CN210351098U - 一种用于c波段的功率放大电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种用于C波段的功率放大电路。本实用新型的主要目的是提出低成本、高增益、同时具有限幅能力的C波段的放大电路实现方式，本实用新型的方案主要包括限幅电路、分别由2个功放管构成的2级放大电路，在第二级放大电路中，通过引入NPN三极管与功放管实现推挽，从而提高了电路的功率增益，在较强干扰信号流入时能通过限幅电路进行限幅。相比于传统结构，本实用新型的电路结构简单，在提供高增益的同时，还集成了限幅和滤波，对于低成本的应用环境提供支持。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种用于C波段的功率放大电路。
背景技术
随着射频领域的飞速发展，微波器件的小型化已经成为现今技术发展趋势。小型化的途径之一就是将更多的功能集成在一起，但是并非所有的功能模块都可以进行集成，必须要考虑集成之后信号之间的干扰问题。同时不同的微波波段具有不同的特性，根据其对功率需求的不同，器件之间干扰的差异等，也难以提出比较通用的集成方案。对于功率放大器，其主要目的为对信号进行增益，其在信号收到器件中的电气位置与天线邻近，容易受信号路线之间的互扰。
实用新型内容
本实用新型所要解决的，就是针对上述问题，提出一种即满足高增益需求，又能有效抵抗信号干扰对电路器件影响的用于C波段的功率放大电路。
本实用新型采用的技术方案是：一种用于C波段的功率放大电路，如图1所示，包括第一二极管D1、第二二极管D2、第一电感L1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7、第八电容C8、第一功放管、第二功放管、PMOS管和NPN三极管；第一电阻R1一端接输入信号，第一电阻R1的一端接第一二极管D1的正极和第二二极管D2的负极，第一二极管D1的负极和第二二极管D2的正极接地，第一电阻R1的一端还通过并联的第一电容C1和第一电感L1后接地；第一电阻R1的另一端接第一功放管的栅极，第一电阻R1与第一功放管栅极的连接点通过第二电容C2接地；第一功放管的源极通过并联的第二电阻R2和第三电容C3后接地，第一功放管的漏极接PMOS管的漏极，PMOS管的源极接电源，PMOS管的栅极接偏置电压；第一功放管的漏极通过第四电容C4后接第二功放管的栅极，第四电容C4与第二功放管栅极的连接点通过第三电阻R3后接地；第二功放管的源极通过并联的第四电阻R4和第五电容C5后接地，第二功放管的漏极接NPN三极管的发射极，NPN三极管的基极接PMOS管的漏极，NPN三极管的集电极接电源；第二功放管的漏极接第五电阻R5的一端，第五电阻R5的另一端接第七电容C7的一端，第五电阻R5与第七电容C7的连接点通过第六电容C6后接地；第七电容C7的另一端接第七电阻R7的一端，第七电容C7与第七电阻R7的连接点通过第六电阻R6后接地；第七电阻R7的另一端接第八电容C8的一端，第八电容C8的另一端为信号输出端。
本实用新型的主要目一是提供高增益，二是防止大信号的流入导致电路器件受损，为了实现这个目的，本实用新型的方案中，通过对放大电路的改进，即加入了NPN三极管，通过将电路的上拉电流提高，从而实现电路的高功率增益；同时在射频信号输入的端口，设置具有限幅作用的限幅电路，对流入的大信号进行限制，为电路的器件提供保护作用。
上述方案中的偏置电压通常由偏置电路产生，偏置电路通常由MOS管和电流源组成，是一种常用的电路。
进一步的，所述第一功放管和第二功放管为LDMOS。
LDMOS是射频电路中常用的功放器件，目前具有较多的可选用型号，根据实际需求进行选型，可满足大多数微波波段的需求。
本实用新型的有益效果是：相比于传统结构，本实用新型的电路结构简单，即实现了高增益，又集成了限幅电路为整个电路提供保护。
附图说明
图1为本实用新型的电路逻辑结构示意图。
具体实施方式
本实用新型的方案是针对于C波段的功率放大需求，在低成本的前提下，提供一种高增益、能限幅的放大电路，如图1所示，包括第一二极管D1、第二二极管D2、第一电感L1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7、第八电容C8、第一功放管、第二功放管、PMOS管和NPN三极管；第一电阻R1一端接输入信号，第一电阻R1的一端接第一二极管D1的正极和第二二极管D2的负极，第一二极管D1的负极和第二二极管D2的正极接地，第一电阻R1的一端还通过并联的第一电容C1和第一电感L1后接地；第一电阻R1的另一端接第一功放管的栅极，第一电阻R1与第一功放管栅极的连接点通过第二电容C2接地；第一功放管的源极通过并联的第二电阻R2和第三电容C3后接地，第一功放管的漏极接PMOS管的漏极，PMOS管的源极接电源，PMOS管的栅极接偏置电压；第一功放管的漏极通过第四电容C4后接第二功放管的栅极，第四电容C4与第二功放管栅极的连接点通过第三电阻R3后接地；第二功放管的源极通过并联的第四电阻R4和第五电容C5后接地，第二功放管的漏极接NPN三极管的发射极，NPN三极管的基极接PMOS管的漏极，NPN三极管的集电极接电源；第二功放管的漏极接第五电阻R5的一端，第五电阻R5的另一端接第七电容C7的一端，第五电阻R5与第七电容C7的连接点通过第六电容C6后接地；第七电容C7的另一端接第七电阻R7的一端，第七电容C7与第七电阻R7的连接点通过第六电阻R6后接地；第七电阻R7的另一端接第八电容C8的一端，第八电容C8的另一端为信号输出端。
本实用新型的方案中，对输入的射频信号，如果是正常信号，则通过第一电阻R1和第一电容C1组成的高通滤波器输入第一功放管。放大电路由PMOS管提供偏置。第一功放管和第二功放管之间由第四电容C4滤除干扰，第三电阻R3为第二功放管提供输入负载，第二功放管输出的信号经过由第五电阻R5、第六电容C6、第七电容C7和第六电阻R6组成的带通滤波器滤波后，经过第七电阻R7和第八电容C8输出，第七电阻R7提供输出负载，第八电容C8用于降低输出信号的高频干扰。在正常小信号环境下，NPN三极管与第二功放管实现了推挽，从而有效的提供了增益。如果有大信号流入，则通过由第一二极管D1、第二二极管D2、第一电容C1和第一电感L1组成的限幅电路进行限幅，其中正反并联的2个二极管分别用于对射频正负半周进行限幅，单个的二极管并不能实现该目的，因为输入的信号是具有周期性的，因此本实用新型的方案提供了2条通路，并联的电容C1用于滤波，电感L1用于为二极管提供直流通路，增加二极管的导通时间，从而增强限幅的能力。
有上述方案可得，本实用新型的电路结构简单，在提供高增益的同时，还集成了限幅和滤波，对于低成本的应用环境提供支持。
Claims (2)
1.一种用于C波段的功率放大电路，其特征在于，包括第一二极管D1、第二二极管D2、第一电感L1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7、第八电容C8、第一功放管、第二功放管、PMOS管和NPN三极管；第一电阻R1一端接输入信号，第一电阻R1的一端接第一二极管D1的正极和第二二极管D2的负极，第一二极管D1的负极和第二二极管D2的正极接地，第一电阻R1的一端还通过并联的第一电容C1和第一电感L1后接地；第一电阻R1的另一端接第一功放管的栅极，第一电阻R1与第一功放管栅极的连接点通过第二电容C2接地；第一功放管的源极通过并联的第二电阻R2和第三电容C3后接地，第一功放管的漏极接PMOS管的漏极，PMOS管的源极接电源，PMOS管的栅极接偏置电压；第一功放管的漏极通过第四电容C4后接第二功放管的栅极，第四电容C4与第二功放管栅极的连接点通过第三电阻R3后接地；第二功放管的源极通过并联的第四电阻R4和第五电容C5后接地，第二功放管的漏极接NPN三极管的发射极，NPN三极管的基极接PMOS管的漏极，NPN三极管的集电极接电源；第二功放管的漏极接第五电阻R5的一端，第五电阻R5的另一端接第七电容C7的一端，第五电阻R5与第七电容C7的连接点通过第六电容C6后接地；第七电容C7的另一端接第七电阻R7的一端，第七电容C7与第七电阻R7的连接点通过第六电阻R6后接地；第七电阻R7的另一端接第八电容C8的一端，第八电容C8的另一端为信号输出端。
2.根据权利要求1所述的一种用于C波段的功率放大电路，其特征在于，所述第一功放管和第二功放管为LDMOS。
Priority Applications (1)
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2019
- 2019-09-03 CN CN201921458902.4U patent/CN210351098U/zh active Active
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