CN210533033U - 新型高温烧结炉 - Google Patents

Abstract

一种新型高温烧结炉，属于窑炉设施技术领域。包括炉体，炉体的中央有炉膛；硅钼棒左加热元件在对应于炉膛的左侧的位置自炉膛的前端分布至后端，硅钼棒右加热元件在对应于炉膛的右侧的位置自炉膛的前端分布至后端，特点：在炉顶砖上并且对应于硅钼棒左加热元件的位置构成有左塞砖机构容纳腔，在对应于硅钼棒右加热元件的位置构成有右塞砖机构容纳腔，在左塞砖机构容纳腔内设置有左塞砖机构，而在右塞砖机构容纳腔内设置有右塞砖机构，所述硅钼棒左加热元件的上端与左塞砖机构插配，而所述的硅钼棒右加热元件的上端与右塞砖机构插配。降低更换硅钼棒的工程成本；提高烧结效率；不会对炉膛的顶部的密封效果产生影响；方便更换。

Description

新型高温烧结炉

技术领域

本实用新型属于窑炉设施技术领域，具体涉及一种新型高温烧结炉。

背景技术

如业界所知，不论是用于烧结各类电子元器件，还是用于烧结各种普通的以及特殊并且高端的电子粉体材料的烧结炉，炉体的炉膛结构以及加热部件及其设置方式系其十分重要的组成部分。对此可以由中国专利CN105783517A推荐的“电池材料烧结炉的炉膛结构”以及CN204934610U提供的“MIN烧结炉的炉膛加热装置”印证。

进而如业界所知，有些电子材料如氧化铝基片、氮化铝基片、陶瓷基片等等的烧结温度相对较高，并且在1500-1600℃左右，于是如果使用传统的电热丝之类的加热元件，那么因极易氧化而无法满足业界期望的加热元件使用寿命，并且因停炉更换频繁而一方面影响产能，另一方面不利于节省能耗，再一方面设备管护人员的工作量大。

仍如业界所知，硅钼棒实质上为二硅化钼电热组件，是一种以硅化钼为基础的电阻发热组件，在氧化气氛下加热至高温，表面生成的一层致密的石英玻璃膜能起到良好的保护作用，使硅钼棒不再氧化。因此鉴于硅钼棒具有拔萃的高温抗氧化性能，在氧化气氛下最高可达1800℃，并且其通常的适用温度为1500-1700℃左右，因而对于烧结前述氧化铝基片、氮化铝基片、陶瓷基片以及高端电子磁性材料、高档冶金材料、耐火材料等等能发挥良好的积极作用。

前述硅钼棒的形状主要有W字形、一字形和U字形，由于W字形的硅钼棒通常为水平放置使用，例如由于电炉内发热端分布较多，热效率较高，因而为了节省成本，W字形的硅钼棒适合于炉膛高度较矮的电炉，并不适合作为长度相对冗长且炉膛高度相对较高的前述电子元器件及电子粉体材料的烧结炉的加热部件；一字形的硅钼棒主要用于结构相对简单且体积较小的加热炉如中国专利CN208382876U推荐的“利用硅钼棒加热的搪瓷加热炉”，此外由于一字形的硅钼棒是处于纵向状态使用的，因而固定相对困难；由于U字形的硅钼棒能将前述W字形以及一字形的硅钼棒的优势兼得，例如在使用状态下能像一字形的硅钼棒那样纵向悬置使用，而无需象W字形的硅钼棒那样卧置使用，又如能够满足长度相对冗长并且高度相对较高的前述犹如隧道式的烧结炉的使用要求，因而较受业界的器重。

依然由业界所知，电子元器件烧结炉的炉膛通常由沿着炉体长度方向的两侧砌筑的炉壁砖、位于炉体底部的炉底砖以及位于炉体顶部的炉顶砖构建（即围合）而成，前述U字形的硅钼棒的上端被定位在对应于炉膛上方的炉顶砖上，而下端伸展到炉膛内，并且在炉膛的长度方向的两侧均以间隔状态设置硅钼棒。

传统的方法是：在对应于炉膛顶部的炉顶砖上并且在对应于U字形的硅钼棒的位置预设有供U字形的硅钼棒的上部两端穿过的硅钼棒让位孔，并且使硅钼棒的上部两端伸展到位于最上部的炉顶砖的上方以满足与电源连接的要求，而硅钼棒的下端以纵向悬臂状态伸展到炉膛底部。这种结构设置虽然能够满足使用要求，但是当使用了一个时期例如使用了一至两年而需要对硅钼棒更换时，只能将前述炉顶砖拆除，才得以将硅钼棒取出，更换后返回硅钼棒时，又需将炉顶砖重新砌筑，于是不仅更换硅钼棒的工程量大，造成更换硅钼棒的成本高，而且由于需要对炉顶砖进行较大程度的结构拆装，因而存在对炉体整体结构产生影响之虞，进而由于更换硅钼棒耗时长并且作为一个工程来对待并处理，因而烧结炉停用时间长，影响电子元器件和/或电子粉体材料的烧结效率，还由于每次更换硅钼棒需拆卸炉顶砖，因而难以保障初始时的密封效果，进而由于在高温下硅钼棒会在炉顶砖的前述钼棒让位孔的部位与炉顶砖胀合为趋于一体的结构，因而造成取离炉顶砖困难，因为需将由硅钼棒胀住的复数根炉顶炉一并拆除，因而操作者的作业强度大。鉴于并非限于前述的技术问题，有必要加以合理改进，下面将要介绍的技术方案便是在这种背景下产生的。

发明内容

本实用新型的任务在于提供一种有助于显著减少更换硅钼棒的工程量而得以降低更换硅钼棒的成本、有利于显著缩短更换硅钼棒的时间而得以保障对电子元器件及电子粉体材料等的烧结效率、有益于避免因更换硅钼棒对炉膛顶部的密封产生影响而得以保障炉体初始的密封效果、有便于避免硅钼棒与砖体胀结为一体而得以方便更换硅钼棒并且得以显著降低更换硅钼棒的作业强度的新型高温烧结炉。

本实用新型的任务是这样来完成的，一种新型高温烧结炉，包括炉体，该炉体的中央位置构成有一自炉体的长度方向的前端贯通至后端的一炉膛，该炉膛由沿着炉体的长度方向的内侧底部砌筑的炉底砖、沿着炉体的长度方向的左侧内壁和右侧内壁并且以所述炉底砖为基础砌筑的炉壁砖以及沿着炉体的长度方向的顶部并且以所述炉壁砖为基础砌筑的炉顶砖围设而成；硅钼棒左加热元件和硅钼棒右加热元件，硅钼棒左加热元件在对应于所述炉膛的左侧的位置以间隔状态自炉膛的长度方向的前端分布至炉膛的后端，硅钼棒右加热元件在对应于炉膛的右侧的位置同样以间隔状态自炉膛的长度方向的前端分布至炉膛的后端，该硅钼棒左加热元件以及硅钼棒右加热元件的形状呈U字形并且上端探出所述炉顶砖的顶表面，而下端以纵向悬臂状态伸展到炉膛的底部，特征在于在所述炉顶砖上并且在对应于所述的硅钼棒左加热元件的位置构成有与硅钼棒左加热元件的数量相等的左塞砖机构容纳腔，而在对应于所述的硅钼棒右加热元件的位置构成有与硅钼棒右加热元件的数量相等的右塞砖机构容纳腔，在左塞砖机构容纳腔内设置有左塞砖机构，而在右塞砖机构容纳腔内设置有右塞砖机构，所述硅钼棒左加热元件的上端与左塞砖机构插配，而所述的硅钼棒右加热元件的上端与右塞砖机构插配。

