CN210897249U - 一种高稳定性的mos管封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种高稳定性的MOS管封装结构，包括一呈矩形体设置的环氧树脂封装体，所述环氧树脂封装体内置一芯片，所述环氧树脂封装体与所述芯片之间设有一散热体，所述散热体呈矩形腔体设置，且所述散热体第一端延伸出所述环氧树脂封装体前侧面，所述芯片容置于所述散热体内，且所述芯片与所述散热体之间填充有导热硅胶；还包括与所述芯片连接的引脚，所述引脚穿设与所述环氧树脂封装体后侧面；所述环氧树脂封装体上表面沿其宽度方向还均布有若干凹槽，所述环氧树脂封装体左右两侧面沿其长度方向分别设有用于相互卡接的滑台和滑槽。本实用新型技术方案改善现有MOS管的结构，提高其散热性能，方便其安装。
Description
技术领域
本实用新型涉及MOS管技术领域，特别涉及一种高稳定性的MOS管封装结构。
背景技术
MOS管是金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，现有的MOS管在封装时，考虑到生产成本的限制，导致其结构的散热性能较差，而MOS管在长时间工作时会产生大量的热，较差的散热性能严重影响着MOS管的使用寿命，增加后期的使用成本，同时，受限于现有的结构设计，MOS管的安装较繁琐，影响生产效率。
因此，现有技术存在缺陷，需要改进。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是提出一种高稳定性的MOS管封装结构，旨在改善现有MOS管的结构，提高其散热性能，方便其安装。
为实现上述目的，本实用新型提出的一种高稳定性的MOS管封装结构，包括一呈矩形体设置的环氧树脂封装体，所述环氧树脂封装体内置一芯片，所述环氧树脂封装体与所述芯片之间设有一散热体，所述散热体呈矩形腔体设置，且所述散热体第一端延伸出所述环氧树脂封装体前侧面，所述芯片容置于所述散热体内，且所述芯片与所述散热体之间填充有导热硅胶；还包括与所述芯片连接的引脚，所述引脚穿设与所述环氧树脂封装体后侧面；所述环氧树脂封装体上表面沿其宽度方向还均布有若干凹槽，所述环氧树脂封装体左右两侧面沿其长度方向分别设有用于相互卡接的滑台和滑槽。
优选地，所述滑台横截面呈T型设置，所述滑槽形状与所述滑台形状适配。
优选地，所述凹槽横截面呈V型设置，且所述凹槽开口呈120°设置。
优选地，所述散热体第一端侧面开设一圆形通孔。
优选地，所述散热体设置为铜或铝制成的一体成型结构。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：改善了传统MOS管的结构，通过在环氧树脂封装体内增设延伸至其外部的散热体，可以快速将其内部芯片产生的热量到处，在环氧树脂封装体表面设置凹槽，增大其与空气的接触面积，进一步加快散热，提高MOS管的散热性能。同时，在环氧树脂左右两侧面设置相互卡接的滑台滑槽结构，可以实现多个MOS管的拼接安装，可以大大提高生产效率，节约生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本实用新型MOS管整体结构示意图；
图2为本实用新型MOS管侧面剖视图；
图3为本实用新型相邻两MOS管拼接结构示意图；
本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
本实施例提出的一种高稳定性的MOS管封装结构，参考图1和图2，包括一呈矩形体设置的环氧树脂封装体1，所述环氧树脂封装体1内置一芯片2，所述环氧树脂封装体1与所述芯片2之间设有一散热体3，所述散热体3呈矩形腔体设置，且所述散热体3第一端延伸出所述环氧树脂封装体1前侧面，所述芯片2容置于所述散热体3内，且所述芯片2与所述散热体3之间填充有导热硅胶4；还包括与所述芯片2连接的引脚5，所述引脚5穿设与所述环氧树脂封装体1后侧面；所述环氧树脂封装体1上表面沿其宽度方向还均布有若干凹槽11，所述环氧树脂封装体1左右两侧面沿其长度方向分别设有用于相互卡接的滑台12和滑槽13。
应当说明的是，MOS管在工作时，其内部的芯片2是主要的发热点，因此，本实施例通过在所述环氧树脂封装体1内设置一呈矩形腔体状的散热体3，该散热体3包裹于芯片2外周，且散热体3一端延伸至环氧树脂封装体1外侧，可以快速将芯片2产生的热导出，同时，在芯片2和散热体3之间填充有导热硅胶4，加快芯片2与散热体3之间的热传递，从而进一步加快对芯片2的散热。进一步地，所述散热体3第一端侧面开设一圆形通孔31，且散热体3伸出环氧树脂封装体1侧面的部分呈一矩形开槽状设置，且圆形通孔31贯穿该开槽，大大提高了散热体3与空气的接触面积，还可以实现开槽内的空气流通，从而加快散热体3与外部空气的热交换，从而加快MOS管的散热。
