CN211265679U - 介质滤波器和无线电收发设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供的介质滤波器，包括至少两个介质谐振器，该介质谐振器包括由陶瓷材料制成的介质谐振器本体和位于介质谐振器本体表面的调试孔，通过在其中一个介质谐振器本体的上表面开设向下倾斜延伸直至贯穿另一个介质谐振器本体的下表面的负耦合孔，使负耦合孔的上孔口全部位于其中一个介质谐振器本体的上表面，并使负耦合孔的下孔口全部位于另一个介质谐振器本体的下表面，使得负耦合孔连接这两个介质谐振器，能够通过负耦合孔实现这两个介质谐振器之间的电容耦合，省略了隔断环，结构更加简单，加工工序更少，无需精准控制孔深，性能更加稳定，结构强度更高；本实用新型还提供一种包括上述介质滤波器的无线电收发设备。

Description

介质滤波器和无线电收发设备

技术领域

本申请涉及通信技术领域，具体涉及介质滤波器和无线电收发设备。

背景技术

随着5G基站Massive MIMO架构的推广，介质滤波器凭借小体积、高性能、高可靠性、低成本、易于大批量生产等特性，取代了传统的大体积腔体滤波器成为了5G基站的首选滤波器方案。同时由于频谱资源的紧缺，使得滤波器的带外抑制要求越来越高。而介质滤波器由于其内部被介质材料填充，无法加工类似于传统腔体滤波器所采用的飞杆来实现负耦合，给滤波器设计特别是零点设计带来了不利影响。

当前，市场上出现了一些介质滤波器负耦合的设计加工方法，如国际专利申请WO2018148905 A1就公开了一种通过在介质块上设置负耦合孔和导电隔断层实现谐振腔之间电容耦合的介质滤波器，但该专利加工工艺复杂，需采用表面印刷或激光蚀刻等工艺额外设置导电隔断层，又如中国实用新型专利CN104604022B就公开了一种通过在由固态介电材料制成的本体上打盲孔的方式实现盲孔两侧谐振器之间电容耦合的介质滤波器，但该盲孔需要精准控制孔深，使得介质滤波器的性能不稳定，调试量大；此外，这种盲孔负耦合需要设计得很深，其底部厚度很小，减小了滤波器整体的结构强度。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种结构简单、性能稳定的介质滤波器，及包括该介质滤波器的无线电收发设备。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是，一种介质滤波器，包括至少两个介质谐振器，分别为第一介质谐振器和第二介质谐振器，所述介质谐振器包括由陶瓷材料制成的介质谐振器本体和位于所述介质谐振器本体表面的调试孔，所述调试孔为盲孔，所述调试孔用于调试其所在的介质谐振器的谐振频率，所述第一介质谐振器的调试孔位于所述第一介质谐振器本体的上表面，所述第二介质谐振器的调试孔位于所述第二介质谐振器本体的上表面或下表面；所有所述介质谐振器本体构成所述介质滤波器本体，所述介质滤波器还包括：

负耦合孔，所述负耦合孔为直孔，所述负耦合孔开设于所述第一介质谐振器的上表面并向下倾斜地延伸直至贯穿所述第二介质谐振器的下表面，使所述负耦合孔的上孔口全部位于所述第一介质谐振器本体的上表面，并使所述负耦合孔的下孔口全部位于所述第二介质谐振器本体的下表面，所述负耦合孔连接所述第一介质谐振器和所述第二介质谐振器，所述负耦合孔用于实现所述第一介质谐振器和所述第二介质谐振器之间的电容耦合；

覆盖所述介质滤波器本体表面、所述调试孔内壁表面和所述负耦合孔内壁表面的导电层。

优选地，所述负耦合孔上孔口的孔口部与所述第一介质谐振器的调试孔的孔口部相贯通连接，使所述负耦合孔的内腔与所述第一介质谐振器的调试孔的内腔相连通。

优选地，所述第二介质谐振器的调试孔位于所述第二介质谐振器本体的下表面，所述负耦合孔下孔口的孔口部与所述第二介质谐振器的调试孔的孔口部相贯通连接，使所述负耦合孔的内腔与所述第二介质谐振器的调试孔的内腔相连通。

