CN211125648U - 一种应用于逆变焊机的大功率集成器件 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种应用于逆变焊机的大功率集成器件，涉及逆变焊机技术领域，包括：基板，基板上设有：第一陶瓷覆铜板，焊接有若干整流二极管；第二陶瓷覆铜板，焊接有一第一绝缘栅双极型晶体管和一第二绝缘栅双极型晶体管；第三陶瓷覆铜板，焊接有一第三绝缘栅双极型晶体管和一第四双极型晶体管；第四陶瓷覆铜板，焊接有若干整流快恢复二极管；若干功率端子，分别设置于第一陶瓷覆铜板、第二陶瓷覆铜板、第三陶瓷覆铜板和第四陶瓷覆铜板上；若干信号端子，分别设置于第二陶瓷覆铜板和第三陶瓷覆铜板上；外壳，盖合于基板上，且外壳上设有供各功率端子和各信号端子伸出的孔洞。集成度高，体积小，成本低，且具有更高的可靠性和生产便捷性。

Description

一种应用于逆变焊机的大功率集成器件

技术领域

本实用新型涉及逆变焊机技术领域，尤其涉及一种应用于逆变焊机的大功率集成器件。

背景技术

逆变焊机是现代工业的基础设备，应用行业非常广泛。我国逆变焊机的研究开发起步于20世纪70年代末期，于20世纪80年代开始发展，经反复改进和完善，积累了大量产品研发与生产经验，对决定着逆变焊机可靠性的关键因素主电路和产品整体设计逐步趋于合理，技术趋于成熟，实现了产品参数较优匹配，基本解决了逆变焊机可靠性问题。逆变焊割设备生产成本及售价均有所下降，性价比优势显现，呈现出快速发展趋势，其应用范围越来越广，比重越来越高。

当前，15～100kHz的逆变焊割技术已经成熟，产品的质量较高，已形成系列化产品。未来逆变焊割设备的总体发展趋势是向着自动化、高效率、智能化、模块化、轻量化发展，并以提高性能、可靠性及拓宽用途为核心，广泛应用于各种焊接、切割等工艺中。

目前市面上的逆变焊机功率器件分散使用，包括整流桥模块、ITBT模块、快恢复二极管模块，随着电力电子技术的发展，行业对模块的可靠性的要求越来越高，器件集成度越来越高，迫切需要一款集成度更高，更稳定的模块产品。

实用新型内容

针对现有技术中存在的问题，本实用新型提供一种应用于逆变焊机的大功率集成器件，具体包括：

基板，所述基板上设有：

第一陶瓷覆铜板，焊接于所述基板上，且所述第一陶瓷覆铜板上焊接有若干整流二极管；

第二陶瓷覆铜板，焊接于所述基板上，所述第二陶瓷覆铜板位于所述第一陶瓷覆铜板的右侧，并焊接有一第一绝缘栅双极型晶体管，以及位于所述第一绝缘栅双极型晶体管右侧的一第二绝缘栅双极型晶体管；

所述第一绝缘栅双极型晶体管具有一第一快恢复二极管，且所述第一快恢复二极管设置于所述第一陶瓷覆铜板的靠近所述第二陶瓷覆铜板的一侧；

所述第二绝缘栅双极型晶体管具有一第二快恢复二极管，且所述第二快恢复二极管设置于所述第二陶瓷覆铜板的远离所述第一陶瓷覆铜板的一侧；

第三陶瓷覆铜板，焊接于所述基板上，所述第三陶瓷覆铜板位于所述第二陶瓷覆铜板的下方，并焊接有一第三绝缘栅双极型晶体管，以及位于所述第三绝缘栅双极型晶体管右侧的一第四双极型晶体管；

