CN210535694U - Qled器件的封装结构 - Google Patents
Qled器件的封装结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN210535694U CN210535694U CN201721295954.5U CN201721295954U CN210535694U CN 210535694 U CN210535694 U CN 210535694U CN 201721295954 U CN201721295954 U CN 201721295954U CN 210535694 U CN210535694 U CN 210535694U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- qled device
- layer
- thin film
- buffer layer
- organic buffer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Abstract
本实用新型提供一种QLED器件的封装结构。该QLED器件的封装结构通过在QLED器件上形成多层无机阻挡层与至少一层有机缓冲层交替层叠设置的薄膜封装层，对QLED器件实现密封以阻挡水氧等对器件的侵害，并且有机缓冲层中还掺杂了导热材料，能够将QLED器件产生的热量及时地通过薄膜封装层传递出来，从而提高薄膜封装层的散热性，进而提高QLED器件的出光效率和使用寿命。
Description
技术领域
本实用新型涉及显示装置封装领域，尤其涉及一种QLED器件的封装结构。
背景技术
有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Display,OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽、可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体地，OLED器件通常采用氧化铟锡(ITO)电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。
量子点(quantum dot,QD)是半径小于或者接近波尔激子半径的纳米晶颗粒，其尺寸粒径一般介于1-20nm之间。量子点具有量子限域效应，受激发后可以发射荧光。而且量子点具有独特的发光特性，例如激发峰宽、发射峰窄、发光光谱可调等性质，使得其在光电发光领域具有广阔的应用前景。量子点发光二极管(quantum dot light emitting diode,QLED)就是以量子点作为发光层的电致发光器件，在不同的导电材料之间引入量子点发光层从而得到所需要波长的光。经过二十多年来的发展，由于具有尺寸可调、波长可调、发光光谱半峰宽极窄、色域面积大、电致发光效率极高、可溶液制程降低损耗等优点，量子点发光二极管已成为下一代显示技术的极具潜力的竞争者。
然而QLED器件对水氧非常敏感，极易受到周围环境的水氧影响而造成器件失效，故需要极高密闭性的封装结构，然而高密闭的封装结构又会导致器件散热困难，从而严重制约了其效率和寿命表现。因而如何保证器件同时兼备密封性和散热性成为封装结构亟待解决的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种QLED器件的封装结构，对水氧具有较高阻隔密封性，且QLED器件产生的热量能够及时有效地导出，从而提高器件的稳定性，延长QLED器件的使用寿命。
为实现上述目的，本实用新型提供一种QLED器件的封装结构，包括：
衬底基板；
设于所述衬底基板上的QLED器件；
设于所述衬底基板上并覆盖所述QLED器件的薄膜封装层；
所述薄膜封装层包括交替层叠设置的多层无机阻挡层和至少一层有机缓冲层；
所述有机缓冲层中掺杂有导热材料。
所述有机缓冲层的厚度为500-2000nm。
所述有机缓冲层中的有机物为环氧树脂、硅基聚合物及聚甲基丙烯酸甲酯中的一种或多种的组合。
所述导热材料为氧化石墨烯；所述有机缓冲层中导热材料的质量分数小于或等于5％。
所述薄膜封装层中靠近QLED器件的一层为无机阻挡层。
本实用新型的有益效果：本实用新型提供的QLED器件的封装结构，在QLED器件上形成多层无机阻挡层与至少一层有机缓冲层交替层叠设置的薄膜封装层，对QLED器件实现密封以阻挡水氧等对器件的侵害，并且有机缓冲层中还掺杂了导热材料，能够将QLED器件产生的热量及时地通过薄膜封装层传递出来，从而提高薄膜封装层的散热性，进而提高QLED器件的出光效率和使用寿命。
附图说明
为了能更进一步了解本实用新型的特征以及技术内容，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本实用新型加以限制。
附图中，
图1为本实用新型的QLED器件的封装结构的第一实施例的示意图；
图2为本实用新型的QLED器件的封装结构的第二实施例的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本实用新型所采取的技术手段及其效果，以下结合本实用新型的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1或图2，本实用新型还提供一种QLED器件的封装结构，包括：
衬底基板10；
设于衬底基板10上的QLED器件20；
设于衬底基板10上并覆盖QLED器件20的薄膜封装层50；
所述薄膜封装层50包括交替层叠设置的多层无机阻挡层30和至少一层有机缓冲层40；所述有机缓冲层40中掺杂有导热材料。
具体地，所述衬底基板10为TFT基板，包括阵列排布的用于驱动QLED器件20发光的多个薄膜晶体管(未图示)。
具体地，所述薄膜封装层50中靠近QLED器件20的一层为无机阻挡层30。
具体地，所述薄膜封装层50中位于顶层的一层为无机阻挡层30，即所述无机阻挡层30的层数比有机缓冲层40的层数多一层。
具体地，所述导热材料为氧化石墨烯。
具体地，可以采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)、原子层沉积法(ALD)或溅射镀膜法(sputtering)形成无机阻挡层30。
具体地，形成有机缓冲层40的具体方法为：将导热材料和有机物溶于有机溶剂中形成混合物后，在无机阻挡层30上将该混合物通过丝网印刷、旋涂、喷墨打印或流延成膜的方式形成有机膜层，然后经UV光照射或加热的方式使有机膜层固化，得到有机缓冲层40。
具体地，所述有机缓冲层40中的有机物为环氧树脂、硅基聚合物及聚甲基丙烯酸甲酯中的一种或多种的组合。
需要指出的是，当QLED器件20发出的光需要从薄膜封装层50一侧出射时，导热材料在有机缓冲层40中的质量分数小于或等于5％，以保证薄膜封装层50的透光性。
具体地，所述有机缓冲层40的厚度为500-2000nm。
具体地，所述无机阻挡层30为硅的氧化物、硅的氮化物及铝的氧化物中的一种或多种的组合，如三氧化二铝(Al2O3)或氮化硅(SiNx)。
具体地，所述无机阻挡层30的厚度为500-2000nm。
需要说明的是，本实用新型的QLED器件的封装结构在QLED器件20上形成了包括交替层叠设置的多层无机阻挡层30和至少一层有机缓冲层40的薄膜封装层50，对QLED器件20实现密封以阻挡水氧等对器件的侵害，其中，无机阻挡层30为水氧的有效阻挡层，但是在制备无机阻挡层30过程中会产生一些针孔(Pinholes)或异物(Particle)缺陷，而有机缓冲层40的作用就是覆盖无机阻挡层30的缺陷，有机缓冲层40还可以释放无机阻挡层30之间的应力，实现平坦化，并且，有机缓冲层40中掺杂了具有较高的热导率的氧化石墨烯，能够将QLED器件20产生的热量及时地通过薄膜封装层50传递出来，从而提高薄膜封装层50的散热性，进而提高QLED器件20的出光效率和使用寿命。