在本实用新型的一个具体的实施例中，在所述的炉顶砖中，位于底层的并且与所述炉膛的顶部相对应的炉顶砖构成为炉膛顶壁砖，与炉膛顶壁砖的左侧接壤的并且与所述左塞砖机构的底部相对应的炉顶砖构成为硅钼棒左加热元件让位孔砖，而与炉膛顶壁砖的右侧接壤的并且与所述右塞砖机构的底部相对应的炉顶砖构成为硅钼棒右加热元件让位孔砖；在位于所述炉膛的底部的所述炉底砖上并且在对应于所述硅钼棒左加热元件的位置开设有一硅钼棒左加热元件下端探入槽，而在对应于硅钼棒右加热元件的位置开设有一硅钼棒右加热元件下端探入槽；所述的硅钼棒左加热元件的下端在穿过所述硅钼棒左加热元件让位孔砖后以纵向悬臂状态朝着所述炉膛的底部伸展并且探入所述的硅钼棒左加热元件下端探入槽内，所述的硅钼棒右加热元件的下端在穿过所述硅钼棒右加热元件让位孔砖后以纵向悬臂状态朝着所述炉膛的底部伸展并且探入所述硅钼棒右加热元件下端探入槽内。

在本实用新型的另一个具体的实施例中，所述左塞砖机构包括一左下塞砖Ⅰ和一左上塞砖Ⅰ，左下塞砖Ⅰ在对应于所述左塞砖机构容纳腔的位置设置在左塞砖机构容纳腔的下部并且支承在所述硅钼棒左加热元件让位孔砖上，在左下塞砖Ⅰ的下端的中央位置开设有一用于供所述硅钼棒左加热元件的下端穿过的硅钼棒左加热元件冷端通孔Ⅰ，而在左下塞砖Ⅰ的上端构成有一左上塞砖榫块配合卯Ⅰ，左上塞砖Ⅰ在对应于所述左塞砖机构容纳腔的位置设置在左塞砖机构容纳腔的上部并且在该左上塞砖Ⅰ的下端构成有一左上塞砖榫块Ⅰ，该左上塞砖榫块Ⅰ与所述的左上塞砖榫块配合卯Ⅰ榫卯配合，并且在该左上塞砖榫块Ⅰ的中央区域开设有一对左上塞砖榫块中心孔Ⅰ，在左上塞砖Ⅰ的上端构成有一左上塞砖嵌块Ⅰ，该左上塞砖嵌块Ⅰ与所述左塞砖机构容纳腔的上部配合，并且在该左上塞砖嵌块Ⅰ的中心区域开设有一对左上塞砖嵌块中心孔Ⅰ，在左上塞砖Ⅰ的中部的中央区域同样开设有一对左上塞砖中央通孔Ⅰ；所述的一对左上塞砖嵌块中心孔Ⅰ的与所述的一对左上塞砖中央通孔Ⅰ相对应并且相通，所述的一对左上塞砖榫块中心孔Ⅰ同样与一对左上塞砖中央通孔Ⅰ相对应并且相通，所述的硅钼棒左加热元件冷端通孔Ⅰ与一对左上塞砖榫块中心孔Ⅰ相通，所述硅钼棒左加热元件的上端由下向上依次穿过一对左上塞砖榫块中心孔Ⅰ、一对左上塞砖中央通孔Ⅰ和一对左上塞砖嵌块中心孔Ⅰ并且探出左上塞砖Ⅰ的顶表面，所述炉膛顶壁砖的左侧与所述左下塞砖Ⅰ的下端外壁相配合。

在本实用新型的又一个具体的实施例中，在所述左下塞砖Ⅰ的下端四周构成有炉膛顶壁砖砌筑槽Ⅰ，所述炉膛顶壁砖的左侧上部与该炉膛顶壁砖砌筑槽Ⅰ的右侧砌配，在炉膛顶壁砖的左侧下部并且在对应于所述硅钼棒左加热元件让位孔砖的右侧面的位置构成有一炉膛顶壁砖左配合斜面Ⅰ，而在硅钼棒左加热元件让位孔砖的右侧面构成有一与所述炉膛顶壁砖左配合斜面Ⅰ砌筑配合的硅钼棒左加热元件让位孔砖斜面，并且在该硅钼棒左加热元件让位孔砖上开设有硅钼棒左加热元件让位孔，所述硅钼棒左加热元件的下端穿过所述硅钼棒左加热元件让位孔后伸展到所述炉膛并且探入所述的硅钼棒左加热元件下端探入槽；其中，所述硅钼棒左加热元件冷端通孔Ⅰ以及所述硅钼棒左加热元件让位孔的横截面形状呈椭圆形；所述左下塞砖Ⅰ和左上塞砖Ⅰ由刚玉莫来石制成。

在本实用新型的再一个具体的实施例中，所述右塞砖机构包括一右下塞砖Ⅱ和一右上塞砖Ⅱ，右下塞砖Ⅱ在对应于所述右塞砖机构容纳腔的位置设置在右塞砖机构容纳腔的下部并且支承在所述硅钼棒右加热元件让位孔砖上，在右下塞砖Ⅱ的下端的中央位置开设有一用于供所述硅钼棒右加热元件的下端穿过的硅钼棒右加热元件冷端通孔Ⅱ，而在右下塞砖Ⅱ的上端构成有一右上塞砖榫块配合卯Ⅱ，右上塞砖Ⅱ在对应于所述右塞砖机构容纳腔的位置设置在右塞砖机构容纳腔的上部并且在该右上塞砖Ⅱ的下端构成有一右上塞砖榫块Ⅱ，该右上塞砖榫块Ⅱ与所述的右上塞砖榫块配合卯Ⅱ榫卯配合，并且在该右上塞砖榫块Ⅱ的中央区域开设有一对右上塞砖榫块中心孔Ⅱ，在右上塞砖Ⅱ的上端构成有一右上塞砖嵌块Ⅱ，该右上塞砖嵌块Ⅱ与所述右塞砖机构容纳腔的上部配合，并且在该右上塞砖嵌块Ⅱ的中心区域开设有一对右上塞砖嵌块中心孔Ⅱ，在右上塞砖Ⅱ的中部的中央区域同样开设有一对右上塞砖中央通孔Ⅱ；所述的一对右上塞砖嵌块中心孔Ⅱ的与所述的一对右上塞砖中央通孔Ⅱ相对应并且相通，所述的一对右上塞砖榫块中心孔Ⅱ同样与一对右上塞砖中央通孔Ⅱ相对应并且相通，所述的硅钼棒右加热元件冷端通孔Ⅱ与一对右上塞砖榫块中心孔Ⅱ相通，所述硅钼棒右加热元件的上端由下向上依次穿过一对右上塞砖榫块中心孔Ⅱ、一对右上塞砖中央通孔Ⅱ和一对右上塞砖嵌块中心孔Ⅱ并且探出右上塞砖Ⅱ的顶表面，所述炉膛顶壁砖的右侧与所述右下塞砖Ⅱ的下端外壁相配合。

在本实用新型的还有一个具体的实施例中，在所述右下塞砖Ⅱ的下端四周构成有炉膛顶壁砖砌筑凹槽Ⅱ，所述炉膛顶壁砖的右侧上部与该炉膛顶壁砖砌筑凹槽Ⅱ的右侧砌配，在炉膛顶壁砖的右侧下部并且在对应于所述硅钼棒右加热元件让位孔砖的左侧面的位置构成有一炉膛顶壁砖右配合斜面Ⅱ，而在硅钼棒右加热元件让位孔砖的左侧面构成有一与所述炉膛顶壁砖右配合斜面Ⅱ砌筑配合的硅钼棒右加热元件让位孔砖斜面，并且在该硅钼棒右加热元件让位孔砖上开设有硅钼棒右加热元件让位孔，所述硅钼棒右加热元件的下端穿过所述硅钼棒右加热元件让位孔后伸展到所述炉膛并且探入所述的硅钼棒右加热元件下端探入槽；其中，所述硅钼棒右加热元件冷端通孔Ⅱ以及所述硅钼棒右加热元件让位孔的横截面形状呈椭圆形。

在本实用新型的更而一个具体的实施例中，在所述左上塞砖榫块Ⅰ的四周外壁与所述左上塞砖榫块配合卯Ⅰ的四周内壁之间保持有1.8-2.2mm的间隙，所述的一对左上塞砖榫块中心孔Ⅰ以及一对左上塞砖嵌块中心孔Ⅰ的直径彼此相同并且大于所述的一对左上塞砖中央通孔Ⅰ的直径，在一对左上塞砖榫块中心孔Ⅰ以及一对左上塞砖嵌块中心孔Ⅰ内各嵌置有用于对所述硅钼棒左加热元件密封的硅钼棒左加热元件密封垫料；在所述左上塞砖Ⅰ的下端构成有左上塞砖下台阶Ⅰ，而上端构成有一左上塞砖上台阶Ⅰ，左上塞砖下台阶Ⅰ与所述左下塞砖Ⅰ的上表面相配合，所述炉顶砖中的并且对应于所述左塞砖机构容纳腔部位的最上面的炉顶砖在对应于左上塞砖上台阶Ⅰ的上方的位置与左下塞砖Ⅰ相配合；其中，在所述左下塞砖Ⅰ的中部外壁上并且围绕四周构成有一左下塞砖砌固槽；所述的右下塞砖Ⅱ以及右上塞砖Ⅱ由刚玉莫来石制成。

在本实用新型的进而一个具体的实施例中，在所述右下塞砖Ⅱ的中部外壁上并且围绕四周构成有右下塞砖砌固槽，所述炉顶砖中的并且对应于所述右塞砖机构容纳腔部位的炉顶砖与右下塞砖砌固槽砌固，在所述右上塞砖榫块Ⅱ四周外壁与所述右上塞砖榫块配合卯Ⅱ的四周内壁之间保持有1.8-2.2mm的间隙，所述的一对右上塞砖榫块中心孔Ⅱ以及一对右上塞砖嵌块中心孔Ⅱ内嵌置有用于对所述硅钼棒右加热元件密封的硅钼棒右加热元件密封垫料；在所述右上塞砖Ⅱ的下端构成有右上塞砖下台阶Ⅱ，而上端构成有一右上塞砖上台阶Ⅱ，右上塞砖下台阶Ⅱ与所述右下塞砖Ⅱ的上表面相配合，所述炉顶砖中的对应于所述右塞砖机构容纳腔部位的最上面的炉顶砖在对应于右上塞砖上台阶Ⅱ的上方的位置与右上塞砖Ⅱ相配合。

在本实用新型的又更而一个具体的实施例中，在所述炉膛的长度方向由炉膛温区隔离砖隔设有复数个烧结温度不同的炉膛温区，炉膛的通道宽度在对应于炉膛温区隔离砖的位置是收窄的；在所述炉顶砖上并且在对应于所述炉膛温区的位置开设有自炉顶砖的顶部贯至炉顶砖的底部的炉顶砖热电偶让位孔，在所述炉膛顶壁砖上并且在对应于炉顶砖热电偶让位孔的位置开设有炉膛顶壁砖热电偶让位孔，该炉膛顶壁砖热电偶让位孔与炉顶砖热电偶让位孔相通并且还同时与炉膛相通。

在本实用新型的又进而一个具体的实施例中，在所述炉膛的底部并且沿着炉膛的长度方向设置有炉膛推板导轨，在使用状态下，在炉膛推板导轨上设置推板。

本实用新型提供的技术方案的技术效果之一，由于采用了模块化的并且得以榫卯配合的左、右塞砖机构，并且将左、右塞砖机构在对应于炉顶砖上的左、右塞砖机构容纳腔内，因而在更换硅钼棒左、右加热元件时，只要去除炉顶砖中的对左下塞砖Ⅰ和右下塞砖Ⅱ的上部限定的炉顶砖，便可将左上塞砖Ⅰ以及右上塞砖Ⅱ分别连同硅钼棒左、右加热元件取出并更换，有助于显著减少工程量而得以降低更换硅钼棒的工程成本；之二，由于更换硅钼棒左、右加热元件的时间短，因而有利于提高烧结炉时电子元器件及电子粉体材料等的烧结效率；之三，由于在更换硅钼棒左、右加热元件时只需移除最上部的对左下塞砖Ⅰ以及右下塞砖Ⅱ的炉顶砖，因而不会对炉膛的顶部的密封效果产生影响；之四，由于硅钼棒左、右加热元件的上端不会与左、右塞砖机构粘结，因而既可方便更换又能减轻操作者的作业强度。

附图说明

图1为本实用新型的实施例示意图。

图2为图1所示的硅钼棒右加热元件与右塞砖机构的详细结构图。

具体实施方式

为了能够更加清楚地理解本实用新型的技术实质和有益效果，申请人在下面以实施例的方式作详细说明，但是对实施例的描述均不是对本实用新型方案的限制，任何依据本实用新型构思所作出的仅仅为形式上的而非实质性的等效变换都应视为本实用新型的技术方案范畴。

在下面的描述中凡是涉及上、下、左、右、前和后的方向性或称方位性的概念都是以图1所处的位置状态为基准的，因而不能将其理解为对本实用新型提供的技术方案的特别限定。

请参见图1，示出了属于隧道窑炉范畴的并且长度可达十几米乃至数十米甚至更长的炉体1，该炉体1的中央位置构成有一自炉体1的长度方向的前端贯通至后端的一炉膛11，该炉膛11由沿着炉体1的外壳（炉壳）的长度方向的内侧底部砌筑的炉底砖12、沿着炉体1的长度方向的左侧内壁和右侧内壁并且以前述炉底砖12为基础砌筑的炉壁砖13以及沿着炉体1的长度方向的顶部并且以前述炉壁砖13为基础砌筑的炉顶砖14围设而成；示出了硅钼棒左加热元件2和硅钼棒右加热元件3，硅钼棒左加热元件2在对应于前述炉膛11的左侧的位置以间隔状态自炉膛11的长度方向的前端分布至炉膛11的后端，硅钼棒右加热元件3在对应于炉膛11的右侧的位置同样以间隔状态自炉膛11的长度方向的前端分布至炉膛11的后端，该硅钼棒左加热元件2以及硅钼棒右加热元件3的形状呈U字形并且上端探出前述炉顶砖14的顶表面，而下端以纵向悬臂状态伸展到炉膛11的底部。

作为本实用新型提供的技术方案的技术要点：在前述炉顶砖14上并且在对应于前述的硅钼棒左加热元件2的位置构成有与硅钼棒左加热元件2的数量相等的左塞砖机构容纳腔141，而在对应于前述的硅钼棒右加热元件3的位置构成有与硅钼棒右加热元件3的数量相等的右塞砖机构容纳腔142，在左塞砖机构容纳腔141内设置有左塞砖机构4，而在右塞砖机构容纳腔142内设置有右塞砖机构5，前述硅钼棒左加热元件2的上端与左塞砖机构4插配，而前述的硅钼棒右加热元件3的上端与右塞砖机构5插配。

通过申请人在上面的说明可以毫无疑问地确定：左塞砖机构容纳腔141的数量与左塞砖机构4的数量相等，右塞砖机构容纳腔142的数量与右塞砖机构5的数量相等；硅钼棒左加热元件2的数量与左塞砖机构4的数量相等，硅钼棒右加热元件3的数量与右塞砖机构5的数量相等。各两相邻的硅钼棒左加热元件2之间的间距依据工艺需要可以是改变的，例如各两相邻的硅钼棒左加热元件2之间的间隔距离为25至30cm，硅钼棒右加热元件3同例，不再赘述。

此外，申请人需要说明的是：前述左塞砖机构容纳腔141以及右塞砖机构容纳腔142是由炉顶砖14围绕左塞砖机构4和右塞砖机构5的四周砌筑而成的。

继续见图1，在前述的炉顶砖14中，位于底层的并且与前述炉膛11的顶部相对应的炉顶砖构成为炉膛顶壁砖143，与炉膛顶壁砖143的左侧接壤的并且与前述左塞砖机构4的底部相对应的炉顶砖构成为硅钼棒左加热元件让位孔砖144，而与炉膛顶壁砖143的右侧接壤的并且与前述右塞砖机构5的底部相对应的炉顶砖构成为硅钼棒右加热元件让位孔砖145；在位于前述炉膛11的底部的前述炉底砖12上并且在对应于前述硅钼棒左加热元件2的位置开设有一硅钼棒左加热元件下端探入槽121，而在对应于硅钼棒右加热元件3的位置开设有一硅钼棒右加热元件下端探入槽122；前述的硅钼棒左加热元件2的下端在穿过前述硅钼棒左加热元件让位孔砖144后以纵向悬臂状态朝着前述炉膛11的底部伸展并且探入前述的硅钼棒左加热元件下端探入槽121内，前述的硅钼棒右加热元件3的下端在穿过前述硅钼棒右加热元件让位孔砖145后以纵向悬臂状态朝着前述炉膛11的底部伸展并且探入前述硅钼棒右加热元件下端探入槽122内。

继续见图1，前述左塞砖机构4包括一左下塞砖Ⅰ41和一左上塞砖Ⅰ42，左下塞砖Ⅰ41在对应于前述左塞砖机构容纳腔141的位置设置在左塞砖机构容纳腔141的下部并且支承在前述硅钼棒左加热元件让位孔砖144上，在左下塞砖Ⅰ41的下端的中央位置开设有一用于供前述硅钼棒左加热元件2的下端穿过的硅钼棒左加热元件冷端通孔Ⅰ411，而在左下塞砖Ⅰ41的上端构成有一左上塞砖榫块配合卯Ⅰ412（也可称“左上塞砖榫块配合腔”，以下同），左上塞砖Ⅰ42在对应于前述左塞砖机构容纳腔141的位置设置在左塞砖机构容纳腔141的上部并且在该左上塞砖Ⅰ42的下端构成有一左上塞砖榫块Ⅰ421，该左上塞砖榫块Ⅰ421与前述的左上塞砖榫块配合卯Ⅰ412在保留有微量间隙（下面还要提及）的状态下榫卯配合，并且在该左上塞砖榫块Ⅰ421的中央区域开设有一对左上塞砖榫块中心孔Ⅰ4211，在左上塞砖Ⅰ42的上端构成有一左上塞砖嵌块Ⅰ422，该左上塞砖嵌块Ⅰ422与前述左塞砖机构容纳腔141的上部配合，并且在该左上塞砖嵌块Ⅰ422的中心区域开设有一对左上塞砖嵌块中心孔Ⅰ4221，在左上塞砖Ⅰ42的中部的中央区域同样开设有一对左上塞砖中央通孔Ⅰ423；前述的一对左上塞砖嵌块中心孔Ⅰ4221的与前述的一对左上塞砖中央通孔Ⅰ423相对应并且相通，前述的一对左上塞砖榫块中心孔Ⅰ4211同样与一对左上塞砖中央通孔Ⅰ423相对应并且相通，前述的硅钼棒左加热元件冷端通孔Ⅰ411与一对左上塞砖榫块中心孔Ⅰ4211相通，前述硅钼棒左加热元件2的上端由下向上依次穿过一对左上塞砖榫块中心孔Ⅰ4211、一对左上塞砖中央通孔Ⅰ423和一对左上塞砖嵌块中心孔Ⅰ4221并且探出左上塞砖Ⅰ42的顶表面，前述炉膛顶壁砖143的左侧与前述左下塞砖Ⅰ41的下端外壁相配合。

由上述说明并且结合图1所示可知，前述的左下塞砖Ⅰ41是在对应于左塞砖机构容纳腔141的下部的位置由炉顶砖14砌固的，而左上塞砖Ⅰ42是不被炉顶砖14砌固定，仅由最上层的炉顶砖对其上部限定。

在前述左下塞砖Ⅰ41的下端四周构成有炉膛顶壁砖砌筑槽Ⅰ413，前述炉膛顶壁砖143的左侧上部与该炉膛顶壁砖砌筑槽Ⅰ413的右侧砌配，在炉膛顶壁砖143的左侧下部并且在对应于前述硅钼棒左加热元件让位孔砖144的右侧面的位置构成有一炉膛顶壁砖左配合斜面Ⅰ1431，而在硅钼棒左加热元件让位孔砖144的右侧面构成有一与前述炉膛顶壁砖左配合斜面Ⅰ1431砌筑配合的硅钼棒左加热元件让位孔砖斜面1441，并且在该硅钼棒左加热元件让位孔砖144上开设有硅钼棒左加热元件让位孔1442，前述硅钼棒左加热元件2的下端穿过前述硅钼棒左加热元件让位孔1442后伸展到前述炉膛11并且探入前述的硅钼棒左加热元件下端探入槽121；其中，前述硅钼棒左加热元件冷端通孔Ⅰ411以及前述硅钼棒左加热元件让位孔1442的横截面形状呈椭圆形；前述左下塞砖Ⅰ41和左上塞砖Ⅰ42由刚玉莫来石制成，具体地讲，由刚玉莫来石聚轻砖担当，但也可用氧化铝空心球砖担当。

请参见图2并且结合图1，前述右塞砖机构5包括一右下塞砖Ⅱ51和一右上塞砖Ⅱ52，右下塞砖Ⅱ51在对应于前述右塞砖机构容纳腔142的位置设置在右塞砖机构容纳腔142的下部并且支承在前述硅钼棒右加热元件让位孔砖145上，在右下塞砖Ⅱ51的下端的中央位置开设有一用于供前述硅钼棒右加热元件3的下端穿过的硅钼棒右加热元件冷端通孔Ⅱ511，而在右下塞砖Ⅱ51的上端构成有一右上塞砖榫块配合卯Ⅱ512（也可称“右上塞砖榫块配合腔”，以下同），右上塞砖Ⅱ52在对应于前述右塞砖机构容纳腔142的位置设置在右塞砖机构容纳腔142的上部并且在该右上塞砖Ⅱ52的下端构成有一右上塞砖榫块Ⅱ521，该右上塞砖榫块Ⅱ521与前述的右上塞砖榫块配合卯Ⅱ512在保留有微量空隙（下面还要提及）的状态下榫卯配合，并且在该右上塞砖榫块Ⅱ521的中央区域开设有一对右上塞砖榫块中心孔Ⅱ5211，在右上塞砖Ⅱ52的上端构成有一右上塞砖嵌块Ⅱ522，该右上塞砖嵌块Ⅱ522与前述右塞砖机构容纳腔142的上部配合，并且在该右上塞砖嵌块Ⅱ522的中心区域开设有一对右上塞砖嵌块中心孔Ⅱ5221，在右上塞砖Ⅱ52的中部的中央区域同样开设有一对右上塞砖中央通孔Ⅱ523；前述的一对右上塞砖嵌块中心孔Ⅱ5221的与前述的一对右上塞砖中央通孔Ⅱ523相对应并且相通，前述的一对右上塞砖榫块中心孔Ⅱ5211同样与一对右上塞砖中央通孔Ⅱ523相对应并且相通，前述的硅钼棒右加热元件冷端通孔Ⅱ511与一对右上塞砖榫块中心孔Ⅱ5211相通，前述硅钼棒右加热元件3的上端由下向上依次穿过一对右上塞砖榫块中心孔Ⅱ5211、一对右上塞砖中央通孔Ⅱ523和一对右上塞砖嵌块中心孔Ⅱ5221并且探出右上塞砖Ⅱ52的顶表面，前述炉膛顶壁砖143的右侧与前述右下塞砖Ⅱ51的下端外壁相配合。

为了便于公众的解读本实用新型，在图1和图2中还示出了用于与硅钼棒右加热元件3的一对上端固定的右硅钼棒电缆连接夹7，前述硅钼棒左加热元件2的一对上端同样配有一对左硅钼棒电缆连接夹8（图1示），一对右硅钼棒电缆连接夹7与一对右硅钼棒连接电缆71连接，一对左硅钼棒电缆连接夹8与一对左硅钼棒连接电缆81连接。

由图2的示意可知，硅钼棒右加热元件3的一对上端较粗，该对上端可称为硅钼棒冷端31，该硅钼棒冷端31对应于硅钼棒右加热元件让位孔1452（下面还要提及）、硅钼棒右加热元件冷端通孔Ⅱ511、一对右上塞砖榫块中心孔Ⅱ5211、一对右上塞砖中央通孔Ⅱ523和一对右上塞砖嵌块中心孔Ⅱ5221并且探出一对右上塞砖嵌块中心孔Ⅱ5221的上方供前述的一对右硅钼棒电缆连接夹7与其固定；硅钼棒右加热元件3下端相对较细并且是联结成U字形的，申请人将硅钼棒右加热元件3的下端称为硅钼棒加热端32并且位于炉膛11内。之所以称硅钼棒冷端31以及硅钼棒加热端32是因为两者的材料成分有所差异。由于上面提及的硅钼棒左加热元件2与硅钼棒右加热元件3同例，因而申请人不再赘述。

此外，由上述说明可知，前述的右下塞砖Ⅱ51是对应于右塞砖机构容纳腔142的下部的位置由炉顶砖14砌固定，而右上塞砖Ⅱ52是不被炉顶砖14砌固定，仅由最上层的炉顶砖对其上部限定。

继续见图2并且结合图1，在前述右下塞砖Ⅱ51的下端四周构成有炉膛顶壁砖砌筑凹槽Ⅱ513，前述炉膛顶壁砖143的右侧上部与该炉膛顶壁砖砌筑凹槽Ⅱ513的右侧砌配，在炉膛顶壁砖143的右侧下部并且在对应于前述硅钼棒右加热元件让位孔砖145的左侧面的位置构成有一炉膛顶壁砖右配合斜面Ⅱ1432，而在硅钼棒右加热元件让位孔砖145的左侧面构成有一与前述炉膛顶壁砖右配合斜面Ⅱ1432砌筑配合的硅钼棒右加热元件让位孔砖斜面1451，并且在该硅钼棒右加热元件让位孔砖145上开设有上面已提及的硅钼棒右加热元件让位孔1452，前述硅钼棒右加热元件3的下端穿过前述硅钼棒右加热元件让位孔1452后伸展到前述炉膛11并且探入前述的硅钼棒右加热元件下端探入槽122；其中，前述硅钼棒右加热元件冷端通孔Ⅱ511以及前述硅钼棒右加热元件让位孔1452的横截面形状呈椭圆形。

通过上述说明并且结合图1可以毫无疑问地确定：前述的左塞砖机构容纳腔141是由炉顶砖14围绕左下塞砖Ⅰ41和左上塞砖Ⅰ42的四周砌筑而成的，并且炉顶砖14将左下塞砖Ⅰ41的四周外壁砌固，而炉顶砖14不与左上塞砖Ⅰ42的四周外壁砌固；前述的右塞砖机构容纳腔142是由炉顶砖14围绕右下塞砖Ⅱ51和右上塞砖Ⅱ52的四周砌筑而成的，并且炉顶砖14将右下塞砖Ⅱ51的四周外壁砌固，而炉顶砖14不与右上塞砖Ⅱ52的四周外壁砌固。

继续见图1，在本实施例中，在前述左上塞砖榫块Ⅰ421的四周外壁与前述左上塞砖榫块配合卯Ⅰ412的四周内壁之间保持有1.8-2.2mm的间隙，较好地为1.9-2.1mm的间隙，好旯为2mm的间隙（本实施例选择2mm的间隙），前述的一对左上塞砖榫块中心孔Ⅰ4211以及一对左上塞砖嵌块中心孔Ⅰ4221的直径彼此相同并且大于前述的一对左上塞砖中央通孔Ⅰ423的直径，在一对左上塞砖榫块中心孔Ⅰ4211以及一对左上塞砖嵌块中心孔Ⅰ4221内各嵌置有用于对前述硅钼棒左加热元件2密封的硅钼棒左加热元件密封垫料424；在前述左上塞砖Ⅰ42的下端构成有左上塞砖下台阶Ⅰ425，而上端构成有一左上塞砖上台阶Ⅰ426，左上塞砖下台阶Ⅰ425与前述左下塞砖Ⅰ41的上表面相配合，前述炉顶砖14中的并且对应于前述左塞砖机构容纳腔141部位的最上面的炉顶砖在对应于左上塞砖上台阶Ⅰ426的上方的位置与左下塞砖Ⅰ41相配合；其中，在前述左下塞砖Ⅰ41的中部外壁上并且围绕四周构成有一左下塞砖砌固槽（图1中未示出）。在本实施例中，前述的右下塞砖Ⅱ51以及右上塞砖Ⅱ52由刚玉莫来石制成，具体已在上面提及，不再复述。

继续见图2并且结合图1，在前述右下塞砖Ⅱ51的中部外壁上并且围绕四周构成有右下塞砖砌固槽514，前述炉顶砖14中的并且对应于前述右塞砖机构容纳腔142部位的炉顶砖与右下塞砖砌固槽514砌固。在本实施例中，在前述右上塞砖榫块Ⅱ521 四周外壁与前述右上塞砖榫块配合卯Ⅱ512的四周内壁之间优选保持有1.8-2.2mm的间隙较好地为1.9-2.1mm的间隙，最好为2mm的间隙（本实施例选择2mm的间隙），前述的一对右上塞砖榫块中心孔Ⅱ5211以及一对右上塞砖嵌块中心孔Ⅱ5221内嵌置有用于对前述硅钼棒右加热元件3密封的硅钼棒右加热元件密封垫料524；在前述右上塞砖Ⅱ52的下端构成有右上塞砖下台阶Ⅱ525，而上端构成有一右上塞砖上台阶Ⅱ526，右上塞砖下台阶Ⅱ525与前述右下塞砖Ⅱ51的上表面相配合，前述炉顶砖14中的对应于前述右塞砖机构容纳腔142部位的最上面的炉顶砖在对应于右上塞砖上台阶Ⅱ526的上方的位置与右上塞砖Ⅱ52相配合。

由图1所示，由于炉膛11的不同区域的温度是相异的，因此在前述炉膛11的长度方向由炉膛温区隔离砖111隔设有复数个烧结温度不同的炉膛温区，炉膛11的通道宽度在对应于炉膛温区隔离砖111的位置是收窄的；在前述炉顶砖14上并且在对应于前述炉膛温区的位置开设有自炉顶砖14的顶部贯至炉顶砖14的底部的炉顶砖热电偶让位孔146，在前述炉膛顶壁砖143上并且在对应于炉顶砖热电偶让位孔146的位置开设有炉膛顶壁砖热电偶让位孔1433，该炉膛顶壁砖热电偶让位孔1433与炉顶砖热电偶让位孔146相通并且还同时与炉膛11相通。在使用时，将热电偶插入炉顶砖热电偶让位孔146并经炉膛顶壁砖热电偶让位孔1433探入炉膛11，炉膛11内的温度由热电偶感知。

由图1所示，在前述炉膛11的底部并且沿着炉膛11的长度方向设置有炉膛推板导轨112，在使用状态下，在炉膛推板导轨112上设置推板6。当对电子元器件例如前述的氧化铝基片、氮化铝基片或陶瓷基片等烧结时，那么将氧化铝基片、氮化铝基片或陶瓷基片有序地码垛在推板6上，在用于驱使推板移动的动力装置（公知技术，图中未示出）的作用下，使推板6载着前述任意一种基片从炉膛11的进料口如炉膛11的前端的进料口向炉膛11的出料口如炉膛11的后端的出料口行出，完成烧结。如果所要烧结的是电子粉体材料，那么将电子粉体材料装入匣钵9，由匣钵9载着电子粉体材料置于推板6上，由推板6带动匣钵9，具体过程同前述。

当要更换硅钼棒左加热元件2时，那么在停炉状态并且在炉温降至常温即在烧结炉并非处于对产品烧结的状态下，首先解除左硅钼棒连接电缆81与一对左硅钼棒电缆连接块8的电气连接，接着由作业人员撤去对应于左塞砖机构4的前述左上塞砖Ⅰ42的前述左上塞砖上台阶Ⅰ426的部位的炉顶砖14，而后将左上塞砖Ⅰ42从左下塞砖Ⅰ41上提起，也就是使左上塞砖Ⅰ42顺着前述的左塞砖机构容纳腔141的上部移离烧结炉的顶部，在左上塞砖Ⅰ42向上提取而使其左上塞砖榫块Ⅰ421离开（即拔出）左下塞砖Ⅰ41的前述左上塞砖榫块配合卯Ⅰ412的过程中，硅钼棒左加热元件2的下端也向上提起并依次从硅钼棒左加热元件下端探入槽121、硅钼棒左加热元件让位孔1442和硅钼棒左加热元件冷端通孔Ⅰ411随同左上塞砖Ⅰ42移出，经更换硅钼棒左加热元件2的工作完成后，再按前述相反过程将左上塞砖Ⅰ42连同硅钼棒左加热元件2返回至由图1所示的状态，前述的对应于左上塞砖上台阶Ⅰ426处的炉顶砖14也恢复至由图1所示的状态。由于更换硅钼棒右加热元件3的方式与更换硅钼棒左加热元件2的方式相同，因而不再重复说明。

由上述可知，由于左塞砖机构4的左下塞砖Ⅰ41与左上塞砖Ⅰ42彼此形成的是积木配合关系，因而当要更换硅钼棒左、右加热元件2、3时无需将左下塞砖Ⅰ41以及右下塞砖Ⅱ51取出，从而全面兑现了申请人在上面的背景技术栏中记载的技术效果，不失为是一个极致的技术方案。

综上所述，本实用新型提供的技术方案弥补了已有技术中的缺憾，顺利地完成了发明任务，如实地兑现了申请人在上面的技术效果栏中载述的技术效果。

Claims (10)

1.一种新型高温烧结炉，包括炉体(1)，该炉体(1)的中央位置构成有一自炉体(1)的长度方向的前端贯通至后端的一炉膛(11)，该炉膛(11)由沿着炉体(1)的长度方向的内侧底部砌筑的炉底砖(12)、沿着炉体(1)的长度方向的左侧内壁和右侧内壁并且以所述炉底砖(12)为基础砌筑的炉壁砖(13)以及沿着炉体(1)的长度方向的顶部并且以所述炉壁砖(13)为基础砌筑的炉顶砖(14)围设而成；硅钼棒左加热元件(2)和硅钼棒右加热元件(3)，硅钼棒左加热元件(2)在对应于所述炉膛(11)的左侧的位置以间隔状态自炉膛(11)的长度方向的前端分布至炉膛(11)的后端，硅钼棒右加热元件(3)在对应于炉膛(11)的右侧的位置同样以间隔状态自炉膛(11)的长度方向的前端分布至炉膛(11)的后端，该硅钼棒左加热元件(2)以及硅钼棒右加热元件(3)的形状呈U字形并且上端探出所述炉顶砖(14)的顶表面，而下端以纵向悬臂状态伸展到炉膛(11)的底部，其特征在于在所述炉顶砖(14)上并且在对应于所述的硅钼棒左加热元件(2)的位置构成有与硅钼棒左加热元件(2)的数量相等的左塞砖机构容纳腔(141)，而在对应于所述的硅钼棒右加热元件(3)的位置构成有与硅钼棒右加热元件(3)的数量相等的右塞砖机构容纳腔(142)，在左塞砖机构容纳腔(141)内设置有左塞砖机构(4)，而在右塞砖机构容纳腔(142)内设置有右塞砖机构(5)，所述硅钼棒左加热元件(2)的上端与左塞砖机构(4)插配，而所述的硅钼棒右加热元件(3)的上端与右塞砖机构(5)插配。

2.根据权利要求1所述的新型高温烧结炉，其特征在于在所述的炉顶砖(14)中，位于底层的并且与所述炉膛(11)的顶部相对应的炉顶砖构成为炉膛顶壁砖(143)，与炉膛顶壁砖(143)的左侧接壤的并且与所述左塞砖机构(4)的底部相对应的炉顶砖构成为硅钼棒左加热元件让位孔砖(144)，而与炉膛顶壁砖(143)的右侧接壤的并且与所述右塞砖机构(5)的底部相对应的炉顶砖构成为硅钼棒右加热元件让位孔砖(145)；在位于所述炉膛(11)的底部的所述炉底砖(12)上并且在对应于所述硅钼棒左加热元件(2)的位置开设有一硅钼棒左加热元件下端探入槽(121)，而在对应于硅钼棒右加热元件(3)的位置开设有一硅钼棒右加热元件下端探入槽(122)；所述的硅钼棒左加热元件(2)的下端在穿过所述硅钼棒左加热元件让位孔砖(144)后以纵向悬臂状态朝着所述炉膛(11)的底部伸展并且探入所述的硅钼棒左加热元件下端探入槽(121)内，所述的硅钼棒右加热元件(3)的下端在穿过所述硅钼棒右加热元件让位孔砖(145)后以纵向悬臂状态朝着所述炉膛(11)的底部伸展并且探入所述硅钼棒右加热元件下端探入槽(122)内。

3.根据权利要求2所述的新型高温烧结炉，其特征在于所述左塞砖机构(4)包括一左下塞砖Ⅰ(41)和一左上塞砖Ⅰ(42)，左下塞砖Ⅰ(41)在对应于所述左塞砖机构容纳腔(141)的位置设置在左塞砖机构容纳腔(141)的下部并且支承在所述硅钼棒左加热元件让位孔砖(144)上，在左下塞砖Ⅰ(41)的下端的中央位置开设有一用于供所述硅钼棒左加热元件(2)的下端穿过的硅钼棒左加热元件冷端通孔Ⅰ(411)，而在左下塞砖Ⅰ(41)的上端构成有一左上塞砖榫块配合卯Ⅰ(412)，左上塞砖Ⅰ(42)在对应于所述左塞砖机构容纳腔(141)的位置设置在左塞砖机构容纳腔(141)的上部并且在该左上塞砖Ⅰ(42)的下端构成有一左上塞砖榫块Ⅰ(421)，该左上塞砖榫块Ⅰ(421)与所述的左上塞砖榫块配合卯Ⅰ(412)榫卯配合，并且在该左上塞砖榫块Ⅰ(421)的中央区域开设有一对左上塞砖榫块中心孔Ⅰ(4211)，在左上塞砖Ⅰ(42)的上端构成有一左上塞砖嵌块Ⅰ(422)，该左上塞砖嵌块Ⅰ(422)与所述左塞砖机构容纳腔(141)的上部配合，并且在该左上塞砖嵌块Ⅰ(422)的中心区域开设有一对左上塞砖嵌块中心孔Ⅰ(4221)，在左上塞砖Ⅰ(42)的中部的中央区域同样开设有一对左上塞砖中央通孔Ⅰ(423)；所述的一对左上塞砖嵌块中心孔Ⅰ(4221)的与所述的一对左上塞砖中央通孔Ⅰ(423)相对应并且相通，所述的一对左上塞砖榫块中心孔Ⅰ(4211)同样与一对左上塞砖中央通孔Ⅰ(423)相对应并且相通，所述的硅钼棒左加热元件冷端通孔Ⅰ(411)与一对左上塞砖榫块中心孔Ⅰ(4211)相通，所述硅钼棒左加热元件(2)的上端由下向上依次穿过一对左上塞砖榫块中心孔Ⅰ(4211)、一对左上塞砖中央通孔Ⅰ(423)和一对左上塞砖嵌块中心孔Ⅰ(4221)并且探出左上塞砖Ⅰ(42)的顶表面，所述炉膛顶壁砖(143)的左侧与所述左下塞砖Ⅰ(41)的下端外壁相配合。

4.根据权利要求3所述的新型高温烧结炉，其特征在于在所述左下塞砖Ⅰ(41)的下端四周构成有炉膛顶壁砖砌筑槽Ⅰ(413)，所述炉膛顶壁砖(143)的左侧上部与该炉膛顶壁砖砌筑槽Ⅰ(413)的右侧砌配，在炉膛顶壁砖(143)的左侧下部并且在对应于所述硅钼棒左加热元件让位孔砖(144)的右侧面的位置构成有一炉膛顶壁砖左配合斜面Ⅰ(1431)，而在硅钼棒左加热元件让位孔砖(144)的右侧面构成有一与所述炉膛顶壁砖左配合斜面Ⅰ(1431)砌筑配合的硅钼棒左加热元件让位孔砖斜面(1441)，并且在该硅钼棒左加热元件让位孔砖(144)上开设有硅钼棒左加热元件让位孔(1442)，所述硅钼棒左加热元件(2)的下端穿过所述硅钼棒左加热元件让位孔(1442)后伸展到所述炉膛(11)并且探入所述的硅钼棒左加热元件下端探入槽(121)；其中，所述硅钼棒左加热元件冷端通孔Ⅰ(411)以及所述硅钼棒左加热元件让位孔(1442)的横截面形状呈椭圆形；所述左下塞砖Ⅰ(41)和左上塞砖Ⅰ(42)由刚玉莫来石制成。

