CN211679035U - 一种清洗超大尺寸单晶硅片的清洗溢流系统 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种清洗超大尺寸单晶硅片的清洗溢流系统，包括第一纯水清洗部、第二纯水清洗部、第三纯水清洗部、第四纯水清洗部和第五纯水清洗部，第一纯水清洗部、第二纯水清洗部、第三纯水清洗部、第四纯水清洗部与第五纯水清洗部依次设置；第一储水箱的进水口与第二纯水清洗部连通，第二储水箱的出水口与第一纯水清洗部连通；第二储水箱的进水口与第四纯水清洗部连通，第二储水箱的出水口与第三纯水清洗部连通；第三储水箱的进水口与第五纯水清洗部连通，第三储水箱的出水口与第四纯水清洗部连通。本实用新型的有益效果是单槽纯水流量增加，漂洗能力好，硅片表面更加洁净；采用循环水溢流方式，整体溢流量减少，总用水量降低，降低纯水成本。

Description

一种清洗超大尺寸单晶硅片的清洗溢流系统

技术领域

本实用新型属于硅片生产设备技术领域，尤其是涉及一种清洗超大尺寸单晶硅片的清洗溢流系统。

背景技术

目前超大尺寸硅片加工已成为光伏后续发展趋势，但硅片尺寸变大以后，按照目前清洗机溢流方式，存在漂洗不干净的情况，需要增大溢流流量；同时增大溢流量后，会造成纯水成本的增加。

发明内容

鉴于上述问题，本实用新型要解决的问题是提供一种清洗超大尺寸单晶硅片的清洗溢流系统，对大尺寸硅片进行清洗，采用两个溢流槽进行纯水循环使用，降低纯水成本，提高纯水利用率。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种清洗超大尺寸单晶硅片的清洗溢流系统，包括第一纯水清洗部、第二纯水清洗部、第三纯水清洗部、第四纯水清洗部和第五纯水清洗部，其中，

第一纯水清洗部、第二纯水清洗部、第三纯水清洗部、第四纯水清洗部与第五纯水清洗部依次设置，对硅片依次进行清洗；

以及，还包括第一储水箱、第二储水箱和第三储水箱，第一储水箱的进水口与第二纯水清洗部连通，第二储水箱的出水口与第一纯水清洗部连通，便于第二纯水清洗部的纯水进入第一纯水清洗部；

第二储水箱的进水口与第四纯水清洗部连通，第二储水箱的出水口与第三纯水清洗部连通，便于第四纯水清洗部的纯水进入第三清洗部；

第三储水箱的进水口与第五纯水清洗部连通，第三储水箱的出水口与第四纯水清洗部连通，便于第五纯水清洗部的纯水进入第四纯水清洗部。

进一步的，还包括纯水进水管道，纯水进水管道分别与第二纯水清洗部和第五纯水清洗部连接。

进一步的，第四纯水清洗部包括第一清洗部、第二清洗部和第三清洗部，第一清洗部、第二清洗部和第三清洗部依次设置；其中，

第三清洗部、第二清洗部与第三清洗部依次连通，进行纯水的流通。

进一步的，第三储水箱的出水口与第三清洗部连通。

进一步的，第一清洗部与第二储水箱的进水口连通。

进一步的，清洗溢流系统还包括上料部，第一纯水清洗部与上料部连通。

进一步的，清洗溢流系统还包括第一药液清洗部，第一药液清洗部设于第一纯水清洗部与第二纯水清洗部之间。

进一步的，清洗溢流系统还包括第二药液清洗部，第二药液清洗部设于第二纯水清洗部与第三纯水清洗部之间。

进一步的，纯水进水管道的流量为500-700L/H。

由于采用上述技术方案，使得清洗超大尺寸单晶硅片的清洗溢流系统结构简单，纯水进水管道分别对第二纯水清洗部和第五纯水清洗部供给纯水，同时，第二纯水清洗部通过第一储水箱与第一纯水清洗部连通，形成纯水循环使用支路，第五纯水清洗部通过第三储水箱与第四纯水清洗部连通，第四纯水清洗部通过第二储水箱与第三纯水清洗部连通，形成纯水循环使用支路，单槽纯水流量增加，漂洗能力更好，硅片表面更加洁净；采用循环水溢流方式，两个纯水溢流支路，整体溢流量减少，总用水量降低，降低纯水成本；采用热水循环的方式，避免加热时更多能耗消耗，硅片表面较洁净，硅片表面金属离子残留较少，提高硅片表面洁净度，提升后道电池片的转化效率，提高电池片的成品率及可靠率，硅片制绒后绒面结构使得入射光在硅片表面多次反射和折射，增加了光的吸收，降低了反射率，有助于提高电池的性能。

