CN211045419U - 一种散热增强功率模块 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种散热增强功率模块，包括铝基电路板和MOS管或者IGBT，MOS管或者IGBT焊接于铝基电路板的线路层上；还包括金属引脚，金属引脚焊接于铝基电路板的线路层上，与MOS管或者IGBT的输出管脚对应连接；在铝基电路板的铝基层，刻有沟槽。本技术方案的一种铝基板的功率模块，将MOS管或者IGBT焊接于铝基电路板的线路层上，在铝基电路板的铝基层，刻有沟槽，大幅增加了MOS管或者IGBT的散热面积；增加了MOS管或者IGBT的工作寿命；提高了最终产品的性价比。
Description
技术领域
本实用新型涉及用于功率产品或者电机产品的功率器件模块。
背景技术
铝基电路板简称铝基板；被大量使用于照明领域。很多的灯具的LED灯板，采用的都是铝基电路板。铝基电路板由线路层、绝缘层和铝基层组成。
随着科技的进步，电子产品中大量使用了功率管。其中常用的有MOS管和IGBT；MOS管又叫场效应晶体管；它有多种用途，主要用作开关元器件。IGBT是另外一种功率管，又叫绝缘栅双极晶闸管，也是主要用作开关元器件。
MOS管和IGBT被大量用于变频家电、电源、电机控制和逆变器等电子产品中。
MOS管和IGBT在被控制开关过程中，会产生热量，这种发热对产品和元器件本身都是不利的。解决的办法主要是两个方面：一是减少MOS管和IGBT的导通电阻，这种方法是有技术和成本限制的；二是外部另外增加散热片，这种方法会增加成本和产品体积，并且需要额外的生产工序来完成。如何高性价比地为MOS管和IGBT工作中散热是一个非常重要的问题。
半桥驱动芯片是为了对大功率的功率管进行大电流驱动而设计的芯片。是非常成熟的技术；比如美国IR公司生产的IR2103等芯片，就是驱动MOS管和IGBT的芯片。
发明内容
针对上述问题，本实用新型旨在提供一种铝基板的功率模块，通过对成熟铝基电路板工艺改良和再加工，用较低成本实现MOS管和IGBT功率管的更高性能和更好的散热效果，并且不增加模块生产过程中的成本。
为实现该技术目的，本实用新型的方案是：一种散热增强功率模块，包括铝基电路板和MOS管或者IGBT， MOS管或者IGBT焊接于铝基电路板的线路层上，铝基电路板的铝基层上刻有沟槽，增大散热面积。
作为优选，还包括金属引脚，金属引脚焊接于铝基电路板的线路层上，金属引脚与MOS管或者IGBT的输出管脚对应连接。
作为优选，还包括半桥驱动芯片，半桥驱动芯片焊接于铝基电路板的线路层上，其输出管脚与MOS管或者IGBT的对应管脚相连接。
本技术方案的有益效果是：通过对铝基电路板的改良，可以增加MOS管或者IGBT的散热效果，从而增加MOS管或者IGBT的性能；并且通过装置引脚，使模块能够方便地使用于普通PCB线路板中；不增加产品生产中额外或特殊生产工艺。
附图说明
图1为本实用新型具体实施例一示意图。
图2为本实用新型具体实施例二示意图。
图3为本实用新型具体实施例二参考电路图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步详细说明。
如图1所示，一种散热增强功率模块，包括铝基电路板1和MOS管或者IGBT 2，铝基电路板1由线路层11、绝缘层12和铝基层13组成，在铝基层13上，刻有沟槽131，沟槽131扩大了铝基电路板1对外的接触面积，从而增加了散热面积； MOS管或者IGBT 2焊接于铝基电路板的线路层11上。
如图2所示，为本实用新型具体实施例二中增加金属引脚和半桥驱动芯片的示意图。金属引脚3焊接于铝基电路板1的线路层11上，金属引脚3与MOS管或者IGBT 2的输出管脚对应连接。半桥驱动芯片4焊接于铝基电路板1的线路层11上，其输出管脚与MOS管或者IGBT 2的对应驱动管脚相连接。
如图3所示，为本实用新型实施例二参考电路图。
本实用新型所述的MOS管或者IGBT 2，可以采用晶圆或者封装片形式；如采用晶圆，在完成线路连接后，要再对模块做封胶处理。
以上讨论基于铝基电路板；使用其它金属基板，均属于同样的技术思路。
以上所述，仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同替换和改进，均应包含在本实用新型技术方案的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种散热增强功率模块，其特征在于：包括铝基电路板和MOS管或者IGBT， MOS管或者IGBT焊接于铝基电路板的线路层上，铝基电路板的铝基层上刻有沟槽，增大散热面积。
2.根据权利要求1所述一种散热增强功率模块，其特征在于：还包括金属引脚，金属引脚焊接于铝基电路板的线路层上，金属引脚与MOS管或者IGBT的输出管脚对应连接。
3.根据权利要求1所述一种散热增强功率模块，其特征在于：还包括半桥驱动芯片，半桥驱动芯片焊接于铝基电路板的线路层上，其输出管脚与MOS管或者IGBT的对应管脚相连接。
Priority Applications (1)
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| CN201921839637.4U CN211045419U (zh) | 2019-10-30 | 2019-10-30 | 一种散热增强功率模块 |
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Publications (1)
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| CN211045419U true CN211045419U (zh) | 2020-07-17 |
Family
ID=71536854
Family Applications (1)
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| CN201921839637.4U Active CN211045419U (zh) | 2019-10-30 | 2019-10-30 | 一种散热增强功率模块 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN211045419U (zh) |
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2019
- 2019-10-30 CN CN201921839637.4U patent/CN211045419U/zh active Active
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