CN210074107U - 介质滤波器、收发信机及通信设备 - Google Patents

Abstract

本申请实施例公开了一种介质滤波器、收发信机及通信设备，该介质滤波器包括：由固态介电材料制成的本体；位于本体表面的调试孔、信号输入口和信号输出口，该调试孔为2个或2个以上，每个调试孔与周围本体形成谐振单元；1个或1个以上耦合孔，每个耦合孔位于两个谐振单元连接位置的本体表面，其所处的位置与该两个谐振单元相接；其中，该本体表面、调试孔内侧壁、耦合孔内侧壁、信号输入口内侧壁的和信号输出口的内侧壁上覆盖有1层或1层以上导体层；该导体层包括采用离子镀工艺成型的第一导体层。该介质滤波器，在保证导体层与本体结合力的同时，提高了介质滤波器的射频性能和可焊接集成应用。

Description

介质滤波器、收发信机及通信设备

技术领域

本申请实施例涉及通信设备组件领域，尤其涉及介质滤波器、收发信机及通信设备。

背景技术

使用MIMO技术的大型天线系统通常被称为大规模MIMO系统，大规模MIMO系统是无线接入网在5G时代的核心产品形态之一，通过采用大规模多收多发、波束赋形等技术，大幅提高系统的容量及边缘覆盖，实现用户侧设备的精准覆盖进而提升用户体验。

其中，传统基站系统的信号收发通道数一般为2个，4个或者8个，而大规模MIMO系统的信号收发通道数可以多达32个、64个或更多。其中，大规模MIMO系统包括：天线，滤波器，功放、射频、中频、基带等组件。在基站系统硬件尺寸规格相对固定的情况下，收发信道数的增加意味着在一定尺寸规格下需要提升系统的设计集成度，迫使面积占比大的关键组件如滤波器向小型化方向演进。

滤波器一般是由多个谐振单元耦合组成的，谐振单元的设计是滤波器小型化的关键。谐振单元的尺寸和电磁波传输媒介的相对介电常数的平方根成反比，即传输媒介的相对介电常数越大，谐振单元的尺寸就越小。传统的滤波器的传输媒介为空气，空气的相对介电常数为1。

现有技术对该滤波器进行改进，提供一种介质滤波器，该介质滤波器包括本体，以及覆盖在本体表面的金属层。

其中，介质滤波器本体的材质例如可以是陶瓷，金属层的材质例如可以是银。该介质滤波器的传输媒介为陶瓷，陶瓷的相对介电常数大于或等于20，采用陶瓷作为传输媒介，可以将滤波器的体积缩小4.5倍以上。有利于滤波器的小型化。

但是，金属层和陶瓷界面的结合力较小，为避免金属层脱落影响介质滤波器射频性能，可以在金属层和介质本体之间设置玻璃层以增强金属层和陶瓷界面间的结合力。

然而，玻璃的介质损耗大，会影响介质滤波器的射频性能。

实用新型内容

本申请实施例提供一种介质滤波器、收发信机及通信设备，实现介质滤波器小型化的同时提高了介质滤波器的射频性能。

为达到上述目的，本申请实施例采用如下技术方案：

本申请实施例的第一方面，提供一种介质滤波器，包括：由固态介电材料制成的本体；位于本体表面的调试孔、信号输入口和信号输出口，所述调试孔为2个或2个以上，每个调试孔与周围本体形成谐振单元；1个或1个以上耦合孔，每个耦合孔位于两个谐振单元连接位置的本体表面，其所处的位置与所述两个谐振单元相接；其中，所述本体表面、调试孔内侧壁、耦合孔内侧壁、信号输入口内侧壁的和信号输出口的内侧壁上覆盖有1层或1层以上导体层；所述导体层包括采用离子镀工艺成型于所述本体表面、所述调试孔内侧壁、所述耦合孔内侧壁、所述信号输入口内侧壁和所述信号输出口内侧壁的第一导体层。本申请实施例提供的介质滤波器，采用离子镀工艺成型第一导体层，提高了导体层与本体之间的结合力，从而无需在导体层和本体之间设置粘接层，减小了介质滤波器的尺寸，有利于介质滤波器的小型化。同时，无需设置玻璃层，避免产生介质损耗，在保证导体层与本体结合力的同时，提高了介质滤波器的射频性能。并且，该第一导体层是采用离子镀工艺在真空环境中成型的，不会引入其他杂质，避免了杂质侵蚀陶瓷材质的本体造成的损耗。