优选地，所述负耦合孔的轴心线位于所述第一介质谐振器调试孔的轴心线和所述第二介质谐振器调试孔的轴心线形成的虚拟平面上。

优选地，所述负耦合孔的横截面为圆形、椭圆形或多边形中的任意一种。

优选地，所述介质滤波器还包括耦合槽，所述耦合槽开设于所述介质滤波器本体的上表面并向下延伸贯穿所述介质滤波器本体的下表面，所述耦合槽在所述介质滤波器本体的上表面和下表面均具有开口，所述耦合槽还在所述介质滤波器本体的前表面或后表面具有开口，所述耦合槽位于所述第一介质谐振器本体和所述第二介质谐振器本体的连接位置，所述耦合槽的内壁表面覆盖有所述导电层，所述耦合槽和所述负耦合孔共同作用实现所述第一介质谐振器和所述第二介质谐振器之间的电容耦合。

进一步优选地，所述耦合槽有两个，这两个耦合槽对称分布于所述第一介质谐振器调试孔的轴心线和所述第二介质谐振器调试孔的轴心线形成的虚拟平面的两侧。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是，一种介质滤波器，包括至少两个介质谐振器，分别为第一介质谐振器和第二介质谐振器，所述介质谐振器包括由陶瓷材料制成的介质谐振器本体和位于所述介质谐振器本体表面的调试孔，所述调试孔为盲孔，所述调试孔用于调试其所在的介质谐振器的谐振频率，所述第一介质谐振器的调试孔位于所述第一介质谐振器本体的上表面，所述第二介质谐振器的调试孔位于所述第二介质谐振器本体的下表面；所有所述介质谐振器本体构成所述介质滤波器本体，所述介质滤波器还包括：

负耦合孔，所述负耦合孔为直孔，所述负耦合孔开设于所述第二介质谐振器的上表面并向下倾斜地延伸直至贯穿所述第一介质谐振器的下表面，使所述负耦合孔的上孔口全部位于所述第二介质谐振器本体的上表面，并使所述负耦合孔的下孔口全部位于所述第一介质谐振器本体的下表面，所述负耦合孔连接所述第一介质谐振器和所述第二介质谐振器，所述负耦合孔用于实现所述第一介质谐振器和所述第二介质谐振器之间的电容耦合；

覆盖所述介质滤波器本体表面、所述调试孔内壁表面和所述负耦合孔内壁表面的导电层。

优选地，所述负耦合孔的轴心线位于所述第一介质谐振器调试孔的轴心线和所述第二介质谐振器调试孔的轴心线形成的虚拟平面上。

优选地，所述负耦合孔的轴心线的延长线与所述第一介质谐振器调试孔轴心线的延长线或所述第二介质谐振器调试孔轴心线的延长线相交。

优选地，所述负耦合孔的横截面为圆形、椭圆形或多边形中的任意一种。

优选地，所述介质滤波器还包括耦合槽，所述耦合槽开设于所述介质滤波器本体的上表面并向下延伸贯穿所述介质滤波器本体的下表面，所述耦合槽在所述介质滤波器本体的上表面和下表面均具有开口，所述耦合槽还在所述介质滤波器本体的前表面或后表面具有开口，所述耦合槽位于所述第一介质谐振器本体和所述第二介质谐振器本体的连接位置，所述耦合槽的内壁表面覆盖有所述导电层，所述耦合槽和所述负耦合孔共同作用实现所述第一介质谐振器和所述第二介质谐振器之间的电容耦合。

进一步优选地，所述耦合槽有两个，这两个耦合槽对称分布于所述第一介质谐振器调试孔的轴心线和所述第二介质谐振器调试孔的轴心线形成的虚拟平面的两侧。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是，一种无线电收发设备，包括上述任意一项所述的介质滤波器。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

