CN210443550U - 一种减少内部热量的三极管 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及三极管技术领域,尤其为一种减少内部热量的三极管,包括散热底座、封装外壳、散热环和散热座以及散热导片,所述散热底座的外围中部嵌入散热片环,所述散热底座的内部设有散热座,所述散热座的外围通过散热导片连接于散热环,所述散热座的内部中心处安装有基区,所述散热座的内部位于基区的左侧安装有集电区,所述散热座的内部位于基区的右侧安装有发射区,所述散热座的内壁底部与集电区和基区以及发射区的底部之间设有绝缘层衬底,所述散热底座的底部中心安装有基极,整体装置结构简单,高效传导散热,便于降低内部的热量,避免热损坏,延长使用寿命,方便生产组装,提高密封性能,且稳定性和实用性较高,具有一定的推广价值。

Description

一种减少内部热量的三极管
技术领域
本实用新型涉及三极管技术领域,具体为一种减少内部热量的三极管。
背景技术
三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关,现有的三极管由于内部散热性不足,造成过热损坏,影响使用寿命,因此需要一种减少内部热量的三极管对上述问题做出改善。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种减少内部热量的三极管,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种减少内部热量的三极管,包括散热底座、封装外壳、散热环和散热座以及散热导片,所述散热底座的外围中部嵌入散热片环,所述散热底座的内部设有散热座,所述散热座的外围通过散热导片连接于散热环,所述散热座的内部中心处安装有基区,所述散热座的内部位于基区的左侧安装有集电区,所述散热座的内部位于基区的右侧安装有发射区,所述散热座的内壁底部与集电区和基区以及发射区的底部之间设有绝缘层衬底,所述散热底座的底部中心安装有基极,所述散热底座的底部位于基极的左侧安装有集电极,所述散热底座的底部位于基极的右侧安装有发射极,所述散热底座的内壁上沿设有连接槽,所述连接槽的内部通过连接螺牙安装有封装外壳。
优选的,所述连接槽采用螺纹槽结构,且所述连接槽与连接螺牙尺寸匹配安装。
优选的,所述散热环采用多组波纹片等间距环形分布排列组成,且所述散热环与散热座均采用铝合金材质。
优选的,所述散热导片等间距环形分布设有多组,且所述散热导片采用高导散热石墨材质。
优选的,所述绝缘层衬底采用二氧化硅绝缘层。
优选的,所述集电极和基极以及发射极的顶部均贯穿绝缘层衬底的顶部分别连接于集电区和基区以及发射区的底部。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1、本实用新型中,通过设置的散热底座外围中部采用铝合金材质多组波纹片等间距环形分布排列组成的散热环和铝合金材质散热座配合其外围连接采用高导散热石墨材质的多组散热导片,铝合金材质的散热环和散热座由于它的优良电导率和热导量配合散热导片具有独特的晶粒取向,沿两个方向均匀导热,片层状结构可很好地适应任何表面,屏蔽热源与组件的同时导热性能散热,便于对散热座内部的集电区和基区以及发射区进行高效传导散热,便于降低内部的热量,避免热损坏,延长使用寿命。
2、本实用新型中,通过设置的绝缘层衬底位于集电极和基极以及发射极与集电区和基区以及发射区的连接处,保证之间激光焊接的熔融全密封结构,提高密封性能。
3、本实用新型中,通过设置的封装外壳底部为连接螺牙与散热底座内壁的连接槽进行旋转安装,方便生产组装,结构简单且便于使用。
附图说明
图1是本实用新型整体主视图;
图2是本实用新型整体内部结构示意图;
图3是本实用新型散热环、散热座、散热导片结构示意图。
图中:1-散热底座、101-连接槽、2-封装外壳、201-连接螺牙、3-散热环、4-散热座、5-散热导片、6-绝缘层衬底、7-集电区、8-基区、9-发射区、10-集电极、11-基极、12-发射极。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-3,本实用新型提供一种技术方案:一种减少内部热量的三极管,包括散热底座1、封装外壳2、散热环3和散热座4以及散热导片5,散热底座1的外围中部嵌入散热片环3,散热底座1的内部设有散热座4,散热环3采用多组波纹片等间距环形分布排列组成,且散热环3与散热座4均采用铝合金材质,散热座4的外围通过散热导片5连接于散热环3,散热导片5等间距环形分布设有多组,且散热导片5采用高导散热石墨材质,通过设置的散热底4座外围中部采用铝合金材质多组波纹片等间距环形分布排列组成的散热环3和铝合金材质散热座4配合其外围连接采用高导散热石墨材质的多组散热导片5,铝合金材质的散热环3和散热座4由于它的优良电导率和热导量配合散热导片5具有独特的晶粒取向,沿两个方向均匀导热,片层状结构可很好地适应任何表面,屏蔽热源与组件的同时导热性能散热,便于对散热座4内部的集电区7和基区8以及发射区9进行高效传导散热,便于降低内部的热量,避免热损坏,延长使用寿命,散热座4的内部中心处安装有基区8,散热座4的内部位于基区8的左侧安装有集电区7,散热座4的内部位于基区8的右侧安装有发射区9,散热座4的内壁底部与集电区7和基区8以及发射区9的底部之间设有绝缘层衬底6,绝缘层衬底6采用二氧化硅绝缘层,散热底座1的底部中心安装有基极11,散热底座1的底部位于基极11的左侧安装有集电极10,散热底座1的底部位于基极11的右侧安装有发射极12,集电极10和基极11以及发射极12的顶部均贯穿绝缘层衬底6的顶部分别连接于集电区7和基区8以及发射区9的底部,通过设置的绝缘层衬底6位于集电极10和基极11以及发射极12与集电区7和基区8以及发射区9的连接处,保证之间激光焊接的熔融全密封结构,提高密封性能,散热底座1的内壁上沿设有连接槽101,连接槽101的内部通过连接螺牙201安装有封装外壳2,连接槽101采用螺纹槽结构,且连接槽101与连接螺牙201尺寸匹配安装,通过设置的封装外壳2底部为连接螺牙201与散热底座1内壁的连接槽101进行旋转安装,方便生产组装,结构简单且便于使用,整体装置结构简单,高效传导散热,便于降低内部的热量,避免热损坏,延长使用寿命,方便生产组装,提高密封性能,且稳定性和实用性较高,具有一定的推广价值。
本实用新型工作流程:使用时,通过散热底座1外围中部采用铝合金材质多组波纹片等间距环形分布排列组成的散热环3和铝合金材质散热座4配合其外围连接采用高导散热石墨材质的多组散热导片5,铝合金材质的散热环3和散热座4由于它的优良电导率和热导量配合散热导片5具有独特的晶粒取向,沿两个方向均匀导热,片层状结构可很好地适应任何表面,屏蔽热源与组件的同时导热性能散热,便于对散热座内部的集电区7和基区8以及发射区9进行高效传导散热,便于降低内部的热量,避免热损坏,延长使用寿命,通过绝缘层衬底6位于集电极10和基极11以及发射极12与集电区7和基区8以及发射区9的连接处,保证之间激光焊接的熔融全密封结构,提高密封性能,通过封装外壳2底部为连接螺牙201与散热底座1内壁的连接槽101进行旋转安装,方便生产组装,整体装置结构简单,高效传导散热,便于降低内部的热量,避免热损坏,延长使用寿命,方便生产组装,提高密封性能,且稳定性和实用性较高,具有一定的推广价值。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (6)

1.一种减少内部热量的三极管,包括散热底座(1)、封装外壳(2)、散热环(3)和散热座(4)以及散热导片(5),其特征在于:所述散热底座(1)的外围中部嵌入散热环(3),所述散热底座(1)的内部设有散热座(4),所述散热座(4)的外围通过散热导片(5)连接于散热环(3),所述散热座(4)的内部中心处安装有基区(8),所述散热座(4)的内部位于基区(8)的左侧安装有集电区(7),所述散热座(4)的内部位于基区(8)的右侧安装有发射区(9),所述散热座(4)的内壁底部与集电区(7)和基区(8)以及发射区(9)的底部之间设有绝缘层衬底(6),所述散热底座(1)的底部中心安装有基极(11),所述散热底座(1)的底部位于基极(11)的左侧安装有集电极(10),所述散热底座(1)的底部位于基极(11)的右侧安装有发射极(12),所述散热底座(1)的内壁上沿设有连接槽(101),所述连接槽(101)的内部通过连接螺牙(201)安装有封装外壳(2)。
2.根据权利要求1所述的一种减少内部热量的三极管,其特征在于:所述连接槽(101)采用螺纹槽结构,且所述连接槽(101)与连接螺牙(201)尺寸匹配安装。
3.根据权利要求1所述的一种减少内部热量的三极管,其特征在于:所述散热环(3)采用多组波纹片等间距环形分布排列组成,且所述散热环(3)与散热座(4)均采用铝合金材质。
4.根据权利要求1所述的一种减少内部热量的三极管,其特征在于:所述散热导片(5)等间距环形分布设有多组,且所述散热导片(5)采用高导散热石墨材质。
5.根据权利要求1所述的一种减少内部热量的三极管,其特征在于:所述绝缘层衬底(6)采用二氧化硅绝缘层。
6.根据权利要求1所述的一种减少内部热量的三极管,其特征在于:所述集电极(10)和基极(11)以及发射极(12)的顶部均贯穿绝缘层衬底(6)的顶部分别连接于集电区(7)和基区(8)以及发射区(9)的底部。
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