CN210429811U - 一种多芯测试电路结构 - Google Patents

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栗巍
王业文
徐仲亮
熊晓亮
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Abstract

本实用新型公开了一种多芯测试电路结构。所述多芯测试电路结构,用于半导体芯粒/LED芯粒的多芯测试,所述多芯测试电路结构包括测试部和导通电路部;所述导通电路部包括第一共极端和第二共极端,所述第一共极端和第二共极端分别与测试部电连接;所述第一共极端连接有多个相互并联的第一电连接端;所述第二共极端连接有多个相互并联的第二电连接端,每个第二电连接端均设置有对应的第二常开型开关用于控制与第二共极端导通;第一电连接端导通,同时导通对应一个第二电连接端的第二常开型开关;所述多芯测试电路结构既能够用于LED芯粒的多芯测试也能够用于半导体芯粒的多芯测试。

Description

一种多芯测试电路结构
技术领域
本实用新型涉及一种多芯测试电路结构。
背景技术
现有的位于晶圆上的半导体芯粒和LED芯粒,由于芯粒结构不同,需要采用不同的电路结构;如半导体晶圆,芯粒的两个电极分布于两侧,所有的芯粒共用一个电极且所述电极位于承片台,测试采用探针电连接于半导体芯粒的另一端即可;而对于LED芯粒,由于芯粒两极位于同一侧,对于单颗芯粒需要至少两根探针电连接,测试芯粒时需要将两根探针导通;现有的电路不能实现对半导体和LED芯粒的兼用多芯测试。
实用新型内容
为解决上述技术问题,本实用新型提出一种多芯测试电路结构。
本实用新型的技术方案为:一种多芯测试电路结构,用于半导体芯粒/LED芯粒的多芯测试,所述多芯测试电路结构包括测试部和导通电路部;
所述导通电路部包括第一共极端和第二共极端,所述第一共极端和第二共极端分别与测试部电连接;
所述第一共极端连接有多个相互并联的第一电连接端;
所述第二共极端连接有多个相互并联的第二电连接端,每个第二电连接端均设置有对应的第二常开型开关用于控制与第二共极端导通;
同时将多颗半导体芯粒/多颗LED芯粒的两个电极分别连接到不同的第一电连接端和/或不同的第二电连接端;第一电连接端导通,同时导通对应一个第二电连接端的第二常开型开关从而实现导通的第一电连接端和导通的第二电连接端对应的半导体芯粒/LED芯粒完成电测试。
进一步的,每个第一电连接端均设置有对应的第一常开型开关用于控制与第一共极端导通;导通第二电连接端的第二常开型开关时,同时导通对应的第一常开型开关。
进一步的,所述第一常开型开关和第二常开型开关共同构成继电器。
进一步的,所述第一电连接端和第二电连接端分别通过针座连接于半导体芯粒/LED芯粒。
进一步的,所述测试部包括电源组件和测试组件,所述电源组件用于向导通电路部输入电信号,所述测试组件用于测试导通电路部的电信号。
进一步的,所述第一电连接端和第二电连接端连接于针卡。
本实用新型的有益效果在于:能够实现对半导体和LED芯粒兼容性测试,即所述多芯测试电路结构既能够用于LED芯粒的多芯测试也能够用于半导体芯粒的多芯测试。
附图说明
图1为多芯测试电路结构示意图;
图2为测试部提供电压测电压或者提供电流测电压示意图;
图3为测试部提供电压测电流示意图。
具体实施方式
为便于本领域技术人员理解本实用新型的技术方案,下面将本实用新型的技术方案结合具体实施例作进一步详细的说明。
如图1所示,一种多芯测试电路结构100,用于半导体芯粒/LED芯粒/二极管的多芯测试,所述多芯并不限定为本实用新型的技术方案用于芯片或芯粒的测试;所述多芯测试电路结构100包括测试部20和导通电路部30;所述测试部20用于为待测试的芯粒提供电信号并测试芯粒的电参数,如向芯粒提供电压,测试出在该电压条件下芯粒的电流值;向芯粒提供电流,测试出在该电流条件下芯粒的电压值;
所述导通电路部30包括第一共极端31和第二共极端32,所述第一共极端31和第二共极端32分别与测试部20电连接;使测试部20能够向电路部30施加电信号,以及测试部20能够测试电路部30的电信号;
所述第一共极端31连接有多个相互并联的第一电连接端(A1、A3);对于半导体芯粒,由于半导体芯粒所在的晶圆一侧为共用电极,故只需要第一共极端31与半导体晶圆与共用电极电连接;
所述第二共极端32连接有多个相互并联的第二电连接端(A2、A4),每个第二电连接端(A2、A4)均设置有对应的第二常开型开关(S2、S4)用于控制与第二共极端32导通;即第二共极端32最多只能导通一个第二电连接端(A2、A4),多颗芯粒与对应的第一电连接端(A1、A3)和第二电连接端(A2、A4)连接,但是对应的第二常开型开关(S2、S4)断开电连接,同一时刻只能单颗芯粒测试;
同时将多颗半导体芯粒/多颗LED芯粒的两个电极分别连接到不同的第一电连接端(A1、A3)和/或不同的第二电连接端(A2、A4);第一电连接端(A1、A3)导通,同时导通对应一个第二电连接端(A2、A4)的第二常开型开关(S2、S4)从而实现导通的第一电连接端(A1、A3)和导通的第二电连接端(A2、A4)对应的半导体芯粒/LED芯粒完成电测试;由于对半导体芯粒/LED芯粒的测试,均需要用探针电连接于对应的焊盘,采用上述电路能够将位于晶圆的半导体芯粒/LED芯粒在一次对针后一次完成多颗半导体芯粒/LED芯粒的测试,由于晶圆上的半导体芯粒/LED芯粒相对位置精度高,故只需要一次对针后保持探针的位置不变将下一个位置的相应芯粒对准所述探针即可,从而完成对针快速测试,提升半导体芯粒/LED芯粒的测试效率;同时,所述多芯测试电路结构100能够同时满足半导体芯粒和LED芯粒的测试要求。
如图1所示,每个第一电连接端(A1、A3、A5、A7、A9)均设置有对应的第一常开型开关(S1、S3、S5、S7、S9)用于控制与第一共极端31导通;导通第二电连接端(A2、A4、A6、A8、A10)的第二常开型开关(S2、S4、S6、S8、S10)时,同时导通对应的第一常开型开关(S1、S3、S5、S7、S9);对于LED芯粒测试能够同时将针座连接于焊盘位置,通过分别导通芯粒对应的第一共极端31和第二共极端32完成对芯粒的电参数和光参数(LED芯粒需要测试的数值)的测试。
如图1所示,所述第一常开型开关(S1、S3)和第二常开型开关(S2、S4)共同构成继电器,通过将继电器应用于本实用新型的技术方案,从而方便对第一常开型开关(S1、S3)和/或第二常开型开关(S2、S4)的控制,采用继电器便于实现软件编程控制,实现对芯粒自动化测试。
如图1所示,所述第一电连接端(A1、A3)和第二电连接端(A2、A4)分别通过针座连接于半导体芯粒/LED芯粒;由于芯粒焊盘(电连接处)体积小,需要使用专用的针座用于实现电连接。
如图1、图2和图3所示,所述测试部20包括电源组件21和测试组件22,所述电源组件21用于向导通电路部30输入电信号,所述测试组件22用于测试导通电路部30的电信号;即测试部20需要有电源组件21和需要有能够测试电参数的测试组件22,由于测试的参数不同,所述电源组件21和测试组件22的相互之间电连接关系也不同;包括但不限于,电源组件21提供电压,测试组件22测试电流;电源组件21提供电流,测试组件22测试电压;电源组件21提供电压,测试组件22测试电压;某些元器件(如二极管)还需要测试反向电参数。
如图1所示,所述第一电连接端(A1、A3)和第二电连接端(A2、A4)连接于针卡,即通过针卡实现对多芯的机械接触,再分别施加电压或电流。
如图1、图2和图3所示,测试部20为多个,所述多个测试部20并联;其中的1个测试部能够用于测试LED芯粒的一种电参数或者能够用于测试半导体芯粒的一种电参数,从而需要测试LED芯粒或半导体芯粒的一个电参数时需要启动对应的测试部20,各个测试部20功能单一,相对于采用一个电源组件21和一个测试组件22通过开关切换组合而实现对参数测试的方案,本实用新型的技术方案稳定可靠,从而保证了各个测试部20功能单一,稳定可靠;减小因各种功能切换造成不良影响。
以上是本实用新型的较佳实施例,不用于限定本实用新型的保护范围。应当认可,本领域技术人员在理解了本实用新型技术方案后所作的非创造性变形和改变,应当也属于本实用新型的保护和公开的范围。

Claims (7)

1.一种多芯测试电路结构,用于半导体芯粒/LED芯粒的多芯测试,其特征在于:所述多芯测试电路结构(100)包括测试部(20)和导通电路部(30);
所述导通电路部(30)包括第一共极端(31)和第二共极端(32),所述第一共极端(31)和第二共极端(32)分别与测试部(20)电连接;
所述第一共极端(31)连接有多个相互并联的第一电连接端(A1、A3);
所述第二共极端(32)连接有多个相互并联的第二电连接端(A2、A4),每个第二电连接端(A2、A4)均设置有对应的第二常开型开关(S2、S4)用于控制与第二共极端(32)导通;
同时将多颗半导体芯粒/多颗LED芯粒的两个电极分别连接到不同的第一电连接端(A1、A3)和/或不同的第二电连接端(A2、A4);第一电连接端(A1、A3)导通,同时导通对应一个第二电连接端(A2、A4)的第二常开型开关(S2、S4)从而实现导通的第一电连接端(A1、A3)和导通的第二电连接端(A2、A4)对应的半导体芯粒/LED芯粒完成电测试。
2.根据权利要求1所述的多芯测试电路结构,其特征在于:
每个第一电连接端(A1、A3)均设置有对应的第一常开型开关(S1、S3)用于控制与第一共极端(31)导通;导通第二电连接端(A2、A4)的第二常开型开关(S2、S4)时,同时导通对应的第一常开型开关(S1、S3)。
3.根据权利要求2所述的多芯测试电路结构,其特征在于:所述第一常开型开关(S1、S3)和第二常开型开关(S2、S4)共同构成继电器。
4.根据权利要求1所述的多芯测试电路结构,其特征在于:所述第一电连接端(A1、A3)和第二电连接端(A2、A4)分别通过针座连接于半导体芯粒/LED芯粒。
5.根据权利要求1所述的多芯测试电路结构,其特征在于:所述测试部(20)包括电源组件(21)和测试组件(22),所述电源组件(21)用于向导通电路部(30)输入电信号,所述测试组件(22)用于测试导通电路部(30)的电信号。
6.根据权利要求1所述的多芯测试电路结构,其特征在于:所述第一电连接端(A1、A3)和第二电连接端(A2、A4)连接于针卡。
7.根据权利要求1所述的多芯测试电路结构,其特征在于:测试部(20)为多个,所述多个测试部(20)并联。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112595966A (zh) * 2021-03-03 2021-04-02 南京邮电大学 一种基于IEEE标准Chiplet电路测试方法

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