进一步地，所述散热体3设置为铜或铝制成的一体成型结构。铜或铝质量较轻，导热性能好，可以采用铜或铝材料制成该散热体3。为了节约成本，可以选择铝作为散热体3的制造材料。
进一步地，所述凹槽11横截面呈V型设置，且所述凹槽11开口呈120°设置，提高环氧树脂封装体1表面与空气的接触面积，从而进一步加快MOS管整体的散热。
进一步地，参考图3，所述滑台12横截面呈T型设置，所述滑槽13形状与所述滑台12形状适配。根据实际的生产需求，可以将多个MOS管拼接安装，提高生产效率。本实施例中，拼接时，只需将相邻两MOS管，其中一个MOS管的滑台12插入另一个MOS管的滑槽13内即可，拆卸时，将滑台12沿着滑槽13推出即可，安装和拆卸方便。本实施例中，滑台12的横截面呈T型设置，可以提高相邻两MOS管之间的拼接稳定性，防止发生松动。
以上仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (5)
1.一种高稳定性的MOS管封装结构，其特征在于，包括一呈矩形体设置的环氧树脂封装体，所述环氧树脂封装体内置一芯片，所述环氧树脂封装体与所述芯片之间设有一散热体，所述散热体呈矩形腔体设置，且所述散热体第一端延伸出所述环氧树脂封装体前侧面，所述芯片容置于所述散热体内，且所述芯片与所述散热体之间填充有导热硅胶；还包括与所述芯片连接的引脚，所述引脚穿设与所述环氧树脂封装体后侧面；所述环氧树脂封装体上表面沿其宽度方向还均布有若干凹槽，所述环氧树脂封装体左右两侧面沿其长度方向分别设有用于相互卡接的滑台和滑槽。
2.如权利要求1所述的高稳定性的MOS管封装结构，其特征在于，所述滑台横截面呈T型设置，所述滑槽形状与所述滑台形状适配。
3.如权利要求1所述的高稳定性的MOS管封装结构，其特征在于，所述凹槽横截面呈V型设置，且所述凹槽开口呈120°设置。
4.如权利要求3所述的高稳定性的MOS管封装结构，其特征在于，所述散热体第一端侧面开设一圆形通孔。
5.如权利要求4所述的高稳定性的MOS管封装结构，其特征在于，所述散热体设置为铜或铝制成的一体成型结构。
Priority Applications (1)
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| CN201922020942.7U CN210897249U (zh) | 2019-11-20 | 2019-11-20 | 一种高稳定性的mos管封装结构 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201922020942.7U CN210897249U (zh) | 2019-11-20 | 2019-11-20 | 一种高稳定性的mos管封装结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN210897249U true CN210897249U (zh) | 2020-06-30 |
Family
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Family Applications (1)
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| CN201922020942.7U Active CN210897249U (zh) | 2019-11-20 | 2019-11-20 | 一种高稳定性的mos管封装结构 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN210897249U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113921409A (zh) * | 2021-06-23 | 2022-01-11 | 杰华特微电子股份有限公司 | 封装模具、封装体及封装方法 |
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2019
- 2019-11-20 CN CN201922020942.7U patent/CN210897249U/zh active Active
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