附图说明

图1是本实用新型的一实施例的结构示意图。

图中：

1、第一纯水清洗部 2、第一药液清洗部 3、第二纯水清洗部

4、第二药液清洗部 5、第三纯水清洗部 6、第四纯水清洗部

7、第五药液清洗部 8、第一储水箱 9、第二储水箱

10、第三储水箱 11、纯水进水管道

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的说明。

图1示出了本实用新型一实施例的结构示意图，具体示出了本实施例的结构，本实施例涉及一种清洗超大尺寸单晶硅片的清洗溢流系统，用于对超大尺寸单晶硅片进行清洗，采用循环水溢流方式，降低总用水量，降低纯水成本，同时采用热水循环的方式，避免加热时更多能量消耗，减少硅片表面金属离子残留，提高硅片表面洁净度，提升后序电池片的转化效率。

一种清洗超大尺寸单晶硅片的清洗溢流系统，如图1所示，包括第一纯水清洗部1、第二纯水清洗部3、第三纯水清洗部5、第四纯水清洗部6和第五纯水清洗部7，其中，第一纯水清洗部1、第二纯水清洗部3、第三纯水清洗部5、第四纯水清洗部6与第五纯水清洗部7依次设置，对硅片依次进行清洗；以及，第一储水箱8、第二储水箱9和第三储水箱10，第一储水箱8的进水口与第二纯水清洗部3连通，第二储水箱9的出水口与第一纯水清洗部1连通，便于第二纯水清洗部3的纯水进入第一纯水清洗部1；第二储水箱9的进水口与第四纯水清洗部6连通，第二储水箱9的出水口与第三纯水清洗部5连通，便于第四纯水清洗部6的纯水进入第三纯水清洗部5；第三储水箱10的进水口与第五纯水清洗部7连通，第三储水箱10的出水口与第四纯水清洗部6连通，便于第五纯水清洗部7的纯水进入第四纯水清洗部6。

在该清洗超大尺寸单晶硅片的清洗溢流系统中，硅片依次进入第一纯水清洗部1、第二纯水清洗部3、第三纯水清洗部5、第四纯水清洗部6和第五纯水清洗部7，对硅片依次进行清洗，在对硅片进行清洗的过程中，第二纯水清洗部3溢流出的纯水进入第一储水箱8内，并从第一储水箱8进入第一纯水清洗部1内，再次使用，充分利用纯水；第四纯水清洗部6溢流出的纯水进入第二储水箱9内，并从第二储水箱9内进入第三纯水清洗部5内，再次使用，充分利用纯水；第五纯水清洗部7的纯水进入第三储水箱10内，并从第三储水箱10内进入第四纯水清洗部6内，再次使用，充分利用纯水。

具体地，该清洗超大尺寸单晶硅片的清洗溢流系统，还包括上料部，第一纯水清洗部1与上料部连通，该上料部包括上料槽，在上料槽内设有纯水，对脱胶后的硅片进行上料清洗，便于硅片进入后续的清洗工序。

上述的第一纯水清洗部1包括第一纯水清洗槽，即一槽，在第一纯水清洗槽内设有纯水，对硅片进行清洗，将硅片表面的杂质清洗干净；第一纯水清洗部1与上料部连通，也就是，第一纯水清洗槽通过连接管道与上料槽连通，便于第一纯水清洗槽的纯水进入上料槽内，进行二次利用，保证了第一纯水清洗槽内的纯水的清洁度，同时，节约了纯水的使用量，由于进入上料槽内的硅片时脱胶后的硅片，表面硅泥等杂质比较多，需要大量的纯水进行清洗，第一纯水清洗槽内的纯水的注入，保证上料槽内纯水的使用量，同时，

第一纯水清洗槽内的纯水相比较于第一纯水清洗槽内的纯水，清洁度要高，可以用于上料槽内硅片的清洗，使得第一纯水清洗槽内的纯水再次利用，提高纯水的利用率。

该清洗超大尺寸单晶硅片的清洗溢流系统还包括第一药液清洗部2，第一药液清洗部2设于第一纯水清洗部1与第二纯水清洗部3之间，该第一药液清洗部2包括二槽、三槽和四槽，在二槽、三槽和四槽内均设有第一药液，依次对硅片进行清洗，将硅片表面的油污杂质清洗干净。该第一药液为清洗剂，清洗剂为市售产品，根据实际需求进行选择。

第二纯水清洗部3包括第二纯水清洗槽，即五槽，在第二纯水清洗槽内设有纯水，对硅片进行清洗，将硅片表面的第一药液清洗干净，第二纯水清洗槽的出水口通过连接管道与第一储水箱8连通，第一储水箱8的出水口通过连接管道与第一纯水清洗槽连通，使得第二纯水清洗槽、第一储水箱8和第一纯水清洗槽连通，进行纯水的流通，便于第二纯水清洗槽内的纯水进入第一储水箱8内，并从第一储水箱8内流出，进入第一纯水清洗槽内，使得第二纯水清洗槽内的纯水进入第一纯水清洗槽内，再次使用，提高纯水的利用率，第二纯水清洗槽内的纯水相对于第一纯水清洗槽内的纯水清洁度高，能够供第一纯水清洗槽再次使用，对硅片进行清洗，提高纯水的利用率，降低纯水的总的使用量。

该清洗超大尺寸单晶硅片的清洗溢流系统还包括第二药液清洗部4，第二药液清洗部4设于第二纯水清洗部3与第三纯水清洗部5之间，该第二药液清洗部4包括第二药液清洗槽，即，六槽，在第二药液清洗槽内设有第二药液，对硅片进行清洗，去除硅片表面的机械损伤及杂质，该第二药液为双氧水和氢氧化钾溶液，双氧水和氢氧化钾按照一定的比例进行配比，根据实际需求进行配比，这里不做具体要求。

上述的第三纯水清洗部5包括第三纯水清洗槽，即七槽，在第三纯水清洗槽内设有纯水，对硅片进行清洗，将硅片表面的第二药液清洗干净；第三纯水清洗槽的进水口通过管道与第二储水箱9连通，第二储水箱9的进水口与第四纯水清洗部6连通，使得第四纯水清洗部6、第二储水箱9和第三纯水清洗部5连通，便于第四纯水清洗部6的纯水能够进入第三纯水清洗槽内，再次利用，提高纯水的利用率，第四纯水清洗部6的纯水的清洁度高于第三纯水清洗部5的纯水，便于第三纯水清洗部5使用，对硅片进行清洗。

第四纯水清洗部6包括第一清洗部、第二清洗部和第三清洗部，第一清洗部、第二清洗部和第三清洗部依次设置；其中，第三清洗部、第二清洗部与第三清洗部依次连通，进行纯水的流通，第三储水箱10的出水口与第三清洗部连通，第一清洗部与第二储水箱9的进水口连通，提高纯水利用率。该第一清洗部包括第一清洗槽，即八槽，在第一清洗槽内设有纯水，对硅片进行清洗，第二清洗部包括第二清洗槽，即，九槽，在第二清洗槽内设有纯水，对硅片进行清洗；第三清洗部包括第三清洗槽，即，十槽，在第三清洗槽内设有纯水，对硅片进行清洗；硅片从第三纯水清洗部5出来后，进入第四纯水清洗部6，硅片依次进入第一清洗槽、第二清洗槽和第三清洗槽，对硅片依次进行清洗。同时，第三清洗槽的出水口通过连接管道与第二清洗槽的进水口连通，第二清洗槽的出水口与第一清洗槽的进水口通过连接管道连通，第一清洗槽的出水口通过连接管道与第二储水箱9连通，第二储水箱9的出水口通过连接管道与第三纯水清洗槽的进水口连通，使得第三清洗槽的纯水进入第二清洗槽内，再次使用，第二清洗槽内的纯水进入第一清洗槽内，再次使用，第一清洗槽内的纯水经过第二储水箱9进入第三纯水清洗槽内，再次使用，提高纯水的利用率，减少整个系统的纯水的总的使用量。

上述的第五纯水清洗部7包括第五纯水清洗槽，即，十一槽，在第五纯水清洗槽内设有纯水，对硅片进行清洗，该第五纯水清洗槽的出水口通过连接管道与第三储水箱10连通，第三储水箱10的出水口通过连接管道与第三清洗槽，使得第五纯水清洗槽内的纯水进入第三储水箱10内，并从第三储水箱10内流出，进入第三清洗槽内，使得第五纯水清洗槽内的纯水进入第三清洗槽内，再次使用，提高纯水的利用率，减少整个系统的纯水的总的使用量。

该清洗超大尺寸单晶硅片的清洗溢流系统还包括纯水进水管道11，纯水进水管道11分别与第二纯水清洗部3和第五纯水清洗部7连接，为第二纯水清洗,3和第五纯水清洗部5提供纯水，保证整个系统的纯水的清洁度，纯水进水管道11的流量为500-700L/H，根据实际需求进行选择，在本实施例中，纯水进水管道11的流量为600L/H。

上述的纯水均为热纯水，减少各个清洗部对纯水的加热时间，降低能耗。

该清洗超大尺寸单晶硅片的清洗溢流系统在使用时，纯水经过纯水进水管道11进入第二纯水清洗部3的第二纯水清洗槽内和第五纯水清洗部7的第五纯水清洗槽内，使得纯水从第二纯水清洗槽内溢流出进入第一储水箱8内，并从第一储水箱8内流出，进入第一纯水清洗部1的第一纯水清洗槽内，对第一纯水清洗部进行纯水的供给，对硅片进行清洗；纯水进入第五纯水清洗部7的第五纯水清洗槽内，并从第五纯水清洗槽内溢流出去，进入第三储水箱10内，进入第四纯水清洗部6，由第三清洗槽进入，依次进入第二清洗槽和第一清洗槽，并从第一清洗槽溢流出去，进入第二储水箱9内，并从第二储水箱9内流出，进入第三纯水清洗部5的第三纯水清洗槽内，对硅片进行清洗，提高纯水的利用率，减少整个系统的纯水总的用水量；同时，在各个清洗部内循环使用的纯水为热纯水，降低整个系统加热纯水的能耗。