一种可选的实现方式中，所述第一导体层的材质包括钛、镍、铬中的一种或几种。其中，钛、镍、铬与陶瓷材质的本体的结合力为大于1.0Kgf/mm²，一般可达到2.0Kgf/mm²以上。能够与陶瓷材质的本体形成强耦合，不容易脱落。由此，提高了第一导体层的可靠性。

一种可选的实现方式中，所述导体层还包括覆盖于所述第一导体层表面的第二导体层，所述第二导体层采用电镀、化学镀、溅射或离子镀工艺成型。由此，提高了导体层的屏蔽性能。

一种可选的实现方式中，所述第二导体层的材质为铜或银。由此，提高了第二导电层的导电性，提高了滤波器的射频性能。

一种可选的实现方式中，所述第一导体层的厚度小于或等于1μm。由此，有利于缩小介质滤波器的尺寸，实现了介质滤波器的小型化。

一种可选的实现方式中，所述第一导体层的厚度为0.1μm。由此，进一步缩小了介质滤波器的尺寸。

一种可选的实现方式中，所述耦合孔为盲孔，所述耦合孔用于不相邻的谐振单元之间交叉耦合。由此，可以通过改变耦合孔的尺寸和位置改变调试孔之间的耦合量，从而可在不改变介质滤波器体积的前提下，降低相邻两个调试孔之间的耦合量。

一种可选的实现方式中，所述耦合孔为通孔，所述耦合孔用于将不相邻的调试孔隔开。由此，可以通过改变耦合孔的尺寸和位置改变调试孔之间的耦合量，从而可在不改变介质滤波器体积的前提下，降低相邻两个调试孔之间的耦合量。

一种可选的实现方式中，其特征在于，所述固态介电材料为陶瓷。由此，谐振单元的尺寸和电磁波传输媒介的相对介电常数的平方根成反比，陶瓷的相对介电常数较大，采用陶瓷作为传输媒介，可以缩小谐振单元的体积，有利于介质滤波器的小型化。

本申请实施例的第二方面，提供一种收发信机，包括依次信号连接的：天线、如上所述的介质滤波器，功放单元和射频芯片。由此，该收发信机1采用上述介质滤波器，尺寸更小，射频性能更好。

一种可选的实现方式中，所述收发信机还包括电路板，所述介质滤波器压接或焊接在所述电路板上。该介质滤波器的导体层与本体的结合力更大，与现有技术中在介质滤波器本体表面设置粘接层和金属层时，焊接时的温度会使得金属层熔融剥落，易导致介质滤波器从电路板脱落相比，连接更稳固。由此，由于介质滤波器避免了焊接可能出现的问题，从而保障了该介质滤波器以及包含该介质滤波器的收发信机的性能。

本申请实施例的第三方面，提供一种通信设备，包括根据如上所述的收发信机。由此，该通信设备采用上述介质滤波器，尺寸更小，有利于集成更多信号通道数，提高频谱利用率，使得通信设备能在有限的无线频带下传输更高速率的数据业务。

附图说明

图1为现有技术提供的介质滤波器的剖视图；

图2为本申请实施例提供的介质滤波器顶面朝上放置状态下的立体示意图；

图3为本申请实施例提供的介质滤波器底面朝上放置状态下的立体示意图；

图4为本申请实施例提供的一种介质滤波器在图2、图3所示位置的AA’剖视图；

图5为本申请实施例提供的一种介质滤波器在图2、图3所示位置的BB’剖视图；

图6为本申请实施例提供的另一种介质滤波器在图2、图3所示位置的AA’剖视图；

图7为本申请实施例提供的另一种介质滤波器在图2、图3所示位置的BB’剖视图；

图8为本申请实施例提供的收发信机的结构示意图；

图9为本申请实施例提供的通信设备的结构示意图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请作进一步地详细描述。