所述第三绝缘栅双极型晶体管具有一第三快恢复二极管，且所述第三快恢复二极管设置于所述第一陶瓷覆铜板的靠近所述第三陶瓷覆铜板的一侧；

所述第四绝缘栅双极型晶体管具有一第四快恢复二极管，且所述第四快恢复二极管设置于所述第三陶瓷覆铜板的远离所述第一陶瓷覆铜板的一侧；

第四陶瓷覆铜板，焊接于所述基板上，所述第四陶瓷覆铜板位于所述第二陶瓷覆铜板和所述第三陶瓷覆铜板的右侧，并焊接有若干整流快恢复二极管；

若干功率端子，分别设置于所述第一陶瓷覆铜板、所述第二陶瓷覆铜板、所述第三陶瓷覆铜板和所述第四陶瓷覆铜板上；

若干信号端子，分别设置于所述第二陶瓷覆铜板和所述第三陶瓷覆铜板上；

外壳，盖合于所述基板上，且所述外壳上设有供各所述功率端子和各所述信号端子伸出的孔洞。

优选的，所述功率端子具体包括：

电源输入端子，设置于所述第一陶瓷覆铜板上且位于各所述整流二极管的左侧，所述大功率集成器件通过所述电源输入端子外接一三相交流电源；

第一输出端子，设置于所述第一陶瓷覆铜板上且位于所述电源输入端子的右上方，以作为所述第一陶瓷覆铜板的输出端；

第二输出端子，设置于所述第一陶瓷覆铜板上且位于所述电源输入端子的右下方，以作为所述第一陶瓷覆铜板的输出端；

第一输入端子，设置于所述第一陶瓷覆铜板上且位于所述第一输出端子的右侧，以作为所述第二陶瓷覆铜板的输入端；

第二输入端子，设置于所述第一陶瓷覆铜板上且位于所述第二输出端子的右侧，以作为所述第二陶瓷覆铜板的输入端；

第三输出端子，设置于所述第三陶瓷覆铜板上且位于所述第三绝缘栅双极型晶体管的左下方，以作为所述第二陶瓷覆铜板和所述第三陶瓷覆铜板的输出端；

第四输出端子，设置于所述第三陶瓷覆铜板上且位于所述第三输出端子的右侧，以作为所述第二陶瓷覆铜板和所述第三陶瓷覆铜板的输出端；

若干第三输入端子，分别设置于所述第二陶瓷覆铜板和所述第四陶瓷覆铜板上，且位于所述第二绝缘栅双极型晶体管的右上方，以及各所述整流快恢复二极管的上方；

若干第四输入端子，分别设置于所述第三陶瓷覆铜板和所述第四陶瓷覆铜板上，且位于所述第四绝缘栅双极型晶体管的右下方，以及各所述整流快恢复二极管的下方；

若干第五输出端子，设置于所述第四陶瓷覆铜板上且位于各所述整流快恢复二极管的右侧，以作为所述大功率集成器件的输出端。

优选的，所述整流二极管为六个，各所述整流二极管与所述第一陶瓷覆铜板通过铝线键合的方式连接形成三相整流电路，所述整流二极管具体包括：

第一整流二极管，所述第一整流二极管的阴极连接所述第一输出端子，且所述第一整流二极管的阳极通过所述电源输入端子连接所述三相交流电源的R端；

第二整流二极管，所述第二整流二极管的阴极连接所述第一输出端子，且所述第二整流二极管的阳极通过所述电源输入端子连接所述三相交流电源的S端；

第三整流二极管，所述第三整流二极管的阴极连接所述第一输出端子，且所述第三整流二极管的阳极通过所述电源输入端子连接所述三相交流电源的T端；

第四整流二极管，所述第四整流二极管的阴极连接所述三相交流电源的所述R端，所述第四整流二极管的阳极连接所述第二输出端子；

第五整流二极管，所述第五整流二极管的阴极连接所述三相交流电源的所述S端，所述第五整流二极管的阳极连接所述第二输出端子；

第六整流二极管，所述第六整流二极管的阴极连接所述三相交流电源的所述T端，所述第六整流二极管的阳极连接所述第二输出端子。

优选的，所述第一绝缘栅双极型晶体管和所述第二绝缘栅双极型晶体管通过铝线键合的方式与第二陶瓷覆铜板连接，以及所述第三绝缘栅双极型晶体管和所述第四绝缘栅双极型晶体管通过铝线键合的方式与第三陶瓷覆铜板连接形成H桥逆变电路，所述H桥逆变电路具体包括：

所述第一绝缘栅双极型晶体管的集电极分别连接所述第一输入端子和所述第一快恢复二极管的阴极，且所述第一绝缘栅双极型晶体管的发射极分别连接所述第三输出端子和所述第一快恢复二极管的阳极；

所述第二绝缘栅双极型晶体管的集电极分别连接所述第三输出端子和所述第二快恢复二极管的阴极，且所述第二绝缘栅双极型晶体管的发射极分别连接所述第一输入端子和所述第二快恢复二极管的阳极。

所述第三绝缘栅双极型晶体管的集电极分别连接所述第一输入端子和所述第三快恢复二极管的阴极，且所述第三绝缘栅双极型晶体管的发射极分别连接所述第四输出端子和所述第三快恢复二极管的阳极；

所述第四绝缘栅双极型晶体管的集电极分别连接所述第四输出端子和所述第四快恢复二极管的阴极，且所述第四绝缘栅双极型晶体管的发射极分别连接所述第一输入端子和所述第四快恢复二极管的阳极。

