CN211557135U

CN211557135U - 包括碳化硅充电模组的充电装置

Info

Publication number: CN211557135U
Application number: CN201921369992.XU
Authority: CN
Inventors: 刘晓民; 周斌; 丁晓伟; 杨延志; 杜岩平; 刘维新; 李爱平; 李志君; 黄波; 董兆雯; 王俊兴; 李志雨; 刘畅
Original assignee: Global Power Technology Co Ltd; Beijing Huashang Sanyou New Energy Technology Co Ltd
Current assignee: Global Power Technology Co Ltd; Beijing Huashang Sanyou New Energy Technology Co Ltd
Priority date: 2019-08-21
Filing date: 2019-08-21
Publication date: 2020-09-22
Anticipated expiration: 2029-08-21

Abstract

本申请提供了一种包括碳化硅充电模组的充电装置，包括依次连接的充电设备、滤波器以及电源设备，其中，滤波器包括至少两个级联的滤波单元，任意两个滤波单元的滤波频段不同，充电设备为碳化硅充电模组。上述充电装置的滤波器中包括至少两个滤波单元，且不同的滤波单元的滤波频段不同，这样该滤波器可以至少滤除两个不同频段的电磁干扰，从而使得该滤波器的滤波效果较好，进而保证了该充电装置的滤波效果较好，从而减少充电装置其对外界的电磁干扰。

Description

包括碳化硅充电模组的充电装置

技术领域

本申请涉及电磁领域，具体而言，涉及一种包括碳化硅充电模组的充电装置。

背景技术

本实用新型要解决的技术问题是如何宽频域、大幅度、灵活配置电磁兼容滤波器参数，有效抑制碳化硅充电模块对外界的电磁干扰。

碳化硅充电模组接入电网，整流之后为电动汽车充电。碳化硅充电模组具有高功率密度、高效率、耐高温的特点。然而，相比于传统硅器件，碳化硅器件开关频率高，并且电压变化率大，因此，碳化硅充电模组对电网具有更大干扰，电磁兼容设计难度大。

电源模组产生的传导电磁干扰(简称传导干扰)会影响周围其他电子装置的有效工作，电源模组中需要电磁干扰(EMI)滤波器，防止电源模组对外界的传导干扰。下面从电磁干扰来源、电磁干扰频率分布、传统抑制方法三方面来介电磁干扰。

电磁干扰来源方面，功率半导体器件是电源模组的重要组成部件，其开关动作实现了电源模组输入输出端口不同形式、不同等级的电能变换，然而，功率半导体器件的开关动作成为了传导干扰的重要来源。碳化硅器件是第三代功率半导体器件，碳化硅材料与目前应该广泛的硅材料相比，较高的热导率决定了其高电流密度的特性，较高的禁带宽度又决定了碳化硅器件的高击穿场强和高工作温度。因此，碳化硅半导体器件具有损耗低、开关速度快的特点，可以降低功率模组损耗、体积和重量，具有广阔的应用前景。然而，过快的开关动作缺引入了过大的电磁干扰，且该干扰在较宽的频段范围内出现，抑制难度大。

电磁干扰的干扰频率分布方面，传导干扰分为共模干扰和差模干扰两部分，在传导骚扰测试当中，共模干扰会产生较高频段的噪声，差模干扰则会产生较低频段的噪声，共模干扰和差模干扰共同影响中频段的噪声。然而，碳化硅充电模组的前后级开关频率不同，共模干扰和差模干扰的频率分布情况更为复杂。

传统的抑制电磁干扰的器件，主要为由耦合电感、x电容、y电容以及放电电阻共同构成电磁干扰滤波器，如图1所示。该类型电磁干扰滤波器适用于传统硅基电源模组，对新型碳化硅电源模组的电磁干扰抑制效果有限。

现有的其他的电磁干扰滤波器噪声抑制频段窄、幅度小，无法对各个频段的传导干扰分别设计参数灵活抑制，不能对碳化硅器件产生的干扰进行有效抑制。

在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

实用新型内容

本申请的主要目的在于提供一种包括碳化硅充电模组的充电装置，以解决现有技术中充电装置中的滤波器的滤波效果较差的问题。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种充电装置，包括依次连接的充电设备、滤波器以及电源设备，其中，所述滤波器包括至少两个级联的滤波单元，任意两个所述滤波单元的滤波频段不同，所述充电设备为碳化硅充电模组。