以下，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

此外，本申请中，“上”、“下”等方位术语是相对于附图中的部件示意置放的方位来定义的，应当理解到，这些方向性术语是相对的概念，它们用于相对于的描述和澄清，其可以根据附图中部件所放置的方位的变化而相应地发生变化。

为便于区分现有技术和本申请的介质滤波器，下面结合附图1，对已有的一种介质滤波器介绍如下：

如图1所示，该介质滤波器100包括本体1001、覆盖在本体1001表面的金属层1003，以及位于本体100和金属层1003之间的粘接层1002。其中，通常选用陶瓷材料作为介质滤波器的本体，并选用银作为金属层，该粘接层1002用于增强金属层和陶瓷界面间的结合力，该粘接层1002例如为玻璃层。

该介质滤波器100的制备过程如下：先将银颗粒粉料与粘结剂按配比制备银浆浆料，该银颗粒粉料可以是纳米级颗粒或微米级颗粒，该粘接剂例如可以是玻璃粉料，可以在该银颗粒粉料和玻璃粉料中掺入有机溶剂和其他用于改善性能的微量添加剂。接着可以通过丝网印刷、喷涂、浸润等工艺将银浆浆料转移至陶瓷材质的本体表面。最后在高温，例如850℃下与陶瓷介质进行共烧，有机溶剂在高温下会挥发，银颗粒在高温下熔融成为导体层，玻璃在高温下流动形成陶瓷介质与银导体的粘接层。

然而，在高温烧结过程中，玻璃粉料在高温下形成的玻璃液流动性不充分，银粉颗粒间无法形成连续的导电网络，烧结后冷却至室温时，银层内部会存在大量空洞、孔隙，导致银层致密性差，影响金属层的导电性。例如，常用的银浆在烧结后的电阻率一般为3.0μΩ.cm以上，而纯银的电阻率为1.59μΩ.cm，两者的导电特性差异明显。并且，若烧结过程中有机溶剂没有完全挥发，则会有碳元素残留，进一步使得金属层电阻值增大，影响金属层的导电性，会影响介质滤波器的射频性能。

此外，玻璃层的介质损耗大，会影响介质滤波器的射频性能。

对于此，本申请实施例提供一种改进的介质滤波器，以提高介质滤波器的射频性能。

本申请实施例提供的介质滤波器例如包括相对的顶面和底面。图2为本申请实施例提供的介质滤波器的顶面朝上放置状态下的立体示意图，图3为本申请实施例提供的介质滤波器底面朝上放置状态下的立体示意图。图4为本申请实施例提供的一种介质滤波器在图2、图3所示位置的AA’剖视图。图5为本申请实施例提供的一种介质滤波器在图2、图3所示位置的BB’剖视图。如图2、图3、图4、图5所示，该介质滤波器10包括：由固态介电材料制成的本体200，位于本体200表面的调试孔(101、102、103、104)、信号输入口106和信号输出口107。其中，所述调试孔为2个或2个以上，每个调试孔与周围本体形成谐振单元。本体200上还设有1个或1个以上耦合孔105，每个耦合孔位于两个谐振单元连接位置的本体表面，其所处的位置与所述两个谐振单元相接。

为使得电磁波被约束在介质本体内部，可以在本体200表面、调试孔(101、102、103、104)内侧壁、耦合孔105内侧壁、信号输入口106内侧壁的和信号输出口107的内侧壁上覆盖1层或1层以上导体层。

参考图4、图5，在本申请一种具体的实现方式中，该导体层包括采用离子镀工艺成型于本体200表面、调试孔(101、102、103、104)内侧壁、耦合孔105内侧壁、信号输入口106内侧壁的和信号输出口107的内侧壁的第一导体层300。