本实用新型提供的介质滤波器，包括至少两个介质谐振器，该介质谐振器包括由陶瓷材料制成的介质谐振器本体和位于介质谐振器本体表面的调试孔，通过在其中一个介质谐振器本体的上表面开设向下倾斜延伸直至贯穿另一个介质谐振器本体的下表面的负耦合孔，使负耦合孔的上孔口全部位于其中一个介质谐振器本体的上表面，并使负耦合孔的下孔口全部位于另一个介质谐振器本体的下表面，使得负耦合孔连接这两个介质谐振器，能够通过负耦合孔实现这两个介质谐振器之间的电容耦合，省略了隔断环，结构更加简单，加工工序更少，无需精准控制孔深，性能更加稳定，结构强度更高；本实用新型还提供一种包括上述介质滤波器的无线电收发设备。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型中介质滤波器实施例1立体透视示意图。

图2为图1的俯视示意图。

图3为图2中A-A方向的剖视图。

图4为本实用新型中介质滤波器实施例2立体透视示意图。

图5为本实用新型中介质滤波器实施例3立体透视示意图。

图6为本实用新型中介质滤波器实施例4立体透视示意图。

图7为本实用新型中介质滤波器实施例5立体透视示意图。

图8为本实用新型中介质滤波器实施例6立体透视示意图。

图9为本实用新型中介质滤波器实施例7立体透视示意图。

图10为本实用新型中介质滤波器实施例8立体透视示意图。

图11为本实用新型中介质滤波器实施例9立体透视示意图。

图12为图11的俯视示意图。

图13为图12中B-B方向的剖视图。

图14为本实用新型中介质滤波器实施例10立体透视示意图。

图15为图14的俯视示意图。

图16为图15中C-C方向的剖视图。

图17为本实用新型中介质滤波器实施例11立体透视示意图。

图18为图17的俯视示意图。

图19为图18中D-D方向的剖视图。

图20为本实用新型中介质滤波器实施例12立体透视示意图。

图21为图20的俯视示意图。

图22为图21中E-E方向的剖视图。

图23为本实用新型中介质滤波器实施例1的电气性能图。

其中：100.介质滤波器；101.介质滤波器本体；200.第一介质谐振器；201.第一介质谐振器本体；202.第一调试孔；2021.第一调试孔孔口部；300.第二介质谐振器；301.第二介质谐振器本体；302.第二调试孔；3021.第二调试孔孔口部；400.负耦合孔；401.上孔口部；402.下孔口部；500.导电层; 601.第一耦合槽；602.第二耦合槽。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行详细的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图1所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

实施例1

如图1-3所示，本实用新型提供的介质滤波器100，包括第一介质谐振器200和第二介质谐振器300，第一介质谐振器200和第二介质谐振器300结构相邻地设置，第一介质谐振器200包括由陶瓷材料制成的第一介质谐振器本体201和位于第一介质谐振器本体201上表面的第一调试孔202，第一调试孔202为盲孔，第一调试孔202用于调试第一介质谐振器200的谐振频率；第二介质谐振器300包括由陶瓷材料制成的第二介质谐振器本体301和位于第二介质谐振器本体301下表面的第二调试孔302，第二调试孔302为盲孔，第二调试孔302用于调试第二介质谐振器300的谐振频率；第一介质谐振器本体201和第二介质谐振器本体301共同构成介质滤波器本体101。

第一调试孔202和第二调试孔302位于第一介质谐振器200和第二介质谐振器300分界面的两侧，且这两个调试孔距该分界面之间的距离相等。

介质滤波器100还包括负耦合孔400，负耦合孔400为直孔，负耦合孔400开设于第一介质谐振器本体201的上表面并向下倾斜地延伸直至贯穿第二介质谐振器本体301的下表面，使负耦合孔400的上孔口全部位于第一介质谐振器本体201的上表面，并使负耦合孔400的下孔口全部位于第二介质谐振器本体301的下表面；负耦合孔400具有位于第一介质谐振器201上表面的上孔口部401和位于第二介质谐振器301下表面的下孔口部402，负耦合孔400的横截面为圆形，负耦合孔400连接第一介质谐振器200和第二介质谐振器300，负耦合孔400用于实现第一介质谐振器200和第二介质谐振器300之间的电容耦合。

介质滤波器100还包括覆盖在介质滤波器本体101的表面、第一调试孔202的内壁表面、第二调试孔302的内壁表面和负耦合孔400的内壁表面的导电层500，导电层500的材质为银。

第一调试孔202的轴心线平行于第二调试孔302的轴心线，第一调试孔202的轴心线和第二调试孔302的轴心线形成一个虚拟的平面，负耦合孔400的轴心线位于该平面上，负耦合孔400的轴心线的延长线与第一调试孔202/第二调试孔302的轴心线的延长线相交。

如图23所示，介质滤波器100通过负耦合孔400在介质滤波器100通带B的低频段产生传输零点A；通过调整负耦合孔400的轴心线与介质滤波器本体101下表面之间的夹角和负耦合孔400的横截面积来调节传输零点A的强度；负耦合孔400的轴心线与介质滤波器本体101下表面之间的夹角越小，传输零点A越强；负耦合孔400的横截面积越大，传输零点A越强。

实施例2

如图4所示，实施例2与实施例1基本相同，不同之处在于实施例2中的负耦合孔400的横截面为矩形。

实施例3

如图5所示，实施例3与实施例1基本相同，不同之处在于实施例3中的负耦合孔400的上孔口部401与第一介质谐振器200上的第一调试孔202的孔口部2021相贯通连接，使负耦合孔400的内腔与第一调试孔202的内腔相连通，负耦合孔400的下孔口部402与第二介质谐振器300上的第二调试孔302的孔口部3021相连接，使负耦合孔400的内腔与第二调试孔302的内腔相连通。

实施例4

如图6所示，实施例4与实施例3基本相同，不同之处在于，实施例4中的负耦合孔400的横截面为矩形。

实施例5

如图7所示，实施例5与实施例1基本相同，不同之处在于，实施例5中的第二介质谐振器300上的第二调试孔302位于第二介质谐振器301的上表面。

实施例6

如图8所示，实施例6与实施例5基本相同，不同之处在于，实施例6中的负耦合孔400的横截面为矩形。

实施例7

如图9所示，实施例7与实施例5基本相同，不同之处在于，实施例7中的负耦合孔400的上孔口部401与第一介质谐振器200上的第一调试孔202的孔口部2021相连接，使负耦合孔400的内腔与第一调试孔202的内腔相连通。

实施例8

如图10所示，实施例8与实施例7基本相同，不同之处在于，实施例8中的负耦合孔400的横截面为矩形。

实施例9

如图11-13所示，实施例9与实施例5基本相同，不同之处有两点，第一点不同之处在于，实施例9中的第二介质谐振器300上的第二调试孔302位于第二介质谐振器301的上表面。

第二点不同之处在于，实施例9中的介质滤波器100还包括第一耦合槽601和第二耦合槽602，第一耦合槽601开设于介质滤波器本体101的上表面并向下垂直延伸贯穿介质滤波器本体101的下表面，第一耦合槽601在介质滤波器本体101的上表面和下表面均具有开口，第一耦合槽601还在介质滤波器本体101的后表面具有开口，第一耦合槽601位于第一介质谐振器本体201和第二介质谐振器本体202的连接位置，第一耦合槽601的内壁表面覆盖有导电层500；第二耦合槽602开设于介质滤波器本体101的上表面并向下垂直延伸贯穿介质滤波器本体101的下表面，第二耦合槽602在介质滤波器本体101的上表面和下表面均具有开口，第二耦合槽602还在介质滤波器本体101的前表面具有开口，第二耦合槽602位于第一介质谐振器本体201和第二介质谐振器本体202的连接位置，第二耦合槽602的内壁表面覆盖有导电层500；第一耦合槽601和第二耦合槽602对称分布于第一调试孔202的轴心线和第二调试孔302的轴心线形成的虚拟平面的两侧。

实施例9的电气性能与实施例1的电气性能基本相同，不同之处在于，实施例9中通过第一耦合槽601、第二耦合槽602和负耦合孔400的共同作用实现第一介质谐振器200和第二介质谐振器300之间的电容耦合，其中，负耦合孔400用于对所述电容耦合进行主调节，第一耦合槽601和第二耦合槽602用于对所述电容耦合进行细微调节，负耦合孔400的调节方式和实施例1完全相同，第一耦合槽601和第二耦合槽602的调节方式为，第一耦合槽601和第二耦合槽602在前后方向上的槽深越深，传输零点A越强。

实施例10

如图14-16所示，实施例10与实施例1基本相同，不同之处有两点，第一点不同之处在于，实施例10中的负耦合孔400的上孔口部401与第一介质谐振器200上的第一调试孔202的孔口部2021相贯通连接，使负耦合孔400的内腔与第一调试孔202的内腔相连通，负耦合孔400的下孔口部402与第二介质谐振器300上的第二调试孔302的孔口部3021相连接，使负耦合孔400的内腔与第二调试孔302的内腔相连通。

第二点不同之处在于，实施例10中的介质滤波器100还包括第一耦合槽601和第二耦合槽602，第一耦合槽601开设于介质滤波器本体101的上表面并向下垂直延伸贯穿介质滤波器本体101的下表面，第一耦合槽601在介质滤波器本体101的上表面和下表面均具有开口，第一耦合槽601还在介质滤波器本体101的后表面具有开口，第一耦合槽601位于第一介质谐振器本体201和第二介质谐振器本体202的连接位置，第一耦合槽601的内壁表面覆盖有导电层500；第二耦合槽602开设于介质滤波器本体101的上表面并向下垂直延伸贯穿介质滤波器本体101的下表面，第二耦合槽602在介质滤波器本体101的上表面和下表面均具有开口，第二耦合槽602还在介质滤波器本体101的前表面具有开口，第二耦合槽602位于第一介质谐振器本体201和第二介质谐振器本体202的连接位置，第二耦合槽602的内壁表面覆盖有导电层500；第一耦合槽601和第二耦合槽602对称分布于第一调试孔202的轴心线和第二调试孔302的轴心线形成的虚拟平面的两侧。

实施例10的电气性能与实施例1的电气性能基本相同，不同之处在于，实施例10中通过第一耦合槽601、第二耦合槽602和负耦合孔400共同作用实现第一介质谐振器200和第二介质谐振器300之间的电容耦合，其中，负耦合孔400用于对所述电容耦合进行主调节，第一耦合槽601和第二耦合槽602用于对所述电容耦合进行细微调节，负耦合孔400的调节方式和实施例1完全相同，第一耦合槽601和第二耦合槽602的调节方式为，第一耦合槽601和第二耦合槽602在前后方向上的槽深越深，传输零点A越强。

实施例11

如图17-19所示，实施例11与实施例1基本相同，不同之处有三点，第一点不同之处在于，实施例11中的负耦合孔400开设于第二介质谐振器本体301的上表面并向下倾斜地延伸直至贯穿第一介质谐振器本体201的下表面，使负耦合孔400的上孔口全部位于第二介质谐振器本体301的上表面，并使负耦合孔400的下孔口全部位于第一介质谐振器本体201的下表面；负耦合孔400具有位于第二介质谐振器301上表面的上孔口部401和位于第一介质谐振器201下表面的下孔口部402。

第二点不同之处在于，实施例11中负耦合孔400的横截面为长方形。

第三点不同之处在于，实施例11中的介质滤波器100还包括第一耦合槽601和第二耦合槽602，第一耦合槽601开设于介质滤波器本体101的上表面并向下垂直延伸贯穿介质滤波器本体101的下表面，第一耦合槽601在介质滤波器本体101的上表面和下表面均具有开口，第一耦合槽601还在介质滤波器本体101的后表面具有开口，第一耦合槽601位于第一介质谐振器本体201和第二介质谐振器本体202的连接位置，第一耦合槽601的内壁表面覆盖有导电层500；第二耦合槽602开设于介质滤波器本体101的上表面并向下垂直延伸贯穿介质滤波器本体101的下表面，第二耦合槽602在介质滤波器本体101的上表面和下表面均具有开口，第二耦合槽602还在介质滤波器本体101的前表面具有开口，第二耦合槽602位于第一介质谐振器本体201和第二介质谐振器本体202的连接位置，第二耦合槽602的内壁表面覆盖有导电层500；第一耦合槽601和第二耦合槽602对称分布于第一调试孔202的轴心线和第二调试孔302的轴心线形成的虚拟平面的两侧。

实施例11的电气性能与实施例1的电气性能基本相同，不同之处在于，实施例11中通过第一耦合槽601、第二耦合槽602和负耦合孔400共同作用实现第一介质谐振器200和第二介质谐振器300之间的电容耦合，其中，负耦合孔400用于对所述电容耦合进行主调节，第一耦合槽601和第二耦合槽602用于对所述电容耦合进行细微调节，负耦合孔400的调节方式和实施例1完全相同，第一耦合槽601和第二耦合槽602的调节方式为，第一耦合槽601和第二耦合槽602在前后方向上的槽深越深，传输零点A越强。

实施例12

如图20-22所示，实施例12与实施例11基本相同，不同之处在于，实施例12中负耦合孔400的横截面为圆形。

本实用新型提供的介质滤波器，包括至少两个介质谐振器，该介质谐振器包括由陶瓷材料制成的介质谐振器本体和位于介质谐振器本体表面的调试孔，通过在其中一个介质谐振器本体的上表面开设向下倾斜延伸直至贯穿另一个介质谐振器本体的下表面的负耦合孔，使负耦合孔的上孔口全部位于其中一个介质谐振器本体的上表面，并使负耦合孔的下孔口全部位于另一个介质谐振器本体的下表面，使得负耦合孔连接这两个介质谐振器，能够通过负耦合孔实现这两个介质谐振器之间的电容耦合，省略了隔断环，结构更加简单，加工工序更少，无需精准控制孔深，性能更加稳定, 结构强度更高。

本实用新型还提供一种收发设备，该收发设备包括上述实施例中任意一种介质滤波器，该收发设备中的介质滤波器可以用于对射频信号进行滤波。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上所述仅是本申请的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (13)

1.一种介质滤波器，其特征在于，包括至少两个介质谐振器，分别为第一介质谐振器和第二介质谐振器，所述介质谐振器包括由陶瓷材料制成的介质谐振器本体和位于所述介质谐振器本体表面的调试孔，所述调试孔为盲孔，所述调试孔用于调试其所在的介质谐振器的谐振频率，所述第一介质谐振器的调试孔位于所述第一介质谐振器本体的上表面，所述第二介质谐振器的调试孔位于所述第二介质谐振器本体的上表面或下表面；所有所述介质谐振器本体构成所述介质滤波器本体，所述介质滤波器还包括：

负耦合孔，所述负耦合孔为直孔，所述负耦合孔开设于所述第一介质谐振器的上表面并向下倾斜地延伸直至贯穿所述第二介质谐振器的下表面，使所述负耦合孔的上孔口全部位于所述第一介质谐振器本体的上表面，并使所述负耦合孔的下孔口全部位于所述第二介质谐振器本体的下表面，所述负耦合孔连接所述第一介质谐振器和所述第二介质谐振器，所述负耦合孔用于实现所述第一介质谐振器和所述第二介质谐振器之间的电容耦合；

覆盖所述介质滤波器本体表面、所述调试孔内壁表面和所述负耦合孔内壁表面的导电层。

2.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述负耦合孔上孔口的孔口部与所述第一介质谐振器的调试孔的孔口部相贯通连接，使所述负耦合孔的内腔与所述第一介质谐振器的调试孔的内腔相连通。

3.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述第二介质谐振器的调试孔位于所述第二介质谐振器本体的下表面，所述负耦合孔下孔口的孔口部与所述第二介质谐振器的调试孔的孔口部相贯通连接，使所述负耦合孔的内腔与所述第二介质谐振器的调试孔的内腔相连通。

