CN211088465U

CN211088465U - 一种基于介质集成波导的微波信号垂直互连结构

Info

Publication number: CN211088465U
Application number: CN201922402981.3U
Authority: CN
Inventors: 狄隽; 许兰锋; 王强济; 王志明; 王升旭; 岳超; 贾宁
Original assignee: Aerospace Science And Technology Microsystem Technology Co ltd
Current assignee: Aerospace Science And Technology Microsystem Technology Co ltd
Priority date: 2019-12-27
Filing date: 2019-12-27
Publication date: 2020-07-24
Anticipated expiration: 2029-12-27

Abstract

本实用新型公开了一种基于介质集成波导的微波信号垂直互连结构，属于复杂射频微系统技术领域，解决了现有微带线与SIW的介质厚度一样、插入损耗较大、辐射损耗大的问题。微波信号垂直互连结构包括多层板，多层板包括自上而下层叠布置的8层金属板，L1上设有V18接地屏蔽孔，多个V18接地屏蔽孔形成一个矩形腔体，多层板为左右对称的矩形结构，左侧区域的结构为：L1上设有第一微带线，矩形腔体内的L1上形成第一L1焊盘；第一微带线与第一L1焊盘周围刻蚀形成绝缘的第一区域；矩形腔体内的L4上刻蚀形成第一L4焊盘，L5上刻蚀形成第一L5焊盘；第一L1焊盘上设有V14信号孔，第一L5焊盘上设有V58接地孔。本实用新型可用于实现微波信号垂直互连。

Description

一种基于介质集成波导的微波信号垂直互连结构

技术领域

本实用新型涉及复杂射频微系统技术领域，尤其涉及一种基于介质集成波导的微波信号垂直互连结构。

背景技术

对于复杂射频微系统，往往同时涵盖有源及无源系统，涉及到多种平面电路至非平面电路之间的微波信号转接，比较典型的是微带线至矩形波导的转接，其结构尺寸大，通常需要精密的机械加工与装配，不利于小型化集成生产。介质集成波导(SIW)技术的提出给平面电路转非平面电路提供了一种解决方案。通常，实现微波信号从微带线转接至SIW的方式有直接过渡、渐变线过渡、凹型过渡、凸型过渡，这几种过渡方式均属于单层过渡，即微带线与SIW的介质厚度一样，存在的问题是插入损耗较大，介质厚度小，SIW的导体损耗大，介质厚度大，微带线的辐射损耗大，难以实现一个最优的微带线至SIW转接互连方案。

实用新型内容

鉴于上述的分析，本实用新型旨在提供一种基于介质集成波导的微波信号垂直互连结构，至少能够解决以下技术问题之一：(1)微带线与SIW的介质厚度一样，插入损耗较大；(2)微带线的辐射损耗大；(3)现有系统尺寸大，不利于小型化集成生产。

本实用新型的目的主要是通过以下技术方案实现的：

本实用新型提供了一种基于介质集成波导的微波信号垂直互连结构，微波信号垂直互连结构包括多层板，多层板包括自上而下层叠布置的8层金属板，分别为L1、L2、L3、L4、L5、L6、L7和L8；每相邻两层金属板之间设有绝缘板；L1上设有多个贯穿L1至L8的V18接地屏蔽孔，多个V18接地屏蔽孔围成一个矩形腔体，多层板为左右对称的矩形结构，划分为左侧区域和右侧区域；右侧区域的结构与左侧区域的结构关于矩形结构的两长边的中心连线对称；左侧区域的结构为：L1上设有与矩形腔体的上表面的短边垂直的第一微带线，矩形腔体区域内的L1上刻蚀形成第一L1焊盘；第一微带线与第一L1焊盘周围刻蚀形成绝缘的第一区域；矩形腔体区域内的L4上刻蚀形成第一L4焊盘；矩形腔体区域内的L5上刻蚀形成第一L5焊盘；矩形腔体区域内的L2、L3、L6、L7上的金属均刻蚀掉；第一L1焊盘上设有多个贯穿L1至L4的V14信号孔，第一L5焊盘上设有贯穿L5至L8的V58接地孔。进一步，第一微带线包括标准部、第一匹配线和第二匹配线；第二匹配线与第一L1焊盘连接。