本申请实施例对该固态介电材料的材质不做限制，示例性的，该固态介电材料例如为陶瓷，陶瓷通常由MgO、TiO₂、CaO、SiO₂、BaO或者其他介质损耗低的材料烧结制成。该固态介电材料也可以是高分子聚合物等其他高性能微波材料。

其中，陶瓷材质的本体在烧结成型过程中会形成晶格缺陷，其表面存在大量的微孔隙，本申请中的离子镀工艺与现有技术中的化学镀成型工艺相比，现有技术中的化学镀成型工艺需要向本体上涂抹化学药水，化学药水会渗透进入本体表面的微孔隙中，化学药水中的水汽和化学物质会影响介质滤波器的高频性能。本申请的离子镀工艺则无需采用化学药水、避免了化学药水对陶瓷本体的侵蚀。

本申请实施例对该第一导体层的具体材质和厚度不做限制。第一导体层的材质可以为钛、镍、铬中的一种或几种。

其中，钛、镍、铬与陶瓷材质的本体的结合力为1.0Kgf/mm²-2.0Kgf/mm²。能够与陶瓷材质的本体形成强耦合，不容易脱落。由此，提高了第一导体层的可靠性。

该导体层与本体间的结合力例如通过力学机的拉拔测试方式测得。测试时，可以先将专用金属线通过焊料焊接至位于介质滤波器本体200表面的第一导体层300上，并将待测介质滤波器挂入力学机的挂钩，通过垂直方向力将金属线拉离介质滤波器表面，记录产品在瞬间脱落时的拉拔力值。拉拔力除以拉拔面积即可计算出单位面积上导体层与介质的结合力。

该第一导体层的厚度小于或等于1μm。在本申请一种具体的实现方式中，该第一导体层的厚度例如为0.1μm。由此，该第一导体层厚度小，有利于介质滤波器的小型化。

本申请实施例对该离子镀工艺的具体形式不做限制。例如可以采用磁控溅射离子镀、阴极弧离子镀、离子注入等方式。

其中，磁控溅射的离子能量低，一般在10eV以内，且离子与靶材例如铜材撞击后能量损失大，铜材获得的能量低，大部分铜原子到达待镀物件表面的能量也低，不能确保介质材料与铜镀层的结合强度，容易出现镀层剥离起泡现象。阴极弧离子镀工艺或离子注入工艺的离子能量高达50eV至几百eV，真空度比磁控溅射高一个数量级，离子碰撞几率小，离子能量均可以为待镀物体获得，可以确保介质与导体层之间的结合力，同时保证导体层结构致密，没有空洞或空洞率极低。通过阴极弧离子镀或离子注入的方式获得的导体导电性能可以接近纯银的电阻率1.59μΩ.cm或纯铜的电阻率1.7μΩ.cm。

本申请优选采用阴极弧离子镀或离子注入的方式成型第一导体层，提高了第一导体层的导电性能，降低了介质滤波器的导体损耗。

本申请实施例提供的介质滤波器，采用离子镀工艺成型第一导体层，提高了导体层与本体之间的结合力，从而无需在导体层和本体之间设置粘接层，减小了导体层的厚度，有利于介质滤波器的小型化。同时避免采用玻璃层产生介质损耗，在保证导体层与本体结合力的同时，提高了介质滤波器的射频性能。并且，该第一导体层是采用离子镀工艺在真空环境中成型的，不会引入其他杂质，避免了杂质侵蚀陶瓷材质的本体造成的损耗。

