CN210245535U - 一种全光谱发光二极管 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种全光谱发光二极管，包括支架和LED芯片，所述LED芯片装设于支架上，所述LED芯片包括衬底和至少两个发出不同色光的发光单元，所述发光单元包括N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、N极和P极，所述P型半导体层设于N型半导体层的上方/下方，所述量子阱层设于P型半导体层和N型半导体层之间，所述N极设于N型半导体层上，所述P极设于P型半导体层上，所述发光单元之间以水平相接方式/垂直相叠方式设置于衬底上。本实用新型通过两个或以上的不同色光的发光单元以水平相接方式/垂直叠加方式设于衬底上，这样结构的发光二极管的体积小，便于携带，且能同时发出多种色光，满足用户的特殊用途需要。
Description
技术领域
本实用新型涉及LED技术领域，特别涉及一种全光谱发光二极管。
背景技术
LED照明灯是利用第四代绿色光源LED做成的一种照明灯具。LED被称为第四代照明光源或绿色光源，具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。
目前，一个发光二极管只能发出一种色光，而无法同时发出多种色光，以满足用户的特殊用途，而针对这一情况，部分商家一般是将多个发光二极管组合起来形成一个LED灯，但是这样的组合形成的LED灯的体积较大，不方便携带。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是，针对上述现有技术中的不足，提供一种全光谱发光二极管，其体积小，便于携带，同时能发出多种色光，满足用户特殊用途需要。
为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：
一种全光谱发光二极管，包括支架和LED芯片，所述LED芯片装设于支架上，所述LED芯片包括衬底和至少两个发出不同色光的发光单元，所述发光单元包括N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、N极和P极，所述P型半导体层设于N型半导体层的上方/下方，所述量子阱层设于P型半导体层和N型半导体层之间，所述N极设于N型半导体层上，所述P极设于P型半导体层上，所述发光单元之间以水平相接方式/垂直相叠方式设置于衬底上。
作为一种优选方案，所述P型半导体层设于N型半导体层的上方,所述发光单元之间以水平方式设置于衬底上，所述发光单元的N极与相邻发光单元的P极电连接。
作为一种优选方案，所述P型半导体层设于N型半导体层的上方,所述发光单元之间以垂直相叠方式设置于衬底上，位于上方发光单元的N型半导体层与位于下方发光单元的P极相互叠合。
作为一种优选方案，所述P型半导体层设于N型半导体层的下方,所述发光单元之间以垂直相叠方式设置于衬底上，位于上方发光单元的P型半导体层与位于下方发光单元的N极相互叠合。
作为一种优选方案，所述发光单元为在蓝光发光单元、红光发光单元、黄光发光单元和红外发光单元中选择, 所述蓝光发光单元所发出的色光波长为450nm，所述红光发光单元所发出的色光波长为650nm，所述红外发光单元所发出的色光波长为850nm，所述黄光发光单元所发出的色光波长为570nm。
作为一种优选方案，所述LED芯片还包括粘合层，所述粘合层设于衬底和N型半导体层之间。
作为一种优选方案，所述LED芯片还包括粘合层，所述粘合层设于衬底和位于最底部发光单元的N型半导体层之间。
作为一种优选方案，所述LED芯片还包括粘合层，所述粘合层设于衬底和位于最底部发光单元的P型半导体层之间。
作为一种优选方案，所述支架上设有正极和负极，所述LED芯片以倒装的方式装设于支架上，所述LED芯片的N极与负极相接，所述LED芯片的P极与正极相接。
作为一种优选方案，所述全光谱发光二极管还包括透明罩体，所述透明罩体罩设于LED芯片外侧。
本实用新型的有益效果是：通过两个或以上的不同色光的发光单元以水平相接方式/垂直叠加方式设于衬底上，这样结构的发光二极管的体积小，便于携带，且能同时发出多种色光，满足用户的特殊用途需要；所述LED芯片以倒装方式装设于支架上，如此既方便组装，又能节省安装空间，使发光二极管的体积能制作得更小。
附图说明
图1为本实用新型之实施例的组装结构示意图；
图2为本实用新型之实施例的LED芯片的结构示意图；
图3为本实用新型之另一实施例的LED芯片的结构示意图；
图4为本实用新型之又一实施例的LED芯片的结构示意图。
图中：1- LED芯片，2-支架，21-正极，22-负极，3-衬底，4-发光单元，5-N极，6-P极，7-P型半导体层，8-N型半导体层，9-量子阱层，10-粘合层，11-透明罩体。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的结构原理和工作原理作进一步详细说明。
如图1和图2所示，一种全光谱发光二极管，包括支架2和LED芯片1，所述LED芯片1装设于支架2上，所述LED芯片1包括衬底3和两个发出不同色光的发光单元4，所述发光单元4包括N型半导体层8、量子阱层9、P型半导体层7、N极5和P极6，所述P型半导体层7设于N型半导体层8的上方，所述量子阱层9设于P型半导体层7和N型半导体层8之间，所述N极5设于N型半导体层8上，所述P极6设于P型半导体层7上，所述发光单元4之间以水平相接方式设置于衬底3上，所述发光单元4的N极5与相邻发光单元4的P极6电连接。
作为一种优选方案，所述发光单元4为在蓝光发光单元、红光发光单元、黄光发光单元和红外发光单元中选择。
作为一种优选方案，所述LED芯片1还包括粘合层10，所述粘合层10设于衬底3和N型半导体层8之间。
作为一种优选方案，所述支架2上设有正极21和负极22，所述LED芯片1以倒装的方式装设于支架2上，所述LED芯片1的N极5与负极21相接，所述LED芯片1的P极6与正极22相接。
作为一种优选方案，所述全光谱发光二极管还包括透明罩体11，所述透明罩体11罩设于LED芯片1外侧。
作为一种优选方案，所述蓝光发光单元所发出的色光波长为450nm，所述红光发光单元所发出的色光波长为650nm，所述红外发光单元所发出的色光波长为850nm，所述黄光发光单元所发出的色光波长为570nm。
结合图1和图3所示为本实用新型的另一实施例，包括支架2和LED芯片1，所述LED芯片1装设于支架2上，所述LED芯片1包括衬底3和两个发出不同色光的发光单元4，所述发光单元4包括N型半导体层8、量子阱层9、P型半导体层7、N极5和P极6，所述P型半导体层7设于N型半导体层8的上方，所述量子阱层9设于P型半导体层7和N型半导体层8之间，所述N极5设于N型半导体层8上，所述P极6设于P型半导体层7上，所述发光单元4之间以垂直相叠方式设置于衬底3上，位于上方发光单元4的N型半导体层8与位于下方发光单元4的P极6相互叠合。
作为一种优选方案，所述发光单元4为在蓝光发光单元、红光发光单元、黄光发光单元和红外发光单元中选择。
作为一种优选方案，所述LED芯片1还包括粘合层10，所述粘合层10设于衬底3和位于最底部发光单元4的N型半导体层8之间。
作为一种优选方案，所述支架2上设有正极21和负极22，所述LED芯片1以倒装的方式装设于支架2上，所述LED芯片1的N极5与负极21相接，所述LED芯片1的P极6与正极22相接。
作为一种优选方案，所述全光谱发光二极管还包括透明罩体11，所述透明罩体11罩设于LED芯片1外侧。
作为一种优选方案，所述蓝光发光单元所发出的色光波长为450nm，所述红光发光单元所发出的色光波长为650nm，所述红外发光单元所发出的色光波长为850nm，所述黄光发光单元所发出的色光波长为570nm。
结合图1和图4所述为本实用新型之又一实施例，包括支架2和LED芯片1，所述LED芯片1装设于支架2上，所述LED芯片1包括衬底3和两个发出不同色光的发光单元4，所述发光单元4包括N型半导体层8、量子阱层9、P型半导体层7、N极5和P极6，所述P型半导体层7设于N型半导体层8的下方，所述量子阱层9设于P型半导体层7和N型半导体层8之间，所述N极5设于N型半导体层8上，所述P极6设于P型半导体层7上，所述发光单元4之间以垂直相叠方式设置于衬底3上，位于上方发光单元4的P型半导体层7与位于下方发光单元4的N极5相互叠合。
作为一种优选方案，所述发光单元4为在蓝光发光单元、红光发光单元、黄光发光单元和红外发光单元中选择。
作为一种优选方案，所述LED芯片1还包括粘合层10，所述粘合层10设于衬底3和位于最底部发光单元4的P型半导体层7之间。
作为一种优选方案，所述支架2上设有正极21和负极22，所述LED芯片1以倒装的方式装设于支架2上，所述LED芯片1的N极5与负极21相接，所述LED芯片1的P极6与正极22相接。
作为一种优选方案，所述全光谱发光二极管还包括透明罩体11，所述透明罩体11罩设于LED芯片1外侧。
作为一种优选方案，所述蓝光发光单元所发出的色光波长为450nm，所述红光发光单元所发出的色光波长为650nm，所述红外发光单元所发出的色光波长为850nm，所述黄光发光单元所发出的色光波长为570nm。
本实用新型的有益效果是：通过两个或以上的不同色光的发光单元4以水平相接方式/垂直叠加方式设于衬底3上，这样结构的发光二极管的体积小，便于携带，且能同时发出多种色光，满足用户的特殊用途需要；所述LED芯片1以倒装方式装设于支架2上，如此既方便组装，又能节省安装空间，使发光二极管的体积能制作得更小。
以上所述，仅是本实用新型较佳实施方式，凡是依据本实用新型的技术方案对以上的实施方式所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均属于本实用新型技术方案的范围内。
Claims (10)
1.一种全光谱发光二极管，其特征在于：包括支架和LED芯片，所述LED芯片装设于支架上，所述LED芯片包括衬底和至少两个发出不同色光的发光单元，所述发光单元包括N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、N极和P极，所述P型半导体层设于N型半导体层的上方/下方，所述量子阱层设于P型半导体层和N型半导体层之间，所述N极设于N型半导体层上，所述P极设于P型半导体层上，所述发光单元之间以水平相接方式/垂直相叠方式设置于衬底上。
2.根据权利要求1所述的一种全光谱发光二极管，其特征在于：所述P型半导体层设于N型半导体层的上方,所述发光单元之间以水平方式设置于衬底上，所述发光单元的N极与相邻发光单元的P极电连接。
3.根据权利要求1所述的一种全光谱发光二极管，其特征在于：所述P型半导体层设于N型半导体层的上方,所述发光单元之间以垂直相叠方式设置于衬底上，位于上方发光单元的N型半导体层与位于下方发光单元的P极相互叠合。
4.根据权利要求1所述的一种全光谱发光二极管，其特征在于：所述P型半导体层设于N型半导体层的下方,所述发光单元之间以垂直相叠方式设置于衬底上，位于上方发光单元的P型半导体层与位于下方发光单元的N极相互叠合。
5.根据权利要求2-4中任一项所述的一种全光谱发光二极管，其特征在于：所述发光单元为在蓝光发光单元、红光发光单元、黄光发光单元和红外发光单元中选择, 所述蓝光发光单元所发出的色光波长为450nm，所述红光发光单元所发出的色光波长为650nm，所述红外发光单元所发出的色光波长为850nm，所述黄光发光单元所发出的色光波长为570nm。
6.根据权利要求2所述的一种全光谱发光二极管，其特征在于：所述LED芯片还包括粘合层，所述粘合层设于衬底和N型半导体层之间。
7.根据权利要求3所述的一种全光谱发光二极管，其特征在于：所述LED芯片还包括粘合层，所述粘合层设于衬底和位于最底部发光单元的N型半导体层之间。
8.根据权利要求4所述的一种全光谱发光二极管，其特征在于：所述LED芯片还包括粘合层，所述粘合层设于衬底和位于最底部发光单元的P型半导体层之间。
9.根据权利要求5所述的一种全光谱发光二极管，其特征在于：所述支架上设有正极和负极，所述LED芯片以倒装的方式装设于支架上，所述LED芯片的N极与负极相接，所述LED芯片的P极与正极相接。
10.根据权利要求1所述的一种全光谱发光二极管，其特征在于：还包括透明罩体，所述透明罩体罩设于LED芯片外侧。
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