优选的，所述整流快恢复二极管为六个，各所述整流快恢复二极管与所述第四陶瓷覆铜板通过铝线键合的方式连接形成低压单相整流电路，所述整流快恢复二极管具体包括：

第五快恢复二极管，所述第五快恢复二极管的阳极连接所述第三输入端子，且所述第五快恢复二极管连接所述第五输出端子；

第六快恢复二极管，所述第六快恢复二极管的阳极连接所述第三输入端子，且所述第六快恢复二极管连接所述第五输出端子；

第七快恢复二极管，所述第七快恢复二极管的阳极连接所述第三输入端子，且所述第七快恢复二极管连接所述第五输出端子；

第八快恢复二极管，所述第八快恢复二极管的阳极连接所述第四输入端子，且所述第八快恢复二极管连接所述第五输出端子；

第九快恢复二极管，所述第九快恢复二极管的阳极连接所述第四输入端子，且所述第九快恢复二极管连接所述第五输出端子；

第十快恢复二极管，所述第十快恢复二极管的阳极连接所述第四输入端子，且所述第十快恢复二极管连接所述第五输出端子。

优选的，所述功率端子包括：

固定部，固定于所述基板上，所述固定部上设有一凸块；

折弯部，铰接于所述固定部并由所述孔洞伸出，且所述折弯部上设有一通孔。

优选的，每个所述功率端子通过一固定螺母连接外部器件，所述外壳的背离所述基板一侧设有放置所述固定螺母的若干第一凹槽，所述第二凹槽的形状与所述固定螺母的形状贴合，且所述功率端子的所述折弯部于与所述固定部的铰接处折弯于所述第一凹槽的上方。

优选的，所述大功率集成器件通过各所述信号端子连接一驱动PCB板，所述驱动PCB板放置于所述外壳的背离所述基板一侧的一第二凹槽内。

优选的，所述第二凹槽的深度为15毫米。

优选的，所述信号端子包括：

第一信号端子，设置于所述第二陶瓷覆铜板上并位于所述第一绝缘栅双极型晶体管的上方，且所述第一信号端子连接所述第一绝缘栅双极型晶体管的栅极；

第二信号端子，设置于所述第二陶瓷覆铜板上并位于所述第一信号端子的右侧，且所述第二信号端子连接所述第一绝缘栅双极型晶体管的发射极；

第三信号端子，设置于所述第二陶瓷覆铜板上并位于所述第二信号端子的右侧，且所述第三信号端子连接所述第二绝缘栅双极型晶体管的栅极；

第四信号端子，设置于所述第二陶瓷覆铜板上并位于所述第三信号端子的右侧，且所述第四信号端子连接所述第二绝缘栅双极型晶体管的发射极；

第五信号端子，设置于所述第三陶瓷覆铜板上并位于第三输出端子的右侧，且所述第五信号端子连接所述第三绝缘栅双极型晶体管的栅极；

第六信号端子，设置于所述第三陶瓷覆铜板上并位于所述第五信号端子的右侧，且所述第六信号端子分别连接所述第三绝缘栅双极型晶体管的发射极以及所述第四绝缘栅双极型晶体管的发射极；

第七信号端子，设置于所述第三陶瓷覆铜板上并位于所述第六信号端子的右侧，且所述第七信号端子连接所述第四绝缘栅双极型晶体管的栅极。

上述技术方案具有如下优点或有益效果：本实用新型的大功率集成器件集成度高，体积小，成本低，且具有更高的可靠性和生产便捷性。

附图说明

图1为本实用新型的较佳的实施例中，一种应用于逆变焊机的大功率集成器件的爆炸图；

图2为本实用新型的较佳的实施例中，一种应用于逆变焊机的大功率集成器件的外部结构示意图；

图3为本实用新型的较佳的实施例中，一种应用于逆变焊机的大功率集成器件的内部结构示意图；

图4为本实用新型的较佳的实施例中，三相整流电路的示意图；

图5为本实用新型的较佳的实施例中，H桥逆变电路的示意图；

图6为本实用新型的较佳的实施例中，低压单相整流电路的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。本实用新型并不限定于该实施方式，只要符合本实用新型的主旨，则其他实施方式也可以属于本实用新型的范畴。

本实用新型的较佳的实施例中，基于现有技术中存在的上述问题，现提供一种应用于逆变焊机的大功率集成器件，如图1所示，具体包括：

基板1，基板1上设有：

第一陶瓷覆铜板11，焊接于基板1上，且第一陶瓷覆铜板11上焊接有若干整流二极管；

第二陶瓷覆铜板12，焊接于基板1上，第二陶瓷覆铜板12位于第一陶瓷覆铜板11的右侧，并焊接有一第一绝缘栅双极型晶体管T1，以及位于第一绝缘栅双极型晶体管T1右侧的一第二绝缘栅双极型晶体管T2；

第一绝缘栅双极型晶体管T1具有一第一快恢复二极管D1，且第一快恢复二极管D1设置于第一陶瓷覆铜板11的靠近第二陶瓷覆铜板12的一侧；

第二绝缘栅双极型晶体管T2具有一第二快恢复二极管D2，且第二快恢复二极管D2设置于第二陶瓷覆铜板12的远离第一陶瓷覆铜板11的一侧；

第三陶瓷覆铜板13，焊接于基板1上，第三陶瓷覆铜板13位于第二陶瓷覆铜板12的下方，并焊接有一第三绝缘栅双极型晶体管T3，以及位于第三绝缘栅双极型晶体管T3右侧的一第四双极型晶体管T4；