本申请实施例对该介质滤波器的制造方法不做限制，该方法例如包括：

在真空环境下将高能金属离子加速轰击至本体表面、调试孔内侧壁、信号输入口内侧壁的和信号输出口的内侧壁上，使得金属离子与介质本体形成强耦合结构，形成第一导体层。

其中，离子镀成型工艺简单，且耗时短，与现有技术中银浆浆料的烧结时需要多次浸润或喷涂再高温烧结相比，操作更简单，节省了时间，降低了生产成本。

在本申请另一种具体的实现方式中，该导体层例如为双层结构。图6为本申请实施例提供的另一种介质滤波器在图2、图3所示位置的AA’剖视图。图7为本申请实施例提供的另一种介质滤波器在图2、图3所示位置的BB’剖视图。如图6、图7所示，该导体层包括：成型于本体200表面、调试孔(101、102、103、104)内侧壁、耦合孔105内侧壁、信号输入口106内侧壁的和信号输出口107的内侧壁的第一导体层300和成型于第一导体层300表面的第二导体层400。

其中，该第一导体层300的成型工艺可参考上述，在此不再赘述。为进一步提高介质滤波器的屏蔽性能，例如还可以在第一导体层300表面覆盖第二导体层400。

本申请实施例对该第二导体层400的成型工艺不做限制，示例性的，该第二导体层400可以采用电镀、化学镀、溅射或离子镀工艺成型。

本申请实施例对该第二导体层400的具体材质不做限制，示例性的，该第二导体层可以采用屏蔽性能较好的铜、银等金属材料制成。其中，第一导体层也采用金属材料，当第二导体层覆盖于第一导体层表面时，第一导体层和第二导体层之间可以形成金属键，结合力较强，在使用中不易脱落，提高了第二导体层的可靠性。

当然，也可以参考上述第二导体层400的成型方式，继续在第二导体层表面成型第三导体层，这些均属于本申请的保护范围。

下面参考图2、图3对介质滤波器的具体结构进行说明：

本申请实施例对介质滤波器调试孔的数量、形状和位置不做限制，并且调试孔的数量、直径、长度、相邻两调试孔之间的中心距等参数均可根据需要进行设计调整。示例性的，图2中调试孔为4个，且4个调试孔(101、102、103、104)均匀分布在介质滤波器10的上表面上，可以将每个调试孔所在位置作为一个谐振单元的中心，将本体分成4个谐振单元，该调试孔(101、102、103、104)均为盲孔，用于调试其所在的谐振单元的谐振频率。当然，也可以根据需要将调试孔设置在介质滤波器10的下表面上。

该调试孔可以是圆孔、方孔、椭圆孔等，图2中示出的调试孔为圆孔。该调试孔内侧壁覆盖有导体层，可以避免电磁波泄露。

为了调节相邻两个调试孔之间的耦合量，可以通过改变相邻两个调试孔之间的间距来实现。当需要增大耦合量时，可将相邻两个调试孔之间的间距缩短，当需要降低耦合量时，可将相邻两个调试孔之间的间距拉大。但是，拉大相邻两个调试孔之间的间距会使得介质滤波器的体积增大，因此为了实现介质滤波器的小型化，如图2、图3所示，可在相邻两个调试孔之间设置至少一个耦合孔105，耦合孔105的内侧壁覆盖有导体层，可通过调整耦合孔105的尺寸以及调整耦合孔相对于两个调试孔的位置来调节耦合量。由此，可在不改变介质滤波器体积的前提下，降低相邻两个调试孔之间的耦合量。具体地，如图2、图3所示，耦合孔105可以与调试孔(101、102、103、104)平行设置，从而有利于耦合孔105与调试孔(101、102、103、104)之间的耦合。

且耦合孔105的截面形状可以有多种选择，例如，耦合孔105可以为圆孔，还可以为方形孔，椭圆孔等，耦合孔的尺寸越大耦合量越小，耦合孔距离相邻两个调试孔的中心连线越近则耦合量越小。可根据实际需要的耦合量来设定耦合孔的尺寸、形状以及设置位置。

示例性的，如图2、图3所示，该耦合孔105为十字形孔，位于介质滤波器10顶面或底面的中心位置，并由介质滤波器10的表面向内部延伸，与4个调试孔(101、102、103、104)邻接设置，该耦合孔可以是盲孔，也可以是通孔。若该耦合孔为盲孔，则该耦合孔可以用于两两不相邻的谐振单元之间实现交叉耦合。若该耦合孔为通孔，则该耦合孔可以用于将不相邻的调试孔隔开。