进一步地，所述滤波单元有三个，分别为第一滤波单元、第二滤波单元以及第三滤波单元，所述第三滤波单元、所述第二滤波单元以及所述第一滤波单元沿远离所述充电设备的方向依次串联，且所述第一滤波单元的滤波频段、所述第二滤波单元的滤波频段以及所述第三滤波单元的滤波频段对应的频率依次升高。

进一步地，所述电源设备具有第一输出端和第二输出端，所述充电设备具有第一输入端和第二输入端，所述第一输入端和所述第一输出端之间连接有第一线路，所述第二输入端和所述第二输出端之间连接有第二线路，所述滤波器的各所述滤波单元的部分结构设置在所述第一线路和所述第二线路上。

进一步地，所述第一滤波单元包括第一共模电感、第一差模电容和第一共模电容。

进一步地，所述第一滤波单元还包括地线，所述第一共模电感包括第一电感和第二电感，所述第一差模电容有两个，所述第一共模电容有四个，分别为第一个第一共模电容，第二个第一共模电容、第三个第一共模电容以及第四个第一共模电容，其中，所述第一电感设置在所述第一线路上，所述第二电感设置在所述第二线路上，两个所述第一差模电容中的一个连接在第一连接点和第二连接点之间，另一个连接在第三连接点和第四连接点之间，所述第一连接点为所述第一线路上的位于所述第一电感和所述第一输出端之间的部分，所述第二连接点为所述二线路上的位于所述第二电感和所述第二输出端之间的部分，所述第三连接点为所述第一线路上的位于所述第一电感和所述第一输入端之间的部分，所述第四连接点为所述二线路上的位于所述第二电感和所述第二输入端之间的部分，所述第一个第一共模电容连接在第五连接点和地线之间，所述第五连接点位于所述第一输出端和所述第一连接点之间的所述第一线路上，所述第二个第一共模电容连接在所述第二连接点和所述地线之间，所述第三个第一共模电容连接在第六连接点和所述地线之间，所述第六连接点位于所述第一输入端和所述第三连接点之间的所述第一线路上，所述第四个第一共模电容连接在第七连接点和所述地线之间，所述第七连接点为所述第二线路上的位于所述第四连接点和所述第二输入端之间的部分。

进一步地，所述第二滤波单元包括第二共模电感、第二差模电容和第二共模电容。

进一步地，所述第二滤波单元还包括地线，所述第二共模电感包括第三电感和第四电感，所述第二差模电容有两个，所述第二共模电容有四个，分别为第一个第二共模电容，第二个第二共模电容、第三个第二共模电容以及第四个第二共模电容，其中，所述第三电感设置在所述第一线路上，所述第四电感设置在所述第二线路上，两个所述第二差模电容中的一个连接在第八连接点和第九连接点之间，另一个连接在第十连接点和第十一连接点之间，所述第八连接点为所述第一线路上的位于所述第一电容和所述第一输出端之间的部分，所述第九连接点为所述二线路上的位于所述第二电容和所述第二输出端之间的部分，所述第十连接点为所述第一线路上的位于所述第一电容和所述第一输入端之间的部分，所述第十一连接点为所述二线路上的位于所述第二电容和所述第二输入端之间的部分，所述第一个第二共模电容连接在第十二连接点和地线之间，所述第十二连接点位于所述第一输出端和所述第八连接点之间的所述第一线路上，所述第二个第二共模电容连接在所述第九连接点和所述地线之间，所述第三个第二共模电容连接在第十三连接点和所述地线之间，所述第十三连接点位于所述第一输入端和所述第十连接点之间的所述第一线路上，所述第四个第二共模电容连接在第十四连接点和所述地线之间，所述第十四连接点为所述第二线路上的位于所述第十一连接点和所述第二输入端之间的部分。