上述QLED器件的封装结构中，可以根据实际情况或需要，形成如图1所示的无机阻挡层-有机缓冲层-无机阻挡层三层交替层叠设置的薄膜封装层50，也可以形成如图2所示的无机阻挡层-有机缓冲层-无机阻挡层-有机缓冲层-无机阻挡层五层交替层叠设置的薄膜封装层50’，以增强薄膜封装层的密封性，在此不做限制。
综上所述，本实用新型的QLED器件的封装结构在QLED器件上形成多层无机阻挡层与至少一层有机缓冲层交替层叠设置的薄膜封装层，对QLED器件实现密封以阻挡水氧等对器件的侵害，并且有机缓冲层中还掺杂了导热材料，能够将QLED器件产生的热量及时地通过薄膜封装层传递出来，从而提高薄膜封装层的散热性，进而提高QLED器件的出光效率和使用寿命。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本实用新型的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本实用新型后附的权利要求的保护范围。
Claims (2)
1.一种QLED器件的封装结构，其特征在于，包括：
衬底基板(10)；
设于所述衬底基板(10)上的QLED器件(20)；
设于所述衬底基板(10)上并覆盖所述QLED器件(20)的薄膜封装层(50)；
所述薄膜封装层(50)包括交替层叠设置的多层无机阻挡层(30)和至少一层有机缓冲层(40)；
所述有机缓冲层(40)中掺杂有氧化石墨烯；
所述有机缓冲层(40)的厚度为500-2000nm；
所述有机缓冲层(40)中的有机物为环氧树脂、硅基聚合物或聚甲基丙烯酸甲酯。
2.如权利要求1所述的QLED器件的封装结构，其特征在于，所述薄膜封装层(50)中靠近QLED器件(20)的一层为无机阻挡层(30)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201721295954.5U CN210535694U (zh) | 2017-10-09 | 2017-10-09 | Qled器件的封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201721295954.5U CN210535694U (zh) | 2017-10-09 | 2017-10-09 | Qled器件的封装结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN210535694U true CN210535694U (zh) | 2020-05-15 |
Family
ID=70591831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201721295954.5U Active CN210535694U (zh) | 2017-10-09 | 2017-10-09 | Qled器件的封装结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN210535694U (zh) |
-
2017
- 2017-10-09 CN CN201721295954.5U patent/CN210535694U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10566506B2 (en) | Packaging method and package structure of QLED device | |
| US10276832B2 (en) | Oled display and manufacturing method thereof | |
| US9748523B2 (en) | Organic light-emitting device | |
| Anikeeva et al. | Electronic and excitonic processes in light-emitting devices based on organic materials and colloidal quantum dots | |
| US9379344B2 (en) | Display panel and display device | |
| WO2020015173A1 (zh) | Oled显示器 | |
| KR101317011B1 (ko) | 구조화된 발광 전환층 | |
| US9660209B2 (en) | Method for manufacturing OLED device and OLED device manufactured therewith | |
| WO2017206216A1 (zh) | Oled显示装置 | |
| US9960381B2 (en) | Lighting device, method for producing a lighting device | |
| EP2150996A1 (en) | Electroluminescent device having improved light output | |
| US10454066B2 (en) | Thin-film package structure and OLED component | |
| WO2017210927A1 (zh) | 自发光显示装置 | |
| US9882160B2 (en) | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component | |
| JP2011507196A (ja) | 発光ダイオードの外部効率の向上 | |
| JP2013073759A (ja) | 有機発光表示装置及びその製造方法 | |
| US10249846B2 (en) | OLED packaging method and OLED package structure | |
| US10854686B2 (en) | Package structure consisting of quantum dot material and packaging method for organic electroluminescence element and display device | |
| WO2012063445A1 (ja) | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 | |
| US11335881B2 (en) | Display panel | |
| CN210535694U (zh) | Qled器件的封装结构 | |
| JP2003100447A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置 | |
| KR101649757B1 (ko) | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 | |
| JP2014165261A (ja) | 有機発光表示装置およびその製造方法 | |
| CN109360904A (zh) | 显示基板、显示面板、显示基板的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |