CN210575969U - 一种p型晶体硅太阳能电池 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供了一种p型晶体硅太阳能电池，涉及太阳能光伏技术领域。所述p型晶体硅太阳能电池，包括：p型晶体硅基底；局域p++型掺杂区，形成于所述P型晶体硅基底的正面；正面减反射层，沉积于所述p型晶体硅基底的正面；正面金属电极，所述正面金属电极穿透所述正面减反射层并与所述局域p++型掺杂区接触；钝化隧穿层；形成于所述P型晶体硅基底的背面；n型掺杂硅膜层，形成于所述钝化隧穿层的背面；背面钝化层，沉积于所述n型掺杂硅膜层的背面；以及穿透所述背面钝化层并与所述n型掺杂硅膜层接触的背面金属电极。本实用新型的p型晶体硅太阳能电池，减少了光学损失，且接触区复合小、光电转换效率高、开路电压大，成本低。

Description

一种p型晶体硅太阳能电池
技术领域
本实用新型涉及太阳能光伏技术领域，特别是涉及一种p型晶体硅太阳能电池。
背景技术
异质结太阳能电池具有生产工艺温度低、光电转换效率高等优势，因此应用前景广泛。
目前，异质结太阳能电池中，异质结的设置，通常会减少进入硅基底的有效入射光，造成较大的光学损失，因此需要配合透明导电膜、低温导电银浆等以维持较高的光电转换效率。
由于透明导电膜、低温导电银浆等成本较高，导致异质结太阳能电池成本居高不下。
实用新型内容
本实用新型提供一种p型晶体硅太阳能电池，旨在解决异质结太阳能电池成本高的问题。
根据本实用新型的第一方面，提供了一种p型晶体硅太阳能电池，包括： p型晶体硅基底；
局域p++型掺杂区，形成于所述P型晶体硅基底的正面；
正面减反射层，沉积于所述p型晶体硅基底的正面；
正面金属电极，所述正面金属电极穿透所述正面减反射层并与所述局域 p++型掺杂区接触；
钝化隧穿层；形成于所述P型晶体硅基底的背面；所述钝化隧穿层为掺杂有Ⅲ族和/或Ⅴ族元素的隧穿基体；所述隧穿基体为：氧化硅基体、氮化硅基体、氮氧化硅基体、氧化铝基体、碳化硅基体或非晶硅基体中的任意一种；
n型掺杂硅膜层，形成于所述钝化隧穿层的背面；
背面钝化层，沉积于所述n型掺杂硅膜层的背面；
以及背面金属电极，所述背面金属电极穿透所述背面钝化层并与所述n 型掺杂硅膜层接触；所述背面金属电极为栅线电极。
可选的，所述局域p++型掺杂区的宽度，大于等于所述正面金属电极的宽度。
可选的，所述p型晶体硅太阳能电池，还包括：p+型掺杂层，掺杂形成于所述正面减反射层与所述p型晶体硅基底之间且所述局域p++型掺杂区之外的区域。
可选的，所述钝化隧穿层厚度为0.5～3nm。
可选的，所述p型晶体硅基底的厚度为50～300μm。
可选的，所述n型掺杂硅膜层的厚度为10nm～500nm。
可选的，所述正面减反射层的厚度为40～100nm。
可选的，所述背面钝化层的厚度为40～200nm。
可选的，所述正面金属电极包括：Al电极、Al/Ag电极、Ni/Cu电极、 Co/Cu电极、Ni/Cu/Sn电极、Co/Cu/Sn电极、Co/Cu/Ag电极、Ni/Cu/Ag电极中的任意一种。
可选的，所述背面金属电极，包括Ag电极、Ni/Ag电极、Ni/Cu电极、 Co/Ag电极、Co/Cu电极、Co/Cu/Sn电极、Co/Cu/Ag电极、Ni/Cu/Sn电极、 Ni/Cu/Ag电极中的任意一种。
根据本实用新型的第二方面，提供了一种p型晶体硅太阳能电池生产方法，所述方法用于生成前述任一项所述的p型晶体硅太阳能电池；所述方法包括：
在p型晶体硅基底的正面形成局域p++型掺杂区；其中，所述局域p++ 型掺杂区的掺杂浓度大于所述p型晶体硅基底的掺杂浓度；
在所述p型晶体硅基底的正面，沉积形成正面减反射层；
在所述正面减反射层的预设区域形成至少一个第一开膜区域，露出所述局域p++型掺杂区；在所述第一开膜区域的所述局域p++型掺杂区的正面，形成正面金属电极；
在所述p型晶体硅基底的背面形成钝化隧穿层；其中，所述钝化隧穿层为掺杂有Ⅲ族和/或Ⅴ族元素的隧穿基体；所述隧穿基体包括：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅或非晶硅中的任意一种；
在所述钝化隧穿层的背面形成n型掺杂硅膜层；
在所述n型掺杂硅膜层的背面沉积形成背面钝化层；
在所述背面钝化层的预设区域照射激光，形成至少一个第二开膜区域，露出所述n型掺杂硅膜层；在所述第二开膜区域的所述n型掺杂硅膜层的背面，形成背面金属电极。
可选的，所述在所述p型晶体硅基底的正面，沉积形成正面减反射层之前，还包括：
在所述正面减反射层与所述p型晶体硅基底之间且所述局域p++型掺杂区之外的区域，掺杂形成p+型掺杂层；
其中，所述p+型掺杂层的掺杂浓度，介于所述局域p++型掺杂区的掺杂浓度与所述p型晶体硅基底的掺杂浓度之间；
所述在所述p型晶体硅基底的正面，沉积形成正面减反射层，包括：
在所述局域p++型掺杂区和所述p+型掺杂层的正面，沉积形成所述正面减反射层。
可选的，所述在所述p型晶体硅基底的背面形成钝化隧穿层之前，还包括：
对所述p型晶体硅基底的背面进行抛光处理；
所述在所述p型晶体硅基底的背面形成钝化隧穿层，包括：
在抛光处理后的所述p型晶体硅基底的背面沉积形成所述钝化隧穿层。
在本实用新型实施例中，上述p型晶体硅太阳能电池生产方法能够达到与上述p型晶体硅太阳能电池相同或类似的有益效果，为了避免重复，此处不再赘述。
根据本实用新型的第三方面，还提供一种p型晶体硅太阳能电池生产设备，所述p型晶体硅太阳能电池生产设备包括：接口，总线，存储器与处理器，所述接口、存储器与处理器通过所述总线相连接，所述存储器用于存储可执行程序，所述处理器被配置为运行所述可执行程序实现如前所述的任一项所述的p型晶体硅太阳能电池生产方法的步骤。
根据本实用新型的第四方面，还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储可执行程序，所述可执行程序被处理器运行实现如前所述的任一项所述的p型晶体硅太阳能电池生产方法的步骤。
在本实用新型实施例中，p型晶体硅太阳能电池，包括：p型晶体硅基底；局域p++型掺杂区，形成于所述P型晶体硅基底的正面；正面减反射层，沉积于所述p型晶体硅基底的正面；正面金属电极，所述正面金属电极穿透所述正面减反射层并与所述局域p++型掺杂区接触；钝化隧穿层；形成于所述P型晶体硅基底的背面；所述钝化隧穿层为掺杂有Ⅲ族和/或Ⅴ族元素的隧穿基体；所述隧穿基体为：氧化硅基体、氮化硅基体、氮氧化硅基体、氧化铝基体、碳化硅基体或非晶硅基体中的任意一种；n型掺杂硅膜层，形成于所述钝化隧穿层的背面；背面钝化层，沉积于所述n型掺杂硅膜层的背面；以及背面金属电极，所述背面金属电极穿透所述背面钝化层并与所述n型掺杂硅膜层接触；所述背面金属电极为栅线电极。本实用新型实施例中，n 型掺杂硅膜层与p型晶体硅基底，形成的异质结位于p型晶体硅基底的背面，形成了背面发射极，p型晶体硅基底的背面更为平整，进而形成的异质结性能更好，能够从一定程度上提高开路电压；且位于p型晶体硅基底背面的异质结，相对于位于p型晶体硅基底正面的异质结，不会减少进入p型晶体硅基底的有效入射光，光学损失少，一方面，光电转换效率高、开路电压大，另一方面，该结构的p型晶体硅电池，光学损失少，进而无需透明导电膜、低温导电银浆等，从很大程度上降低了异质结太阳能电池的成本。钝化隧穿层形成于P型晶体硅基底的背面，钝化隧穿层能钝化异质结，电池发射极的接触区，降低接触区表面复合，进一步提高电池的开路电压和转换效率；钝化隧穿层中的上述Ⅲ族和/或Ⅴ族元素形成了量子隧穿点，利于电子的跃迁和电流传输，提高了短路电流和开路电压。背面金属电极为栅线电极并不是整面都是金属电极，有利于降低成本；同时，上述结构的p型晶体硅电池，正面金属电极并没有与p型晶体硅基底直接接触，正面金属电极与掺杂浓度较高的局域p++型掺杂区接触，形成良好的欧姆接触，进而能够从很大程度上降低接触电阻；同时，背面金属电极也没有与p型晶体硅基底直接接触，背面金属电极与n型掺杂硅膜层接触，也形成良好的欧姆接触，进而能够从很大程度上降低接触电阻；避免了正面金属电极和背面金属电极直接接触p型晶体硅基底而造成的接触区复合，能够进一步提高电池开路电压和转换效率；同时，上述结构的p型晶体硅太阳能电池，加工过程能够兼容现有的加工工艺，制作简便。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对本实用新型实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了本实用新型实施例中的第一种p型晶体硅太阳能电池的结构示意图；
图2示出了本实用新型实施例中的第二种p型晶体硅太阳能电池的结构示意图；
图3示出了本实用新型实施例中的一种p型晶体硅太阳能电池生产方法的步骤流程图；
图4示出了本实用新型实施例中的又一种p型晶体硅太阳能电池生产方法的步骤流程图；
图5示出了本实用新型实施例五的一种p型晶体硅太阳能电池生产设备的结构示意图。
附图编号说明：
1-p型晶体硅基底，2-局域p++型掺杂区，3-正面减反射层，4-正面金属电极，5-n型掺杂硅膜层，6-背面钝化层，7-背面金属电极，8-p+型掺杂层， 9-钝化隧穿层，71-接口，72-处理器，73-存储器，74-总线。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
参照图1，图1示出了本实用新型实施例中的第一种p型晶体硅太阳能电池的结构示意图。
在本实用新型实施例中，p型晶体硅基底1主要可以用于吸收光子，产生光生载流子。
参照图1所示，该p型晶体硅太阳能电池可以包括：p型晶体硅基底1，局域p++型掺杂区2、正面减反射层3、正面金属电极4、钝化隧穿层9、n 型掺杂硅膜层5、背面钝化层6和背面金属电极7。
在本实用新型实施例中，局域p++型掺杂区2与p型晶体硅基底1掺杂类型相同，掺杂类型均可以为III族元素，例如，硼元素。且，局域p++型掺杂区2的掺杂浓度大于p型晶体硅基底1的掺杂浓度。
在本实用新型实施例中，p型晶体硅基底1的正面，与上述正面金属电极4对应的区域，设置有上述局域p++型掺杂区2。p型晶体硅基底1的正面，与上述正面金属电极4对应的区域，可以为p型晶体硅基底1的正面，正面金属电极4正下方，与正面金属电极4宽度差值小于等于预设差值的区域，在本实用新型实施例中，对此不作具体限定。
在本实用新型实施例中，该预设差值可以根据实际需要进行设定。在本实用新型实施例中，对此不作具体限定。
在本实用新型实施例中，可选的，局域p++型掺杂区2的宽度，可以大于等于正面金属电极4的宽度。进而，正面金属电极可以完全与局域p++型掺杂区2接触，以形成良好的欧姆接触，进而能够从很大程度上降低接触电阻；避免了正面金属电极4直接接触p型晶体硅基底1而造成的接触区复合，能够从很大程度上提高电池开路电压和转换效率。
例如，p型晶体硅基底1的正面，与上述正面金属电极4对应的区域，可以为p型晶体硅基底1的正面，正面金属电极4正下方，与正面金属电极 4宽度相等的区域。进而，局域p++型掺杂区2的宽度与正面金属电极4的宽度正好相等，正面金属电极可以正好完全与局域p++型掺杂区2接触。