进一步地，所述第三滤波单元包括第三共模电感、第三差模电容和第三共模电容。

进一步地，所述第三滤波单元还包括地线，所述第三共模电感包括第五电感和第六电感，所述第三差模电容有两个，所述第三共模电容有四个，分别为第一个第三共模电容，第二个第三共模电容、第三个第三共模电容以及第四个第三共模电容，其中，所述第五电感设置在所述第一线路上，所述第六电感设置在所述第二线路上，两个所述第三差模电容中的一个连接在第十五连接点和第十六连接点之间，另一个连接在第十七连接点和第十八连接点之间，所述第十五连接点为所述第一线路上的位于所述第一电容和所述第一输出端之间的部分，所述第十六连接点为所述二线路上的位于所述第二电容和所述第二输出端之间的部分，所述第十七连接点为所述第一线路上的位于所述第一电容和所述第一输入端之间的部分，所述第十八连接点为所述二线路上的位于所述第二电容和所述第二输入端之间的部分，所述第一个第三共模电容连接在第十九连接点和地线之间，所述第十九连接点位于所述第一输出端和所述第十五连接点之间的所述第一线路上，所述第二个第三共模电容连接在所述第十六连接点和所述地线之间，所述第三个第三共模电容连接在第二十连接点和所述地线之间，所述第二十连接点位于所述第一输入端和所述第十七连接点之间的所述第一线路上，所述第四个第三共模电容连接在第二十一连接点和所述地线之间，所述第二十一连接点为所述第二线路上的位于所述第十八连接点和所述第二输入端之间的部分。

进一步地，所述第一滤波单元的滤波频段在150K～1MHz之间，所述第二滤波单元的滤波频段在1M～10MHz之间，所述第三滤波单元的滤波频段在10MHz～30MHz之间。

应用本申请的技术方案，上述充电装置的滤波器中包括至少两个滤波单元，且不同的滤波单元的滤波频段不同，这样该滤波器可以至少滤除两个不同频段的电磁干扰，从而使得该滤波器的滤波效果较好，进而保证了该充电装置的滤波效果较好，从而减少充电装置其对外界的电磁干扰。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1示出了根据本申请的充电装置的实施例的结构示意图；以及

图2示出了实施例的充电装置的电磁兼容性能测试图。

其中，上述附图包括以下附图标记：

10、充电设备；20、滤波器；11、第一输入端；12、第二输入端；21、第一滤波单元；22、第二滤波单元；23、第三滤波单元；31、第一输出端；32、第二输出端；C_c1、第一个第一共模电容；C_c2、第二个第一共模电容；C_c3、第三个第一共模电容；C_c4、第四个第一共模电容； C_c5、第一个第二共模电容；C_c6、第二个第二共模电容；C_c7、第三个第二共模电容；C_c8、第四个第二共模电容；C_c9、第一个第三共模电容；C_c10、第二个第三共模电容；C_c11、第三个第三共模电容；C_c12、第四个第三共模电容；C_d1、第一个第一差模电容；C_d2、第二个第一差模电容；C_d3、第一个第二差模电容；C_d4、第二个第二差模电容；C_d5、第一个第三差模电容； C_d6、第二个第三差模电容；L₁、第一电感；L₂、第二电感；L₃、第三电感；L₄、第四电感； L₅、第五电感；L₆、第六电感。

具体实施方式

应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。

需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。

应该理解的是，当元件(诸如层、膜、区域、或衬底)描述为在另一元件“上”时，该元件可直接在该另一元件上，或者也可存在中间元件。而且，在说明书以及权利要求书中，当描述有元件“连接”至另一元件时，该元件可“直接连接”至该另一元件，或者通过第三元件“连接”至该另一元件。

正如背景技术所介绍的，现有技术中的充电装置中的滤波器的滤波效果较差，为了解决如上的技术问题，本申请提出了一种包括碳化硅充电模组的充电装置。

本申请的一种典型的实施方式中，提供了一种包括碳化硅充电模组的充电装置，如图1 所示，该充电装置包括依次连接的充电设备10、滤波器20以及电源设备(图中并未示出)，其中，上述滤波器20包括至少两个级联的滤波单元，任意两个上述滤波单元的滤波频段不同，充电设备为碳化硅充电模组。图1中示出了三个滤波单元。

上述充电装置的滤波器20中包括至少两个滤波单元，且不同的滤波单元的滤波频段不同，这样该滤波器20可以至少滤除两个不同频段的电磁干扰，从而使得该滤波器20的滤波效果较好，进而保证了该充电装置的滤波效果较好，从而减少充电装置其对外界的电磁干扰。

本申请的滤波器20位于充电设备10的干扰源和电源设备之间，对于高频电流来说，该滤波器20相当于在高频电流回路上加入一个大的阻抗，并且在电源端与地线PE之间形成低阻抗路径。在充电设备10的前级干扰源中的开关管与后级干扰源的开关管高频工作时，降低流过杂散电容的高频电流，从而抑制住流出充电装置的干扰电流。

为了进一步提高该滤波器20的滤波效果，本申请的一种实施例中，如图1所示，上述滤波单元有三个，分别为第一滤波单元21、第二滤波单元22以及第三滤波单元23，上述第三滤波单元23、上述第二滤波单元22以及上述第一滤波单元21沿远离上述充电设备10的方向依次串联，且上述第一滤波单元21的滤波频段、上述第二滤波单元22的滤波频段以及上述第三滤波单元23的滤波频段对应的频率依次升高。这样该滤波器20可以对三个不同频段的电磁干扰进行滤除，进一步减少该充电装置对外界的电磁干扰，且滤除频率最大的第三滤波单元23距离电磁干扰源(充电设备10)的距离最小，能够有效地滤除高频的电磁干扰，这样可以进一步保证该滤波器20具有较好的滤波效果。

当然，本申请中的滤波器20中的滤波单元的数量并不限于上述的三个，还可以为大于或者等于两个的任意数量，本领域技术人员可以根据实际情况选择任何合适数量的滤波单元。

本申请中的一种具体的实施例中，上述电源设备具有第一输出端31和第二输出端32，上述充电设备10具有第一输入端11和第二输入端12，上述第一输入端11和上述第一输出端31 之间连接有第一线路，上述第二输入端12和上述第二输出端32之间连接有第二线路，上述滤波器20的各上述滤波单元的部分结构设置在上述第一线路和上述第二线路上。这样的滤波器20的结构比较简单。

本申请的第一滤波单元21、第二滤波单元22以及第三滤波单元23的具体结构可以根据实际情况来设计，具体地，本领域技术人员可以根据充电设备10产生的电磁干扰的频段来设计各个滤波单元的结构，只要能够滤除对应频段的电磁干扰的结构均可以。

本申请的一种具体的实施例中，如图1所示，上述第一滤波单元21包括第一共模电感、第一差模电容和第一共模电容。

具体地，上述第一滤波单元21还包括地线，上述第一共模电感包括第一电感L₁和第二电感L₂，上述第一差模电容有两个，分别为第一个第一差模电容C_d1和第二个第一差模电容C_d2，上述第一共模电容有四个，分别为第一个第一共模电容C_c1，第二个第一共模电容C_c2、第三个第一共模电容C_c3以及第四个第一共模电容C_c4，其中：

上述第一电感L₁设置在上述第一线路上，上述第二电感L₂设置在上述第二线路上，

两个上述第一差模电容中的一个连接在第一连接点和第二连接点之间，另一个连接在第三连接点和第四连接点之间，上述第一连接点为上述第一线路上的位于上述第一电感L₁和上述第一输出端31之间的部分，上述第二连接点为上述第二线路上的位于上述第二电感L₂和上述第二输出端32之间的部分，上述第三连接点为上述第一线路上的位于上述第一电感L₁和上述第一输入端11之间的部分，上述第四连接点为上述二线路上的位于上述第二电感L₂和上述第二输入端12之间的部分，

上述第一个第一共模电容C_c1连接在第五连接点和地线之间，上述第五连接点位于上述第一输出端31和上述第一连接点之间的上述第一线路上，上述第二个第一共模电容C_c2连接在上述第二连接点和上述地线之间，上述第三个第一共模电容C_c3连接在第六连接点和上述地线之间，上述第六连接点位于上述第一输入端11和上述第三连接点之间的上述第一线路上，上述第四个第一共模电容C_c4连接在第七连接点和上述地线之间，上述第七连接点为上述第二线路上的位于上述第四连接点和上述第二输入端12之间的部分。

上述的第一滤波单元21中，第一共模电感的漏感产生第一差模电感，第一差模电感(即共模电感的漏感)与第一差模电容共同组成多π型级联滤波结构，幅频特性在大于转折频率的部分，以-60dB/dec的速度衰减，对衰减频段的内的差模干扰具有极强的抑制效果。第一共模电感以及四个第一共模电容(C_c1-C_c4)，针对前级的低频干扰源激发的共模干扰进行抑制。

