CN210092134U - 硅基微显示屏 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种硅基微显示屏，包括驱动背板、形成于所述驱动背板上的像素定义层、形成于所述像素定义层内的发光层、用于封装所述发光层的封装层以及形成于所述发光层与所述封装层之间的金属反射层。相较于现有技术，本实用新型突破了高像素密度的高精度金属掩膜板的物理极限，可实现2000及更高像素密度的显示。

Description

硅基微显示屏

技术领域

本实用新型涉及一种硅基微显示屏，属于显示面板制备领域。

背景技术

目前的OLED显示屏体大多采用蒸镀不同OLED材料实现OLED图形化，这种方法在像素密度低于700时是没有问题的，但是当像素密度高于800时，现有的制造技术将进入物理瓶颈。

因此，实现高像素密度的多彩显示，是目前急需解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种硅基微显示屏，该硅基微显示屏突破了现有蒸镀图形化的物理极限，实现高像素密度的显示。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种硅基微显示屏，包括驱动背板、形成于所述驱动背板上的像素定义层、形成于所述像素定义层内的发光层以及用于封装所述发光层的封装层，所述硅基微显示屏还包括形成于所述发光层与所述封装层之间的金属反射层。

作为本实用新型的进一步改进，所述驱动背板包括硅基底和形成于所述硅基底一侧面的阳极层，所述发光层以电流体打印的方式形成于所述像素定义层内并位于所述阳极层的上方。

作为本实用新型的进一步改进，所述阳极层暴露于所述像素定义层。

作为本实用新型的进一步改进，所述硅基底上设有若干规则排列的过孔，所述阳极层包括若干呈像素图形排布的阳极单元，每一阳极单元均与相应的过孔一一对应。

作为本实用新型的进一步改进，所述阳极单元的宽度为5微米。

作为本实用新型的进一步改进，所述封装层包括薄膜封装层，所述薄膜封装层完全覆盖所述金属反射层。

作为本实用新型的进一步改进，所述封装层还包括玻璃盖板，所述玻璃盖板封装在所述薄膜封装层的顶部并完全覆盖所述薄膜封装层。

作为本实用新型的进一步改进，所述发光层包括相互间隔设置的子像素，所述子像素包括可发出红光的第一子像素、可发出绿光的第二子像素及可发出蓝光的第三子像素。

作为本实用新型的进一步改进，所述金属反射层还形成于相邻两个子像素之间。

作为本实用新型的进一步改进，相邻两个子像素之间的距离为8微米。

本实用新型的有益效果是：本实用新型的硅基微显示屏通过在发光层与封装层之间形成金属反射层，从而可以防止发光层产生光串扰；进一步采用黄光、刻蚀工艺实现高像素的微显示屏图形化，突破了高像素密度的高精度金属掩膜板的物理极限，可实现2000及更高像素密度的显示。

附图说明

图1是本实用新型硅基微显示屏的结构示意图。

图2是图1所示硅基微显示屏的硅基底和阳极层的结构示意图。

图3是在图2所示的阳极层上形成像素定义层的示意图。

图4是对图3所示的像素定义层进行刻蚀后的示意图。

图5是在图4所示的像素定义层上形成发光层的示意图。

图6是在图5所示的发光层上形成金属反射层的示意图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本申请进一步详细说明。

本申请提供了一种硅基微显示屏及其制备方法，主要用于解决现有的OLED蒸镀图形化技术存在物理极限，存在高像素密度图形化困难的问题。

如图1所示，所述硅基微显示屏包括：驱动背板10、形成于所述驱动背板10上的像素定义层20、形成于所述像素定义层20内的发光层21、用于封装所述发光层21的封装层60以及形成于所述发光层21与所述封装层60之间的金属反射层50。

所述驱动背板10包括硅基底12和形成于所述硅基底12一侧面的阳极层22，所述发光层21以电流体打印的方式形成于所述像素定义层20内并位于所述阳极层22的上方。

具体来讲，所述硅基底12上设有若干规则排列的过孔11，所述阳极层22包括若干呈像素图形排布的阳极单元，且每一阳极单元均与相应的过孔11一一对应，所述阳极单元为氧化铟锡膜(ITO)。在本实施例中，所述阳极单元的宽度为5微米，但不应以此为限。

所述像素定义层20采用黄光工艺和刻蚀工艺形成，并使得所述阳极层22暴露于所述像素定义层20。较佳地，所述像素定义层20采用以SiO₂为材料的光刻掩模版，在硅基底12及阳极层22上进行镀膜形成。

所述发光层21包括有机发光层、位于阳极层22与有机发光层之间的空穴注入层和空穴传输层以及位于阴极层与有机发光层之间的电子注入层和电子传输层。进一步的，空穴传输层位于有机发光层与空穴注入层之间；电子传输层位于有机发光层与电子注入层之间。

所述发光层21包括相互间隔设置的子像素。所述子像素包括第一子像素211、第二子像素212以及第三子像素213，且相邻两个子像素之间的距离为8微米。具体地，所述第一子像素211为可发出红光R的OLED，所述第二子像素212为可发出绿光G的OLED，所述第三子像素213为可发出蓝光B的OLED，从而可实现RGB三色显示。