由于采用上述技术方案，使得清洗超大尺寸单晶硅片的清洗溢流系统结构简单，纯水进水管道分别对第二纯水清洗部和第五纯水清洗部供给纯水，同时，第二纯水清洗部通过第一储水箱与第一纯水清洗部连通，形成纯水循环使用支路，第五纯水清洗部通过第三储水箱与第四纯水清洗部连通，第四纯水清洗部通过第二储水箱与第三纯水清洗部连通，形成纯水循环使用支路，单槽纯水流量增加，漂洗能力更好，硅片表面更加洁净；采用循环水溢流方式，两个纯水溢流支路，整体溢流量减少，总用水量降低，降低纯水成本；采用热水循环的方式，避免加热时更多能耗消耗，硅片表面较洁净，硅片表面金属离子残留较少，提高硅片表面洁净度，提升后道电池片的转化效率，提高电池片的成品率及可靠率，硅片制绒后绒面结构使得入射光在硅片表面多次反射和折射，增加了光的吸收，降低了反射率，有助于提高电池的性能。

以上对本实用新型的实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本实用新型的较佳实施例，不能被认为用于限定本实用新型的实施范围。凡依本实用新型申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本实用新型的专利涵盖范围之内。

Claims (9)

1.一种清洗超大尺寸单晶硅片的清洗溢流系统，其特征在于：包括第一纯水清洗部、第二纯水清洗部、第三纯水清洗部、第四纯水清洗部和第五纯水清洗部，其中，

所述第一纯水清洗部、所述第二纯水清洗部、所述第三纯水清洗部、所述第四纯水清洗部与所述第五纯水清洗部依次设置，对硅片依次进行清洗；

以及，还包括第一储水箱、第二储水箱和第三储水箱，所述第一储水箱的进水口与所述第二纯水清洗部连通，所述第二储水箱的出水口与所述第一纯水清洗部连通，便于所述第二纯水清洗部的纯水进入第一纯水清洗部；

所述第二储水箱的进水口与所述第四纯水清洗部连通，所述第二储水箱的出水口与所述第三纯水清洗部连通，便于所述第四纯水清洗部的纯水进入所述第三纯水清洗部；

所述第三储水箱的进水口与所述第五纯水清洗部连通，所述第三储水箱的出水口与所述第四纯水清洗部连通，便于所述第五纯水清洗部的纯水进入所述第四纯水清洗部。

2.根据权利要求1所述的清洗超大尺寸单晶硅片的清洗溢流系统，其特征在于：还包括纯水进水管道，所述纯水进水管道分别与所述第二纯水清洗部和所述第五纯水清洗部连接。

3.根据权利要求1或2所述的清洗超大尺寸单晶硅片的清洗溢流系统，其特征在于：所述第四纯水清洗部包括第一清洗部、第二清洗部和第三清洗部，所述第一清洗部、第二清洗部和第三清洗部依次设置；其中，

所述第三清洗部、所述第二清洗部与所述第三清洗部依次连通，进行纯水的流通。

4.根据权利要求3所述的清洗超大尺寸单晶硅片的清洗溢流系统，其特征在于：所述第三储水箱的出水口与所述第三清洗部连通。

5.根据权利要求4所述的清洗超大尺寸单晶硅片的清洗溢流系统，其特征在于：所述第一清洗部与所述第二储水箱的进水口连通。

6.根据权利要求4或5所述的清洗超大尺寸单晶硅片的清洗溢流系统，其特征在于：所述清洗溢流系统还包括上料部，所述第一纯水清洗部与所述上料部连通。

7.根据权利要求6所述的清洗超大尺寸单晶硅片的清洗溢流系统，其特征在于：所述清洗溢流系统还包括第一药液清洗部，所述第一药液清洗部设于所述第一纯水清洗部与所述第二纯水清洗部之间。

8.根据权利要求7所述的清洗超大尺寸单晶硅片的清洗溢流系统，其特征在于：所述清洗溢流系统还包括第二药液清洗部，所述第二药液清洗部设于所述第二纯水清洗部与所述第三纯水清洗部之间。

9.根据权利要求2所述的清洗超大尺寸单晶硅片的清洗溢流系统，其特征在于：所述纯水进水管道的流量为500-700L/H。

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