CN211125564U - 一种光学镀膜辅助离子源 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种光学镀膜辅助离子源,包括放电室、位于放电室外侧的磁棒及依次安装在放电室正前方的屏极、加速极及中和灯丝,放电室内安装有第一阳极筒和第二阳极筒,放电室进口端内安装有位于第一阳极筒内的阴极,进口端沿周侧设有进气口,第一阳极筒和第二阳极筒之间设有栅极,第一阳极筒和第二阳极筒的内侧表面为凹凸不平的波浪形。本实用新型提供的一种光学镀膜辅助离子源,电子束流状态佳,稳定性好。
Description
技术领域
本实用新型属于离子束技术领域,具体涉及一种光学镀膜辅助离子源。
背景技术
离子束薄膜沉积和离子束材料改性技术是材料科学的一个重要分支,离子束技术的研究和推广取得了巨大的成就。
目前,离子源的种类很多,该装置的基本工作原理为:首先由阴极在离子源内腔产生等离子体,然后由屏栅和加速栅将离子从等离子腔体中抽取出来,这种离子源产生的离子方向性强,离子能量带宽集中,可广泛应用于真空镀膜中。
但是现有离子源的缺点在于:电子束无序乱飞,束流状态差,稳定性差,不易控制;阳极管对电子灰尘的吸附性差。
实用新型内容
针对现有技术存在的不足,本实用新型提供一种光学镀膜辅助离子源,电子束流状态佳,稳定性好。
本实用新型是通过以下技术方案实现的:一种光学镀膜辅助离子源,包括放电室、位于放电室外侧的磁棒及依次安装在放电室正前方的屏极、加速极及中和灯丝,所述放电室内安装有第一阳极筒和第二阳极筒,所述放电室进口端内安装有位于所述第一阳极筒内的阴极,所述进口端沿周侧设有进气口,所述第一阳极筒和第二阳极筒之间设有栅极,所述第一阳极筒和第二阳极筒的内侧表面为凹凸不平的波浪形。
所述栅极采用金属栅网结构。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:采用双阳极筒设计,两根阳极筒间设有栅极,较好的控制电子束的大小,进而使得电子束流状态佳,稳定性好;双阳极筒的内侧表面为凹凸不平的波浪形,增大了对电子灰尘的吸附面积,从而提高了吸附率。
附图说明
图1是原离子源结构示意图;
图2是本实用新型光学镀膜辅助离子源结构示意图。
附图中:1.放电室;2.磁棒;3.屏极;4.加速极;5.中和灯丝;6.第一阳极筒;7.第二阳极筒;8.阴极;9.进气口;10.栅极。
具体实施方式
说明书附图中图1是原离子源结构示意图,它由放电室1和离子引出系统两部分组成。
阴极8位于放电室1中阳极筒内,与阳极筒共同作用,在工作电压下发射电子。
引出系统采用双栅极系统,由一个屏极3与一个加速极4组成,进气口9通入惰性气体,一般采用氩气进入离子源,气体在放电室1中电离形成的离子,由双栅极系统拔出形成离子束。中和灯丝5发射电子对离子束进行中和。磁棒2在此过程中起到控制与筛选等离子体的作用。
说明书附图中图2所示的为本实用新型光学镀膜辅助离子源,包括放电室1、位于放电室1外侧的磁棒2及依次安装在放电室1正前方的屏极3、加速极4及中和灯丝5,放电室内1安装有第一阳极筒6和第二阳极筒7,放电室1进口端内安装有位于第一阳极筒6内的阴极8,进口端沿周侧设有进气口9,第一阳极筒6和第二阳极筒7之间设有栅极10,第一阳极筒6和第二阳极筒7的内侧表面为凹凸不平的波浪形。
栅极10采用金属栅网结构。
工作时,阴极8产生的等离子体,由第一阳极筒6引流至金属栅网结构的栅极10以控制电子束的大小,保证电子束流状态稳定,而后再由第二阳极筒7引流出在屏栅和加速栅的作用下将离子从等离子腔体中抽取出来,该设计提高了电流的稳定性,改变了电子束无序乱飞的束流状态。
第一阳极筒6和第二阳极筒7的内侧表面为凹凸不平的波浪形,增大了对电子灰尘的吸附面积,从而提高了吸附率。
综上所述,仅为本实用新型的较佳实施例而已,并非用来限定本实用新型实施的范围,凡依本实用新型权利要求范围所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰,均应包括于本实用新型的权利要求范围内。
Claims (2)
1.一种光学镀膜辅助离子源,包括放电室(1)、位于放电室(1)外侧的磁棒(2)及依次安装在放电室(1)正前方的屏极(3)、加速极(4)及中和灯丝(5),其特征在于:所述放电室内(1)安装有第一阳极筒(6)和第二阳极筒(7),所述放电室(1)进口端内安装有位于所述第一阳极筒(6)内的阴极(8),所述进口端沿周侧设有进气口(9),所述第一阳极筒(6)和第二阳极筒(7)之间设有栅极(10),所述第一阳极筒(6)和第二阳极筒(7)的内侧表面为凹凸不平的波浪形。
2.根据权利要求1所述的一种光学镀膜辅助离子源,其特征在于:所述栅极(10)采用金属栅网结构。
Priority Applications (1)
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CN201922397576.7U CN211125564U (zh) | 2019-12-26 | 2019-12-26 | 一种光学镀膜辅助离子源 |
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CN201922397576.7U CN211125564U (zh) | 2019-12-26 | 2019-12-26 | 一种光学镀膜辅助离子源 |
Publications (1)
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CN211125564U true CN211125564U (zh) | 2020-07-28 |
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Family Applications (1)
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CN201922397576.7U Active CN211125564U (zh) | 2019-12-26 | 2019-12-26 | 一种光学镀膜辅助离子源 |
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2019
- 2019-12-26 CN CN201922397576.7U patent/CN211125564U/zh active Active
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