进一步，标准部、第一匹配线和第二匹配线均为长方体，标准部的上表面的宽度W50、第一匹配线的上表面的宽度Wm1和第二匹配线的上表面的宽度Wm2满足如下关系式：Wm2>W50>Wm1。

进一步，W50为0.2-0.33mm；Wm1为0.15-0.2mm；Wm2为0.33-0.4mm。

进一步，V18接地屏蔽孔、V14信号孔和V58接地孔均为金属化孔。

进一步，第一L5焊盘、第一L4焊盘和第一L1焊盘同轴设置；第一L5焊盘的直径dp3、第一L4焊盘的直径dp2和第一L1焊盘的直径dp1满足如下关系：dp2>dp1>dp3。

进一步，第一区域的形状沿着标准部向第一L1焊盘方向分为上部、中部和下部；上部和下部均为长方形，中部为梯形，所述上部的宽度w1小于下部的宽度w5。

进一步，第一L1焊盘的圆心距离矩形腔体的上表面的短边的距离为2.5-3.0mm。

进一步，矩形腔体的上表面的两个长边上的V18接地屏蔽孔均匀分布，矩形腔体的上表面的两个短边上的V18接地屏蔽孔非均匀分布。

进一步，第一区域的下方的L5上设有V58接地孔。

与现有技术相比，本实用新型至少可实现如下有益效果之一：

a)本实用新型提供的基于介质集成波导的微波信号垂直互连结构体积紧凑，易于实现复杂射频微系统高密度布线与集成，且易于集成生产。

b)本实用新型提供的微波信号垂直互连结构通过采用微带至SIW垂直互连背对背结构，即微带——SIW——微带结构，微波信号从第一微带线一端馈入，通过V14信号孔以探针的形式馈入到SIW，V14信号孔两端的焊盘中的第一L1焊盘的一端与L1层的第一微带线相连接，第一L4焊盘在L4层，为了更好的实现阻抗匹配，在靠近L4层的L5层设置第一L5焊盘，第一L5焊盘通过V58接地孔与L8层相连接，实现接地。微波信号经过V14信号孔激发一垂直方向的电流，进入SIW后场分布由垂直方向改为水平方向，分别向两端传播，在第一微带线输入端的那一侧有一排接地屏蔽孔形成短路面，电磁波到达短路面反射后与SIW传播方向的电磁波同相叠加，使得通过SIW的微波能量最大、插入损耗小、驻波小；例如插入损耗1.7～2dB，驻波比1～1.6。

c)本实用新型提供的基于介质集成波导的微波信号垂直互连结构的微带线的介质厚度小、SIW的介质厚度大，所以能够减小辐射损耗与导体损耗，使得插入损耗指标最优。

本实用新型的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分的从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在所写的说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图仅用于示出具体实施例的目的，而并不认为是对本实用新型的限制，在整个附图中，相同的参考符号表示相同的部件。

图1a为本实用新型实施例1的基于介质集成波导的微波信号垂直互连结构三维模型示意图；

图1b为本实用新型实施例1的基于介质集成波导的微波信号垂直互连结构三维模型示意图；

图2为本实用新型实施例1的多层板的叠层示意图；

图3为本实用新型实施例1的基于介质集成波导的微波信号垂直互连结构三维模型的局部示意图；

图4a为本实用新型实施例1的基于介质集成波导的微波信号垂直互连结构的局部俯视图；

图4b为本实用新型实施例1的基于介质集成波导的微波信号垂直互连结构的局部仰视图；

图5为本实用新型实施例1的基于介质集成波导的微波信号垂直互连结构的插损及驻波曲线。

附图标记：

1-第一微带线；101-标准部；102-第一匹配线；103-第二匹配线；2-V14信号孔；3-第一L4焊盘；4-第一L5焊盘；5-V58接地孔；6-V18接地屏蔽孔；7-第一区域；8-V12接地孔；9-第一L1焊盘；10-第二微带线；11-矩形腔体；12-第一芯板、13-第一PP、14-第二芯板、15-第二PP、16-第三芯板、17-第三PP、18-第四芯板。

