(2)的内部设置有压块(4)，所述压块(4)的上方壁面开设有晶片槽(5)，所述压块(4)的上方壁面开设有有出水槽(6)，位于所述工作台(1)的内部的压块(4)的下方壁面固定安装有挡板(7)，所述工作台(1)的上方壁面左右两端均设置有支撑杆(8)，且支撑杆(8)总共有两组，两组所述支撑杆(8)的外圆处均固定安装有固定块(9)，两组所述支撑杆(8)的外圆处固定安装有弹簧(10)，两组所述支撑杆(8)的外圆处均活动连接有移动块(11)，所述移动块(11)的前方壁面固定安装有固定箱(12)，所述固定箱(12)的前方壁面固定安装有握块(13)，所述固定箱(12)的上方壁面通过活动轴固定安装有转轴(14)，所述转轴(14)的上端固定安装有电机(15)，位于所述固定箱(12)下端的转轴(14)的下方壁面固定安装有挤块(16)，所述挤块(16)的下方壁面设有孔槽二(17)，所述孔槽二(17)总共有两组，两组所述孔槽二(17)的内部上方壁面均固定安装有弹簧二(18)，两组所述弹簧二(18)的下端均固定安装有挡块二(19)，两组所述挡块二(19)的下方壁面固定安装有收缩块(20)，位于所述挤块(16)下方壁面的转轴(14)的下端通过活动轴固定安装有打磨头(21)。

2.根据权利要求1所述的晶片研磨加工装置，其特征在于：所述压块(4)贯穿所述孔槽(3)且一直延伸至所述工作台(1)的内部。

3.根据权利要求1所述的晶片研磨加工装置，其特征在于：四组所述出水槽(6)的下端均贯穿所述压块(4)的上方壁面且一直延伸至所述挡板(7)的下方壁面与工作台(1)的内部相通。

4.根据权利要求1所述的晶片研磨加工装置，其特征在于：两组所述弹簧(10)的下端与两组所述固定块(9)的上方壁面活动连接。

5.根据权利要求1所述的晶片研磨加工装置，其特征在于：所述转轴(14)贯穿所述固定箱(12)的上方壁面且一直延伸至所述固定箱(12)的下方壁面。

6.根据权利要求1所述的晶片研磨加工装置，其特征在于：位于所述固定箱(12)下端的转轴(14)的下方壁面贯穿所述挤块(16)的上方壁面且一直延伸至所述挤块(16)的下方壁面。

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