5.根据权利要求2所述的新型高温烧结炉，其特征在于所述右塞砖机构(5)包括一右下塞砖Ⅱ(51)和一右上塞砖Ⅱ(52)，右下塞砖Ⅱ(51)在对应于所述右塞砖机构容纳腔(142)的位置设置在右塞砖机构容纳腔(142)的下部并且支承在所述硅钼棒右加热元件让位孔砖(145)上，在右下塞砖Ⅱ(51)的下端的中央位置开设有一用于供所述硅钼棒右加热元件(3)的下端穿过的硅钼棒右加热元件冷端通孔Ⅱ(511)，而在右下塞砖Ⅱ(51)的上端构成有一右上塞砖榫块配合卯Ⅱ(512)，右上塞砖Ⅱ(52)在对应于所述右塞砖机构容纳腔(142)的位置设置在右塞砖机构容纳腔(142)的上部并且在该右上塞砖Ⅱ(52)的下端构成有一右上塞砖榫块Ⅱ(521)，该右上塞砖榫块Ⅱ(521)与所述的右上塞砖榫块配合卯Ⅱ(512)榫卯配合，并且在该右上塞砖榫块Ⅱ(521)的中央区域开设有一对右上塞砖榫块中心孔Ⅱ(5211)，在右上塞砖Ⅱ(52)的上端构成有一右上塞砖嵌块Ⅱ(522)，该右上塞砖嵌块Ⅱ(522)与所述右塞砖机构容纳腔(142)的上部配合，并且在该右上塞砖嵌块Ⅱ(522)的中心区域开设有一对右上塞砖嵌块中心孔Ⅱ(5221)，在右上塞砖Ⅱ(52)的中部的中央区域同样开设有一对右上塞砖中央通孔Ⅱ(523)；所述的一对右上塞砖嵌块中心孔Ⅱ(5221)的与所述的一对右上塞砖中央通孔Ⅱ(523)相对应并且相通，所述的一对右上塞砖榫块中心孔Ⅱ(5211)同样与一对右上塞砖中央通孔Ⅱ(523)相对应并且相通，所述的硅钼棒右加热元件冷端通孔Ⅱ(511)与一对右上塞砖榫块中心孔Ⅱ(5211)相通，所述硅钼棒右加热元件(3)的上端由下向上依次穿过一对右上塞砖榫块中心孔Ⅱ(5211)、一对右上塞砖中央通孔Ⅱ(523)和一对右上塞砖嵌块中心孔Ⅱ(5221)并且探出右上塞砖Ⅱ(52)的顶表面，所述炉膛顶壁砖(143)的右侧与所述右下塞砖Ⅱ(51)的下端外壁相配合。

6.根据权利要求5所述的新型高温烧结炉，其特征在于在所述右下塞砖Ⅱ(51)的下端四周构成有炉膛顶壁砖砌筑凹槽Ⅱ(513)，所述炉膛顶壁砖(143)的右侧上部与该炉膛顶壁砖砌筑凹槽Ⅱ(513)的右侧砌配，在炉膛顶壁砖(143)的右侧下部并且在对应于所述硅钼棒右加热元件让位孔砖(145)的左侧面的位置构成有一炉膛顶壁砖右配合斜面Ⅱ(1432)，而在硅钼棒右加热元件让位孔砖(145)的左侧面构成有一与所述炉膛顶壁砖右配合斜面Ⅱ(1432)砌筑配合的硅钼棒右加热元件让位孔砖斜面(1451)，并且在该硅钼棒右加热元件让位孔砖(145)上开设有硅钼棒右加热元件让位孔(1452)，所述硅钼棒右加热元件(3)的下端穿过所述硅钼棒右加热元件让位孔(1452)后伸展到所述炉膛(11)并且探入所述的硅钼棒右加热元件下端探入槽(122)；其中，所述硅钼棒右加热元件冷端通孔Ⅱ(511)以及所述硅钼棒右加热元件让位孔(1452)的横截面形状呈椭圆形。

7.根据权利要求3所述的新型高温烧结炉，其特征在于在所述左上塞砖榫块Ⅰ(421)的四周外壁与所述左上塞砖榫块配合卯Ⅰ(412)的四周内壁之间保持有1.8-2.2mm的间隙，所述的一对左上塞砖榫块中心孔Ⅰ(4211)以及一对左上塞砖嵌块中心孔Ⅰ(4221)的直径彼此相同并且大于所述的一对左上塞砖中央通孔Ⅰ(423)的直径，在一对左上塞砖榫块中心孔Ⅰ(4211)以及一对左上塞砖嵌块中心孔Ⅰ(4221)内各嵌置有用于对所述硅钼棒左加热元件(2)密封的硅钼棒左加热元件密封垫料(424)；在所述左上塞砖Ⅰ(42)的下端构成有左上塞砖下台阶Ⅰ(425)，而上端构成有一左上塞砖上台阶Ⅰ(426)，左上塞砖下台阶Ⅰ(425)与所述左下塞砖Ⅰ(41)的上表面相配合，所述炉顶砖(14)中的并且对应于所述左塞砖机构容纳腔(141)部位的最上面的炉顶砖在对应于左上塞砖上台阶Ⅰ(426)的上方的位置与左下塞砖Ⅰ(41)相配合；其中，在所述左下塞砖Ⅰ(41)的中部外壁上并且围绕四周构成有一左下塞砖砌固槽；所述的右下塞砖Ⅱ(51)以及右上塞砖Ⅱ(52)由刚玉莫来石制成。

8.根据权利要求5所述的新型高温烧结炉，其特征在于在所述右下塞砖Ⅱ(51)的中部外壁上并且围绕四周构成有右下塞砖砌固槽(514)，所述炉顶砖(14)中的并且对应于所述右塞砖机构容纳腔(142)部位的炉顶砖与右下塞砖砌固槽(514)砌固，在所述右上塞砖榫块Ⅱ(521) 四周外壁与所述右上塞砖榫块配合卯Ⅱ(512)的四周内壁之间保持有1.8-2.2mm的间隙，所述的一对右上塞砖榫块中心孔Ⅱ(5211)以及一对右上塞砖嵌块中心孔Ⅱ(5221)内嵌置有用于对所述硅钼棒右加热元件(3)密封的硅钼棒右加热元件密封垫料(524)；在所述右上塞砖Ⅱ(52)的下端构成有右上塞砖下台阶Ⅱ(525)，而上端构成有一右上塞砖上台阶Ⅱ(526)，右上塞砖下台阶Ⅱ(525)与所述右下塞砖Ⅱ(51)的上表面相配合，所述炉顶砖(14)中的对应于所述右塞砖机构容纳腔(142)部位的最上面的炉顶砖在对应于右上塞砖上台阶Ⅱ(526)的上方的位置与右上塞砖Ⅱ(52)相配合。

9.根据权利要求1所述的新型高温烧结炉，其特征在于在所述炉膛(11)的长度方向由炉膛温区隔离砖(111)隔设有复数个烧结温度不同的炉膛温区，炉膛(11)的通道宽度在对应于炉膛温区隔离砖(111)的位置是收窄的；在所述炉顶砖(14)上并且在对应于所述炉膛温区的位置开设有自炉顶砖(14)的顶部贯至炉顶砖(14)的底部的炉顶砖热电偶让位孔(146)，在所述炉膛顶壁砖(143)上并且在对应于炉顶砖热电偶让位孔(146)的位置开设有炉膛顶壁砖热电偶让位孔(1433)，该炉膛顶壁砖热电偶让位孔(1433)与炉顶砖热电偶让位孔(146)相通并且还同时与炉膛(11)相通。

10.根据权利要求1所述的新型高温烧结炉，其特征在于在所述炉膛(11)的底部并且沿着炉膛(11)的长度方向设置有炉膛推板导轨(112)，在使用状态下，在炉膛推板导轨(112)上设置推板(6)。

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