在本实用新型实施例中，正面金属电极4通常用来收集光生载流子中的空穴。可选的，正面金属电极4可以包括：Al电极、Al/Ag电极、Ni/Cu电极、Co/Cu电极、Ni/Cu/Sn电极、Co/Cu/Sn电极、Co/Cu/Ag电极、Ni/Cu/Ag 电极中的任意一种。例如，正面金属电极4可以为丝网印刷形成的Al电极。
在本实用新型实施例中，正面金属电极的选择性多，能够选择成本较低的正面金属电极，以降低异质结太阳能电池的成本。同时，用金属钴Co作为正面金属电极的材料，有利于提升对铜的阻挡效果，避免铜作为杂质进入到p型晶体硅太阳能电池，而，铜容易在p型晶体硅太阳能电池中扩散，会引起电荷复合，导致载流子减少，降低了开路电压，通过用金属钴Co作为正面金属电极的材料，有利于提升对铜的阻挡效果，能够从一定程度上提升开路电压。
在本实用新型实施例中，可选的，p型晶体硅基底1可以包括：p型单晶硅基底或p型多晶硅基底。具体的，p型晶体硅基底1可以为p型单晶硅基底，或，p型晶体硅基底1可以为p型多晶硅基底等。在本实用新型实施例中，对此不作具体限定。
在本实用新型实施例中，可选的，p型晶体硅基底1的厚度可以为50～300 μm。该厚度的p型晶体硅基底1，能够吸收更多的光子，产生更多的光生载流子。例如，p型晶体硅基底1的厚度可以为180μm。
在本实用新型实施例中，p型晶体硅基底1的正面，沉积有正面减反射层3。上述正面减反射层3能够从很大程度上减少正面入射光在p型晶体硅基底等表面的反射，同时，能够对局域p++型掺杂区2等形成良好的表面钝化。
在本实用新型实施例中，可选的，正面减反射层3的材质，可以包括：氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮氧化铝、碳化硅、碳氧化硅、非晶硅中的至少一种。
在本实用新型实施例中，可选的，正面减反射层3的厚度可以为 40～100nm。上述厚度范围的正面减反射层3，更能减少正面入射光在p型晶体硅基底等表面的反射，且，对局域p++型掺杂区2等形成更好的表面钝化。
例如，正面减反射层3可以为氧化铝和氮化硅形成的复合膜层，氧化铝的厚度可以15nm，氮化硅的厚度可以为60nm，进而形成的正面减反射层3 的厚度可以为75nm。
在本实用新型实施例中，正面金属电极4穿透正面减反射层3并与局域p++型掺杂区2接触。进而正面金属电极4并没有与p型晶体硅基底1直接接触，正面金属电极4与掺杂浓度较高的局域p++型掺杂区2接触，形成良好的欧姆接触，进而能够从很大程度上降低接触电阻；避免了正面金属电极 4直接接触p型晶体硅基底1而造成的接触区复合，能够从很大程度上提高电池开路电压和转换效率。
在本实用新型实施例中，p型晶体硅基底1的背面形成钝化隧穿层9，进一步提高电池的开路电压和转换效率。
在本实用新型实施例中，钝化隧穿层9的为掺杂有Ⅲ族和/或Ⅴ族元素的隧穿基体。上述隧穿基体可以包括：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅或非晶硅中的任意一种。进而上述隧穿基体材质选择性较多。
在本实用新型实施例中，钝化隧穿层为掺杂有Ⅲ族和/或Ⅴ族元素的隧穿基体。具体的，钝化隧穿层9中的上述Ⅲ族和/或Ⅴ族元素形成了量子隧穿点，利于电子的跃迁和电流传输，提高了短路电流和开路电压。在本实用新型实施例中，可选的，上述Ⅲ族可以包括硼元素，Ⅴ族元素可以包括磷元素。
在本发明实施例中，可选的，钝化隧穿层9中掺杂的Ⅲ族元素的浓度大于1013cm-3，Ⅴ族元素的浓度大于Ⅲ族元素的浓度。如，若钝化隧穿层9中同时掺杂有Ⅲ族元素和Ⅴ族元素，如，同时掺杂硼元素和磷元素，则，硼元素的浓度可以为2×1013cm-3，磷元素的浓度大于硼元素的浓度，磷元素的浓度可以为1015cm-3。若钝化隧穿层9中只掺杂有Ⅲ族元素，则，Ⅲ族元素的浓度大于1013cm-3，如，硼元素的浓度可以为2×1013cm-3。若钝化隧穿层9中只掺杂有Ⅴ族元素，则，Ⅴ族元素的浓度大于1014cm-3，如，磷元素的浓度可以为1015cm-3。在上述掺杂浓度下，形成的量子隧穿点更多，更利于电子的跃迁和电流传输，进一步提高了短路电流和开路电压。
在本实用新型实施例中，可选的，钝化隧穿层9的厚度可以为0.5～3nm。上述厚度范围的钝化隧穿层9，钝化效果好，且更有利于降低接触区表面复合，进一步提高电池的开路电压和转换效率。例如，钝化隧穿层9可以为 1.5nm的氧化硅层。
在本实用新型实施例中，钝化隧穿层9的背面形成n型掺杂硅膜层5。进而n型掺杂硅膜层5与p型晶体硅基底1，形成的异质结位于p型晶体硅基底1的背面，形成了背面发射极。p型晶体硅基底1的背面通常不用制绒，进而p型晶体硅基底1的背面更为平整和光滑，进而形成的异质结性能更好，能够从一定程度上提高开路电压；且位于p型晶体硅基底1背面的异质结，相对于位于p型晶体硅基底正面的异质结，不会减少进入p型晶体硅基底1 的有效入射光，光学损失少，一方面，光电转换效率高、开路电压大，另一方面，该结构的p型晶体硅电池，光学损失少，进而无需透明导电膜、低温导电银浆等，从很大程度上降低了异质结太阳能电池的成本。
在本实用新型实施例中，可选的，上述n型掺杂硅膜层5的材质可以包括：微晶硅、多晶硅中的至少一种，并掺杂有V族元素。上述n型掺杂硅膜层5的材质可以为微晶硅，或者，上述n型掺杂硅膜层5的材质可以为多晶硅，或者，上述n型掺杂硅膜层5的材质可以为微晶硅和多晶硅的组合物等。相对于对光吸收力强的非晶硅而言，上述n型掺杂硅膜层5的材质为：微晶硅、多晶硅中的至少一种，上述微晶硅、多晶硅对光的吸收能力较弱，进而不会减少进入p型晶体硅基底1的有效入射光，光学损失少，一方面，光电转换效率高、开路电压大，另一方面，该结构的p型晶体硅电池，光学损失少，进而无需透明导电膜、低温导电银浆等，从很大程度上降低了异质结太阳能电池的成本。
在本实用新型实施例中，可选的，上述n型掺杂硅膜层5掺杂有V族元素。例如，n型掺杂硅膜层5可以掺杂有磷元素。在本实用新型实施例中，对此不作具体限定。
在本实用新型实施例中，可选的，n型掺杂硅膜层5的厚度可以为 10nm～500nm。例如，n型掺杂硅膜层5的厚度可以为150nm。该厚度范围的n型掺杂硅膜层5，有利于增加进入p型晶体硅基底1的有效入射光，光学损失少。
在本实用新型实施例中，n型掺杂硅膜层5的背面沉积背面钝化层6。上述背面钝化层6能够从很大程度上减少背面入射光在p型晶体硅基底等表面的反射，同时，能够与异质结或背面发射极等形成良好的表面钝化。
在本实用新型实施例中，可选的，背面钝化层6的材质，可以包括：氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、氧化铝、氮氧化铝、碳化硅、非晶硅中的至少一种。
在本实用新型实施例中，可选的，背面钝化层6的厚度可以为40～200nm。上述厚度范围的背面钝化层6，更能减少背面入射光在p型晶体硅基底等表面的反射，且，对异质结或背面发射极等等形成更好的表面钝化。例如，面钝化层6可以为氮化硅，厚度可以为70nm。
在本实用新型实施例中，背面金属电极7穿透背面钝化层6并与n型掺杂硅膜层5接触。背面金属电极7没有与p型晶体硅基底1直接接触，背面金属电极7与n型掺杂硅膜层5接触，形成良好的欧姆接触，进而能够从很大程度上降低接触电阻；避免了背面金属电极7直接接触p型晶体硅基底1 而造成的接触区复合，能够进一步提高电池开路电压和转换效率。
在本实用新型实施例中，该背面金属电极7通常用来收集光生载流子中的电子。可选的，背面金属电极7，可以包括Ag电极、Ni/Ag电极、Ni/Cu 电极、Co/Ag电极、Co/Cu电极、Co/Cu/Sn电极、Co/Cu/Ag电极、Ni/Cu/Sn 电极、Ni/Cu/Ag电极中的任意一种。例如，背面金属电极7可以为丝网印刷形成的Ag电极。
在本实用新型实施例中，背面金属电极的选择性多，能够选择成本较低的背面金属电极，以降低异质结太阳能电池的成本。同时，用金属钴Co作为背面金属电极的材料，有利于提升对铜的阻挡效果，避免铜作为杂质进入到p型晶体硅太阳能电池，而，铜容易在p型晶体硅太阳能电池中扩散，会引起电荷复合，导致载流子减少，降低了开路电压，通过用金属钴Co作为背面金属电极的材料，有利于提升对铜的阻挡效果，能够从一定程度上提升开路电压。
在本实用新型实施例中，上述p型晶体硅太阳能电池还是通过掺杂、沉积等现有的加工工艺制作，直接兼容现有的加工工艺，无需调整现有的加工工艺，该p型晶体硅太阳能电池制作过程简便。
在本实用新型实施例中，p型晶体硅太阳能电池，包括：p型晶体硅基底；局域p++型掺杂区，形成于所述P型晶体硅基底的正面；所述局域p++ 型掺杂区的掺杂浓度大于所述p型晶体硅基底的掺杂浓度；正面减反射层，沉积于所述p型晶体硅基底的正面；正面金属电极，所述正面金属电极穿透所述正面减反射层并与所述局域p++型掺杂区接触；钝化隧穿层；形成于所述P型晶体硅基底的背面；所述钝化隧穿层为掺杂有Ⅲ族和/或Ⅴ族元素的隧穿基体；所述隧穿基体包括：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅或非晶硅中的任意一种；n型掺杂硅膜层，形成于所述钝化隧穿层的背面；背面钝化层，沉积于所述n型掺杂硅膜层的背面；以及背面金属电极，所述背面金属电极穿透所述背面钝化层并与所述n型掺杂硅膜层接触；所述背面金属电极为栅线电极。本实用新型实施例中，n型掺杂硅膜层与p型晶体硅基底，形成的异质结位于p型晶体硅基底的背面，形成了背面发射极，p型晶体硅基底的背面更为平整，进而形成的异质结性能更好，能够从一定程度上提高开路电压；且位于p型晶体硅基底背面的异质结，相对于位于p型晶体硅基底正面的异质结，不会减少进入p型晶体硅基底的有效入射光，光学损失少，一方面，光电转换效率高、开路电压大，另一方面，该结构的p型晶体硅电池，光学损失少，进而无需透明导电膜、低温导电银浆等，从很大程度上降低了异质结太阳能电池的成本。钝化隧穿层形成于P型晶体硅基底的背面，钝化隧穿层为掺杂有Ⅲ族和/或Ⅴ族元素的隧穿基体，隧穿基体包括：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅或非晶硅中的任意一种，钝化隧穿层能钝化异质结，电池发射极的接触区，降低接触区表面复合，进一步提高电池的开路电压和转换效率；且钝化隧穿层中的上述Ⅲ族和/或Ⅴ族元素形成了量子隧穿点，利于电子的跃迁和电流传输，提高了短路电流和开路电压。背面金属电极为栅线电极并不是整面都是金属电极，有利于降低成本；同时，上述结构的p型晶体硅电池，正面金属电极并没有与p型晶体硅基底直接接触，正面金属电极与掺杂浓度较高的局域p++型掺杂区接触，形成良好的欧姆接触，进而能够从很大程度上降低接触电阻；同时，背面金属电极也没有与p型晶体硅基底直接接触，背面金属电极与n型掺杂硅膜层接触，也形成良好的欧姆接触，进而能够从很大程度上降低接触电阻；避免了正面金属电极和背面金属电极直接接触p型晶体硅基底而造成的接触区复合，能够进一步提高电池开路电压和转换效率；同时，上述结构的p型晶体硅太阳能电池，加工过程能够兼容现有的加工工艺，制作简便。
参照图2，图2示出了本实用新型实施例中的第二种p型晶体硅太阳能电池的结构示意图。