第三绝缘栅双极型晶体管T3具有一第三快恢复二极管D3，且第三快恢复二极管D3设置于第一陶瓷覆铜板11的靠近第三陶瓷覆铜板13的一侧；

第四绝缘栅双极型晶体管T4具有一第四快恢复二极管D4，且第四快恢复二极管D4设置于第三陶瓷覆铜板13的远离第一陶瓷覆铜板11的一侧；

第四陶瓷覆铜板14，焊接于基板1上，第四陶瓷覆铜板14位于第二陶瓷覆铜板12和第三陶瓷覆铜板13的右侧，并焊接有若干整流快恢复二极管；

若干功率端子5，分别设置于第一陶瓷覆铜板11、第二陶瓷覆铜板12、第三陶瓷覆铜板13和第四陶瓷覆铜板14上；

若干信号端子6，分别设置于第二陶瓷覆铜板12和第三陶瓷覆铜板13上；

外壳2，盖合于基板1上，且外壳2上设有供各功率端子5和各信号端子6伸出的孔洞21。

具体地，本实施例中，本实用新型的大功率集成器件的基板1优选采用铜底板，该铜底板采用T2紫铜材料，且表面电镀可焊镍，并做弧度预弯处理。进一步地，本实用新型的大功率器件的制作过程如下：

首先在基板1上焊接四块正面蚀刻电路的陶瓷覆铜板，分别为第一陶瓷覆铜板11、第二陶瓷覆铜板12、第三陶瓷覆铜板13和第四陶瓷覆铜板14。在陶瓷覆铜板上通过真空焊接的方式放置六个整流二极管、四个绝缘栅双极型晶体管、四个快恢复二极管以及六个整流快恢复二极管。上述真空焊接工艺有效降低大功率集成器件的热阻，有效提升大功率集成器件的的散热能力。

其中，六个整流二极管放置在第一陶瓷覆铜板11上，且各整流二极管通过铝线键合的方式与第一陶瓷覆铜板11连接，以形成三相整流电路；上述整流二极管表面电镀铝层，以利于和铝丝键合。上述铝丝连接方式优选为超声波键合方式，有效提高功率集成器件的生产效率和产品一致性。上述整流二极管的正面材料为铝，背面材料为银，且其背面与第一陶瓷覆铜板11之间采用真空焊接技术进行连接。

四个绝缘栅双极型晶体管中其中两个放置在第二陶瓷覆铜板12上，另外两个放置在第三陶瓷覆铜板13上。四个快恢复二极管作为四个绝缘栅双极型晶体管的续流二极管，靠近第一陶瓷覆铜板11的两个绝缘栅双极型晶体管的两个快恢复二极管放置在第一陶瓷覆铜板11上，另外两个绝缘栅双极型晶体管的两个快恢复二极管分别与对应的绝缘栅双极型晶体管放置在同一块陶瓷覆铜板上。四个绝缘栅双极型晶体管及其对应的四个快恢复二极管通过铝线键合的方式分别与其放置的陶瓷覆铜板连接，以形成H桥逆变电路；上述四个绝缘栅双极型晶体管及其对应的四个快恢复二极管表面电镀铝层，以利于和铝丝键合。上述铝丝连接方式优选为超声波键合方式，有效提高模块生产效率和产品一致性。上述四个绝缘栅双极型晶体管及其对应的四个快恢复二极管的正面材料为铝，背面材料为银，且其背面与对应的陶瓷覆铜板之间采用真空焊接技术进行连接。

六个整流快恢复二极管放置在第四陶瓷覆铜板14上，且各整流快恢复二极管通过铝线键合的方式与第四陶瓷覆铜板14连接，以形成低压单相整流电路；上述整流快恢复二极管表面电镀铝层，以利于和铝丝键合。上述铝丝连接方式优选为超声波键合方式，有效提高模块生产效率和产品一致性。上述整流快恢复二极管的正面材料为铝，背面材料为银，且其背面与第四陶瓷覆铜板14之间采用真空焊接技术进行连接。

优选的，上述陶瓷覆铜板优选为三层结构，其中，上下两层为纯铜材料，中间为三氧化二铝陶瓷，并在上层的同层上的非焊接和键合区域涂覆阻焊油墨。

上述陶瓷覆铜板上还设有若干功率端子，上述功率端子为金属功率端子，作为功率输入和功率输出进行引出。上述功率端子优选为采用纯铜材料，表面电镀可焊镍，并在焊点上方设计折弯，以缓冲安装应力。

上述陶瓷覆铜板上还设有若干信号端子，上述信号端子优选为金属插针，并采用纯铜材料，表面电镀可焊镍。

其次，在上述焊接完成后，继续安装外壳2，该外壳2上设置有功率端子和信号端子伸出的孔洞21，外壳2安装完成后，功率端子和信号端子由孔洞中21伸出。且该外壳2优选通过密封胶与铜底板封装一体，并填充绝缘硅凝胶。

最后，该外壳2上还设有放置固定螺母3的若干第一凹槽22，外壳安装完成后，将固定螺母3放置在第一凹槽22内，该第一凹槽22的形状与固定螺母3的形状贴合，以防止固定螺母3在第一凹槽22中转动。每个第一凹槽22的一侧均设有供功率端子伸出的孔洞21，固定螺母3放入第一凹槽22后，将对应的功率端子折弯于第一凹槽22的上方，此时，功率端子折弯部的通孔对应于第一凹槽22内的固定螺母3，功率端子连接外部器件时，通过一螺栓穿过外部器件的引脚以及功率端子的通孔并拧紧至固定螺母3。

