CN211700302U - 一种低串联电阻光伏组件 - Google Patents
一种低串联电阻光伏组件 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型涉及一种低串联电阻光伏组件，包括依次层叠设置的玻璃顶板、上层EVA胶膜、多个太阳能电池片、下层EVA胶膜和背板，其特征在于：所述太阳能电池片包括半导体基板和设置在半导体基板上的正电极和背电极，所述正电极和背电极均采用银浆和铝浆混合的浆液印刷，相邻两个所述太阳能电池片之间通过反光薄膜焊带焊接。采用低电阻率银浆和铝浆印刷电池片，适当扩大了栅线宽度，有利于减小内阻；通过在反光薄膜焊带抵消栅线遮光部分，有效解决了光伏组件内阻损耗的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及太阳能光伏组件，特别涉及一种低串联电阻光伏组件。
背景技术
在当今传统能源日益紧张与环境不断恶化的全球背景下，寻找新的替代能源变得由为重要，而其中太阳能的利用尤为特出。太阳能以其可再生、资源丰富、安全性、清洁能源等特性一直是人们关注。随着光伏发电技术的不提高与应用成本的下降，光伏发电己在全球大面积铺开，而在各国家政策的利好作用下，光伏发电当前也正处在快速增长的时候。
光伏组件是光伏发电系统的核心部件，它的作用是将光能转化为电能，光伏组件由单片电池片经过串联封装而成，经过串联组件可以获得高电压，多串电池片进行并联而获得高电流，现有光伏组件一般采用主栅线焊接焊带串联电池片。而常规的光伏组件使用的焊带将电池片进行焊接后，存在内阻损耗的现象，会影响组件发电效率。
实用新型内容
本实用新型设计了一种低串联电阻光伏组件，采用低电阻率银浆和铝浆印刷电池片，适当扩大了栅线宽度，同时采用反光薄膜焊带抵消栅线遮光部分，有效的解决了光伏组件内阻损耗的问题。
为了解决上述存在的技术问题，本实用新型采用了以下方案：
一种低串联电阻光伏组件，包括依次层叠设置的玻璃顶板、上层EVA胶膜、多个太阳能电池片、下层EVA胶膜和背板，所述太阳能电池片包括半导体基板和设置在半导体基板上的正电极和背电极，所述正电极和背电极均采用银浆和铝浆混合的浆液印刷，相邻两个所述太阳能电池片之间通过反光薄膜焊带焊接。
作为优选，所述正电极包括正主栅线电极和若干正细栅线电极，所述背电极包括背主栅线电极和若干背细栅线电极，所述正主栅线电极和所述背主栅线电极到半导体基板的边沿均设有焊接空间。
作为优选，所述半导体基板的上表面设有折射结构。
作为优选，所述折射结构为正三棱锥或者正四棱锥状结构，所述正三棱锥或者正四棱锥的底面位于所述半导体基板的上表面或者下表面。
作为优选，所述半导体基板的上表面涂布有抗反射层。
作为优选，所述反光薄膜焊带包括铜基材和设置在铜基材上、下表面的涂锡层，所述铜基材的上、下表面具有向内凹陷的梯形槽，所述涂锡层设置在梯形槽内，涂锡层表面不超出所述铜基材的上、下表面。
作为优选，所述铜基材的上、下表面涂布有反射膜。
作为优选，所述抗反射层的厚度为80nm-120nm。
作为优选，所述半导体基板的厚度为600nm-1100nm。
作为优选，所述正主栅线电极和背主栅线电极的宽度均为1.0nm-1.4nm，相邻的正主栅线电极和相邻的背主栅线电极之间的间距均为12nm-44nm，预留的焊接空间长度为3nm-8nm；所述正细栅线电极和背细栅线电极的宽度均为0.06nm-0.08nm，相邻的正细栅线电极和相邻的背细栅线电极之间的间距均为1.7nm-1.9nm。
该低串联电阻光伏组件具有以下有益效果：
（1）采用低电阻率银浆和铝浆印刷电池片，适当扩大了栅线宽度，有利于减小内阻；
（2）电极两端预留焊接空间，有利于焊接，减小电池片的焊破率；
（3）通过在半导体基板的上表面设置折射结构，可以减少从半导体基板的上表面反射的光量，从而增加入射到半导体基板内部的光量；
（4）通过在反光薄膜焊带上设置梯形槽，尽可能的增加了焊带的横截面积，降低了组件串联电阻，增加了组件功率输出，同时梯形槽结构起到了收纳溶化后的锡铅混合液的目的，有利于解决“滑锡”现象；
（5）而没有梯形槽的反光薄膜焊带表面涂布有反射膜抵消栅线遮光部分，有效的解决了光伏组件内阻损耗的问题。
附图说明
图1为本实用新型中低串联电阻光伏组件的爆炸示意图；
图2为本实用新型中太阳能电池片的局部示意图；
图3为本实用新型中太阳能电池片的结构示意图；
图4为本实用新型中相邻两个太阳能电池片的连接示意图；
图5为本实用新型中反光薄膜焊带的剖面示意图。
附图标记说明：
1、玻璃顶板；2、上层EVA胶膜；3、太阳能电池片；31、半导体基板；311、折射结构；32、正主栅线电极；33、正细栅线电极；34、背主栅线电极；35、背细栅线电极；36、焊接空间；37、抗反射层；4、下层EVA胶膜；5、背板；6、反光薄膜焊带；61、铜基材；611、梯形槽；612、反射膜；62、涂锡层。
具体实施方式
下面结合图1至图5，对本实用新型做进一步说明：
一种低串联电阻光伏组件，如同1-5所示，包括依次层叠设置的玻璃顶板1、上层EVA胶膜2、多个太阳能电池片3、下层EVA胶膜4和背板5，太阳能电池片3包括半导体基板31和设置在半导体基板31上的正电极和背电极，正电极和背电极均采用银浆和铝浆混合的浆液印刷，相邻两个太阳能电池片3之间通过反光薄膜焊带6焊接。
正电极包括正主栅线电极32和若干正细栅线电极33，背电极包括背主栅线电极34和若干背细栅线电极35，正主栅线电极32和背主栅线电极34到半导体基板31的边沿均设有焊接空间36。
具体地，半导体基板31的上表面设有折射结构311，折射结构311为正三棱锥或者正四棱锥状结构，正三棱锥或者正四棱锥的底面位于半导体基板31的上表面或者下表面。
半导体基板31的上表面涂布有抗反射层37，配合折射结构311，使更多的光入射到半导体基板31内部。
反光薄膜焊带6包括铜基材61和设置在铜基材61上、下表面的涂锡层62，铜基材61的上、下表面具有向内凹陷的梯形槽611，涂锡层62设置在梯形槽611内，涂锡层62表面不超出铜基材61的上、下表面，铜基材61的上、下表面涂布有反射膜612。
其中，半导体基板31的厚度为600nm-1100nm，抗反射层37的厚度为80nm-120nm。正主栅线电极32和背主栅线电极34的宽度均为1.0nm-1.4nm，相邻的正主栅线电极32和相邻的背主栅线电极34之间的间距均为12nm-44nm，预留的焊接空间36长度为3nm-8nm；正细栅线电极33和背细栅线电极35的宽度均为0.06nm-0.08nm，相邻的正细栅线电极33和相邻的背细栅线电极35之间的间距均为1.7nm-1.9nm。
该低串联电阻光伏组件相对于现有技术的优点在于：
采用低电阻率银浆和铝浆印刷电池片，适当扩大了栅线宽度，有利于减小内阻；电极两端预留焊接空间36，有利于焊接，减小电池片的焊破率；通过在半导体基板31的上表面设置折射结构311，可以减少从半导体基板31的上表面反射的光量，从而增加入射到半导体基板31内部的光量；通过在反光薄膜焊带6上设置梯形槽611，尽可能的增加了焊带的横截面积，降低了组件串联电阻，增加了组件功率输出，同时梯形槽611结构起到了收纳溶化后的锡铅混合液的目的，有利于解决“滑锡”现象；而没有梯形槽611的反光薄膜焊带6表面涂布有反射膜612抵消栅线遮光部分，有效的解决了光伏组件内阻损耗的问题。
上面结合附图对本实用新型进行了示例性的描述，显然本实用新型的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本实用新型的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将本实用新型的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本实用新型的保护范围内。
Claims (10)
1.一种低串联电阻光伏组件，包括依次层叠设置的玻璃顶板（1）、上层EVA胶膜（2）、多个太阳能电池片（3）、下层EVA胶膜（4）和背板（5），其特征在于：所述太阳能电池片（3）包括半导体基板（31）和设置在半导体基板（31）上的正电极和背电极，所述正电极和背电极均采用银浆和铝浆混合的浆液印刷，相邻两个所述太阳能电池片（3）之间通过反光薄膜焊带（6）焊接。
2.根据权利要求1所述的低串联电阻光伏组件，其特征在于：所述正电极包括正主栅线电极（32）和若干正细栅线电极（33），所述背电极包括背主栅线电极（34）和若干背细栅线电极（35），所述正主栅线电极（32）和所述背主栅线电极（34）到半导体基板（31）的边沿均设有焊接空间（36）。
3.根据权利要求1所述的低串联电阻光伏组件，其特征在于：所述半导体基板（31）的上表面设有折射结构（311）。
4.根据权利要求3所述的低串联电阻光伏组件，其特征在于：所述折射结构（311）为正三棱锥或者正四棱锥状结构，所述正三棱锥或者正四棱锥的底面位于所述半导体基板（31）的上表面或者下表面。
5.根据权利要求1-4任一项所述的低串联电阻光伏组件，其特征在于：所述半导体基板（31）的上表面涂布有抗反射层（37）。
6.根据权利要求5所述的低串联电阻光伏组件，其特征在于：所述反光薄膜焊带（6）包括铜基材（61）和设置在铜基材（61）上、下表面的涂锡层（62），所述铜基材（61）的上、下表面具有向内凹陷的梯形槽（611），所述涂锡层（62）设置在梯形槽（611）内，涂锡层（62）表面不超出所述铜基材（61）的上、下表面。
7.根据权利要求6所述的低串联电阻光伏组件，其特征在于：所述铜基材（61）的上、下表面涂布有反射膜（612）。
8.根据权利要求5所述的低串联电阻光伏组件，其特征在于：所述抗反射层（37）的厚度为80nm-120nm。
9.根据权利要求1所述的低串联电阻光伏组件，其特征在于：所述半导体基板（31）的厚度为600nm-1100nm。
10.根据权利要求2所述的低串联电阻光伏组件，其特征在于：所述正主栅线电极（32）和背主栅线电极（34）的宽度均为1.0nm-1.4nm，相邻的正主栅线电极（32）和相邻的背主栅线电极（34）之间的间距均为12nm-44nm，预留的焊接空间（36）长度为3nm-8nm；所述正细栅线电极（33）和背细栅线电极（35）的宽度均为0.06nm-0.08nm，相邻的正细栅线电极（33）和相邻的背细栅线电极（35）之间的间距均为1.7nm-1.9nm。
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