CN210183665U - 一种pcb小盲孔填镀缸 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供本实用新型中的一种PCB小盲孔填镀缸，包括铜缸、包括半透膜，所述半透膜将所述铜缸的内部空间分隔成三个相对隔绝的空间，分别记作高浓度铜缸、中浓度铜缸和低浓度铜缸；所述高浓度铜缸和低浓度铜缸分别设置于所述中浓度铜缸的两侧；所述高浓度铜缸、中浓度铜缸和低浓度铜缸内设有铜离子浓度不同的镀铜液；所述半透膜上设有至少一组胶辘。电路板在高浓度铜缸中进行第一阶段镀铜；在中浓度铜缸中进行第二阶段镀铜；在低浓度铜缸中进行低三阶段镀铜。这样，电路板不会出现填孔空洞、填孔蟹脚或者单点孔破等问题，提高了电路板的可靠性。
Description
技术领域
本实用新型涉及印刷线路板填镀设备领域，具体涉及一种PCB小盲孔填镀缸。
背景技术
随着印制电路板(Printed Circuit Board，PCB)的快速发展，电路板的精度逐渐提高；对高精度印制电路板的加工工艺提出了新的要求。
其中，高精度印制电路板的小盲孔在填镀过程中存在以下问题：1、盲孔填镀后易形成填孔空洞，这样盲孔中部导电面积小，长期通电的情况下会发生发热严重的现象，同时在热应力测试中容易形成微开。2、填镀后盲孔从开口到底部的铜离子浓度逐渐降低，容易形成填孔蟹脚或者单点孔破。降低电路板的可靠性。
实用新型内容
为了解决上述现有技术中存在的缺陷，本实用新型要解决的技术问题是提供一种PCB小盲孔填镀缸，在缸中对印制线路板进行多次填镀，控制每次填镀的浓度，从而提到了印制电路板的填镀效果及可靠性。
为了达到上述技术效果，本实用新型中的一种PCB小盲孔填镀缸，包括铜缸、包括半透膜，所述半透膜将所述铜缸的内部空间分隔成三个相对隔绝的空间，分别记作高浓度铜缸、中浓度铜缸和低浓度铜缸；所述高浓度铜缸和低浓度铜缸分别设置于所述中浓度铜缸的两侧；所述高浓度铜缸、中浓度铜缸和低浓度铜缸内设有铜离子浓度不同的镀铜液；所述半透膜上设有至少一组胶辘。
作为本实用新型上述的一种PCB小盲孔填镀缸的改进，所述高浓度铜缸、中浓度铜缸和低浓度铜缸均设有铜缸副槽。
作为本实用新型上述的一种PCB小盲孔填镀缸的进一步改进，所述铜缸副槽内设有镀铜液。铜缸副槽内的镀铜液用于调整铜缸中的镀铜液的浓度。
作为本实用新型上述的一种PCB小盲孔填镀缸的另一种改进，所述高浓度铜缸内的镀铜液的铜离子浓度不小于200g/L；所述中浓度铜缸内的镀铜液的铜离子浓度处于150～180g/L之间；所述低浓度铜缸内的镀铜液的铜离子浓度处于100-120g/L之间。
作为本实用新型上述的一种PCB小盲孔填镀缸的进一步改进，所述铜缸的长度为30m，宽度为1.4m，高度为0.7m；所述高浓度铜缸的长度为12m；所述中浓度铜缸的长度为9m；所述低浓度铜缸的长度为9m。
作为本实用新型上述的一种PCB小盲孔填镀缸的另一种改进，所述半透膜为双层半透膜。
作为本实用新型上述的一种PCB小盲孔填镀缸的进一步改进，所述半透膜的高度与所述铜缸的高度持平。
作为本实用新型上述的一种PCB小盲孔填镀缸的更进一步改进，所述双层半透膜上设有两组胶辘。铜离子无法穿透半透膜，因而能起到隔绝作用。
填镀初期，需要大量的铜离子来填充盲孔的底部，因此需要先在高浓度铜缸内进行第一阶段填镀；第一阶段的填镀完成后，盲孔变浅，此时为了防止出现填孔苞芯现象，需要将电路板转到中浓度电镀缸内进行第二阶段填镀；第二阶段填镀后如果填镀液中铜离子浓度很高，继续填镀则会降低孔的填镀能力，需要将电路板转到低浓度电镀缸内进行第三阶段填镀。
当无电路板通过时，每组胶辘紧密贴合，铜缸内的物质无法穿过胶辘；当电路板需要从第一阶段填镀转到第二阶段填镀或者从第二阶段填镀转到第三阶段填镀时，胶辘打开，线路板从胶辘处穿过半透膜。这种穿过半透膜的方式能够保持电路板始终处于通电填镀状态，不会产生电路板填镀中断进而造成填孔凹陷过大的问题。
电路板在穿过半透膜过程中会发生填镀液的浓度变化，可以从铜缸副槽中导入填镀液来调整铜缸中填镀液的浓度。
通过这样的设定，使用本实用新型所提供的铜缸进行高精度电路板进行填镀，电路板不会出现填孔空洞、填孔蟹脚或者单点孔破等问题，提高了电路板的可靠性。
结合附图阅读本实用新型实施方式的详细描述后，本实用新型的其他特点和优点将变得更加清楚。
附图说明
图1是本实用新型实施例的铜缸的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图具体阐明本实用新型的实施方式，附图仅供参考和说明使用，不构成对本实用新型专利保护范围的限制。
如图1所示，一种PCB小盲孔填镀缸，包括铜缸1、包括半透膜2，半透膜2将铜缸1的内部空间分隔成三个相对隔绝的空间，分别记作高浓度铜缸11、中浓度铜缸12和低浓度铜缸13；高浓度铜缸11和低浓度铜缸13分别设置于中浓度铜缸12的两侧；具体的，铜缸1的长度为30m，宽度为1.4m，高度为0.7m；高浓度铜缸11的长度为12m；中浓度铜缸12的长度为9m；低浓度铜缸13的长度为9m。
具体的，高浓度铜缸11、中浓度铜缸12和低浓度铜缸13内设有铜离子浓度不同的镀铜液，分别记作镀铜液A、镀铜液B和镀铜液C。进一步的，高浓度铜缸11内的镀铜液A的铜离子浓度不小于200g/L；中浓度铜缸12内的镀铜液B的铜离子浓度处于150～180g/L之间；低浓度铜缸13内的镀铜液C的铜离子浓度处于100-120g/L之间。
在本实施例中，高浓度铜缸11、中浓度铜缸12和低浓度铜缸13均设有铜缸副槽3；具体的，铜缸副槽3内设有镀铜液。铜缸副槽3内的镀铜液用于调整铜缸1中的镀铜液的浓度。
在本实施例中，半透膜2为双层半透膜，半透膜上设有两组胶辘21；半透膜2的高度与铜缸1的高度持平。铜离子无法穿透半透膜，因而能起到隔绝作用。
填镀初期，需要大量的铜离子来填充盲孔的底部，因此需要先在高浓度铜缸11内进行第一阶段填镀；第一阶段的填镀完成后，盲孔变浅，此时为了防止出现填孔苞芯现象，需要将电路板4转到中浓度电镀缸12内进行第二阶段填镀；第二阶段填镀后如果填镀液中铜离子浓度很高，继续填镀则会降低孔的填镀能力，需要将电路板4转到低浓度电镀缸13内进行第三阶段填镀。
当无电路板通过时，每组胶辘21紧密贴合，铜缸1内的物质无法穿过胶辘21；当电路板4需要从第一阶段填镀转到第二阶段填镀或者从第二阶段填镀转到第三阶段填镀时，胶辘21打开，线路板4从胶辘21处穿过半透膜2。这种穿过半透膜2的方式能够保持电路板4始终处于通电填镀状态，不会产生电路板4填镀中断进而造成填孔凹陷过大的问题。
电路板4在穿过半透膜2过程中会发生填镀液的浓度变化，可以从铜缸副槽3中导入填镀液来调整铜缸中填镀液的浓度。
这样，使用本实用新型实施例所提供的铜缸进行高精度电路板进行填镀，电路板不会出现填孔空洞、填孔蟹脚或者单点孔破等问题，提高了电路板的可靠性。
以上所揭露的仅为本实用新型的较佳实施例，不能以此来限定本实用新型的权利保护范围，因此依本实用新型申请专利范围所作的等同变化，仍属本实用新型所涵盖的范围。
Claims (8)
1.一种PCB小盲孔填镀缸，包括铜缸；其特征在于：还包括半透膜，所述半透膜将所述铜缸的内部空间分隔成三个相对隔绝的空间，分别记作高浓度铜缸、中浓度铜缸和低浓度铜缸；所述高浓度铜缸和低浓度铜缸分别设置于所述中浓度铜缸的两侧；所述高浓度铜缸、中浓度铜缸和低浓度铜缸内设有铜离子浓度不同的镀铜液；所述半透膜上设有至少一组胶辘。
2.根据权利要求1所述的一种PCB小盲孔填镀缸，其特征在于：所述高浓度铜缸、中浓度铜缸和低浓度铜缸均设有铜缸副槽。
3.根据权利要求2所述的一种PCB小盲孔填镀缸，其特征在于：所述铜缸副槽内设有镀铜液。
4.根据权利要求2所述的一种PCB小盲孔填镀缸，其特征在于：所述高浓度铜缸内的镀铜液的铜离子浓度不小于200g/L；所述中浓度铜缸内的镀铜液的铜离子浓度处于150～180g/L之间；所述低浓度铜缸内的镀铜液的铜离子浓度处于100-120g/L之间。
5.根据权利要求4所述的一种PCB小盲孔填镀缸，其特征在于：所述铜缸的长度为30m，宽度为1.4m，高度为0.7m；所述高浓度铜缸的长度为12m；所述中浓度铜缸的长度为9m；所述低浓度铜缸的长度为9m。
6.根据权利要求1所述的一种PCB小盲孔填镀缸，其特征在于：所述半透膜为双层半透膜。
7.根据权利要求6所述的一种PCB小盲孔填镀缸，其特征在于：所述半透膜的高度与所述铜缸的高度持平。
8.根据权利要求7所述的一种PCB小盲孔填镀缸，其特征在于：所述双层半透膜上设有两组胶辘。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN201920830114.7U CN210183665U (zh) | 2019-05-31 | 2019-05-31 | 一种pcb小盲孔填镀缸 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN201920830114.7U CN210183665U (zh) | 2019-05-31 | 2019-05-31 | 一种pcb小盲孔填镀缸 |
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| CN210183665U true CN210183665U (zh) | 2020-03-24 |
Family
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
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| CN (1) | CN210183665U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114679854A (zh) * | 2022-05-27 | 2022-06-28 | 广东科翔电子科技股份有限公司 | 一种Mini-LED PCB超高密度盲孔填镀方法 |
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2019
- 2019-05-31 CN CN201920830114.7U patent/CN210183665U/zh active Active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN114679854A (zh) * | 2022-05-27 | 2022-06-28 | 广东科翔电子科技股份有限公司 | 一种Mini-LED PCB超高密度盲孔填镀方法 |
| CN114679854B (zh) * | 2022-05-27 | 2022-08-12 | 广东科翔电子科技股份有限公司 | 一种Mini-LED PCB超高密度盲孔填镀方法 |
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