进一步地，外壳2上还设有放置驱动PCB板的第二凹槽23，信号端子由第二凹槽23底部的孔洞伸出，并连接该驱动PCB板，该第二凹槽23的深度优选为15毫米。

上述外壳2优选为PBT材料制作，在外壳2安装后，采用硅胶进行内部填充，以达到足够的耐压。

本实用新型的较佳的实施例中，功率端子具体包括：

电源输入端子40，设置于第一陶瓷覆铜板11上且位于各整流二极管的左侧，大功率集成器件通过电源输入端子40外接一三相交流电源；

第一输出端子41，设置于第一陶瓷覆铜板11上且位于电源输入端子40的右上方，以作为第一陶瓷覆铜板11的输出端；

第二输出端子42，设置于第一陶瓷覆铜板11上且位于电源输入端子40的右下方，以作为第一陶瓷覆铜板11的输出端；

第一输入端子43，设置于第一陶瓷覆铜板11上且位于第一输出端子41的右侧，以作为第二陶瓷覆铜板12的输入端；

第二输入端子44，设置于第一陶瓷覆铜板11上且位于第二输出端子41的右侧，以作为第二陶瓷覆铜板12的输入端；

第三输出端子45，设置于第三陶瓷覆铜板13上且位于第三绝缘栅双极型晶体管T3的左下方，以作为第二陶瓷覆铜板12和第三陶瓷覆铜板13的输出端；

第四输出端子46，设置于第三陶瓷覆铜板13上且位于第三输出端子45的右侧，以作为第二陶瓷覆铜板12和第三陶瓷覆铜板13的输出端；

若干第三输入端子47，分别设置于第二陶瓷覆铜板12和第四陶瓷覆铜板14上，且位于第二绝缘栅双极型晶体管T2的右上方，以及各整流快恢复二极管的上方；

若干第四输入端子48，分别设置于第三陶瓷覆铜板13和第四陶瓷覆铜板14上，且位于第四绝缘栅双极型晶体管T4的右下方，以及各整流快恢复二极管的下方；

若干第五输出端子49，设置于第四陶瓷覆铜板14上且位于各整流快恢复二极管的右侧，以作为大功率集成器件的输出端。

本实用新型的较佳的实施例中，整流二极管为六个，各整流二极管与第一陶瓷覆铜板11通过铝线键合的方式连接形成三相整流电路，整流二极管具体包括：

第一整流二极管51，第一整流二极管51的阴极连接第一输出端子41，且第一整流二极管51的阳极通过电源输入端子40连接三相交流电源的R端；

第二整流二极管52，第二整流二极管52的阴极连接第一输出端子41，且第二整流二极管52的阳极通过电源输入端子40连接三相交流电源的S端；

第三整流二极管53，第三整流二极管53的阴极连接第一输出端子41，且第三整流二极管53的阳极通过电源输入端子40连接三相交流电源的T端；

第四整流二极管54，第四整流二极管54的阴极连接三相交流电源的R端，第四整流二极管54的阳极连接第二输出端子42；

第五整流二极管55，第五整流二极管55的阴极连接三相交流电源的S端，第五整流二极管55的阳极连接第二输出端子42；

第六整流二极管56，第六整流二极管56的阴极连接三相交流电源的T端，第六整流二极管56的阳极连接第二输出端子42。

本实用新型的较佳的实施例中，第一绝缘栅双极型晶体管T1和第二绝缘栅双极型晶体管T2通过铝线键合的方式与第二陶瓷覆铜板12连接，以及第三绝缘栅双极型晶体管T3和第四绝缘栅双极型晶体管T4通过铝线键合的方式与第三陶瓷覆铜板13连接形成H桥逆变电路，H桥逆变电路具体包括：

第一绝缘栅双极型晶体管T1的集电极分别连接第一输入端子43和第一快恢复二极管D1的阴极，且第一绝缘栅双极型晶体管T1的发射极分别连接第三输出端子45和第一快恢复二极管D1的阳极；

第二绝缘栅双极型晶体管T2的集电极分别连接第三输出端子45和第二快恢复二极管D2的阴极，且第二绝缘栅双极型晶体管T2的发射极分别连接第一输入端子43和第二快恢复二极管D2的阳极。

第三绝缘栅双极型晶体管T3的集电极分别连接第一输入端子43和第三快恢复二极管D3的阴极，且第三绝缘栅双极型晶体管T3的发射极分别连接第四输出端子46和第三快恢复二极管D3的阳极；

第四绝缘栅双极型晶体管T4的集电极分别连接第四输出端子46和第四快恢复二极管D4的阴极，且第四绝缘栅双极型晶体管T4的发射极分别连接第一输入端子43和第四快恢复二极管D4的阳极。

