CN211404498U - 一种晶圆级lga芯片 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种晶圆级LGA芯片，包括晶圆块、电容下极板和第一隔离介质层，所述晶圆块表面刻制电容下极板，电容下极板表面设置第一隔离介质层，第一隔离介质层上刻制有电容上极板，电容上极板上设有第二隔离介质层，第二隔离介质层上刻制有焊盘开窗，本实用新型提出的新型晶圆级LGA芯片，可进一步减小芯片尺寸，实现小型化，提高芯片集成度。同时传统器件封装成本占比高，采用新型晶圆级LGA封装可进一步缩减封装成本，并缩短加工周期。

Description

一种晶圆级LGA芯片

技术领域

本实用新型涉及电子技术领域，具体是一种晶圆级LGA芯片。

背景技术

现有技术射频芯片采用wirebond、flipchip、WLCSP、CopperPillar封装方式进行信号引出及应用，这些封装方式不仅包含各种复杂的工艺流程，而且加工周期长，加工成本高。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶圆级LGA芯片，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种晶圆级LGA芯片，包括晶圆块、电容下极板和第一隔离介质层，所述晶圆块表面刻制电容下极板，电容下极板表面设置第一隔离介质层，第一隔离介质层上刻制有电容上极板，电容上极板上设有第二隔离介质层，第二隔离介质层上刻制有焊盘开窗。

作为本实用新型的进一步技术方案：所述焊盘开窗的外部设有镀层。

作为本实用新型的进一步技术方案：所述镀层为金属镀层、抗氧化镀层或可焊性镀层。

作为本实用新型的进一步技术方案：设置第二隔离介质层的方式是通过化学气相沉积方式，形成致密的保护层。

作为本实用新型的进一步技术方案：所述焊盘开窗7的开窗具体是利用光刻工艺转移焊盘图形到第二隔离介质层6表面，通孔刻蚀工艺刻蚀处进行开窗。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型提出的新型晶圆级LGA芯片，可进一步减小芯片尺寸，实现小型化，提高芯片集成度。同时传统器件封装成本占比高，采用新型晶圆级LGA封装可进一步缩减封装成本，并缩短加工周期。

附图说明

图1是晶圆块和电容下极板的结构示意图；

图2是第一隔离介质层的结构示意图。

图3是增加第一通孔的结构示意图。

图4是增加电容上极板的结构示意图。

图5是增加第二隔离介质层的结构示意图。

图6是增加焊盘开窗的结构示意图。

图7是镀层的结构示意图。

图中：1-晶圆块、2-电容下极板、3-第一隔离介质层、4-第一通孔、5-电容上极板、6-第二隔离介质层、7-焊盘开窗、8-镀层。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例1：请参阅图1-7，如图1和图2所示，在晶圆块1表面刻制电容下极板2，并在电容下极板2表面设置第一隔离介质层。其中包括了晶圆块1、电容下极板2和第一隔离介质层3，在本实用新型实例中，晶圆可以是高阻硅、砷化镓或玻璃。

本实用新型实施例中刻制电容下极板的方法可以采用光刻、溅射工艺，光刻工艺是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂(又名光刻胶)将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。

本实用新型实施例中设置第一隔离介质层的方式可以是通过化学气相沉淀的方式，在电容下极板表面生成介质层。化学气相沉积技术是应用气态物质在固体上产生化学反应和传输反应等并产生固态沉积物的一种工艺，它大致包含三步：(1)形成挥发性物质；(2)把上述物质转移至沉积区域；(3)在固体上产生化学反应并产生固态物质。

如图3和4所示，在第一隔离介质层上刻制第一通孔，第一通孔连通至电容下极板，并在第一隔离介质层上刻制电容上极板。其中包括了第一通孔4和电容上极板5。

其中第一通孔的刻制具体可以是利用光刻工艺转移通孔图形到所述第一硅隔离介质层表面，通过刻蚀工艺刻蚀出第一通孔。电容上极板金属层为满足LGA表贴要求，需达到一定厚度，设计方式采用光刻，金属种子层沉积，电镀工艺完成。

如图5，在电容上极板上设置第二隔离介质层6，并在第二隔离介质层上刻制焊盘开窗7。

如图6，在焊盘开窗处进行金属特殊加工处理8，提高焊盘可靠性，抗氧化性，以及可焊性处理。其中包含设置金属镀层、抗氧化镀层、可焊性镀层。

完成上述工艺的晶圆，进行减薄、切割后，完成所有流程，LGA芯片完成。

实施例2：在实施例1的基础上，本实用新型实施例中设置第二隔离介质层的方式是通过化学气相沉积方式，形成致密的保护层。

其中焊盘处介质的开窗具体是利用光刻工艺转移焊盘图形到第二隔离介质层表面，通孔刻蚀工艺刻蚀处焊盘开窗。

对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (5)

1.一种晶圆级LGA芯片，包括晶圆块、电容下极板(2)和第一隔离介质层(3)，其特征在于，所述晶圆块(1)表面刻制电容下极板(2)，电容下极板(2)表面设置第一隔离介质层(3)，第一隔离介质层(3)上刻制有电容上极板(5)，电容上极板(5)上设有第二隔离介质层(6)，第二隔离介质层(6)上刻制有焊盘开窗(7)。

2.根据权利要求1所述的一种晶圆级LGA芯片，其特征在于，所述焊盘开窗(7)的外部设有镀层(8)。

3.根据权利要求2所述的一种晶圆级LGA芯片，其特征在于，所述镀层(8)为金属镀层、抗氧化镀层或可焊性镀层。

4.根据权利要求1所述的一种晶圆级LGA芯片，其特征在于，设置第二隔离介质层(6)的方式是通过化学气相沉积方式，形成致密的保护层。

5.根据权利要求1所述的一种晶圆级LGA芯片，其特征在于，所述焊盘开窗(7)的开窗具体是利用光刻工艺转移焊盘图形到第二隔离介质层(6)表面，通孔刻蚀工艺刻蚀处进行开窗。

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