4.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述负耦合孔的轴心线位于所述第一介质谐振器调试孔的轴心线和所述第二介质谐振器调试孔的轴心线形成的虚拟平面上。

5.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述负耦合孔的横截面为圆形、椭圆形或多边形中的任意一种。

6.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述介质滤波器还包括耦合槽，所述耦合槽开设于所述介质滤波器本体的上表面并向下延伸贯穿所述介质滤波器本体的下表面，所述耦合槽在所述介质滤波器本体的上表面和下表面均具有开口，所述耦合槽还在所述介质滤波器本体的前表面或后表面具有开口，所述耦合槽位于所述第一介质谐振器本体和所述第二介质谐振器本体的连接位置，所述耦合槽的内壁表面覆盖有所述导电层，所述耦合槽和所述负耦合孔共同作用实现所述第一介质谐振器和所述第二介质谐振器之间的电容耦合。

7.根据权利要求6所述的介质滤波器，其特征在于，所述耦合槽有两个，这两个耦合槽对称分布于所述第一介质谐振器调试孔的轴心线和所述第二介质谐振器调试孔的轴心线形成的虚拟平面的两侧。

8.一种介质滤波器，其特征在于，包括至少两个介质谐振器，分别为第一介质谐振器和第二介质谐振器，所述介质谐振器包括由陶瓷材料制成的介质谐振器本体和位于所述介质谐振器本体表面的调试孔，所述调试孔为盲孔，所述调试孔用于调试其所在的介质谐振器的谐振频率，所述第一介质谐振器的调试孔位于所述第一介质谐振器本体的上表面，所述第二介质谐振器的调试孔位于所述第二介质谐振器本体的下表面；所有所述介质谐振器本体构成所述介质滤波器本体，所述介质滤波器还包括：

负耦合孔，所述负耦合孔为直孔，所述负耦合孔开设于所述第二介质谐振器的上表面并向下倾斜地延伸直至贯穿所述第一介质谐振器的下表面，使所述负耦合孔的上孔口全部位于所述第二介质谐振器本体的上表面，并使所述负耦合孔的下孔口全部位于所述第一介质谐振器本体的下表面，所述负耦合孔连接所述第一介质谐振器和所述第二介质谐振器，所述负耦合孔用于实现所述第一介质谐振器和所述第二介质谐振器之间的电容耦合；

覆盖所述介质滤波器本体表面、所述调试孔内壁表面和所述负耦合孔内壁表面的导电层。

9.根据权利要求8所述的介质滤波器，其特征在于，所述负耦合孔的轴心线位于所述第一介质谐振器调试孔的轴心线和所述第二介质谐振器调试孔的轴心线形成的虚拟平面上。

10.根据权利要求8所述的介质滤波器，其特征在于，所述负耦合孔的横截面为圆形、椭圆形或多边形中的任意一种。

11.根据权利要求8所述的介质滤波器，其特征在于，所述介质滤波器还包括耦合槽，所述耦合槽开设于所述介质滤波器本体的上表面并向下延伸贯穿所述介质滤波器本体的下表面，所述耦合槽在所述介质滤波器本体的上表面和下表面均具有开口，所述耦合槽还在所述介质滤波器本体的前表面或后表面具有开口，所述耦合槽位于所述第一介质谐振器本体和所述第二介质谐振器本体的连接位置，所述耦合槽的内壁表面覆盖有所述导电层，所述耦合槽和所述负耦合孔共同作用实现所述第一介质谐振器和所述第二介质谐振器之间的电容耦合。

12.根据权利要求11所述的介质滤波器，其特征在于，所述耦合槽有两个，这两个耦合槽对称分布于所述第一介质谐振器调试孔的轴心线和所述第二介质谐振器调试孔的轴心线形成的虚拟平面的两侧。

13.一种无线电收发设备，其特征在于，包括根据权利要求1至12中任意一项所述的介质滤波器。

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