本申请的另一种实施例中，上述第二滤波单元22包括第二共模电感、第二差模电容和第二共模电容。

具体地，上述第二滤波单元22还包括地线，上述第二共模电感包括第三电感L₃和第四电感L₄，上述第二差模电容有两个，分别为第一个第二差模电容C_d3和第二个第二差模电容C_d4，上述第二共模电容有四个，分别为第一个第二共模电容C_c5，第二个第二共模电容C_c6、第三个第二共模电容C_c7以及第四个第二共模电容C_c8，其中：

上述第三电感L₃设置在上述第一线路上，上述第四电感L₄设置在上述第二线路上，

两个上述第二差模电容中的一个连接在第八连接点和第九连接点之间，另一个连接在第十连接点和第十一连接点之间，上述第八连接点为上述第一线路上的位于上述第一电容和上述第一输出端31之间的部分，上述第九连接点为上述二线路上的位于上述第二电容和上述第二输出端32之间的部分，上述第十连接点为上述第一线路上的位于上述第一电容和上述第一输入端11之间的部分，上述第十一连接点为上述二线路上的位于上述第二电容和上述第二输入端12之间的部分，

上述第一个第二共模电容C_c5连接在第十二连接点和地线之间，上述第十二连接点位于上述第一输出端31和上述第八连接点之间的上述第一线路上，上述第二个第二共模电容C_c6连接在上述第九连接点和上述地线之间，上述第三个第二共模电容C_c7连接在第十三连接点和上述地线之间，上述第十三连接点位于上述第一输入端11和上述第十连接点之间的上述第一线路上，上述第四个第二共模电容C_c8连接在第十四连接点和上述地线之间，上述第十四连接点为上述第二线路上的位于上述第十一连接点和上述第二输入端12之间的部分。

上述的第二滤波单元22中，第二共模电感的漏感产生第二差模电感，第二差模电感(即共模电感的漏感)与第二差模电容共同组成多π型级联滤波结构，幅频特性在大于转折频率的部分，以-60dB/dec的速度衰减，对衰减频段的内的差模干扰具有极强的抑制效果。一个第二共模电感以及四个第二共模电容(C_c5-C_c8)，针对前后级干扰源交互影响所激发的共模干扰进行抑制。

本申请的再一种实施例中，如图1所示，上述第三滤波单元23包括第三共模电感、第三差模电容和第三共模电容。

上述第三滤波单元23还包括地线，上述第三共模电感包括第五电感L₅和第六电感L₆，上述第三差模电容有两个，分别为第一个第三差模电容C_d5和第二个第三差模电容C_d6，上述第三共模电容有四个，分别为第一个第三共模电容C_c9，第二个第三共模电容C_c10、第三个第三共模电容C_c11以及第四个第三共模电容C_c12，其中：

上述第五电感L₅设置在上述第一线路上，上述第六电感L₆设置在上述第二线路上，

两个上述第三差模电容中的一个连接在第十五连接点和第十六连接点之间，另一个连接在第十七连接点和第十八连接点之间，上述第十五连接点为上述第一线路上的位于上述第一电容和上述第一输出端31之间的部分，上述第十六连接点为上述二线路上的位于上述第二电容和上述第二输出端32之间的部分，上述第十七连接点为上述第一线路上的位于上述第一电容和上述第一输入端11之间的部分，上述第十八连接点为上述二线路上的位于上述第二电容和上述第二输入端12之间的部分，

上述第一个第三共模电容C_c9连接在第十九连接点和地线之间，上述第十九连接点位于上述第一输出端31和上述第十五连接点之间的上述第一线路上，上述第二个第三共模电容C_c10连接在上述第十六连接点和上述地线之间，上述第三个第三共模电容C_c11连接在第二十连接点和上述地线之间，上述第二十连接点位于上述第一输入端11和上述第十七连接点之间的上述第一线路上，上述第四个第三共模电容C_c12连接在第二十一连接点和上述地线之间，上述第二十一连接点为上述第二线路上的位于上述第十八连接点和上述第二输入端12之间的部分。

上述的第三滤波单元23中，第三共模电感的漏感产生第三差模电感，第三差模电感(即共模电感的漏感)与第三差模电容共同组成多π型级联滤波结构，幅频特性在大于转折频率的部分，以-60dB/dec的速度衰减，对衰减频段的内的差模干扰具有极强的抑制效果。第三共模电感以及四个第三共模电容(C_c9-C_c12)，针对后级的高频干扰源激发的共模干扰进行抑制。

需要说明的是，在实用应用过程中，本申请中的各滤波单元的结构并不限于上述的结构，还可以根据传导干扰测试的频谱分布情况，灵活调整相应参数以及结构，避免复杂参数以及结构计算，节省时间成本。

一种具体的实施例中，上述第一滤波单元21的滤波频段在150K～1MHz之间，上述第二滤波单元22的滤波频段在1M～10MHz之间，上述第三滤波单元23的滤波频段在10MHz～30MHz之间。这样该滤波器20可以对碳化硅充电设备10产生的电磁干扰进行有效地抑制。

需要说明的是，图1中的充电设备中包括两部分，与第三滤波单元距离较近的为前级干扰源，与第三滤波单元距离相对较远的为后级干扰源。并且，图1中的PE均为地线。

为了使得本领域技术人员能够更加清楚地了解本申请的技术方案，以下将结合具体的实施例来说明。

实施例

该充电装置由充电设备10、滤波器20以及电源设备组成，各个设备中的结构具体如图1 所示，充电设备为碳化硅充电模组，并且，该滤波器20中除了图中的结构，没有其他的结构了。

对该充电装置的电磁兼容能力进行测试，测试结果如图2所示，从该图可以看出，该充电装置的电磁兼容能力达到了虚线对应的标准。

从以上的描述中，可以看出，本申请上述的实施例实现了如下技术效果：

本申请的包括碳化硅充电模组的充电装置的滤波器中包括至少两个滤波单元，且不同的滤波单元的滤波频段不同，这样该滤波器可以至少滤除两个不同频段的电磁干扰，从而使得该滤波器的滤波效果较好，进而保证了该充电装置的滤波效果较好，从而减少充电装置其对外界的电磁干扰。

以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims

1.一种包括碳化硅充电模组的充电装置，其特征在于，包括依次连接的充电设备、滤波器以及电源设备，其中，所述滤波器包括至少两个级联的滤波单元，任意两个所述滤波单元的滤波频段不同，所述充电设备为碳化硅充电模组。

2.根据权利要求1所述的充电装置，其特征在于，所述滤波单元有三个，分别为第一滤波单元、第二滤波单元以及第三滤波单元，所述第三滤波单元、所述第二滤波单元以及所述第一滤波单元沿远离所述充电设备的方向依次串联，且所述第一滤波单元的滤波频段、所述第二滤波单元的滤波频段以及所述第三滤波单元的滤波频段不同且依次升高。

3.根据权利要求2所述的充电装置，其特征在于，所述电源设备具有第一输出端和第二输出端，所述充电设备具有第一输入端和第二输入端，所述第一输入端和所述第一输出端之间连接有第一线路，所述第二输入端和所述第二输出端之间连接有第二线路，所述滤波器的各所述滤波单元的部分结构设置在所述第一线路和所述第二线路上。

4.根据权利要求3所述的充电装置，其特征在于，所述第一滤波单元包括第一共模电感、第一差模电容和第一共模电容。

5.根据权利要求4所述的充电装置，其特征在于，所述第一滤波单元还包括地线，所述第一共模电感包括第一电感和第二电感，所述第一差模电容有两个，所述第一共模电容有四个，分别为第一个第一共模电容，第二个第一共模电容、第三个第一共模电容以及第四个第一共模电容，其中，

所述第一电感设置在所述第一线路上，所述第二电感设置在所述第二线路上，

两个所述第一差模电容中的一个连接在第一连接点和第二连接点之间，另一个连接在第三连接点和第四连接点之间，所述第一连接点为所述第一线路上的位于所述第一电感和所述第一输出端之间的部分，所述第二连接点为所述二线路上的位于所述第二电感和所述第二输出端之间的部分，所述第三连接点为所述第一线路上的位于所述第一电感和所述第一输入端之间的部分，所述第四连接点为所述二线路上的位于所述第二电感和所述第二输入端之间的部分，

所述第一个第一共模电容连接在第五连接点和地线之间，所述第五连接点位于所述第一输出端和所述第一连接点之间的所述第一线路上，所述第二个第一共模电容连接在所述第二连接点和所述地线之间，所述第三个第一共模电容连接在第六连接点和所述地线之间，所述第六连接点位于所述第一输入端和所述第三连接点之间的所述第一线路上，所述第四个第一共模电容连接在第七连接点和所述地线之间，所述第七连接点为所述第二线路上的位于所述第四连接点和所述第二输入端之间的部分。

6.根据权利要求5所述的充电装置，其特征在于，所述第二滤波单元包括第二共模电感、第二差模电容和第二共模电容。

7.根据权利要求6所述的充电装置，其特征在于，所述第二滤波单元还包括地线，所述第二共模电感包括第三电感和第四电感，所述第二差模电容有两个，所述第二共模电容有四个，分别为第一个第二共模电容，第二个第二共模电容、第三个第二共模电容以及第四个第二共模电容，其中，

所述第三电感设置在所述第一线路上，所述第四电感设置在所述第二线路上，

两个所述第二差模电容中的一个连接在第八连接点和第九连接点之间，另一个连接在第十连接点和第十一连接点之间，所述第八连接点为所述第一线路上的位于所述第一电容和所述第一输出端之间的部分，所述第九连接点为所述二线路上的位于所述第二电容和所述第二输出端之间的部分，所述第十连接点为所述第一线路上的位于所述第一电容和所述第一输入端之间的部分，所述第十一连接点为所述二线路上的位于所述第二电容和所述第二输入端之间的部分，

所述第一个第二共模电容连接在第十二连接点和地线之间，所述第十二连接点位于所述第一输出端和所述第八连接点之间的所述第一线路上，所述第二个第二共模电容连接在所述第九连接点和所述地线之间，所述第三个第二共模电容连接在第十三连接点和所述地线之间，所述第十三连接点位于所述第一输入端和所述第十连接点之间的所述第一线路上，所述第四个第二共模电容连接在第十四连接点和所述地线之间，所述第十四连接点为所述第二线路上的位于所述第十一连接点和所述第二输入端之间的部分。

8.根据权利要求7所述的充电装置，其特征在于，所述第三滤波单元包括第三共模电感、第三差模电容和第三共模电容。

9.根据权利要求8所述的充电装置，其特征在于，所述第三滤波单元还包括地线，所述第三共模电感包括第五电感和第六电感，所述第三差模电容有两个，所述第三共模电容有四个，分别为第一个第三共模电容，第二个第三共模电容、第三个第三共模电容以及第四个第三共模电容，其中，

所述第五电感设置在所述第一线路上，所述第六电感设置在所述第二线路上，

两个所述第三差模电容中的一个连接在第十五连接点和第十六连接点之间，另一个连接在第十七连接点和第十八连接点之间，所述第十五连接点为所述第一线路上的位于所述第一电容和所述第一输出端之间的部分，所述第十六连接点为所述二线路上的位于所述第二电容和所述第二输出端之间的部分，所述第十七连接点为所述第一线路上的位于所述第一电容和所述第一输入端之间的部分，所述第十八连接点为所述二线路上的位于所述第二电容和所述第二输入端之间的部分，

所述第一个第三共模电容连接在第十九连接点和地线之间，所述第十九连接点位于所述第一输出端和所述第十五连接点之间的所述第一线路上，所述第二个第三共模电容连接在所述第十六连接点和所述地线之间，所述第三个第三共模电容连接在第二十连接点和所述地线之间，所述第二十连接点位于所述第一输入端和所述第十七连接点之间的所述第一线路上，所述第四个第三共模电容连接在第二十一连接点和所述地线之间，所述第二十一连接点为所述第二线路上的位于所述第十八连接点和所述第二输入端之间的部分。

10.根据权利要求2至9中任一项所述的充电装置，其特征在于，所述第一滤波单元的滤波频段在150K～1MHz之间，所述第二滤波单元的滤波频段在1M～10MHz之间，所述第三滤波单元的滤波频段在10MHz～30MHz之间。