CN211455695U - 一种多主栅晶硅电池的背面主栅结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种多主栅晶硅电池的背面主栅结构，包括数条平行排布的背面主栅线，每条背面主栅线为一段或者由多段主栅线段组成，每条背面主栅线或者每段主栅线段的两端部侧边分别自其两端朝向中间凹陷，形成缺口。本发明背面主栅线或主栅线段的端部侧边内凹，一方面，内凹侧边的两端边缘可以和主栅两端的铝背场接触，增加接触面积，减少接触电阻，增加背面主栅电极的导电效果，另一方面，内凹侧边中间内凹，增加银电极和铝背场之间的漏硅空间，为焊接焊带提供足够的空间来缓冲银电极和铝背场之间的高度差，有利于焊接，避免出现虚焊现象。本实用新型在不增加成本的基础上，提升了电池的输出功率，增加了电池的可靠性。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种多主栅晶硅电池的背面主栅结构。
背景技术
太阳能光伏发电作为一种清洁高效的能源利用方式，得到了全世界的普遍关注，是国家重点发展的战略新兴技术产业。光伏电池由于要在室外经历长达几十年的风吹雨淋，经受自然界严苛条件的考验且能够持续发电，因此，光伏组件的可靠性是光伏组件产品最重要的质量指标。
为了提高光伏组件的可靠性，组件内电池的均匀一致性、焊接的可靠性都是重要的影响因素。因此在组成的组件中，EL图像需保持均匀一致，不能有明暗相间的情况，焊接也要牢固可靠，不能出现虚焊漏焊等情况。一般的多主栅电池的主栅数量为三根以上且三十根以下，主栅分成一段或者若干段。银背极主栅和铝背场之间靠银硅之间的重叠实现导电。在制备电池时，为了解决电池暗影的问题，背电极和铝背场之间的接触电阻越小越好，即银背电极和铝背场接触面积越大越好，但是，铝背场的高度高于银电极的高度，在实际焊接过程中，由于高度差的存在，焊带往往被架空而形成虚焊，所以，在主栅两头焊带经过的部分和铝背场之间需预留出一部分漏硅的空间，来减缓铝背场和银电极之间的高度差，从而避免焊带架空，规避虚焊现象。如果预留的漏硅空间太小，不能有效地缓冲铝背场和银电极之间的高度差以避免出现虚焊现象，如果预留的漏硅空间太大，则银铝接触面太小，影响电流的导通，会形成EL暗影。
因此，一方面为了导电的均匀性，铝背场和银电极要尽可能多的接触，而另一方面，为了避免虚焊，在焊带经过的地方需留出足够多的空间，这就成为了一对矛盾问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种增加导电效果、有利于焊接、提升电池的输出功率、提高电池可靠性的多主栅晶硅电池的背面主栅结构。
本实用新型的目的通过以下的技术措施来实现：一种多主栅晶硅电池的背面主栅结构，包括数条平行排布的背面主栅线，每条背面主栅线为一段或者由多段主栅线段组成，其特征在于：每条背面主栅线或者每段主栅线段的两端部侧边分别自其两端朝向中间凹陷，形成缺口。
本发明背面主栅线或主栅线段的端部侧边内凹，一方面，内凹侧边的两端边缘可以和主栅两端的铝背场接触，增加接触面积，减少接触电阻，增加背面主栅电极的导电效果，另一方面，内凹侧边中间内凹，增加银电极和铝背场之间的漏硅空间，为焊接焊带提供足够的空间来缓冲银电极和铝背场之间的高度差，有利于焊接，避免出现虚焊现象。本实用新型在不增加成本的基础上，提升了电池的输出功率，增加了电池的可靠性。
作为本实用新型的一种实施方式，所述缺口为圆弧形，圆弧形缺口两端边缘可以和主栅线两端的铝背场充分接触，同时，主栅线两端和铝背场之间留有足够的漏硅空间以避免出现虚焊现象。
作为本实用新型的另一种实施方式，所述缺口为三角形，三角形缺口的两条边和主栅线两端的铝背场能够充分接触，同时，三角形缺口的顶点和铝背场之间留有足够的漏硅空间以避免出现虚焊现象。优选的，所述缺口为等腰三角形。
作为本实用新型的再一种实施方式，所述缺口为梯形，梯形缺口的两条边和主栅线两端的铝背场能够充分接触，同时，梯形缺口的顶边和铝背场之间留有足够的漏硅空间以避免出现虚焊现象。优选的，所述缺口为等腰梯形。
与现有技术相比，本实用新型具有以下显著的优点：
本发明背面主栅线或主栅线段的端部侧边内凹，一方面，内凹侧边的两端边缘可以和主栅两端的铝背场接触，增加接触面积，减少接触电阻，增加背面主栅电极的导电效果，另一方面，内凹侧边中间内凹，增加银电极和铝背场之间的漏硅空间，为焊接焊带提供足够的空间来缓冲银电极和铝背场之间的高度差，有利于焊接，避免出现虚焊现象。本实用新型在不增加成本的基础上，提升了电池的输出功率，增加了电池的可靠性。
附图说明
以下结合附图对本实用新型作进一步的详细说明。
图1是本实用新型实施例1的结构示意图；
图2是本实用新型实施例1主栅线段的结构示意图；
图3是本实用新型实施例2主栅线段的结构示意图；
图4是本实用新型实施例3主栅线段的结构示意图。
具体实施方式
实施例1
如图1和2所示，是本实用新型一种多主栅晶硅电池3的背面主栅结构，包括数条平行排布的背面主栅线，每条背面主栅线为一段或者由多段主栅线段组成，在本实施例中，每条背面主栅线由多段主栅线段1组成，每段主栅线段1的两端部侧边分别自其两端朝向中间凹陷，形成缺口2。
本实施例中，缺口2为圆弧形，圆弧形缺口两端边缘可以和主栅线两端的铝背场充分接触，增加接触面积，减少接触电阻，同时，主栅线段中间内凹成圆弧形，银电极和铝背场之间留有足够的漏硅空间，可以避免出现虚焊现象。
实施例2
如图3所示，本实施例与实施例1的不同之处在于：缺口2为等腰三角形，等腰三角形缺口的两条边和主栅线两端的铝背场能够充分接触，同时，三角形缺口的顶点和铝背场之间留有足够的漏硅空间以避免出现虚焊现象。
实施例3
如图4所示，本实施例与实施例1的不同之处在于：缺口2为等腰梯形，梯形缺口的两条边和主栅线两端的铝背场能够充分接触，同时，梯形缺口的顶边和铝背场之间留有足够的漏硅空间以避免出现虚焊现象。
在其它实施例中，每条背面主栅线可以为一段，每条背面主栅线的两端部侧边分别自其两端朝向中间凹陷，形成缺口。
本实用新型的实施方式不限于此，根据本实用新型的上述内容，按照本领域的普通技术知识和惯用手段，在不脱离本实用新型上述基本技术思想前提下，本实用新型的背面主栅线两端的缺口还可以为其它形状，具有其它实施方式；因此本实用新型还可以做出其它多种形式的修改、替换或变更，均落在本实用新型权利保护范围之内。
Claims (6)
1.一种多主栅晶硅电池的背面主栅结构，包括数条平行排布的背面主栅线，每条背面主栅线为一段或者由多段主栅线段组成，其特征在于：每条背面主栅线或者每段主栅线段的两端部侧边分别自其两端朝向中间凹陷，形成缺口。
2.根据权利要求1所述的多主栅晶硅电池的背面主栅结构，其特征在于：所述缺口为圆弧形。
3.根据权利要求1所述的多主栅晶硅电池的背面主栅结构，其特征在于：所述缺口为三角形。
4.根据权利要求3所述的多主栅晶硅电池的背面主栅结构，其特征在于：所述缺口为等腰三角形。
5.根据权利要求1所述的多主栅晶硅电池的背面主栅结构，其特征在于：所述缺口为梯形。
6.根据权利要求5所述的多主栅晶硅电池的背面主栅结构，其特征在于：所述缺口为等腰梯形。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN201922396107.3U CN211455695U (zh) | 2019-12-27 | 2019-12-27 | 一种多主栅晶硅电池的背面主栅结构 |
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Publications (1)
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| CN211455695U true CN211455695U (zh) | 2020-09-08 |
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ID=72301137
Family Applications (1)
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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2019
- 2019-12-27 CN CN201922396107.3U patent/CN211455695U/zh active Active
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