CN210120138U - 显示面板及显示装置 - Google Patents
显示面板及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN210120138U CN210120138U CN201921438744.6U CN201921438744U CN210120138U CN 210120138 U CN210120138 U CN 210120138U CN 201921438744 U CN201921438744 U CN 201921438744U CN 210120138 U CN210120138 U CN 210120138U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pixel
- sub
- display area
- electrode
- display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 30
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 241000219122 Cucurbita Species 0.000 description 2
- 235000009852 Cucurbita pepo Nutrition 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种显示面板及显示装置。显示面板包括主显示区、第一副显示区、第二副显示区以及过渡显示区,第一副显示区的透光率大于主显示区的透光率,显示面板包括:第一像素单元,位于第一副显示区,第一像素单元包括第一子像素;第二像素单元,位于第二副显示区,第二像素单元包括第二子像素;以及第三像素单元,位于过渡显示区,第三像素单元包括第三子像素,其中,同色的第一子像素、第二子像素、第三子像素中的任意至少两者尺寸相同。根据本实用新型实施例的显示面板及显示装置,实现例如摄像头的感光组件的屏下集成,同时第一副显示区能够显示画面,提高显示面板的显示面积,实现显示装置的全面屏设计。
Description
技术领域
本实用新型涉及显示领域,具体涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
高屏占比是智能电子产品的最新发展方向。为了提高屏占比,电子产品正面的多种传感器需要集成到显示面板下方。目前指纹识别、听筒等器件已经能够较好地集成到显示面板的下方,但是电子产品的前摄像头的集成仍不能较好地解决。
针对前摄像头的集成,目前的解决方案是在显示面板上对应摄像头的位置进行挖槽或打孔,然而会造成显示面板挖槽或打孔区域不能显示信息的问题。
实用新型内容
本实用新型提供一种显示面板及显示装置,能够在显示面板的感光组件集成区域实现显示。
一方面,本实用新型实施例提供一种显示面板,包括主显示区、第一副显示区、第二副显示区以及过渡显示区,第一副显示区、第二副显示区以及过渡显示区位于主显示区的同侧,过渡显示区位于第一副显示区与第二副显示区之间,第一副显示区的透光率大于主显示区的透光率,显示面板包括:第一像素单元,位于第一副显示区,第一像素单元包括第一子像素;第一像素电路,位于过渡显示区,第一像素电路与第一子像素电连接,用于驱动第一子像素显示;第二像素单元,位于第二副显示区,第二像素单元包括第二子像素;以及第三像素单元,位于过渡显示区,第三像素单元包括第三子像素,其中,同色的第一子像素、第二子像素、第三子像素中的任意至少两者尺寸相同。
根据本实用新型实施例的一个方面,第一子像素包括第一发光区和第一非发光区,第一非发光区围绕第一发光区的至少部分周边设置,第一非发光区的透光率大于第一发光区的透光率;第二子像素包括第二发光区和第二非发光区,第二非发光区围绕第二发光区的至少部分周边设置;第三子像素包括第三发光区和第三非发光区,第三非发光区围绕第三发光区的至少部分周边设置;显示面板还包括第四像素单元,第四像素单元位于主显示区,第四像素单元包括第四子像素,第四子像素包括第四发光区和第四非发光区,第四非发光区围绕第四发光区的至少部分周边设置;其中,同色的第一子像素、第二子像素、第三子像素分别对应的第一发光区、第二发光区、第三发光区中的任意至少两者的尺寸相等,并且小于同色的第四子像素的第四发光区的尺寸。
根据本实用新型实施例的一个方面,每个第一像素单元包括的多个第一发光区的总面积与第一像素单元面积之比为0.02至0.25;
根据本实用新型实施例的一个方面,每个第一像素单元包括的多个第一发光区的总面积与第一像素单元面积之比为0.05至0.12。
根据本实用新型实施例的一个方面,第一子像素包括第一电极、位于第一电极上的第一发光结构以及位于第一发光结构上的第二电极;第二子像素包括第三电极、位于第三电极上的第二发光结构以及位于第二发光结构上的第四电极;第三子像素包括第五电极、位于第五电极上的第三发光结构以及位于第三发光结构上的第六电极;第一电极、第三电极、第五电极均为反射电极,其中,同色的第一子像素、第二子像素、第三子像素分别对应的第一电极、第三电极、第五电极中的任意至少两者的形状、尺寸以及层结构相同,同色的第一子像素、第二子像素、第三子像素分别对应的第一发光结构、第二发光结构、第三发光结构中的任意至少两者的形状、尺寸以及层结构相同,同色的第一子像素、第二子像素、第三子像素分别对应的第二电极、第四电极、第六电极中的任意至少两者的形状、尺寸以及层结构相同。
根据本实用新型实施例的一个方面,同色且相邻的至少两个第一子像素的第一电极互连为第一互连电极,同色且相邻的至少两个第二子像素的第三电极互连为第二互连电极,同色且相邻的至少两个第三子像素的第五电极互连为第三互连电极,相同颜色的第一子像素、第二子像素、第三子像素分别对应的第一互连电极、第二互连电极、第三互连电极中的任意至少两者的形状相同。
根据本实用新型实施例的一个方面,第一像素单元、第二像素单元、第三像素单元中的任意至少两者的排布规律相同。
根据本实用新型实施例的一个方面,第一副显示区、第二副显示区以及过渡显示区共同复用为状态栏显示区,状态栏显示区与主显示区在第一方向上相邻设置,状态栏显示区呈沿第二方向延伸的带状,第二方向与第一方向交叉。
