CN211734533U - 一种半导体硅材料生长炉用电极及生长炉 - Google Patents
一种半导体硅材料生长炉用电极及生长炉 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种半导体硅材料生长炉用电极及生长炉，生长炉用电极包括铜电极、连接铜电极下方的石英套管、连接石英套管下方的陶瓷绝缘件、连接陶瓷绝缘件下方的氮化硼绝缘件、连接氮化硼绝缘件下方的石墨电极、连接石墨电极下方的加热器连接螺钉；该生长炉用电极通过多层绝缘，使加热器在移动过程中不会与隔热层接触，防止出现打火的情况。适用于需要升降在不同热量部分的情况。
Description
技术领域
本实用新型属于硅晶体材料生长炉技术领域。
背景技术
石英陶瓷坩埚，全称为高纯熔融石英陶瓷坩埚(二氧化硅含量≥99.9％)。是以高纯熔融石英为原料做成的陶瓷质坩埚。一般情况下，其形状主要有方形和圆筒形。其中，方形的高纯石英坩埚用在多晶硅铸锭环节，充当多晶硅化料和长晶的容器；圆形的高纯石英坩埚则用在单晶硅中拉单晶的环节。高纯熔融石英由于具有结构精细、热导率低、热膨胀系数小、制成品尺寸精度高、高温不变形、热震稳定性好、电性能好、耐化学侵蚀性好等特点，因此在玻璃深加工行业、冶金工业、电子工业、化工工业、航空航天等领域得到广泛应用。
有一种长晶过程是坩埚位置不变，通过不断提升或下降加热器进行热场内加热的均匀，但是如果与加热器连接的电极也随着加热器升降，则电极的上方与下方的热量是不同的，则需要提供新的电极以适配该种升降方式。
实用新型内容
发明目的：本实用新型提供一种半导体硅材料生长炉用电极及生长炉，解决如何提供一种随着加热器升降适应不同热量的电极的问题。
技术方案：为达到上述目的，本实用新型可采用如下技术方案：
一种半导体硅材料生长炉用电极，包括铜电极、连接铜电极下方的石英套管、连接石英套管下方的陶瓷绝缘件、连接陶瓷绝缘件下方的氮化硼绝缘件、连接氮化硼绝缘件下方的石墨电极、连接石墨电极下方的加热器连接螺钉。
进一步的，铜电极的上方连接有升降杆。
进一步的，所述加热器连接螺钉、氮化硼绝缘件、陶瓷绝缘件、石英套管、铜电极、石墨电极同轴设置。
而具有上述电极的生长炉可采用以下技术方案，包括保温屏，位于保温屏中的加热器及坩埚，加热器围绕坩埚设置；其特征在于：所述加热器与铜电极通过加热器连接螺钉连接。
进一步的，还设有升降电机，所述升降杆与升降电机连接。
有益效果：相对于现有技术，本实用新型技术方案的优点为：
该生长炉用电极通过多层绝缘(氮化硼绝缘件、陶瓷绝缘件、石英套管)，使加热器在移动过程中不会与隔热层接触，防止出现打火的情况。适用于需要升降在不同热量部分的情况。
附图说明
图1是本实用新型中电极的结构示意图。
图2是本实用新型中生长炉的结构示意图。
具体实施方式
请结合图1所示，本实施例公开一种半导体硅材料生长炉用电极11，包括铜电极5、连接铜电极5下方的石英套管4、连接石英套管4下方的陶瓷绝缘件3、连接陶瓷绝缘件3下方的氮化硼绝缘件2、连接氮化硼绝缘件2下方的石墨电极6、连接石墨电极6下方的加热器连接螺钉1。所述加热器连接螺钉1、氮化硼绝缘件2、陶瓷绝缘件3、石英套管4、铜电极5、石墨电极6同轴设置。铜电极5的上方连接有升降杆7。
该电极11应用在生长炉中。如图2所示，生长炉包括保温屏8，位于保温屏8中的加热器9及坩埚10。加热器9围绕坩埚10设置。所述加热器9与铜电极5通过加热器连接螺钉1连接。该生长炉用电极通过多层绝缘(氮化硼绝缘件2、陶瓷绝缘件3、石英套管4)，使加热器在移动过程中不会与隔热层接触，防止出现打火的情况。生长炉设有升降电机(未图示)，所述升降杆7与升降电机连接，升降电机带动电极11上下移动，同时带动加热器9上下移动。
当电极11运动时，通过石墨电极6与加热器9连接，带动加热器9运动，当加热器运动到下限位时，石墨电极6完全进入高温部分，铜电极5部分保留在保温屏8内部，防止铜电极5温度过高。加热器运动到上限位时，石墨电极6的高度不会超过炉体12，防止高温的石墨电极6烫坏炉体12上的密封圈。
本实用新型具体实现该技术方案的方法和途径很多，以上所述仅是本实用新型的优选实施方式。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。本实施例中未明确的各组成部分均可用现有技术加以实现。
Claims (5)
1.一种半导体硅材料生长炉用电极，其特征在于，包括铜电极、连接铜电极下方的石英套管、连接石英套管下方的陶瓷绝缘件、连接陶瓷绝缘件下方的氮化硼绝缘件、连接氮化硼绝缘件下方的石墨电极、连接石墨电极下方的加热器连接螺钉。
2.根据权利要求1所述的电极，其特征在于：铜电极的上方连接有升降杆。
3.根据权利要求1或2所述的电极，其特征在于：所述加热器连接螺钉、氮化硼绝缘件、陶瓷绝缘件、石英套管、铜电极、石墨电极同轴设置。
4.一种具有如权利要求1至3中任一项所述电极的生长炉，包括保温屏，位于保温屏中的加热器及坩埚，加热器围绕坩埚设置；其特征在于：所述加热器与铜电极通过加热器连接螺钉连接。
5.根据权利要求4所述的生长炉，其特征在于：还设有升降电机，所述升降杆与升降电机连接。
Priority Applications (1)
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| CN201922371683.2U CN211734533U (zh) | 2019-12-26 | 2019-12-26 | 一种半导体硅材料生长炉用电极及生长炉 |
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Publications (1)
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| CN211734533U true CN211734533U (zh) | 2020-10-23 |
Family
ID=72872341
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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2019
- 2019-12-26 CN CN201922371683.2U patent/CN211734533U/zh active Active
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