CN208093700U - 一种用于提升tem全介质滤波器性能的结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种用于提升TEM全介质滤波器性能的结构，其包括介质腔体块、信号屏蔽金属片和PCB基板，介质腔体块与PCB基板焊接，信号屏蔽金属片一端与介质腔体块焊接、另一端与PCB基板焊接，介质腔体块上设置有谐振孔，谐振孔的内壁上镀有银层，银层的深度小于谐振孔的深度的2/3。本实用新型结构简单、制造方便，其通过在现有TEM全介质滤波器的谐振孔内镀一定深度的银层，并根据孔的形腔体材料和大小以及谐振孔的孔径控制上银高度从而实现了在满足TEM全介质滤波器的频率需求有效地提高滤波器的Q值，其通过控制上银高度和谐振孔高度的比例使得使用了本实用新型的TEM全介质滤波器相对于传统TEM滤波器Q值至少提高20％以上。
Description
技术领域
本实用新型专利涉及通信领域中的基站滤波器、天馈类塔放、合路器及抗干扰滤波器等，具体涉及一种混TEM全介质滤波器性能提升的一种结构。
背景技术
随着无线移动通讯快速发展，低频段的信号覆盖范围更大，且信号的绕射性能也更好，对通讯设备在低频小型化的要求日益增多，特别是低频滤波器领域，横电磁模(Transverse Electromagnetic，简称TEM模)介质滤波器作为常见的射频器件，应用于无线麦克风、终端及网络设备印制电路板(Printed Circuit Board，简称PCB)等，现有技术中的TEM模介质滤波器包括陶瓷介质体，导电烧结型银浆在陶瓷介质体表面形成镀银层，其中，该陶瓷介质体作为介质谐振腔，镀银层形成金属腔体。传统TEM模滤波器并未深入研究腔体大小、谐振孔、上银高度与Q值的关系，而同体积、同介质材料下不同谐振孔径及上银高度在同一频率下Q值最大甚至有1000以上的差异，所以亟待找到一种在同体积及同介质材料及同频率下不同上银高度、不同孔径的Q值提升结构。
发明内容
针对上述现有技术存在的缺陷，本实用新型的目的就是要解决上述背景技术的不足，提供一种在现有TEM模介质滤波器上提升Q值的方法,其构成由介质腔体块、介质腔体块上的谐振孔、谐振孔内上银层、信号屏蔽金属片、介质块连接的PCB组成，由于滤波器频率主要受腔体大小、介质材料、谐振孔径、谐振孔上银高度等因素影响，但这些因素又与滤波器的Q值息息相关，这些影响因素如何在满足频率需求而Q值最高是本发明专利的关键所在。
为解决上述技术问题，本实用新型采用了这样一种用于滤波器的空腔混合介质谐振结构，其包括介质腔体块、信号屏蔽金属片和PCB基板，所述介质腔体块与所述PCB基板焊接，所述信号屏蔽金属片一端与所述介质腔体块焊接、另一端与所述PCB基板焊接，所述介质腔体块上设置有谐振孔，所述谐振孔的内壁上镀有银层，所述银层的深度小于谐振孔的深度的2/3。
在本实用新型的一种优选实施方案中，当所述谐振孔为圆孔且所述介质腔体块的介电常数为6.8-80且所述谐振孔的孔径与所述介质腔体块的单腔边长的比值为0.1-0.3时，所述银层的深度与谐振孔的深度比值为0.2-0.8。
在本实用新型的一种优选实施方案中，当所述谐振孔为圆孔且所述介质腔体块的介电常数为6.8-80且所述谐振孔的孔径与所述介质腔体块的单腔边长的比值为0.1-0.45时，所述银层的深度与谐振孔的深度比值为0.3-0.8。
在本实用新型的一种优选实施方案中，当所述谐振孔为方孔且所述介质腔体块的介电常数为6.8-80且所述谐振孔的边长与所述介质腔体块的单腔边长的比值为0.1-0.3时，所述银层的深度与谐振孔的深度比值为0.2-0.8。
在本实用新型的一种优选实施方案中，当所述谐振孔为方孔且所述介质腔体块的介电常数为6.8-80且所述谐振孔的边长与所述介质腔体块的单腔边长的比值为0.1-0.45时，所述银层的深度与谐振孔的深度比值为0.3-0.8。
在本实用新型的一种优选实施方案中，所述介质腔体块为正方形或长方形，所述介质腔体块与信号屏蔽金属片焊接的一侧端面设置有电路，所述介质腔体块的其余端面镀有银层。
在本实用新型的一种优选实施方案中，所述介质腔体块为一整块介质材料成型，所述介质腔体块上间隔布置有多个所述谐振孔。
在本实用新型的一种优选实施方案中，所述介质腔体块由多个谐振单块拼接而成，所述谐振单块上设置有所述谐振孔。
在本实用新型的一种优选实施方案中，所述信号屏蔽金属片为L形。
本实用新型的有益效果是：本实用新型结构简单、制造方便，其通过在现有TEM全介质滤波器的谐振孔内镀一定深度的银层，并根据孔的形腔体材料和大小以及谐振孔的孔径控制上银高度从而实现了在满足TEM全介质滤波器的频率需求有效地提高滤波器的Q值，其通过控制上银高度和谐振孔高度的比例使得使用了本实用新型的TEM全介质滤波器相对于传统TEM滤波器Q值至少提高20％以上。
附图说明
图1是本实用新型实施例一种用于提升TEM全介质滤波器性能的结构的示意图；
图2是本实用新型实施例一种用于提升TEM全介质滤波器性能的结构的爆炸视图；
图3是本实用新型实施例一种用于提升TEM全介质滤波器性能的结构的主视图；
图4是本实用新型实施例一种用于提升TEM全介质滤波器性能的结构的侧视图；
图5是本实用新型实施例一种用于提升TEM全介质滤波器性能的结构的俯视图；
图6是本实用新型实施例一种用于提升TEM全介质滤波器性能的结构的A-A剖视图；
图7是本实用新型实施例一种用于提升TEM全介质滤波器性能的结构的介质腔体块示意图；(方形腔体圆形谐振孔)
图8是本实用新型实施例一种用于提升TEM全介质滤波器性能的结构的介质腔体块B-B剖视图；(方形腔体方形谐振孔)
图9是本实用新型实施例一种用于提升TEM全介质滤波器性能的结构的介质腔体块示意图；(方形腔体方形谐振孔)
图10是本实用新型实施例一种用于提升TEM全介质滤波器性能的结构的介质腔体块C-C剖视图；(方形腔体圆形谐振孔)
图中：1-介质腔体块，2-信号屏蔽金属片，3-PCB基板，4-谐振孔，5-银层。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
由本实用新型说明书附图所示的一种用于提升TEM全介质滤波器性能的结构示意图可知，本实用新型包括介质腔体块1、信号屏蔽金属片2和PCB基板3，介质腔体块1可以为不同介电常数的介质材料，介质腔体块1与PCB基板3焊接，信号屏蔽金属片2一端与介质腔体块1焊接(防止信号串扰及泄露)、另一端与PCB基板3焊接，射频信号通过介质块输入输出端口与PCB基板引线一端相连，PCB基板另一端可以与射频连接器相连，也可以通过PCB基板整体贴片焊接到射频母板上，与LNA及PA进行连接，介质腔体块1上设置有谐振孔4，其特征在于：谐振孔4的内壁上镀有银层5，银层5的深度小于谐振孔4的深度的2/3。
在满足需求频率及介质块材料及体积时，介电常数为6.8-80之间时，谐振孔径d与介质腔体单腔边长D的比值为0.1-0.3之间，即d/D＝0.1-0.3；谐振圆形孔的上银高度h与谐振孔高度H的比值为0.2-0.8之间时，Q值为最佳；当介电常数为6.8-80时,谐振孔径d与介质腔体单腔边长D的比值为0.1-0.45之间，即d/D＝0.1-0.45；谐振圆形孔的上银高度h与谐振孔高度H的比值为0.3-0.8之间时，.相对于传统TEM滤波器Q值高20％以上。
在谐振杆为方形时，介电常数为6.8-80之间时，谐振孔边长d1与介质腔体单腔边长D的比值为0.1-0.3之间，即d1/D＝0.1-0.3；谐振圆形孔的上银高度h与谐振孔高度H的比值为0.2-0.8之间时，Q值为最佳；当介电常数为6.8-80时，谐振孔边长d1与介质腔体单腔边长D的比值为0.1-0.45之间，即d1/D＝0.1-0.45；谐振圆形孔的上银高度h与谐振孔高度H的比值为0.3-0.8之间时，.相对于传统TEM滤波器Q值高20％以上。
应当理解的是，以上，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本领域的技术人员在本实用新型所揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种用于提升TEM全介质滤波器性能的结构，包括介质腔体块(1)、信号屏蔽金属片(2)和PCB基板(3)，所述介质腔体块(1)与所述PCB基板(3)焊接，所述信号屏蔽金属片(2)一端与所述介质腔体块(1)焊接、另一端与所述PCB基板(3)焊接，所述介质腔体块(1)上设置有谐振孔(4)，其特征在于：所述谐振孔(4)的内壁上镀有银层(5)，所述银层(5)的深度小于谐振孔(4)的深度的2/3。
2.根据权利要求1所述的用于提升TEM全介质滤波器性能的结构，其特征在于：当所述谐振孔(4)为圆孔且所述介质腔体块(1)的介电常数为6.8-80且所述谐振孔(4)的孔径与所述介质腔体块(1)的单腔边长的比值为0.1-0.3时，所述银层(5)的深度与谐振孔(4)的深度比值为0.2-0.8。
3.根据权利要求1所述的用于提升TEM全介质滤波器性能的结构，其特征在于：当所述谐振孔(4)为圆孔且所述介质腔体块(1)的介电常数为6.8-80且所述谐振孔(4)的孔径与所述介质腔体块(1)的单腔边长的比值为0.1-0.45时，所述银层(5)的深度与谐振孔(4)的深度比值为0.3-0.8。
4.根据权利要求1所述的用于提升TEM全介质滤波器性能的结构，其特征在于：当所述谐振孔(4)为方孔且所述介质腔体块(1)的介电常数为6.8-80且所述谐振孔(4)的边长与所述介质腔体块(1)的单腔边长的比值为0.1-0.3时，所述银层(5)的深度与谐振孔(4)的深度比值为0.2-0.8。
5.根据权利要求1所述的用于提升TEM全介质滤波器性能的结构，其特征在于：当所述谐振孔(4)为方孔且所述介质腔体块(1)的介电常数为6.8-80且所述谐振孔(4)的边长与所述介质腔体块(1)的单腔边长的比值为0.1-0.45时，所述银层(5)的深度与谐振孔(4)的深度比值为0.3-0.8。
6.根据权利要求1所述的用于提升TEM全介质滤波器性能的结构，其特征在于：所述介质腔体块(1)为正方形或长方形，所述介质腔体块(1)与信号屏蔽金属片(2)焊接的一侧端面设置有电路，所述介质腔体块(1)的其余端面镀有银层。
7.根据权利要求1所述的用于提升TEM全介质滤波器性能的结构，其特征在于：所述介质腔体块(1)为一整块介质材料成型，所述介质腔体块(1)上间隔布置有多个所述谐振孔(4)。
8.根据权利要求1所述的用于提升TEM全介质滤波器性能的结构，其特征在于：所述介质腔体块(1)由多个谐振单块拼接而成，所述谐振单块上设置有所述谐振孔(4)。
9.根据权利要求1所述的用于提升TEM全介质滤波器性能的结构，其特征在于：所述信号屏蔽金属片(2)为L形。
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