CN210201707U - 电路结构及光伏空调系统 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种电路结构及光伏空调系统。该电路结构包括正极母线、负极母线、电容器、MOS管和第二电阻。正极母线的第一端接正极输入，正极母线的第二端接正极输出。电容器的第一极板与正极母线通过第一电阻与正极母线并联，MOS管的栅极与电容器的第一极板连接，MOS管的源级与电容器的第二极板连接，第二电阻并联连接在MOS管的源级和MOS管的漏极上。负极母线的第一端与MOS管的漏极相连，负极母线的第二端接负极输出。应用本实用新型的技术方案，达到了抑制开机浪涌电流的效果，减小了电路损耗，改善了电路的电磁兼容性能；并且抑制了电路接通瞬间的冲击电流，减小了对整个电源的冲击，提高了系统可靠性。

Description

电路结构及光伏空调系统

技术领域

本实用新型涉及电路结构技术领域，具体而言，涉及一种电路结构及光伏空调系统。

背景技术

图1为EMI滤波器原理图，其中L1、L2为差模电感器，L3为共模电感器，C1、C2为差模电容器，C3、C4为共模电容器。由于大容量差模滤波电容器C1、C2及负载的附加电容器的存在，在负载接通电源的瞬间，C1、C2及EMI滤波器输出端负载的附加电容器与电源构成低阻抗回路，开通瞬间，电压变化率过大，存在较大的冲击电流，负载运行时，容易影响同一电源其他负载的工作，也容易损害电源，产生较大的功率损耗。

在实际使用时，高压直流电源通过空气开关给后级的EMI滤波器和负载供电。但是，空气开关接通瞬间，电路中依然存在很大的开机浪涌电流，不符合一些电磁兼容的使用要求。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种电路结构及光伏空调系统，以解决现有技术中抑制电流冲击的电路结构存在的空气开关接通瞬间开机浪涌电流很大的技术问题。

本申请实施方式提供了一种电路结构，包括正极母线，正极母线的第一端接正极输入，正极母线的第二端接正极输出；电容器，电容器的第一极板与正极母线通过第一电阻与正极母线并联；MOS管，MOS管的栅极与电容器的第一极板连接，MOS管的源级与电容器的第二极板连接；负极母线，负极母线的第一端与MOS管的漏极相连，负极母线的第二端接负极输出；第二电阻，并联连接在MOS管的源级和MOS管的漏极上。

在一个实施方式中，第一电阻包括并联连接的两个电阻，其中一个电阻上串接有第一二极管，第一二极管单项导通电容器的第一极板到正极母线。

在一个实施方式中，两个电阻和/或第二电阻为限流电阻器，和/或第一二极管为快恢复二极管。

在一个实施方式中，电路结构还包括第二二极管，第二二极管与第二电阻串联连接，第二二极管单项导通MOS管的源级到MOS管的漏极。

在一个实施方式中，第二二极管为快恢复二极管。

在一个实施方式中，电路结构还包括稳压二极管，稳压二极管与电容器并联连接，稳压二极管单项导通电容器的第二极板到述电容器的第一极板。

在一个实施方式中，电路结构还包括第三电阻，第三电阻与电容器并联连接。

在一个实施方式中，第三电阻为分压电阻器。

在一个实施方式中，电容器为充电电容器，和/或MOS管为N-沟道MOS管。

本申请还提供了一种光伏空调系统，包括电路结构，电路结构为上述的电路结构。

在上述实施例中，整个电路结构通过第一电阻和电容器调整MOS管的UGS电压上升斜率，延长MOS管的栅极与MOS管的源级之间开启电压的上升时间，在MOS管的栅极与MOS管的源级之间的电压未达到开启电压之前，MOS管不导通，相当于开路，直流电源通过第二电阻对后级电路中的电容器充电。在充电的过程中，电容器相当于短路。当电容器充电即将饱和时，MOS管的栅极与MOS管的源级之间电压到达MOS管的开启电压，MOS管从高阻变为低阻，相当于把第二电阻短路，整个回路的电流从第二电阻切换到MOS管，达到了抑制开机浪涌电流的效果。这样就增加了电路结构对冲击电流的抑制效果，减小了电路损耗，改善了电路的电磁兼容性能；并且抑制了电路接通瞬间的冲击电流，减小了对整个电源的冲击，提高了系统可靠性。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1是根据现有技术中的抑制电流冲击的电路结构的示意图。

图2是根据本实用新型的电路结构的实施例的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施方式和附图，对本实用新型做进一步详细说明。在此，本实用新型的示意性实施方式及其说明用于解释本实用新型，但并不作为对本实用新型的限定。

图2示出了本实用新型的电路结构的实施例，该电路结构包括正极母线10、负极母线20、电容器C、MOS管V和第二电阻R2。正极母线10的第一端接正极输入，正极母线10的第二端接正极输出。电容器C的第一极板与正极母线10通过第一电阻R1与正极母线10并联，MOS管V的栅极与电容器C的第一极板连接，MOS管V的源级与电容器C的第二极板连接，第二电阻R2并联连接在MOS管V的源级和MOS管V的漏极上。负极母线20的第一端与MOS管V的漏极相连，负极母线20的第二端接负极输出。

应用本实用新型的技术方案，整个电路结构通过第一电阻R1和电容器C调整MOS管V的UGS电压上升斜率，延长MOS管V的栅极与MOS管V的源级之间开启电压的上升时间，在MOS管V的栅极与MOS管V的源级之间的电压未达到开启电压之前，MOS管V不导通，相当于开路，直流电源通过第二电阻R2对后级电路中的电容器C充电。在充电的过程中，电容器C相当于短路。当电容器C充电即将饱和时，MOS管V的栅极与MOS管V的源级之间电压到达MOS管V的开启电压，MOS管V从高阻变为低阻，相当于把第二电阻R2短路，整个回路的电流从第二电阻R2切换到MOS管V，达到了抑制开机浪涌电流的效果。这样就增加了电路结构对冲击电流的抑制效果，减小了电路损耗，改善了电路的电磁兼容性能；并且抑制了电路接通瞬间的冲击电流，减小了对整个电源的冲击，提高了系统可靠性。

需要说明的是，在图2中，VDC+即为正极，VDC-即为负极。

作为一种优选的实施方式，如图2所示，在本实施例的技术方案中，第一电阻R1包括并联连接的两个电阻，其中一个电阻上串接有第一二极管D1，第一二极管D1单项导通电容器C的第一极板到正极母线10。这样，串接有第一二极管D1的电阻就构成了防过充电路，防止MOS管V的栅极电压过高，烧坏MOS管V。优选的，在本实施例的技术方案，两个电阻和/或第二电阻R2为限流电阻器。

作为一种优选的实施方式，在本实施例的技术方案中，电路结构还包括第二二极管D2，第二二极管D2与第二电阻R2串联连接，第二二极管D2单项导通MOS管V的源级到MOS管V的漏极。这样，第二二极管D2与第二电阻R2就可以构成电源防反接电路，当直流电源接反时，第二二极管D2反向不能导通，保证电路结构中的电子元器件不被损坏。优选的，上述的第一二极管D1和第二二极管D2为快恢复二极管。

如图2所示，作为一种优选的实施方式，在本实施例的技术方案中，电路结构还包括稳压二极管D3，稳压二极管D3与电容器C并联连接，稳压二极管D3单项导通电容器C的第二极板到述电容器C的第一极板。稳压二极管D3可以用于维持MOS管V的栅极与MOS管V的源极之间的电压稳定，保证MOS管V的工作的可靠性。更为优选的，电路结构还包括第三电阻R3，第三电阻R3与电容器C并联连接。可选的，第三电阻R3为分压电阻器。

需要说明的是，上述的电容器C优选为充电电容器，上述的MOS管V优选为N-沟道MOS管。

本实用新型还提供了一种光伏空调系统，该光伏空调系统包括上述的电路结构。采用上述电路结构的光伏空调系统，减小了电路损耗，更加节能，并且抑制电流冲击，系统可靠性更高。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型实施例可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种电路结构，其特征在于，包括

正极母线(10)，所述正极母线(10)的第一端接正极输入，所述正极母线(10)的第二端接正极输出；

电容器(C)，所述电容器(C)的第一极板与所述正极母线(10)通过第一电阻(R1)与所述正极母线(10)并联；

MOS管(V)，所述MOS管(V)的栅极与所述电容器(C)的第一极板连接，所述MOS管(V)的源级与所述电容器(C)的第二极板连接；

负极母线(20)，所述负极母线(20)的第一端与所述MOS管(V)的漏极相连，所述负极母线(20)的第二端接负极输出；

第二电阻(R2)，并联连接在所述MOS管(V)的源级和所述MOS管(V)的漏极上。

2.根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，所述第一电阻(R1)包括并联连接的两个电阻，其中一个电阻上串接有第一二极管(D1)，所述第一二极管(D1)单项导通所述电容器(C)的第一极板到所述正极母线(10)。

3.根据权利要求2所述的电路结构，其特征在于，所述两个电阻和/或所述第二电阻(R2)为限流电阻器，和/或所述第一二极管(D1)为快恢复二极管。

4.根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，所述电路结构还包括第二二极管(D2)，所述第二二极管(D2)与所述第二电阻(R2)串联连接，所述第二二极管(D2)单项导通所述MOS管(V)的源级到所述MOS管(V)的漏极。

5.根据权利要求4所述的电路结构，其特征在于，所述第二二极管(D2)为快恢复二极管。

6.根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，所述电路结构还包括稳压二极管(D3)，所述稳压二极管(D3)与所述电容器(C)并联连接，所述稳压二极管(D3)单项导通所述电容器(C)的第二极板到所述述电容器(C)的第一极板。

7.根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，所述电路结构还包括第三电阻(R3)，所述第三电阻(R3)与所述电容器(C)并联连接。

8.根据权利要求7所述的电路结构，其特征在于，所述第三电阻(R3)为分压电阻器。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的电路结构，其特征在于，所述电容器(C)为充电电容器，和/或所述MOS管(V)为N-沟道MOS管。

10.一种光伏空调系统，包括电路结构，其特征在于，所述电路结构为权利要求1至9中任一项所述的电路结构。

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