根据本实用新型实施例的一个方面,显示面板还包括:第二像素电路,位于第二副显示区,第二像素电路与第二子像素电连接,用于驱动第二子像素显示;第三像素电路,位于过渡显示区,第三像素电路与第三子像素电连接,用于驱动第一子像素显示,相同颜色的第一子像素、第二子像素、第三子像素分别对应的第一像素电路、第二像素电路、第三像素电路中的任意至少两者的电路结构一致。
根据本实用新型实施例的一个方面,第一像素电路的电路结构是2T1C电路、7T1C电路、7T2C电路、或9T1C电路中的任一种。
根据本实用新型实施例的一个方面,第一像素电路、第二像素电路、第三像素电路均包括晶体管和电容,第一像素电路、第二像素电路、第三像素电路之间,相同功能的晶体管的沟道长度以及沟道宽度相同,相同功能的电容的电容值相等。
根据本实用新型实施例的一个方面,至少一个晶体管的沟道宽度与沟道长度的比值为4∶10;至少一个电容的电容值为80飞法至120飞法。
另一方面,本实用新型实施例提供一种显示装置,其包括前述任一实施方式的显示面板。
根据本实用新型实施例的显示面板及显示装置,第一副显示区的透光率大于主显示区的透光率,使得显示面板在第一副显示区的背面可以集成感光组件,实现例如摄像头的感光组件的屏下集成,同时第一副显示区能够显示画面,提高显示面板的显示面积,实现显示装置的全面屏设计。第一像素电路位于过渡显示区,使得第一副显示区具有更多空间布置透光区域,提高第一副显示区的透光性能。
同色的第一子像素、第二子像素、第三子像素中的任意至少两者尺寸相同,从而减少第一副显示区、第二副显示区以及过渡显示区中任意至少两者之间的显示差异以及寿命差异,提高显示面板的一体化效果。
在一些可选的实施例中,同色的第一子像素、第二子像素、第三子像素分别对应的第一发光区、第二发光区、第三发光区中的任意至少两者的尺寸相等,并且小于同色的第四子像素的第四发光区的尺寸,使得第一副显示区、第二副显示区以及过渡显示区中任意至少两者的子像素的发光区域均小于主显示区同色子像素的发光区域,并且该任意至少两者的显示效果、使用寿命趋于一致。
附图说明
通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述,本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显,其中,相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征,附图并未按照实际的比例绘制。
图1示出根据本实用新型一种实施例的显示面板的俯视示意图;
图2示出图1中Q1区域的局部放大示意图;
图3示出图2中Q2区域的局部放大示意图;
图4示出图3中A-A向的剖面图;
图5示出图3中B-B向的剖面图;
图6示出根据本实用新型一种实施例的显示装置的俯视示意图;
图7示出图6中C-C向的剖面图。
具体实施方式
下面将详细描述本实用新型的各个方面的特征和示例性实施例,为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及具体实施例,对本实用新型进行进一步详细描述。应理解,此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本实用新型,并不被配置为限定本实用新型。对于本领域技术人员来说,本实用新型可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本实用新型的示例来提供对本实用新型更好的理解。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
在诸如手机和平板电脑等智能电子设备上,需要在设置显示面板的一侧集成诸如前置摄像头、红外光传感器、接近光传感器等感光组件。在一些实施例中,可以在上述电子设备上设置透光显示区,将感光组件设置在透光显示区下方,在保证感光组件正常工作的情况下,实现电子设备的全面屏显示。
在具有透光显示区的显示面板中,由于透光显示区内的器件结构、开口率往往与显示面板的其它非透光显示区内的器件结构、开口率不同,使得两者存在显示差异和寿命差异。
为解决上述问题,本实用新型实施例提供了一种显示面板及显示装置,以下将结合附图对显示面板及显示装置的各实施例进行说明。
本实用新型实施例提供一种显示面板,该显示面板可以是有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示面板。以下将结合附图对本实用新型实施例的显示面板进行具体说明。
图1示出根据本实用新型一种实施例的显示面板的俯视示意图,显示面板1000包括主显示区MA、第一副显示区SA1、第二副显示区SA2以及过渡显示区TA。第一副显示区SA1、第二副显示区SA2以及过渡显示区TA位于主显示区MA的同侧,过渡显示区TA位于第一副显示区SA1与第二副显示区SA2之间。
在一些实施例中,第一副显示区SA1、第二副显示区SA2以及过渡显示区TA共同复用为状态栏显示区BA。状态栏显示区BA与主显示区MA在第一方向X上相邻设置,状态栏显示区BA呈沿第二方向Y延伸的带状,所述第二方向与所述第一方向交叉,在一些实施例中,第二方向Y与第一方向X垂直。第一副显示区SA1的透光率大于主显示区MA的透光率。
本文中,状态栏显示区指显示面板在显示画面时,其中用于显示画面中状态栏的区域。本文中,优选第一副显示区SA1的透光率大于等于15%。为确保第一副显示区SA1的透光率大于15%,甚至大于40%,甚至具有更高的透光率,本实施例中显示面板1000在第一副显示区SA1的各个功能膜层的透光率均大于80%,甚至各个功能膜层的透光率均大于90%。
根据本实用新型实施例的显示面板1000及显示装置,状态栏显示区BA包括第一副显示区SA1以及第二副显示区SA2,第一副显示区SA1的透光率大于主显示区MA的透光率,使得显示面板1000在第一副显示区SA1的背面可以集成感光组件,实现例如摄像头的感光组件的屏下集成,同时第一副显示区SA1能够显示画面,提高显示面板1000的显示面积,实现显示装置的全面屏设计。
图2示出图1中Q1区域的局部放大示意图,显示面板1000包括第一像素单元100、第二像素单元200以及第三像素单元300。第一像素单元100位于第一副显示区SA1,第一像素单元100包括第一子像素110。第二像素单元200位于第二副显示区SA2,第二像素单元200包括第二子像素210。第三像素单元300位于过渡显示区TA。第三像素单元300包括第三子像素310。
显示面板1000还包括第一像素电路500,第一像素电路500位于过渡显示区TA。第一像素电路500与第一子像素110电连接,用于驱动第一子像素110显示。由于驱动第一子像素110的第一像素电路500位于过渡显示区TA,使得第一副显示区SA1具有更多空间布置透光区域,提高第一副显示区SA1的透光性能。
在一些实施例中,显示面板1000还包括第四像素单元400,第四像素单元400位于主显示区MA,第四像素单元400包括第四子像素410。
第一子像素110可以包括多种颜色的第一子像素110。在一些实施例中,每个第一像素单元100包括一个红色第一子像素110、一个绿色第一子像素110以及一个蓝色第一子像素110。第二像素单元200、第三像素单元300、第四像素单元400包含子像素的颜色以及子像素的个数可以与第一像素单元100分别对应。此外需要说明的是,上述第一像素单元100包括的子像素的颜色和个数仅是一种示例,其不同的实施方式中,第一像素单元100包括的子像素的颜色、个数以及排列方式可以调整。
在一些实施例中,同色的第一子像素110、第二子像素210、第三子像素310中的任意至少两者尺寸相同,从而减少第一副显示区SA1、第二副显示区SA2以及过渡显示区TA中任意至少两者之间的显示差异以及寿命差异,提高显示面板1000的一体化效果。
在本实施例中,第三像素单元300的像素单元密度与第一像素单元100的像素单元密度、第二像素单元200的像素单元密度相等。第三子像素310的尺寸与同色的第一子像素110的尺寸、同色的第二子像素210的尺寸相同,从而减少第一副显示区SA1、第二副显示区SA2以及过渡显示区TA的显示差异以及寿命差异,提高状态栏显示区BA的一体化效果。
在上述实施例中,同色的第一子像素110、第二子像素210、第三子像素310中的尺寸一致。在其它一些实施例中,同色的第一子像素110、第二子像素210、第三子像素310中,可以是其中两者尺寸相同,例如在一些实施例中同色的第一子像素110与第三子像素310的尺寸相同,或者在一些实施例中,同色的第二子像素210与第三子像素310的尺寸相同。
图3示出图2中Q2区域的局部放大示意图,图3中示例性的绘示了同色的第一子像素110、第二子像素210、第三子像素310、第四子像素410的一部分细节结构,其它颜色的第一子像素110、第二子像素210、第三子像素310、第四子像素410可以具有类似的结构。
在一些实施例中,第一子像素110包括第一发光区110a和第一非发光区110b,其中第一非发光区110b围绕第一发光区110a的至少部分周边设置。第二子像素210包括第二发光区210a和第二非发光区210b,第二非发光区210b围绕第二发光区210a的至少部分周边设置。第三子像素310包括第三发光区310a和第三非发光区310b,第三非发光区310b围绕第三发光区310a的至少部分周边设置。第四子像素410包括第四发光区410a和第四非发光区410b,第四非发光区410b围绕第四发光区410a的至少部分周边设置。
在一些实施例中,同色的第一子像素110、第二子像素210、第三子像素310分别对应的第一发光区110a、第二发光区210a、第三发光区310a中的任意至少两者的尺寸相等,并且小于同色的第四子像素410的第四发光区410a的尺寸,使得第一副显示区SA1、第二副显示区SA2以及过渡显示区TA中任意至少两者的子像素的发光区域均小于主显示区MA同色子像素的发光区域,并且该任意至少两者的显示效果、使用寿命趋于一致。
在本实施例中,第三子像素310的第三发光区310a的尺寸与同色的第一子像素110的第一发光区110a的尺寸、同色的第二子像素210的第二发光区210a的尺寸分别相等,并且小于同色的第四子像素410的第四发光区410a的尺寸。
根据上述实施例的显示面板1000,整个状态栏显示区BA的子像素的发光区域均小于主显示区MA同色子像素的发光区域,并且整个状态栏显示区BA的显示效果、使用寿命趋于一致。
在一些实施例中,第一非发光区110b的透光率大于第一发光区110a的透光率,使得光线能够透过第一非发光区110b,实现第一副显示区SA1的透光性能。
每个第一像素单元100包括的多个第一发光区110a的总面积与第一像素单元100面积之比为0.02至0.25。在优选的实施例中,每个第一像素单元100包括的多个第一发光区110a的总面积与第一像素单元100面积之比为0.05至0.12,使得第一像素单元100的的结构能够平衡透光率与使用寿命的关系,保证足够的使用寿命的前提下获得较高的透光率。
在一些实施例中,第一像素单元100、第二像素单元200、第三像素单元300中的任意至少两者的排布规律相同,从而进一步提高显示面板显示的均一性。
在一些实施例中,第三子像素310的形状与同色的第一子像素110的形状、同色的第二子像素210的形状相同,从而进一步提高状态栏显示区BA的均一性。
在一些实施例中,第一子像素110、第二子像素210、第三子像素310均为有机发光二极管子像素。
图4示出图3中A-A向的剖面图,图5示出图3中B-B向的剖面图。在一些实施例中,显示面板1000包括衬底910、位于衬底910上的器件层920以及位于器件层920上的像素定义层930。衬底910可以采用玻璃、聚酰亚胺(Polyimide,PI)等透光材料制成。器件层920可以包括用于驱动各子像素显示的像素电路,器件层920可以配置为透明层结构。像素定义层930可以包括像素开口,像素开口用于容纳各子像素的发光结构。
在一些实施例中,第一子像素110包括第一电极111、位于第一电极111上的第一发光结构112以及位于第一发光结构112上的第二电极113。第二子像素210包括第三电极211、位于第三电极211上的第二发光结构212以及位于第二发光结构212上的第四电极213。第三子像素310包括第五电极311、位于所述第五电极311上的第三发光结构312以及位于第三发光结构312上的第六电极313。其中,第一电极111、第三电极211、第五电极311为阳极、阴极中的一种,第二电极113、第四电极213、第六电极313为阳极、阴极中的另一种。
在一些实施例中,第一电极111、第三电极211、第五电极311为阳极,第一电极111、第三电极211、第五电极311可以是透明导电材料制成,也可以是包含能够反射光线的材料制成,即在一些实施例中,第一电极111、第三电极211、第五电极311均为反射电极。
在一些实施例中,第一电极111为包括反射层的电极结构,例如是包括两层透光导电层以及夹设在两层透光导电层之间的反射层,其中透光导电层可以是氧化铟锡(Indiumtin oxide,ITO)、氧化铟锌等,反射层可以是金属层,例如是银材质制成。第二电极113可以是透光的导电层,例如是透光率较高的镁银合金。
在一些实施例中,第一发光结构112包括OLED发光层,根据第一发光结构112的设计需要,其还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层或电子传输层中的至少一种。
在一些实施例中,每个第一电极111在衬底910上的正投影由一个第一图形单元组成或由两个以上第一图形单元拼接组成,其中第一图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个。在一些实施例中,每个第一发光结构112在衬底910上的正投影可以由一个第二图形单元组成或由两个以上第二图形单元拼接组成,第二图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个。
在一些实施例中,同色的第一子像素110、第二子像素210、第三子像素310分别对应的第一电极111、第三电极211、第五电极311中的任意至少两者的形状、尺寸以及层结构相同。同色的第一子像素110、第二子像素210、第三子像素310分别对应的第一发光结构112、第二发光结构212、第三发光结构312中的任意至少两者的形状、尺寸以及层结构相同,同色的第一子像素110、第二子像素210、第三子像素310分别对应的第二电极113、第四电极213、第六电极313中的任意至少两者的形状、尺寸以及层结构相同。
在本实施例中,同色的第一子像素110、第二子像素210、第三子像素310分别对应的第一电极111、第三电极211、第五电极311的形状、尺寸以及层结构相同。同色的第一子像素110、第二子像素210、第三子像素310分别对应的第一发光结构112、第二发光结构212、第三发光结构312的形状、尺寸以及层结构相同,同色的第一子像素110、第二子像素210、第三子像素310分别对应的第二电极113、第四电极213、第六电极313的形状、尺寸以及层结构相同。
根据上述本实用新型实施例的显示面板1000,通过将第一副显示区SA1的第一子像素110的尺寸和/或形状和/或阳极结构和/或阴极结构和/或发光结构与第二副显示区SA2的第二子像素210的尺寸和/或形状和/或阳极结构和/或阴极结构和/或发光结构对应以及与过渡显示区TA的第三子像素310的尺寸和/或形状和/或阳极结构和/或阴极结构和/或发光结构进行相同配置,能够大幅度消除透光率较高的第一副显示区SA1与透光率较低的过渡显示区TA、第二副显示区SA2的显示差异和寿命差异,从而提高状态栏显示区BA的一体化效果。
由于状态栏显示区BA在大部分应用场景和时段下与主显示区MA的显示内容类型不用,并且状态栏显示区BA大部分时间和面积用于显示黑色,与主显示区MA之间的显示差异不容易体现。因此,根据上述实施例的显示面板中状态栏显示区BA自身显示均一性较高,使得显示面板1000的整体显示效果更加协调。
请继续参考图2,在一些实施例中,同色且相邻的至少两个第一子像素110的第一电极111互连为第一互连电极IE1,同色且相邻的至少两个第二子像素210的第三电极211互连为第二互连电极IE2,同色且相邻的至少两个第三子像素310的第五电极311互连为第三互连电极IE3。图2中,示例性示出一个第一互连电极IE1的结构、一个第二互连电极IE2的结构以及第三互连电极IE3的结构,在一些实施例中,剩余的第一子像素110或者第二子像素210或者第三子像素310均可以通过类似的规律互连为第一互连电极IE1或第二互连电极IE2或第三互连电极IE3。
在一些实施例中,同色且相邻的第一子像素110的第一电极111通过第一互连导体114电连接,每预定数量的第一电极111通过该第一互连导体114互连为上述的第一互连电极IE1。
在一些实施例中,同色且相邻的第二子像素210的第三电极211通过第二互连导体214电连接,每预定数量的第三电极211通过该第二互连导体214互连为上述的第二互连电极IE2。
在一些实施例中,同色且相邻的第三子像素310的第五电极311通过第三互连导体314电连接,每预定数量的第五电极311通过该第三互连导体314互连为上述的第三互连电极IE3。
通过将同色且相邻的至少两个第一子像素110的第一电极111互连为第一互连电极IE1,能够减少透光率较高的第一副显示区SA1的布线,提高其透光性能。
在一些实施例中,相同颜色的第一子像素110、第二子像素210、第三子像素310分别对应的第一互连电极IE1、第二互连电极IE2、第三互连电极IE3中的任意至少两者的形状相同,使得第一副显示区SA1、第二副显示区SA2、过渡显示区TA中至少两者的显示效果和寿命趋于一致。
在一些实施例中,相同颜色的第一子像素110、第二子像素210、第三子像素310分别对应的第一互连电极IE1、第二互连电极IE2、第三互连电极IE3彼此形状相同,从而进一步保障第一副显示区SA1、第二副显示区SA2、过渡显示区TA的显示效果和寿命趋于一致。
在一些实施例中,显示面板1000还包括第二像素电路600以及第三像素电路700。其中,第二像素电路600位于第二副显示区SA2,第二像素电路600与第二子像素210电连接,用于驱动第二子像素210显示。第三像素电路700与第三子像素310电连接,用于驱动第三子像素310显示,第三像素电路700可以位于过渡显示区TA。
在一些实施例中,相同颜色的第一子像素110、第二子像素210、第三子像素310分别对应的第一像素电路500、第二像素电路600、第三像素电路700中的任意至少两者的电路结构一致。本实施例中,相同颜色的第一子像素110、第二子像素210、第三子像素310分别对应的第一像素电路500、第二像素电路600、第三像素电路700的电路结构一致。
第一像素电路500的电路结构可以是2T1C电路、7T1C电路、7T2C电路、或9T1C电路等的任一种。
在一些实施例中,所述第一像素电路500、第二像素电路600、第三像素电路700均包括晶体管和电容,第一像素电路500、第二像素电路600、第三像素电路700之间,相同功能的晶体管的沟道长度以及沟道宽度相同,相同功能的电容的电容值相等。
例如,在一些实施例中,例如,第一子像素110所电连接的第一像素电路500包括第一开关晶体管和第一驱动晶体管,与该第一子像素110同色的第二子像素210所电连接的第二像素电路600包括第二开关晶体管和第二驱动晶体管,与该第一子像素110同色的第三子像素310所电连接的第三像素电路700包括第三开关晶体管和第三驱动晶体管。其中,第一开关晶体管的沟道长度、沟道宽度、第二开关晶体管的沟道长度、沟道宽度、第三开关晶体管的沟道长度、沟道宽度分别对应相同;第一驱动晶体管的沟道长度、沟道宽度、第二驱动晶体管的沟道长度、沟道宽度、第三驱动晶体管的沟道长度、沟道宽度分别对应相同。
在一些实施例中,至少一个第一晶体管的沟道宽度与沟道长度的比值为4∶10。在一些实施例中,第一电容的电容值为80飞法(fF)至120飞法
通过将第一子像素110所电连接的第一像素电路500、同色的第二子像素210所电连接的第二像素电路600、同色的第三子像素310所电连接的第三像素电路700配置为相同的结构和器件参数,使得第一子像素110、同色的第二子像素210、同色的第三子像素310所接收的驱动信号也趋于一致,进一步提高第一副显示区SA1、第二副显示区SA2和过渡显示区TA的显示均一性。
示例性地,显示面板1000还可以包括封装层和位于封装层上方的偏光片和盖板,也可以直接在封装层上方直接设置盖板,无需设置偏光片,或者至少在第一副显示区SA1的封装层上方直接设置盖板,无需设置偏光片,避免偏光片影响对应第一副显示区SA1下方设置的感光元件的光线采集量,当然,第一副显示区SA1的封装层上方也可以设置偏光片。
本实用新型实施例还提供一种显示装置,该显示装置可以包括上述任一实施方式的显示面板1000。
图6示出根据本实用新型一种实施例的显示装置的俯视示意图,图7示出图6中C-C向的剖面图。本实施例的显示装置中,显示面板1000可以是上述其中一个实施例的显示面板1000,显示面板1000包括主显示区MA、第一副显示区SA1、第二副显示区SA2以及过渡显示区TA。第一副显示区SA1、第二副显示区SA2以及过渡显示区TA可以共同复用为状态栏显示区BA。第一副显示区SA1的透光率大于主显示区MA的透光率。
显示面板1000包括相对的第一表面S1和第二表面S2,其中第一表面S1为显示面。显示装置还包括感光组件2000,该感光组件2000位于显示面板1000的第二表面S2侧,感光组件2000与第二显示区AA2位置对应。
感光组件2000可以是图像采集装置,用于采集外部图像信息。本实施例中,感光组件2000为互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)图像采集装置,在其它一些实施例中,感光组件2000也可以是电荷耦合器件(Charge-coupledDevice,CCD)图像采集装置等其它形式的图像采集装置。可以理解的是,感光组件2000可以不限于是图像采集装置,例如在一些实施例中,感光组件2000也可以是红外传感器、接近传感器等光传感器。
根据本实用新型实施例的显示装置,第一副显示区SA1的透光率大于第二副显示区SA2的透光率,使得显示面板1000在第一副显示区SA1的背面可以集成感光组件2000,实现例如图像采集装置的感光组件2000的屏下集成,同时第一副显示区SA1能够显示画面,提高显示面板1000的显示面积,实现显示装置的全面屏设计。
同色的第一子像素110、第二子像素210、第三子像素310中的任意至少两者尺寸相同,从而减少第一副显示区SA1、第二副显示区SA2以及过渡显示区TA中任意至少两者之间的显示差异以及寿命差异,提高显示装置显示时的一体化效果。
依照本实用新型如上文所述的实施例,这些实施例并没有详尽叙述所有的细节,也不限制该实用新型仅为所述的具体实施例。显然,根据以上描述,可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例,是为了更好地解释本实用新型的原理和实际应用,从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本实用新型以及在本实用新型基础上的修改使用。本实用新型仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
Claims (13)
1.一种显示面板,其特征在于,包括主显示区、第一副显示区、第二副显示区以及过渡显示区,所述第一副显示区、所述第二副显示区以及所述过渡显示区位于所述主显示区的同侧,所述过渡显示区位于所述第一副显示区与所述第二副显示区之间,所述第一副显示区的透光率大于所述主显示区的透光率,所述显示面板包括:
第一像素单元,位于所述第一副显示区,所述第一像素单元包括第一子像素;
第一像素电路,位于所述过渡显示区,所述第一像素电路与所述第一子像素电连接,用于驱动所述第一子像素显示;
第二像素单元,位于所述第二副显示区,所述第二像素单元包括第二子像素;以及
第三像素单元,位于所述过渡显示区,所述第三像素单元包括第三子像素,
其中,同色的所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素中的任意至少两者尺寸相同。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一子像素包括第一发光区和第一非发光区,所述第一非发光区围绕所述第一发光区的至少部分周边设置,所述第一非发光区的透光率大于所述第一发光区的透光率;
所述第二子像素包括第二发光区和第二非发光区,所述第二非发光区围绕所述第二发光区的至少部分周边设置;
所述第三子像素包括第三发光区和第三非发光区,所述第三非发光区围绕所述第三发光区的至少部分周边设置;
所述显示面板还包括第四像素单元,所述第四像素单元位于所述主显示区,所述第四像素单元包括第四子像素,所述第四子像素包括第四发光区和第四非发光区,所述第四非发光区围绕所述第四发光区的至少部分周边设置;
其中,同色的所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素分别对应的所述第一发光区、所述第二发光区、所述第三发光区中的任意至少两者的尺寸相等,并且小于同色的所述第四子像素的所述第四发光区的尺寸。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,每个所述第一像素单元包括的多个所述第一发光区的总面积与所述第一像素单元面积之比为0.02至0.25。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,每个所述第一像素单元包括的多个所述第一发光区的总面积与所述第一像素单元面积之比为0.05至0.12。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一子像素包括第一电极、位于所述第一电极上的第一发光结构以及位于所述第一发光结构上的第二电极;