参照图2所示，在上述图1的基础上，p型晶体硅太阳能电池，还可以包括：p+型掺杂层8。p+型掺杂层8掺杂形成于正面减反射层3与p型晶体硅基底1之间且局域p++型掺杂区2之外的区域。局域p++型掺杂区2与p+ 型掺杂层8掺杂类型相同，且p+型掺杂层8的掺杂浓度，介于局域p++型掺杂区2的掺杂浓度与p型晶体硅基底1的掺杂浓度之间。
具体的，正面减反射层3与p型晶体硅基底1之间，且局域p++型掺杂区2之外的区域，掺杂形成p+型掺杂层8。也就是说，正面减反射层3与p 型晶体硅基底1之间，局域p++型掺杂区2周围掺杂形成了p+型掺杂层8。局域p++型掺杂区2与p+型掺杂层8掺杂类型相同，也与p型晶体硅基底1 掺杂类型相同，掺杂类型均可以为III族元素，例如，硼元素。p+型掺杂层 8的掺杂浓度，介于局域p++型掺杂区2的掺杂浓度与p型晶体硅基底1的掺杂浓度之间，进而局域p++型掺杂区2和p+型掺杂层8形成了p++p+型高低结，既能钝化电池正面的接触区，降低接触区表面复合，同时能与正面金属电极4形成良好的欧姆接触，进一步提高电池的开路电压和转换效率。
在本实用新型实施中，参照图2所示，局域p++型掺杂区2的宽度，大于正面金属电极4的宽度。进而，正面金属电极4可以完全与局域p++型掺杂区2接触，以形成良好的欧姆接触，进而能够从很大程度上降低接触电阻；避免了正面金属电极4直接接触p型晶体硅基底1而造成的接触区复合，能够从很大程度上提高电池开路电压和转换效率。
在本实用新型实施中，正面金属电极4可以不与p+型掺杂层8接触，正面金属电极4可以只与掺杂浓度较高的局域p++型掺杂区2接触，进而形成良好的欧姆接触，更大程度上降低接触电阻。
在本实用新型实施中，可选的，p型晶体硅基底1的掺杂浓度可以为： 1.3×1015～1×1017；局域p++型掺杂区2的掺杂浓度可以为：1019～1021cm-3， P+掺杂层8的掺杂浓度为：1018～1020cm-3。在上述掺杂浓度范围，进而形成良好的欧姆接触，更大程度上降低接触电阻，降低接触区表面复合，进一步提高电池的开路电压和转换效率。
例如，p型晶体硅基底1的掺杂浓度为：1.3×1015～1×1017，p型晶体硅基底1对应的电阻率可以为0.3～10Ω·cm，能够进一步提高电池的开路电压和转换效率。
在本实用新型实施例中，可选的，P+掺杂层8的掺杂浓度还可以小于 1018，或，P+掺杂层8的掺杂浓度还可以小于1017。在本实用新型实施例中，对此不作具体限定。如，P+掺杂层8的掺杂浓度可以为8×1016。
参照图3，图3示出了本实用新型实施例中的一种p型晶体硅太阳能电池生产方法的步骤流程图。该方法可以应用于生产上述图1或图2中的任一种p型晶体硅太阳能电池。该方法具体可以包括如下步骤：
步骤101，在p型晶体硅基底的正面形成局域p++型掺杂区；其中，所述局域p++型掺杂区的掺杂浓度大于所述p型晶体硅基底的掺杂浓度。
在本实用新型实施例中，参照图1至2中任一附图，可以在p型晶体硅基底1的正面形成局域p++型掺杂区2，其中，该局域p++型掺杂区2与上述p型晶体硅基底1掺杂类型相同，可以均为Ⅲ族元素，且上述局域p++型掺杂区2的掺杂浓度大于上述p型晶体硅基底1的掺杂浓度。
具体的，可以通过印刷烧结或低温沉积等途径，在p型晶体硅基底1的正面形成局域p++型掺杂区2，在本实用新型实施例中，对此不作具体限定。
步骤102，在所述p型晶体硅基底的正面，沉积形成正面减反射层。
在本实用新型实施例中，可以在上述p型晶体硅基底1的正面，沉积形成正面减反射层3。
具体的，可以通过印刷烧结或低温沉积等途径，在上述p型晶体硅基底 1的正面和上述局域p++型掺杂区2的正面，沉积形成正面减反射层3，在本实用新型实施例中，对此不作具体限定。
步骤103，在所述正面减反射层的预设区域形成至少一个第一开膜区域，露出所述局域p++型掺杂区。
在本实用新型实施例中，在上述正面减反射层3的预设区域形成至少一个第一开膜区域，露出上述局域p++型掺杂区2。该预设区域可以为：上述正面减反射层3上局域p++型掺杂区2正对的区域。
步骤104，在所述第一开膜区域的所述局域p++型掺杂区的正面，形成正面金属电极。
在本实用新型实施例中，在上述第一开膜区域的局域p++型掺杂区2的正面，形成正面金属电极4。
具体的，可以通过印刷烧结电极浆料穿透正面减反射层3形成连接到局域p++型掺杂区2的正面金属电极4。或者，通过低温沉积和高温沉积结合的方式，在上述第一开膜区域的局域p++型掺杂区2的正面，形成正面金属电极4。因为低温沉积和高温沉积不用银，且电阻率较低，则，形成的p型晶体硅太阳能电池成本低且导电效果好。在本实用新型实施例中，对此不作具体限定。
步骤105，在所述p型晶体硅基底的背面形成钝化隧穿层；所述钝化隧穿层为掺杂有Ⅲ族和/或Ⅴ族元素的隧穿基体；其中，所述隧穿基体包括：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅或非晶硅中的任意一种。
在本实用新型实施例中，在p型晶体硅基底1的背面沉积形成钝化隧穿层9。具体的，可使用化学氧化或热氧化的途径，在p型晶体硅基底1的背面沉积形成钝化隧穿层9。在本实用新型实施例中，对此不作具体限定。
在本实用新型实施例中，p型晶体硅基底1的背面形成钝化隧穿层9，钝化隧穿层9能钝化异质结，电池发射极的接触区，降低接触区表面复合，进一步提高电池的开路电压和转换效率。
在本实用新型实施例中，钝化隧穿层9的为掺杂有Ⅲ族和/或Ⅴ族元素的隧穿基体。上述隧穿基体可以包括：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅或非晶硅中的任意一种。进而上述隧穿基体材质选择性较多。
在本实用新型实施例中，钝化隧穿层为掺杂有Ⅲ族和/或Ⅴ族元素的隧穿基体。具体的，钝化隧穿层9中的上述Ⅲ族和/或Ⅴ族元素形成了量子隧穿点，利于电子的跃迁和电流传输，提高了短路电流和开路电压。
步骤106，在所述钝化隧穿层的背面形成n型掺杂硅膜层。
在本实用新型实施例中，可以在钝化隧穿层9的背面形成n型掺杂硅膜层5。
具体的，可以通过离子注入或扩散形成等途径，在钝化隧穿层9的背面形成n型掺杂硅膜层5，在本实用新型实施例中，对此不作具体限定。
步骤107，在所述n型掺杂硅膜层的背面沉积形成背面钝化层。
在本实用新型实施例中，可以在n型掺杂硅膜层5的背面沉积形成背面钝化层6，具体实现方式不作具体限定。
步骤108，在所述背面钝化层的预设区域照射激光，形成至少一个第二开膜区域，露出所述n型掺杂硅膜层。
在本实用新型实施例中，可以在背面钝化层7的预设区域照射激光，形成至少一个第二开膜区域，露出n型掺杂硅膜层5。上述预设区域可以为背面钝化层7上需要设置背面金属电极7的相应区域。在本实用新型实施例中，对此不作具体限定。
步骤109，在所述第二开膜区域的所述n型掺杂硅膜层的背面，形成背面金属电极。
在本实用新型实施例中，可以在上述第二开膜区域的n型掺杂硅膜层5 的背面，形成背面金属电极7。
具体的，通过低温沉积金属电极到第二开膜区域形成连接到n型掺杂硅膜层5背面的背面金属电极7。或者，通过低温沉积和高温沉积结合的方式，在上述第二开膜区域的n型掺杂硅膜层5的背面，形成背面金属电极7。因为低温沉积和高温沉积不用银，且电阻率较低，则，形成的p型晶体硅太阳能电池成本低且导电效果好。在本实用新型实施例中，对此不作具体限定。
在本实用新型实施例中，可选的，所述正面金属电极4和/或背面金属电极7的主栅线由多个焊盘和所述焊盘之间的连接栅线组成，所述焊盘通过电极浆料烧结形成，所述连接栅线由电极浆料烧结或低温沉积金属层形成。焊盘电极浆料烧结形成，可以降低成本，可以保证良好的焊接可靠性。
在本实用新型实施例中，在p型晶体硅基底的正面形成局域p++型掺杂区；其中，所述局域p++型掺杂区的掺杂浓度大于所述p型晶体硅基底的掺杂浓度；在所述p型晶体硅基底的正面，沉积形成正面减反射层；在所述正面减反射层的预设区域形成至少一个第一开膜区域，露出所述局域p++型掺杂区；在所述第一开膜区域的所述局域p++型掺杂区的正面，形成正面金属电极；在所述p型晶体硅基底的背面形成钝化隧穿层；所述钝化隧穿层为掺杂有Ⅲ族和/或Ⅴ族元素的隧穿基体；所述隧穿基体包括：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅或非晶硅中的任意一种；在所述钝化隧穿层的背面形成n型掺杂硅膜层；在所述n型掺杂硅膜层的背面沉积形成背面钝化层；在所述背面钝化层的预设区域照射激光，形成至少一个第二开膜区域，露出所述n型掺杂硅膜层；在所述第二开膜区域的所述n型掺杂硅膜层的背面，形成背面金属电极。本实用新型实施例中形成的异质结位于p型晶体硅基底的背面，形成了背面发射极，p型晶体硅基底的背面更为平整，进而形成的异质结性能更好，能够从一定程度上提高开路电压；且位于p型晶体硅基底背面的异质结，相对于位于p型晶体硅基底正面的异质结，不会减少进入p 型晶体硅基底的有效入射光，光学损失少，一方面，光电转换效率高、开路电压大，另一方面，该结构的p型晶体硅电池，光学损失少，进而无需透明导电膜、低温导电银浆等，从很大程度上降低了异质结太阳能电池的成本。钝化隧穿层形成于P型晶体硅基底的背面，钝化隧穿层为掺杂有Ⅲ族和/或Ⅴ族元素的隧穿基体，隧穿基体包括：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅或非晶硅中的任意一种，钝化隧穿层能钝化异质结，电池发射极的接触区，降低接触区表面复合，进一步提高电池的开路电压和转换效率；且上述钝化隧穿层9中的上述Ⅲ族和/或Ⅴ族元素形成了量子隧穿点，利于电子的跃迁和电流传输，提高了短路电流和开路电压。背面金属电极为栅线电极并不是整面都是金属电极，有利于降低成本；同时，上述结构的p型晶体硅电池，正面金属电极并没有与p型晶体硅基底直接接触，正面金属电极与掺杂浓度较高的局域p++型掺杂区接触，形成良好的欧姆接触，进而能够从很大程度上降低接触电阻；同时，背面金属电极也没有与p型晶体硅基底直接接触，背面金属电极与n型掺杂硅膜层接触，也形成良好的欧姆接触，进而能够从很大程度上降低接触电阻；避免了正面金属电极和背面金属电极直接接触p型晶体硅基底而造成的接触区复合，能够进一步提高电池开路电压和转换效率；同时，上述结构的p型晶体硅太阳能电池，加工过程能够兼容现有的加工工艺，制作简便。
图4示出了本实用新型实施例中的又一种p型晶体硅太阳能电池生产方法的步骤流程图。该方法可以包括如下步骤：
步骤201，在p型晶体硅基底的正面形成局域p++型掺杂区；其中，所述局域p++型掺杂区的掺杂浓度大于所述p型晶体硅基底的掺杂浓度。
在本实用新型实施例中，上述步骤201可以参照上述步骤101的相关记载，为了避免重复，此处不再赘述。
步骤202，在所述正面减反射层与所述p型晶体硅基底之间且所述局域 p++型掺杂区之外的区域，掺杂形成p+型掺杂层；其中，所述p+型掺杂层的掺杂浓度，介于所述局域p++型掺杂区的掺杂浓度与所述p型晶体硅基底的掺杂浓度之间。
在本实用新型实施例中，可以在p型晶体硅基底1和正面减反射层3之间且局域p++型掺杂区2之外的区域，掺杂形成p+型掺杂层8；局域p++型掺杂区2与p+型掺杂层8掺杂类型相同，可以均为Ⅲ族元素，且p+型掺杂层8的掺杂浓度，介于局域p++型掺杂区2的掺杂浓度与所述p型晶体硅基底1的掺杂浓度之间。
具体的，可以通过印刷烧结或低温沉积等途径，在p型晶体硅基底1的正面，局域p++型掺杂区2之外的区域，掺杂形成p+型掺杂层8，在本实用新型实施例中，对此不作具体限定。
步骤203，在所述局域p++型掺杂区和所述p+型掺杂层的正面，沉积形成所述正面减反射层。
在本实用新型实施例中，在形成p+型掺杂层8之后，可以在局域p++ 型掺杂区2和p+型掺杂层8的正面，沉积形成正面减反射层3。
步骤204，在所述正面减反射层的预设区域形成至少一个第一开膜区域，露出所述局域p++型掺杂区。
步骤205，在所述第一开膜区域的所述局域p++型掺杂区的正面，形成正面金属电极。
在本实用新型实施例中，上述步骤203至步骤205可以分别参照上述步骤102至步骤104的相关记载，为了避免重复，此处不再赘述。
步骤206，对所述p型晶体硅基底的背面进行抛光处理。
在本实用新型实施例中，对p型晶体硅基底1的背面进行抛光处理，进而使得p型晶体硅基底1的背面更为平整，该平整的背面有利于沉积形成高质量的致密的钝化隧穿层。
步骤207，在抛光处理后的所述p型晶体硅基底的背面沉积形成所述钝化隧穿层；其中，所述钝化隧穿层为掺杂有Ⅲ族和/或Ⅴ族元素的隧穿基体；所述隧穿基体包括：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅或非晶硅中的任意一种。
在本实用新型实施例中，在抛光处理后的p型晶体硅基底1的背面沉积形成钝化隧穿层9。
具体的，可使用化学氧化或热氧化的途径，在抛光处理后的p型晶体硅基底1的背面沉积形成钝化隧穿层9。在本实用新型实施例中，对此不作具体限定。
步骤208，在所述钝化隧穿层的背面形成所述n型掺杂硅膜层。
具体的，在抛光处理后的p型晶体硅基底1的背面沉积形成钝化隧穿层 9之后，可以在钝化隧穿层9的背面形成n型掺杂硅膜层5。
步骤209，在所述n型掺杂硅膜层的背面沉积形成背面钝化层。
步骤210，在所述背面钝化层的预设区域照射激光，形成至少一个第二开膜区域，露出所述n型掺杂硅膜层。
步骤211，在所述第二开膜区域的所述n型掺杂硅膜层的背面，形成背面金属电极。
在本实用新型实施例中，上述步骤209至步骤211可以分别参照上述步骤107至步骤109的相关记载，为了避免重复，此处不再赘述。
在本实用新型实施例中，在p型晶体硅基底的正面形成局域p++型掺杂区；其中，所述局域p++型掺杂区的掺杂浓度大于所述p型晶体硅基底的掺杂浓度；在所述p型晶体硅基底的正面，沉积形成正面减反射层；在所述正面减反射层的预设区域形成至少一个第一开膜区域，露出所述局域p++型掺杂区；在所述第一开膜区域的所述局域p++型掺杂区的正面，形成正面金属电极；在所述p型晶体硅基底的背面形成钝化隧穿层；其中，所述钝化隧穿层为掺杂有Ⅲ族和/或Ⅴ族元素的隧穿基体；所述隧穿基体包括：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅或非晶硅中的任意一种；在所述钝化隧穿层的背面形成n型掺杂硅膜层；在所述n型掺杂硅膜层的背面沉积形成背面钝化层；在所述背面钝化层的预设区域照射激光，形成至少一个第二开膜区域，露出所述n型掺杂硅膜层；在所述第二开膜区域的所述n型掺杂硅膜层的背面，形成背面金属电极。本实用新型实施例中形成的异质结位于p型晶体硅基底的背面，形成了背面发射极，p型晶体硅基底的背面更为平整，进而形成的异质结性能更好，能够从一定程度上提高开路电压；且位于p型晶体硅基底背面的异质结，相对于位于p型晶体硅基底正面的异质结，不会减少进入p型晶体硅基底的有效入射光，光学损失少，一方面，光电转换效率高、开路电压大，另一方面，该结构的p型晶体硅电池，光学损失少，进而无需透明导电膜、低温导电银浆等，从很大程度上降低了异质结太阳能电池的成本。钝化隧穿层形成于P型晶体硅基底的背面，钝化隧穿层为掺杂有Ⅲ族和/或Ⅴ族元素的隧穿基体，隧穿基体包括：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅或非晶硅中的任意一种，钝化隧穿层能钝化异质结，电池发射极的接触区，降低接触区表面复合，进一步提高电池的开路电压和转换效率；钝化隧穿层9中的上述Ⅲ族和/或Ⅴ族元素形成了量子隧穿点，利于电子的跃迁和电流传输，提高了短路电流和开路电压。背面金属电极为栅线电极并不是整面都是金属电极，有利于降低成本；同时，上述结构的p型晶体硅电池，正面金属电极并没有与p型晶体硅基底直接接触，正面金属电极与掺杂浓度较高的局域p++型掺杂区接触，形成良好的欧姆接触，进而能够从很大程度上降低接触电阻；同时，背面金属电极也没有与p型晶体硅基底直接接触，背面金属电极与n型掺杂硅膜层接触，也形成良好的欧姆接触，进而能够从很大程度上降低接触电阻；避免了正面金属电极和背面金属电极直接接触p型晶体硅基底而造成的接触区复合，能够进一步提高电池开路电压和转换效率；同时，上述结构的p型晶体硅太阳能电池，加工过程能够兼容现有的加工工艺，制作简便。
需要说明的是，针对上述方法实施例而言，p型晶体硅太阳能电池的各层或各区域相关部分，可以参照前述p型晶体硅太阳能电池实施例中的相关部分，为了避免重复，此处不再赘述。
需要说明的是，对于方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本申请实施例并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本申请实施例，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定都是本申请实施例所必须的。
图5示出了本实用新型实施例的一种p型晶体硅太阳能电池生产设备的结构示意图。
如图5所示，本实用新型实施例提供的一种p型晶体硅太阳能电池生产设备可以包括：接口71、处理器72、存储器73及总线74；其中，所述总线 74，用于实现所述接口71、所述处理器72和所述存储器73之间的连接通信；所述存储器73存储有可执行程序，所述处理器72，用于执行所述存储器73 中存储的可执行程序，以实现如图3或图4，实施例中的p型晶体硅太阳能电池生产的步骤，并能达到相同或相似的效果，为了避免重复，此处不再赘述。
本实用新型还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有一个或者多个可执行程序，所述一个或者多个可执行程序可被一个或者多个处理器执行，以实现如图3或图4，实施例中的p型晶体硅太阳能电池生产的步骤，并能达到相同或相似的效果，为了避免重复，此处不再赘述。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本实用新型的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端(可以是手机，计算机，服务器，空调器，或者网络设备等)执行本实用新型各个实施例所述的方法。
上面结合附图对本实用新型的实施例进行了描述，但是本实用新型并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本实用新型的启示下，在不脱离本实用新型宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本实用新型的保护之内。

Claims (10)

1.一种p型晶体硅太阳能电池，其特征在于，包括：p型晶体硅基底；
局域p++型掺杂区，形成于所述P型晶体硅基底的正面；
正面减反射层，沉积于所述p型晶体硅基底的正面；
正面金属电极，所述正面金属电极穿透所述正面减反射层并与所述局域p++型掺杂区接触；
钝化隧穿层；形成于所述P型晶体硅基底的背面；所述钝化隧穿层为掺杂有Ⅲ族和/或Ⅴ族元素的隧穿基体；所述隧穿基体为：氧化硅基体、氮化硅基体、氮氧化硅基体、氧化铝基体、碳化硅基体或非晶硅基体中的任意一种；
n型掺杂硅膜层，形成于所述钝化隧穿层的背面；
背面钝化层，沉积于所述n型掺杂硅膜层的背面；
以及背面金属电极，所述背面金属电极穿透所述背面钝化层并与所述n型掺杂硅膜层接触；所述背面金属电极为栅线电极。
2.根据权利要求1所述的p型晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述局域p++型掺杂区的宽度，大于等于所述正面金属电极的宽度。
3.根据权利要求1所述的p型晶体硅太阳能电池，其特征在于，还包括：p+型掺杂层，掺杂形成于所述正面减反射层与所述p型晶体硅基底之间且所述局域p++型掺杂区之外的区域。
4.根据权利要求1所述的p型晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述钝化隧穿层厚度为0.5～3nm。
5.根据权利要求1所述的p型晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述p型晶体硅基底的厚度为50～300μm。
6.根据权利要求1所述的p型晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述n型掺杂硅膜层的厚度为10nm～500nm。
7.根据权利要求1所述的p型晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述正面减反射层的厚度为40～100nm。
8.根据权利要求1所述的p型晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述背面钝化层的厚度为40～200nm。
9.根据权利要求1所述的p型晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述正面金属电极包括：Al电极、Al/Ag电极、Ni/Cu电极、Co/Cu电极、Ni/Cu/Sn 电极、Co/Cu/Sn电极、Co/Cu/Ag电极、Ni/Cu/Ag电极中的任意一种。
10.根据权利要求1所述的p型晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述背面金属电极，包括Ag电极、Ni/Ag电极、Ni/Cu电极、Co/Ag电极、Co/Cu电极、Co/Cu/Sn电极、Co/Cu/Ag电极、Ni/Cu/Sn电极、Ni/Cu/Ag电极中的任意一种。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN111584685A (zh) * 2020-05-28 2020-08-25 江西展宇新能科技有限公司 一种新型太阳能电池及其制备方法
CN111584650A (zh) * 2020-05-28 2020-08-25 江西展宇新能科技有限公司 一种高效p型太阳能电池及光伏组件
CN111816554A (zh) * 2020-09-03 2020-10-23 东方日升新能源股份有限公司 P型背结接触钝化电池正面局域重扩方法及电池制备方法
CN114864710A (zh) * 2022-04-11 2022-08-05 青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司 一种ibc太阳能电池及其制作方法

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