为了实现信号的输入和输出，参考图3，本体200上还设有信号输入口106和信号输出口107。本申请实施例对该信号输入口106和信号输出口107的形状、位置不做限制。示例性的，该信号输入口106和信号输出口107例如可以设置在本体的下表面，该信号输入口106可以用于输入信号，该信号输出口107可以用于输出信号。且由于该信号输入口106和该信号输出口107的内侧壁覆盖有导体层，因此可避免因传输线裸露而泄露信号能量。

需要说明的是，图3中所示的信号输入口106和信号输出口107只是举例说明其一种可能的实现功能。在另一种可能的实现方式中，信号输入口106也可以用于输出信号，信号输出口107也可以用于输入信号。

其中，信号输入口106和信号输出口107可以是圆孔、方孔、椭圆孔等，在此不做限定。并且信号输入口106和信号输出口107的直径、长度、中心距等参数均可根据需要进行设计调整。

为了实现介质滤波器与其他电子元件(如电路板等)连接，可以在信号输入口和信号输出口的一端的边沿处设置焊盘，在一种可能的实现方案中，可在本体的下表面形成输入焊盘和输出焊盘，在安装时，可将本体的下表面与其他电子元件连接。在另一种可能的实现方案中，还可在本体的上表面形成输入焊盘和输出焊盘，在安装时，可将本体的上表面与其他电子元件连接。将输入、输出焊盘设置在介质块的同一表面可便于介质滤波器的输入、输出焊盘均连接在同一器件上，便于介质滤波器的输入输出信号向同一器件传输。例如，输入、输出焊盘设置在本体的同一个表面时，介质滤波器可以附在印制电路板(Printedcircuit board，PCB)上，信号都在PCB上传输。并且可根据不同的安装需求来选择采用本体的下表面或上表面与PCB进行电连接，从而使得介质滤波器的安装选择更加多样化。

另外，输入焊盘和输出焊盘也可以分开设置在本体的不同表面，比如输入焊盘设置于本体的下表面，输出焊盘可设置在本体的上表面；又比如输入焊盘可设置在本体的上表面，输出焊盘可设置于本体的下表面。将输入焊盘和输出焊盘设置于本体的不同表面可以有助于输入、输出信号在不同位置中传输。比如：当输入焊盘设置于本体的下表面，输出焊盘可设置在本体的上表面时，本体的下表面可以附在PCB上，通过输入焊盘与PCB连接，本体的上表面的输出焊盘可以连接PCB以外的其他电子元件(如天线、信号线、另一PCB等)，此时，可便于信号由PCB传输至其他电子元件(如天线、信号线、另一PCB等)。

另外，还可以通过连接器(如插针等)实现介质滤波器与其他电子元件的连接，具体地，可将插针插入信号输入口和信号输出口内，使插针与信号输入口和信号输出口的内壁金属层电接触连接。

可选的，本申请实施例所提供的介质滤波器的输入或者输出方式也可以根据需求通过其他方式实现，例如仅通过信号输入孔和信号输出孔来实现信号的输入和/或输出，或者仅通过焊盘来实现信号的输入和/或输出，或者上述两种方式结合使用。信号输入和输出的位置也可以根据需要设置在介质块的不同位置，不限定在上述的第一表面和第二表面。

本申请实施例提供的介质滤波器主要用于大规模MIMO收发信机中。

本申请实施例还提供了一种收发信机。图8为本申请实施例提供的收发信机的结构示意图。如图8所示，收发信机1中采用了上述实施例中所提供的介质滤波器10。该介质滤波器10可以用于对射频信号进行滤波。

该收发信机1还包括：与该介质滤波器10信号连接的天线40和功放单元20，以及与该功放单元信号连接的射频芯片30。

其中，射频芯片30用于将中频信号变换为射频信号，并将射频信号输入至功放单元20。

功放单元20用于接收射频芯片30发送的射频信号，并将射频信号放大到所需要的功率等级，输出给介质滤波器。

介质滤波器10用于接收功放单元20发送的射频信号，并滤除通信信号频率外的杂波或干扰信号后发送给天线40。

天线40可以将介质滤波器10发送的信号转换为无线电波发射出去，也可以接收无线电波，并将接收到的无线电波转换为高频电流后发送给射频芯片30。

该收发信机1采用上述介质滤波器，尺寸更小，有利于集成更多信号通道数，提高频谱利用率，使得MIMO系统能在有限的无线频带下传输更高速率的数据业务。

该收发信机例如还包括：电路板，该介质滤波器10例如可以通过压接或焊接的方式固定在该电路板上。该介质滤波器10的导体层与本体的结合力更大，与现有技术中在介质滤波器本体表面设置粘接层和金属层时，焊接时的温度会使得金属层熔融剥落，易导致介质滤波器从电路板脱落相比，连接更稳固。

由此，由于介质滤波器避免了焊接可能出现的问题，从而保障了该介质滤波器以及包含该介质滤波器的收发信机的性能。

本申请实施例还提供了一种通信设备，图9为本申请实施例提供的通信设备的结构示意图。如图9所示，该通信设备2包括如上所述的收发信机1，以及与该收发信机信号连接的数字单元50和基带单元60。

其中，数字单元50用于进行数字信号处理与基本控制。

基带单元60负责完成信号的基带处理如信道编解码、调制解调等业务。

本申请实施例提供的通信设备，由于采用了本申请实施例公开的收发信机，实现了通信设备的小型化，同时降低了系统信号的损耗，提升了通信设备的性能，降低了制造成本。

需要说明的是，本申请实施例提供的通信设备可以是基站、微波通信设备、WiFi通信设备等，也可以是各种类型的终端设备。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何在本申请揭露的技术范围内的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (12)

1.一种介质滤波器，其特征在于，包括：

由固态介电材料制成的本体；

位于本体表面的调试孔、信号输入口和信号输出口，所述调试孔为2个或2个以上，每个调试孔与周围本体形成谐振单元；

1个或1个以上耦合孔，每个耦合孔位于两个谐振单元连接位置的本体表面，其所处的位置与所述两个谐振单元相接；

其中，所述本体表面、调试孔内侧壁、耦合孔内侧壁、信号输入口内侧壁的和信号输出口的内侧壁上覆盖有1层或1层以上导体层；

所述导体层包括采用离子镀工艺成型于所述本体表面、所述调试孔内侧壁、所述耦合孔内侧壁、所述信号输入口内侧壁和所述信号输出口内侧壁的第一导体层。

2.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述第一导体层的材质包括钛、镍、铬中的一种或几种。

3.根据权利要求1或2所述的介质滤波器，其特征在于，所述导体层还包括覆盖于所述第一导体层表面的第二导体层，所述第二导体层采用电镀、化学镀、溅射或离子镀工艺成型。

4.根据权利要求3所述的介质滤波器，其特征在于，所述第二导体层的材质为铜或银。

5.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述第一导体层的厚度小于或等于1μm。

6.根据权利要求5所述的介质滤波器，其特征在于，所述第一导体层的厚度为0.1μm。

7.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述耦合孔为盲孔，所述耦合孔用于不相邻的谐振单元之间交叉耦合。

8.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述耦合孔为通孔，所述耦合孔用于将不相邻的调试孔隔开。

9.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述固态介电材料为陶瓷。

10.一种收发信机，其特征在于，包括依次信号连接的：天线、如权利要求1至9任意一项所述的介质滤波器，功放单元和射频芯片。

11.根据权利要求10的所述的收发信机，其特征在于，所述收发信机还包括电路板，所述介质滤波器压接或焊接在所述电路板上。

12.一种通信设备，其特征在于，包括根据权利要求10或11所述的收发信机。

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