所述第二子像素包括第三电极、位于所述第三电极上的第二发光结构以及位于所述第二发光结构上的第四电极;
所述第三子像素包括第五电极、位于所述第五电极上的第三发光结构以及位于所述第三发光结构上的第六电极;
所述第一电极、所述第三电极、所述第五电极均为反射电极,
其中,同色的所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素分别对应的所述第一电极、所述第三电极、所述第五电极中的任意至少两者的形状、尺寸以及层结构相同,同色的所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素分别对应的所述第一发光结构、所述第二发光结构、所述第三发光结构中的任意至少两者的形状、尺寸以及层结构相同,同色的所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素分别对应的所述第二电极、所述第四电极、第六电极中的任意至少两者的形状、尺寸以及层结构相同。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,同色且相邻的至少两个所述第一子像素的所述第一电极互连为第一互连电极,同色且相邻的至少两个所述第二子像素的所述第三电极互连为第二互连电极,同色且相邻的至少两个所述第三子像素的所述第五电极互连为第三互连电极,
相同颜色的所述第一子像素、所述第二子像素、第三子像素分别对应的所述第一互连电极、所述第二互连电极、所述第三互连电极中的任意至少两者的形状相同。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一像素单元、所述第二像素单元、所述第三像素单元中的任意至少两者的排布规律相同。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述第一副显示区、所述第二副显示区以及所述过渡显示区共同复用为状态栏显示区,所述状态栏显示区与所述主显示区在第一方向上相邻设置,所述状态栏显示区呈沿第二方向延伸的带状,所述第二方向与所述第一方向交叉。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:第二像素电路,位于所述第二副显示区,所述第二像素电路与所述第二子像素电连接,用于驱动所述第二子像素显示;
第三像素电路,位于所述过渡显示区,所述第三像素电路与所述第三子像素电连接,用于驱动所述第一子像素显示,
相同颜色的所述第一子像素、所述第二子像素、第三子像素分别对应的所述第一像素电路、所述第二像素电路、所述第三像素电路中的任意至少两者的电路结构一致。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述第一像素电路的电路结构是2T1C电路、7T1C电路、7T2C电路、或9T1C电路中的任一种。
11.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述第一像素电路、所述第二像素电路、所述第三像素电路均包括晶体管和电容,所述第一像素电路、所述第二像素电路、所述第三像素电路之间,相同功能的所述晶体管的沟道长度以及沟道宽度相同,相同功能的所述电容的电容值相等。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,至少一个所述晶体管的沟道宽度与沟道长度的比值为4∶10;
至少一个所述电容的电容值为80飞法至120飞法。
13.一种显示装置,其特征在于,包括根据权利要求1至12任一项所述的显示面板。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201921438744.6U CN210120138U (zh) | 2019-08-30 | 2019-08-30 | 显示面板及显示装置 |
PCT/CN2020/085133 WO2021036285A1 (zh) | 2019-08-30 | 2020-04-16 | 显示面板及显示装置 |
US17/470,223 US20210408111A1 (en) | 2019-08-30 | 2021-09-09 | Display panel and display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201921438744.6U CN210120138U (zh) | 2019-08-30 | 2019-08-30 | 显示面板及显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN210120138U true CN210120138U (zh) | 2020-02-28 |
Family
ID=69617363
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201921438744.6U Active CN210120138U (zh) | 2019-08-30 | 2019-08-30 | 显示面板及显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210408111A1 (zh) |
CN (1) | CN210120138U (zh) |
WO (1) | WO2021036285A1 (zh) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111427180A (zh) * | 2020-04-02 | 2020-07-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