所述金属反射层50形成于发光层21和像素定义层20的上表面，同时所述金属反射层50还形成于相邻两个子像素之间，以此来避免相邻两个子像素之间的光串扰。本实用新型中，所述金属反射层50为Al反射层，可作为发光层21的阴极层使用。

所述封装层60包括薄膜封装层61，所述薄膜封装层61完全覆盖所述金属反射层50。所述封装层60还包括玻璃盖板63，所述玻璃盖板63封装在所述薄膜封装层61的顶部并完全覆盖所述薄膜封装层61。具体地，所述玻璃盖板63通过UV胶62与所述薄膜封装层61固定连接。

所述薄膜封装层61可以是有机薄膜、无机薄膜，或者是有机薄膜上堆叠无机薄膜。

如图1至图6所示，硅基微显示屏制备方法主要包括以下步骤：

S1：提供一硅基底12，在所述硅基底12上蒸镀阳极层22，以形成驱动背板10；此时，所述阳极层22的每一阳极单元均与相应的过孔11一一对应，具体如图2所示。

S2：在所述硅基底12和阳极层22上镀膜，以形成像素定义层20；此时，所述像素定义层20完全覆盖所述硅基底12和阳极层22，具体如图3所示。

S3：利用黄光工艺和刻蚀工艺，刻蚀所述像素定义层20；刻蚀结束后，所述阳极层22暴露于所述像素定义层20，具体如图4所示。

S4：采用电流体打印技术，在所述像素定义层20内形成发光层21；此时，所述发光层21形成于所述阳极层22上，且第一子像素211、第二子像素212及第三子像素213分别形成于对应的阳极单元上，具体如图5所示。

S5：在所述发光层21和像素定义层20上形成金属反射层50；此时，金属反射层50不仅形成于发光层21和像素定义层20的上方，还形成于相邻两个子像素之间，如：形成于第一子像素211与第二子像素212之间，及第二子像素212与第三子像素213之间，具体如图6所示。

S6：对所述金属反射层50进行封装，以获得硅基微显示屏；具体如图1所示。

所述步骤S6具体包括：

S61：采用薄膜封装技术，在所述金属反射层50上形成薄膜封装层61；

S62：采用玻璃盖板63对所述薄膜封装层61进行封装，并利用UV胶62固定在所述薄膜封装层61的上方。

综上所述，本实用新型①通过使用高分辨率驱动背板10，可实现制备1000ppi及以上的高分辨率显示屏体；②通过黄光工艺和刻蚀工艺实现高ppi的微显示屏图形化，突破了高像素密度的高精度金属掩膜板的物理极限，可实现2000及更高像素密度的显示，且在原材料的使用上，比蒸镀技术节省了90％左右；③通过电流体打印技术打印小尺寸的RGB三色OLED，可实现硅基微显示屏的RGB三色显示；④通过在发光层21与封装层60之间形成金属反射层50，从而可以防止相邻两个子像素之间产生光串扰。

以上所述，仅为本实用新型中的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉该技术的人在本实用新型所揭露的技术范围内，可理解想到的变换或替换，都应涵盖在本实用新型的包含范围之内，因此，本实用新型的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种硅基微显示屏，包括驱动背板、形成于所述驱动背板上的像素定义层、形成于所述像素定义层内的发光层以及用于封装所述发光层的封装层，其特征在于：所述硅基微显示屏还包括形成于所述发光层与所述封装层之间的金属反射层。

2.根据权利要求1所述的硅基微显示屏，其特征在于：所述驱动背板包括硅基底和形成于所述硅基底一侧面的阳极层，所述发光层以电流体打印的方式形成于所述像素定义层内并位于所述阳极层的上方。

3.根据权利要求2所述的硅基微显示屏，其特征在于：所述阳极层暴露于所述像素定义层。

4.根据权利要求2所述的硅基微显示屏，其特征在于：所述硅基底上设有若干规则排列的过孔，所述阳极层包括若干呈像素图形排布的阳极单元，每一阳极单元均与相应的过孔一一对应。

5.根据权利要求4所述的硅基微显示屏，其特征在于：所述阳极单元的宽度为5微米。

6.根据权利要求1所述的硅基微显示屏，其特征在于：所述封装层包括薄膜封装层，所述薄膜封装层完全覆盖所述金属反射层。

7.根据权利要求6所述的硅基微显示屏，其特征在于：所述封装层还包括玻璃盖板，所述玻璃盖板封装在所述薄膜封装层的顶部并完全覆盖所述薄膜封装层。

8.根据权利要求1所述的硅基微显示屏，其特征在于：所述发光层包括相互间隔设置的子像素，所述子像素包括可发出红光的第一子像素、可发出绿光的第二子像素及可发出蓝光的第三子像素。

9.根据权利要求8所述的硅基微显示屏，其特征在于：所述金属反射层还形成于相邻两个子像素之间。

10.根据权利要求8所述的硅基微显示屏，其特征在于：相邻两个子像素之间的距离为8微米。

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