具体实施方式

下面结合附图来具体描述本实用新型的优选实施例，其中，附图构成本实用新型的一部分，并与本实用新型的实施例一起用于阐释本实用新型的原理。

实施例1

本实施例提供了一种基于介质集成波导的微波信号垂直互连结构，如图1a、1b所示，垂直互连结构包括多层板，多层板包括自上而下层叠布置的8层金属板，分别为L1、L2、L3、L4、L5、L6、L7、L8；每相邻两层金属板之间设有绝缘板(图2所示为多层板的叠层示意图)；L1上设有多个贯穿L1至L8的V18接地屏蔽孔6，多个V18接地屏蔽孔围成一个矩形腔体11，多层板为左右对称的矩形结构，划分为左侧区域和右侧区域；左侧区域的结构如下：L1上表面刻蚀形成与矩形腔体11的上表面的短边垂直的第一微带线1，第一微带线1包括标准部101、第一匹配线102和第二匹配线103；矩形腔体11区域内的L1上刻蚀形成第一L1焊盘9；第二匹配线103与第一L1焊盘9连接；将第一微带线1与第一焊盘12的周围刻蚀掉形成绝缘的第一区域7，第一区域7使得L1上表面的第一微带线1和第一L1焊盘9与L1上表面的其他区域之间绝缘；在矩形腔体11区域内的L4上刻蚀形成第一L4焊盘3，即L4上第一L4焊盘3以外的其他区域被刻蚀掉；矩形腔体11区域内的L5上刻蚀形成第一L5焊盘4，即L5上第一L5焊盘4以外的其他区域被刻蚀掉；矩形腔体11区域内的L2、L3、L6、L7上的金属均被刻蚀掉；右侧区域的结构与左侧区域的结构关于矩形结构的两长边的中心连线对称，矩形腔体11的四个侧面、上表面、下表面以及矩形腔体11内部的多层板共同形成介质集成波导单元(SIW)。下文描述的时候以左侧区域的描述为主。第一微带线、第一焊盘12均为在L1上表面刻蚀形成的，第一微带线1和第一L1焊盘9通过其周围的第一区域7与L1上表面的其他区域之间绝缘，第一L4焊盘为在L4上刻蚀掉其他区域形成的，第一L5焊盘为在L5上刻蚀掉其他区域形成的，且矩形腔体11区域内的L2、L3、L6、L7上的金属均被刻蚀掉，多个V18接地屏蔽孔围成的矩形腔体即形成了微波信号垂直互连结构的SIW结构，与第一微带线1、第二微带线10共同形成了微波信号垂直互连背对背结构，即微带——SIW——微带结构。

需要说明的是，多层板为左右对称的矩形结构，右侧区域相应的设有第二微带线10、第二L1焊盘、绝缘的第二区域、第二L4焊盘、第二L5焊盘；第一L1焊盘9和第二L1焊盘上均设有多个贯穿L1至L4的V14信号孔2，第一L5焊盘4和第二L5焊盘上均设有贯穿L5至L8的V58接地孔5；第一微带线1和第二微带线10的两侧均设有多个贯穿L1至L2的V12接地孔8，V12接地孔8具有电磁场屏蔽作用。

微波信号从第一微带线一端馈入，通过V14信号孔以探针的形式馈入到SIW，V14信号孔两端的焊盘中的第一L1焊盘的一端与L1层的第一微带线相连接，第一L4焊盘在L4层，为了更好的实现阻抗匹配，在靠近L4层的L5层设置第一L5焊盘，第一L5焊盘通过V58接地孔与L8层相连接，实现接地。微波信号经过V14信号孔激发一垂直方向的电流，进入SIW后场分布由垂直方向改为水平方向，分别向两端传播，在第一微带线输入端的那一侧有一排接地屏蔽孔形成短路面，电磁波到达短路面反射后与SIW传播方向的电磁波同相叠加，使得通过SIW的微波能量最大、插入损耗小、驻波小。

具体的，V18接地屏蔽孔6、V14信号孔2、V58接地孔5和V12接地孔8均为金属化孔。

值得注意的是，焊盘的形状均为圆形；第一L5焊盘4、第一L4焊盘3和第一L1焊盘9同轴设置；第一L5焊盘4的直径dp3、第一L4焊盘3的直径dp2和第一L1焊盘9的直径dp1满足如下关系：dp2>dp1>dp3；此处控制dp2>dp1>dp3能够保证阻抗匹配，减小插入损耗，减少能量损耗；例如dp1为1.4mm，dp2为1.7mm，dp3为0.94mm。

值得注意的是，为了减少插入损耗，第一L1焊盘9的圆心距离矩形腔体11的上表面的短边的距离为2.5-3.0mm，优选的，第一L1焊盘9的圆心距离矩形腔体11的上表面的短边的距离为2.75mm。

需要说明的是矩形腔体11的上表面的长边的长度L1为25mm，短边的长度a为7mm。

具体的，标准部101、第一匹配线102和第二匹配线103均为长方体，标准部101的上表面的宽度W50、第一匹配线102的上表面的宽度Wm1和第二匹配线103的上表面的宽度Wm2满足如下关系式：Wm2>W50>Wm1，此处控制Wm2>W50>Wm1能够保证阻抗匹配，减小插入损耗，减少能量损耗。

具体的，W50为0.2-0.33mm；Wm1为0.15-0.2mm；Wm2为0.33-0.4mm；优选的，W50为0.3mm，Wm1为0.18mm，Wm2为0.34mm。

具体的，第一匹配线102的上表面的长度Lm1为0.3-0.5mm，第二匹配线103的上表面长度Lm2为1.8-2.0mm，优选的，Lm1为0.4mm，Lm2为1.95mm。

需要说明的是，第一区域7的形状沿着标准部101向第一L1焊盘9方向分为上部701、中部702和下部703；上部701和下部703均为长方形，中部702为梯形，上部701的宽度w1小于下部703的宽度w2。

具体的，w1为0.6-0.9mm，w2为1.8-2.0mm。

需要说明的是，第二区域的形状与第一区域7的形状相同，第一L5焊盘4与第二L5焊盘的大小相同，第一L4焊盘3与第二L4焊盘的大小相同，第一L1焊盘9与第二L1焊盘的大小相同，上述相同名称的第一与第二部件(例如第二区域与第一区域)均关于矩形腔体11的两长边的中心连线对称。

具体的，为了保证更好的电磁屏蔽效果，同时利于加工，V18接地屏蔽孔的尺寸需要精确控制，同时应该尽量保证V18接地屏蔽孔6的密集程度，因此，控制V18接地屏蔽孔6的直径dr5为0.2-0.3mm，优选的，dr5为0.2mm，矩形腔体11的上表面的两个长边上的V18接地屏蔽孔6均匀分布，相邻V18接地屏蔽孔6的圆心的距离W为0.5mm。

考虑到第二区域和第一区域7的影响，矩形腔体11的上表面的两个短边上的V18接地屏蔽孔6非均匀分布，具体的，微带线与短边的交点与短边上的V18接地屏蔽孔6最短的距离为1mm，短边上的其余的相邻V18接地屏蔽孔6的圆心的距离为0.5mm。

具体的，第一区域7的下方的L5上设有3个V58接地孔5，这3个V58接地孔5与矩形腔体11的上表面的短边上的V18接地屏蔽孔6同平面；V58接地孔5的直径dr4为0.2mm。

具体的，第一区域7的沿着第一微带线的标准部101向第一L1焊盘9延伸方向的两条侧边的外侧设有对称的V12接地孔8，V12接地孔8分为两类，第一类V12接地孔位于矩形腔体11的外侧，第二类V12接地孔位于矩形腔体11的内部，第一类V12接地孔的直径dr1与第二类V12接地孔的直径dr2符合如下关系：dr1>dr2，这样设置能够实现更好的电磁屏蔽效果；优选的，dr1为0.25mm，dr2为0.2mm；V12接地孔8的分布形状为“八”字形，“八”字形的一侧的尾部的3个V12接地孔8的圆心的连线与矩形腔体11的上表面的短边平行。

具体的，“八”字形的一侧，沿着标准部101向第一L1焊盘9的方向，V12接地孔8的数量为12个，其中第一类V12接地孔5个，第二类V12接地孔5个V12接地孔8距离微带线的中轴线的距离逐渐增大，V12接地孔8距离微带线的中轴线的距离为0.595-1.65mm；具体的，V12接地孔8距离微带线的中轴线的距离依次为0.595mm、0.595mm、0.615mm、0.815mm、1.005mm、1.23mm、1.35mm、1.5mm、1.65mm；“八”字形的另一侧的V12接地孔8与一侧的对称，在此不再一一赘述。

具体的，V14信号孔2的直径dr3为0.2mm，V14信号孔2的数量为3个，3个V14信号孔2在第一L1焊盘9上的连线为等边三角形，等边三角形的中心在第一L1焊盘9的中心，这样的话，3个V14信号孔2能够等效成一个较大的信号孔，更好的进行阻抗匹配，减小插入损耗。