CN111445847A (zh) * | 2020-04-16 | 2020-07-24 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板、显示装置、参考电压值确定方法及装置 |
CN111833738A (zh) * | 2020-05-27 | 2020-10-27 | 合肥维信诺科技有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
CN111969027A (zh) * | 2020-08-28 | 2020-11-20 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
CN112002749A (zh) * | 2020-09-17 | 2020-11-27 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN112038373A (zh) * | 2020-08-28 | 2020-12-04 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN112086492A (zh) * | 2020-09-10 | 2020-12-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN112151590A (zh) * | 2020-09-29 | 2020-12-29 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板和显示装置 |
WO2021036285A1 (zh) * | 2019-08-30 | 2021-03-04 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN113555513A (zh) * | 2021-07-16 | 2021-10-26 | 昆山国显光电有限公司 | Oled显示面板及显示装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN210120136U (zh) * | 2019-07-31 | 2020-02-28 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107610635B (zh) * | 2017-10-27 | 2021-03-05 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板和电子设备 |
CN109192759B (zh) * | 2018-08-29 | 2021-09-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示面板的制备方法 |
CN208607570U (zh) * | 2018-12-25 | 2019-03-15 | 北京小米移动软件有限公司 | 终端屏幕及终端 |
CN209265332U (zh) * | 2019-01-31 | 2019-08-16 | 北京小米移动软件有限公司 | 显示屏和电子设备 |
CN109950288B (zh) * | 2019-03-29 | 2021-05-28 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN110061014B (zh) * | 2019-04-30 | 2021-06-08 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN210120138U (zh) * | 2019-08-30 | 2020-02-28 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及显示装置 |
-
2019
- 2019-08-30 CN CN201921438744.6U patent/CN210120138U/zh active Active
-
2020
- 2020-04-16 WO PCT/CN2020/085133 patent/WO2021036285A1/zh active Application Filing
-
2021
- 2021-09-09 US US17/470,223 patent/US20210408111A1/en active Pending
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021036285A1 (zh) * | 2019-08-30 | 2021-03-04 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及显示装置 |
US11862663B2 (en) | 2020-04-02 | 2024-01-02 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel and display device |
CN111427180A (zh) * | 2020-04-02 | 2020-07-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
WO2021196376A1 (zh) * | 2020-04-02 | 2021-10-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN111445847A (zh) * | 2020-04-16 | 2020-07-24 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板、显示装置、参考电压值确定方法及装置 |
CN111833738A (zh) * | 2020-05-27 | 2020-10-27 | 合肥维信诺科技有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
CN111833738B (zh) * | 2020-05-27 | 2022-05-17 | 合肥维信诺科技有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