本实用新型的较佳的实施例中，整流快恢复二极管为六个，各整流快恢复二极管与第四陶瓷覆铜板14通过铝线键合的方式连接形成低压单相整流电路，整流快恢复二极管具体包括：

第五快恢复二极管D5，第五快恢复二极管D5的阳极连接第三输入端子47，且第五快恢复二极管D5连接第五输出端子49；

第六快恢复二极管D6，第六快恢复二极管D6的阳极连接第三输入端子47，且第六快恢复二极管D6连接第五输出端子49；

第七快恢复二极管D7，第七快恢复二极管D7的阳极连接第三输入端子47，且第七快恢复二极管D7连接第五输出端子49；

第八快恢复二极管D8，第八快恢复二极管D8的阳极连接第四输入端子48，且第八快恢复二极管D8连接第五输出端子49；

第九快恢复二极管D9，第九快恢复二极管D9的阳极连接第四输入端子48，且第九快恢复二极管D9连接第五输出端子49；

第十快恢复二极管D10，第十快恢复二极管D10的阳极连接第四输入端子48，且第十快恢复二极管D10连接第五输出端子49。

具体地，本实施例中，第三输入端子47优选为三个，分别与第五快恢复二极管D5的阳极、第六快恢复二极管D6的阳极以及第七快恢复二极管D7的阳极连接。

本实施例中，第四输入端子48优选为三个，分别与第八快恢复二极管D8的阳极、第九快恢复二极管D9的阳极以及第十快恢复二极管D10的阳极连接。

上述第五输出端子49优选为三个，以满足大电流输出。

本实用新型的较佳的实施例中，功率端子包括：

固定部400，固定于基板1上，固定部400上设有一凸块401；

折弯部402，铰接于固定部400并由孔洞21伸出，且折弯部402上设有一通孔403。

具体地，本实施例中，外壳2安装完成后，通过凸块401与孔洞的内壁相互卡合，有效预防功率端子脱落。

本实用新型的较佳的实施例中，每个功率端子通过一固定螺母3连接外部器件，外壳2的背离基板1一侧设有放置固定螺母3的若干第一凹槽22，第一凹槽22的形状与固定螺母3的形状贴合，且功率端子的折弯部402于与固定部400的铰接处折弯于第一凹槽22的上方。

本实用新型的较佳的实施例中，大功率集成器件通过各信号端子连接一驱动PCB板，驱动PCB板放置于外壳2的背离基板1一侧的一第二凹槽23内。

本实用新型的较佳的实施例中，第二凹槽23的深度为15毫米。

本实用新型的较佳的实施例中，信号端子包括：

第一信号端子61，设置于第二陶瓷覆铜板12上并位于第一绝缘栅双极型晶体管T1的上方，且第一信号端子61连接第一绝缘栅双极型晶体管T1的栅极；

第二信号端子62，设置于第二陶瓷覆铜板12上并位于第一信号端子61的右侧，且第二信号端子62连接第一绝缘栅双极型晶体管T1的发射极；

第三信号端子63，设置于第二陶瓷覆铜板12上并位于第二信号端子62的右侧，且第三信号端子63连接第二绝缘栅双极型晶体管T2的栅极；

第四信号端子64，设置于第二陶瓷覆铜板12上并位于第三信号端子63的右侧，且第四信号端子64连接第二绝缘栅双极型晶体管T2的发射极；

第五信号端子65，设置于第三陶瓷覆铜板13上并位于第三输出端子45的右侧，且第五信号端子65连接第三绝缘栅双极型晶体管T3的栅极；

第六信号端子66，设置于第三陶瓷覆铜板13上并位于第五信号端子65的右侧，且第六信号端子66分别连接第三绝缘栅双极型晶体管T3的发射极以及第四绝缘栅双极型晶体管T4的发射极；

第七信号端子67，设置于第三陶瓷覆铜板13上并位于第六信号端子66的右侧，且第七信号端子67连接第四绝缘栅双极型晶体管T4的栅极。

具体地，本实施例中，第三陶瓷覆铜板13上还设有两个预留信号端子，设置于第四快恢复二极管D4的右侧，可根据需求在两预留信号端子之间设置温度检测电阻。

以上所述仅为本实用新型较佳的实施例，并非因此限制本实用新型的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本实用新型的保护范围内。

Claims (10)

1.一种应用于逆变焊机的大功率集成器件，其特征在于，具体包括：

基板，所述基板上设有：

第一陶瓷覆铜板，焊接于所述基板上，且所述第一陶瓷覆铜板上焊接有若干整流二极管；

第二陶瓷覆铜板，焊接于所述基板上，所述第二陶瓷覆铜板位于所述第一陶瓷覆铜板的右侧，并焊接有一第一绝缘栅双极型晶体管，以及位于所述第一绝缘栅双极型晶体管右侧的一第二绝缘栅双极型晶体管；

所述第一绝缘栅双极型晶体管具有一第一快恢复二极管，且所述第一快恢复二极管设置于所述第一陶瓷覆铜板的靠近所述第二陶瓷覆铜板的一侧；

所述第二绝缘栅双极型晶体管具有一第二快恢复二极管，且所述第二快恢复二极管设置于所述第二陶瓷覆铜板的远离所述第一陶瓷覆铜板的一侧；

第三陶瓷覆铜板，焊接于所述基板上，所述第三陶瓷覆铜板位于所述第二陶瓷覆铜板的下方，并焊接有一第三绝缘栅双极型晶体管，以及位于所述第三绝缘栅双极型晶体管右侧的一第四绝缘栅双极型晶体管；

所述第三绝缘栅双极型晶体管具有一第三快恢复二极管，且所述第三快恢复二极管设置于所述第一陶瓷覆铜板的靠近所述第三陶瓷覆铜板的一侧；

所述第四绝缘栅双极型晶体管具有一第四快恢复二极管，且所述第四快恢复二极管设置于所述第三陶瓷覆铜板的远离所述第一陶瓷覆铜板的一侧；

第四陶瓷覆铜板，焊接于所述基板上，所述第四陶瓷覆铜板位于所述第二陶瓷覆铜板和所述第三陶瓷覆铜板的右侧，并焊接有若干整流快恢复二极管；

若干功率端子，分别设置于所述第一陶瓷覆铜板、所述第二陶瓷覆铜板、所述第三陶瓷覆铜板和所述第四陶瓷覆铜板上；

若干信号端子，分别设置于所述第二陶瓷覆铜板和所述第三陶瓷覆铜板上；外壳，盖合于所述基板上，且所述外壳上设有供各所述功率端子和各所述信号端子伸出的孔洞。

2.根据权利要求1所述的应用于逆变焊机的大功率集成器件，其特征在于，所述功率端子具体包括：

电源输入端子，设置于所述第一陶瓷覆铜板上且位于各所述整流二极管的左侧，所述大功率集成器件通过所述电源输入端子外接一三相交流电源；

第一输出端子，设置于所述第一陶瓷覆铜板上且位于所述电源输入端子的右上方，以作为所述第一陶瓷覆铜板的输出端；

第二输出端子，设置于所述第一陶瓷覆铜板上且位于所述电源输入端子的右下方，以作为所述第一陶瓷覆铜板的输出端；

第一输入端子，设置于所述第一陶瓷覆铜板上且位于所述第一输出端子的右侧，以作为所述第二陶瓷覆铜板的输入端；

第二输入端子，设置于所述第一陶瓷覆铜板上且位于所述第二输出端子的右侧，以作为所述第二陶瓷覆铜板的输入端；

第三输出端子，设置于所述第三陶瓷覆铜板上且位于所述第三绝缘栅双极型晶体管的左下方，以作为所述第二陶瓷覆铜板和所述第三陶瓷覆铜板的输出端；

第四输出端子，设置于所述第三陶瓷覆铜板上且位于所述第三输出端子的右侧，以作为所述第二陶瓷覆铜板和所述第三陶瓷覆铜板的输出端；

若干第三输入端子，分别设置于所述第二陶瓷覆铜板和所述第四陶瓷覆铜板上，且位于所述第二绝缘栅双极型晶体管的右上方，以及各所述整流快恢复二极管的上方；

若干第四输入端子，分别设置于所述第三陶瓷覆铜板和所述第四陶瓷覆铜板上，且位于所述第四绝缘栅双极型晶体管的右下方，以及各所述整流快恢复二极管的下方；

若干第五输出端子，设置于所述第四陶瓷覆铜板上且位于各所述整流快恢复二极管的右侧，以作为所述大功率集成器件的输出端。

3.根据权利要求2所述的应用于逆变焊机的大功率集成器件，其特征在于，所述整流二极管为六个，各所述整流二极管与所述第一陶瓷覆铜板通过铝线键合的方式连接形成三相整流电路，所述整流二极管具体包括：

第一整流二极管，所述第一整流二极管的阴极连接所述第一输出端子，且所述第一整流二极管的阳极通过所述电源输入端子连接所述三相交流电源的R端；

第二整流二极管，所述第二整流二极管的阴极连接所述第一输出端子，且所述第二整流二极管的阳极通过所述电源输入端子连接所述三相交流电源的S端；

第三整流二极管，所述第三整流二极管的阴极连接所述第一输出端子，且所述第三整流二极管的阳极通过所述电源输入端子连接所述三相交流电源的T端；

第四整流二极管，所述第四整流二极管的阴极连接所述三相交流电源的所述R端，所述第四整流二极管的阳极连接所述第二输出端子；

第五整流二极管，所述第五整流二极管的阴极连接所述三相交流电源的所述S端，所述第五整流二极管的阳极连接所述第二输出端子；

第六整流二极管，所述第六整流二极管的阴极连接所述三相交流电源的所述T端，所述第六整流二极管的阳极连接所述第二输出端子。

4.根据权利要求2所述的应用于逆变焊机的大功率集成器件，其特征在于，所述第一绝缘栅双极型晶体管和所述第二绝缘栅双极型晶体管通过铝线键合的方式与第二陶瓷覆铜板连接，以及所述第三绝缘栅双极型晶体管和所述第四绝缘栅双极型晶体管通过铝线键合的方式与第三陶瓷覆铜板连接形成H桥逆变电路，所述H桥逆变电路具体包括：

所述第一绝缘栅双极型晶体管的集电极分别连接所述第一输入端子和所述第一快恢复二极管的阴极，且所述第一绝缘栅双极型晶体管的发射极分别连接所述第三输出端子和所述第一快恢复二极管的阳极；

所述第二绝缘栅双极型晶体管的集电极分别连接所述第三输出端子和所述第二快恢复二极管的阴极，且所述第二绝缘栅双极型晶体管的发射极分别连接所述第一输入端子和所述第二快恢复二极管的阳极；

所述第三绝缘栅双极型晶体管的集电极分别连接所述第一输入端子和所述第三快恢复二极管的阴极，且所述第三绝缘栅双极型晶体管的发射极分别连接所述第四输出端子和所述第三快恢复二极管的阳极；

所述第四绝缘栅双极型晶体管的集电极分别连接所述第四输出端子和所述第四快恢复二极管的阴极，且所述第四绝缘栅双极型晶体管的发射极分别连接所述第一输入端子和所述第四快恢复二极管的阳极。

5.根据权利要求2所述的应用于逆变焊机的大功率集成器件，其特征在于，所述整流快恢复二极管为六个，各所述整流快恢复二极管与所述第四陶瓷覆铜板通过铝线键合的方式连接形成低压单相整流电路，所述整流快恢复二极管具体包括：

第五快恢复二极管，所述第五快恢复二极管的阳极连接所述第三输入端子，且所述第五快恢复二极管连接所述第五输出端子；

第六快恢复二极管，所述第六快恢复二极管的阳极连接所述第三输入端子，且所述第六快恢复二极管连接所述第五输出端子；

第七快恢复二极管，所述第七快恢复二极管的阳极连接所述第三输入端子，且所述第七快恢复二极管连接所述第五输出端子；

第八快恢复二极管，所述第八快恢复二极管的阳极连接所述第四输入端子，且所述第八快恢复二极管连接所述第五输出端子；

第九快恢复二极管，所述第九快恢复二极管的阳极连接所述第四输入端子，且所述第九快恢复二极管连接所述第五输出端子；

第十快恢复二极管，所述第十快恢复二极管的阳极连接所述第四输入端子，且所述第十快恢复二极管连接所述第五输出端子。

6.根据权利要求1所述的应用于逆变焊机的大功率集成器件，其特征在于，所述功率端子包括：

固定部，固定于所述基板上，所述固定部上设有一凸块；

折弯部，铰接于所述固定部并由所述孔洞伸出，且所述折弯部上设有一通孔。

7.根据权利要求6所述的应用于逆变焊机的大功率集成器件，其特征在于，每个所述功率端子通过一固定螺母连接外部器件，所述外壳的背离所述基板一侧设有放置所述固定螺母的若干第一凹槽，所述第一凹槽的形状与所述固定螺母的形状贴合，且所述功率端子的所述折弯部于与所述固定部的铰接处折弯于所述第一凹槽的上方。

8.根据权利要求1所述的应用于逆变焊机的大功率集成器件，其特征在于，所述大功率集成器件通过各所述信号端子连接一驱动PCB板，所述驱动PCB板放置于所述外壳的背离所述基板一侧的一第二凹槽内。

9.根据权利要求8所述的应用于逆变焊机的大功率集成器件，其特征在于，所述第二凹槽的深度为15毫米。

10.根据权利要求1所述的应用于逆变焊机的大功率集成器件，其特征在于，所述信号端子包括：

第一信号端子，设置于所述第二陶瓷覆铜板上并位于所述第一绝缘栅双极型晶体管的上方，且所述第一信号端子连接所述第一绝缘栅双极型晶体管的栅极；

第二信号端子，设置于所述第二陶瓷覆铜板上并位于所述第一信号端子的右侧，且所述第二信号端子连接所述第一绝缘栅双极型晶体管的发射极；

第三信号端子，设置于所述第二陶瓷覆铜板上并位于所述第二信号端子的右侧，且所述第三信号端子连接所述第二绝缘栅双极型晶体管的栅极；

第四信号端子，设置于所述第二陶瓷覆铜板上并位于所述第三信号端子的右侧，且所述第四信号端子连接所述第二绝缘栅双极型晶体管的发射极；

第五信号端子，设置于所述第三陶瓷覆铜板上并位于第三输出端子的右侧，且所述第五信号端子连接所述第三绝缘栅双极型晶体管的栅极；

第六信号端子，设置于所述第三陶瓷覆铜板上并位于所述第五信号端子的右侧，且所述第六信号端子分别连接所述第三绝缘栅双极型晶体管的发射极以及所述第四绝缘栅双极型晶体管的发射极；

第七信号端子，设置于所述第三陶瓷覆铜板上并位于所述第六信号端子的右侧，且所述第七信号端子连接所述第四绝缘栅双极型晶体管的栅极。

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