考虑到相邻的V14信号孔2的圆心距离过大或过小均不能达到最好的匹配效果，且不利于加工，优选的，相邻的V14信号孔2的圆心距离为0.6mm。

具体的，金属板的厚度为0.017-0.042mm；例如，L1和L8的厚度均为0.042mm；L2、L3、L6和L7的厚度均为0.017mm；L4和L5的厚度均为0.035mm。

具体的，芯板与半固化片(PP)均选用M6系列IT968型板材，其中，芯板的厚度为0.15-0.2mm，介电常数为3.41-3.57，介质损耗角正切为0.0054-0.0059。

具体的，半固化片(PP)的单层厚度为0.1mm，介电常数为3.13，介质损耗角正切为0.0044。

具体的，绝缘板自上而下包括第一芯板12、第一PP13、第二芯板14、第二PP15、第三芯板16、第三PP17和第四芯板18。

具体的，第一芯板12的厚度为0.15mm，介电常数为3.41，介质损耗角正切为0.0054；第二芯板14的厚度为0.2mm，介电常数为3.57，介质损耗角正切为0.0059；第三芯板16的厚度为0.2mm，介电常数为3.57，介质损耗角正切为0.0059；第四芯板18的厚度为0.15mm，介电常数为3.41，介质损耗角正切为0.0054；第一PP13的厚度为0.2mm，第二PP15的厚度为0.3mm，第三PP17的厚度为0.2mm。

需要说明的是，第一微带线和第二微带线的介质(绝缘板)厚度小于SIW的介质(绝缘板)厚度；例如，第一微带线和第二微带线的介质(绝缘板)厚度为0.15mm，SIW的介质(绝缘板)厚度为1.4mm，微带线的介质厚度薄有利于减小辐射损耗，SIW的介质厚度厚有利于减小导体损耗，使得插入损耗指标最优。

基于介质集成波导的微波信号垂直互连结构的三维模型的局部示意图如图3所示，第一L5焊盘4通过V58接地孔5与L8相连通，第一L5焊盘4和V58接地孔起阻抗匹配的作用；图4a、4b所示为基于介质集成波导的微波信号垂直互连结构的局部平面示意图；SIW的短边长度a、V18接地屏蔽孔的孔径与间距决定了SIW的工作截止频率，工作频率越高，要求a越小，要求四侧的接地屏蔽孔越密集。

实施时，通过SIW与矩形波导的相似性，根据工作频率、介质介电常数确定SIW的长边与短边的长度，四侧V18接地屏蔽孔和的孔径与间距。微波信号从第一微带线一端馈入，通过3个直径为0.2mm的V14信号孔2以探针的形式馈入到SIW，为了更好的实现阻抗匹配，在靠近L4层的L5层设置第一L5焊盘，该焊盘通过V58接地孔与L8层相连接，实现接地。微波信号经过V14信号孔2激发一垂直方向的电流，进入SIW后场分布由垂直方向改为水平方向，分别向两端传播，在第一微带线输入端的那一侧有一排接地屏蔽孔形成短路面，电磁波到达短路面反射后与SIW传播方向的电磁波同相叠加，使得通过SIW的微波能量最大。

图5所示为微带至SIW垂直互连背对背结构(两级互连结构，即微带——SIW——微带)的插损及驻波曲线，其中第一微带线和第二微带线的长度：Ls1＝Ls2＝13mm，第一L1焊盘9与第二L1焊盘的圆心的距离Ls2＝25mm，由图5可知在15GHz～17GHz频段内，插入损耗小于2dB，S₁₁<-16dB(即驻波比小于1.4)，在14GHz～18GHz频段内，插入损耗介于1.7dB～2dB之间，S₁₁介于-40dB至-12dB之间(即驻波比介于1.0至1.6之间)，可见此基于介质集成波导的微波信号垂直互连结构具备插入损耗低(例如插入损耗1.7～2dB)，驻波比小(例如驻波比为1～1.6)的优越性能。

与现有技术相比，本实用新型提供的基于介质集成波导(SIW)的微波信号垂直互连结构，通过采用微带至SIW垂直互连背对背结构，即微带——SIW——微带结构，微波信号从第一微带线一端馈入，通过V14信号孔2以探针的形式馈入到SIW，微波信号经过V14信号孔2激发一垂直方向的电流，进入SIW后场分布由垂直方向改为水平方向，分别向两端传播，在第一微带线输入端的那一侧有一排接地屏蔽孔形成短路面，电磁波到达短路面反射后与SIW传播方向的电磁波同相叠加，使得通过SIW的微波能量最大、驻波小；微带线的介质厚度小，辐射损耗低；SIW的介质厚度大，导体损耗低；所以能够同时减小辐射损耗与导体损耗，使得插入损耗指标最优。例如插入损耗1.7～2dB，驻波比1～1.6。

以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims

1.一种基于介质集成波导的微波信号垂直互连结构，其特征在于，所述微波信号垂直互连结构包括多层板，所述多层板包括自上而下层叠布置的8层金属板，分别为L1、L2、L3、L4、L5、L6、L7和L8；相邻两层金属板之间设有绝缘板；L1上设有多个贯穿L1至L8的V18接地屏蔽孔(6)，多个V18接地屏蔽孔(6)围成一个矩形腔体(11)，多层板为左右对称的矩形结构，划分为左侧区域和右侧区域，右侧区域的结构与左侧区域的结构关于矩形结构的两长边的中心连线对称，左侧区域的结构为：L1上设有与矩形腔体(11)的上表面的短边垂直的第一微带线(1)，矩形腔体(11)区域内的L1上刻蚀形成第一L1焊盘(9)；第一微带线(1)与第一L1焊盘(9)周围刻蚀形成绝缘的第一区域(7)；矩形腔体(11)区域内的L4上刻蚀形成第一L4焊盘(3)；矩形腔体(11)区域内的L5上刻蚀形成第一L5焊盘(4)；矩形腔体(11)区域内的L2、L3、L6、L7上的金属均刻蚀掉；第一L1焊盘(9)上设有多个贯穿L1至L4的V14信号孔(2)，第一L5焊盘(4)上设有贯穿L5至L8的V58接地孔(5)。

2.根据权利要求1所述的微波信号垂直互连结构，其特征在于，所述第一微带线(1)包括标准部(101)、第一匹配线(102)和第二匹配线(103)；所述第二匹配线(103)与第一L1焊盘(9)连接。

3.根据权利要求2所述的微波信号垂直互连结构，其特征在于，所述标准部(101)、第一匹配线(102)和第二匹配线(103)均为长方体，所述标准部(101)的上表面的宽度W50、第一匹配线(102)的上表面的宽度Wm1和第二匹配线(103)的上表面的宽度Wm2满足如下关系式：Wm2>W50>Wm1。

4.根据权利要求3所述的微波信号垂直互连结构，其特征在于，所述W50为0.2-0.33mm；Wm1为0.15-0.2mm；Wm2为0.33-0.4mm。

5.根据权利要求1所述的微波信号垂直互连结构，其特征在于，所述V18接地屏蔽孔(6)、V14信号孔(2)和V58接地孔(5)均为金属化孔。

6.根据权利要求5所述的微波信号垂直互连结构，其特征在于，所述第一L5焊盘(4)、第一L4焊盘(3)和第一L1焊盘(9)同轴设置；第一L5焊盘(4)的直径dp3、第一L4焊盘(3)的直径dp2和第一L1焊盘(9)的直径dp1满足如下关系：dp2>dp1>dp3。

7.根据权利要求6所述的微波信号垂直互连结构，其特征在于，所述第一区域(7)的形状沿着标准部(101)向第一L1焊盘(9)方向分为上部(701)、中部(702)和下部(703)；所述上部(701)和下部(703)均为长方形，所述中部(702)为梯形，所述上部(701)的宽度w1小于下部(703)的宽度w5。

8.根据权利要求7所述的微波信号垂直互连结构，其特征在于，所述第一L1焊盘(9)的圆心距离矩形腔体(11)的上表面的短边的距离为2.5-3.0mm。

9.根据权利要求1-8任一项所述的微波信号垂直互连结构，其特征在于，所述矩形腔体(11)的上表面的两个长边上的V18接地屏蔽孔(6)均匀分布，所述矩形腔体(11)的上表面的两个短边上的V18接地屏蔽孔(6)非均匀分布。

10.根据权利要求9所述的微波信号垂直互连结构，其特征在于，所述第一区域(7)的下方的L5上设有V58接地孔(5)。