CN111969027A (zh) * | 2020-08-28 | 2020-11-20 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
CN112038373A (zh) * | 2020-08-28 | 2020-12-04 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN111969027B (zh) * | 2020-08-28 | 2023-07-25 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
CN112086492A (zh) * | 2020-09-10 | 2020-12-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
US11863853B2 (en) | 2020-09-10 | 2024-01-02 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel and display device |
CN112086492B (zh) * | 2020-09-10 | 2022-09-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN112002749A (zh) * | 2020-09-17 | 2020-11-27 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN112002749B (zh) * | 2020-09-17 | 2022-09-23 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN112151590B (zh) * | 2020-09-29 | 2022-11-01 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN112151590A (zh) * | 2020-09-29 | 2020-12-29 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN113555513B (zh) * | 2021-07-16 | 2023-09-12 | 昆山国显光电有限公司 | Oled显示面板及显示装置 |
CN113555513A (zh) * | 2021-07-16 | 2021-10-26 | 昆山国显光电有限公司 | Oled显示面板及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021036285A1 (zh) | 2021-03-04 |
US20210408111A1 (en) | 2021-12-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN210120138U (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN110783384B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN111430436B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
US20220157898A1 (en) | Display panel and driving method thereof and display apparatus | |
CN110783386B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
US20220157895A1 (en) | Display panel and display apparatus | |
US20220085116A1 (en) | Display panel and display apparatus | |
CN110783385B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN210200763U (zh) | 透光显示面板、显示面板及显示装置 | |
CN111402743A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN110890026A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN210129515U (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN111341820B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN112201683B (zh) | 显示面板以及显示装置 | |
US20230345790A1 (en) | Display panel | |
CN111261677B (zh) | 显示面板以及显示装置 | |
CN114400239B (zh) | 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法 | |
CN111710708A (zh) | 显示面板以及显示装置 | |
CN114242759B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
US11561634B2 (en) | Display module, fabrication method thereof and display device | |
CN113160745A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN111833811B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN114447032A (zh) | 显示面板及显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |