CN209949415U - Mems麦克风及电子设备 - Google Patents
Mems麦克风及电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN209949415U CN209949415U CN201920869029.1U CN201920869029U CN209949415U CN 209949415 U CN209949415 U CN 209949415U CN 201920869029 U CN201920869029 U CN 201920869029U CN 209949415 U CN209949415 U CN 209949415U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- diaphragm
- mems microphone
- sealing material
- disposed
- back plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Abstract
本实用新型公开一种MEMS麦克风，包括MEMS芯片，所述MEMS芯片包括侧壁及架设在其上的电容器系统，所述电容器系统包括具有通孔的背极板及设置于所述背极板两侧的振膜，其特征在于，所述振膜与所述侧壁连接处设置有密封材料。本实用新型的MEMS麦克风旨在解决振膜与侧壁连接处由于材质不同容易撕裂导致漏气的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及麦克风技术领域，特别涉及一种MEMS麦克风及电子设备。
背景技术
麦克风作为收音器件，已普遍应用在手机、笔记本电脑、平板电脑以及穿戴设备之中。近年来，随着科技的快速发展，MEMS(Micro-Electro-Mechanical System)麦克风被广泛的应用。MEMS麦克风具有体积小、耐高温、易贴装等优点。与传统单背极和双背极MEMS麦克风相比，双振膜MEMS麦克风可以防水、防尘，同时由于将两振膜之间空气抽走使内部形成近真空状态，从而大幅降低麦克风的本底噪声，在高信噪比MEMS麦克风中，双振膜MEMS麦克风具有无可睥睨的优势。但在使用过程中，麦克风振膜与侧壁连接处由于材质不同，易出现裂缝造成漏气现象，两振膜内部会失去真空状态，从而导致麦克风性能失效。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是提供一种MEMS麦克风，旨在解决振膜与侧壁连接处由于材质不同易出现撕裂造成漏气的现象。
为实现上述目的，本实用新型提出的MEMS麦克风，包括MEMS芯片，所述MEMS芯片包括侧壁及架设在其上的电容器系统，所述电容器系统包括具有通孔的背极板及设置于所述背极板两侧的振膜，所述振膜与所述侧壁连接处设置有密封材料。
优选方式为，所述振膜包括设置于所述背极板上侧的第一振膜和设置于所述背极板下侧的第二振膜，所述背极板与所述第一振膜构成第一腔室，所述背极板与所述第二振膜构成第二腔室，所述第一腔室与所述第二腔室均为真空状态。
优选方式为，所述密封材料设置于所述第一腔室靠近第一振膜的一侧，或所述密封材料设置于所述第二腔室靠近第二振膜的一侧。
优选方式为，所述密封材料设置于所述第一腔室靠近第一振膜的一侧及所述第二腔室靠近第二振膜的一侧。
优选方式为，所述密封材料形成密封环。
优选方式为，所述密封材料孤立对称设置于所述振膜与所述侧壁连接处。
优选方式为，其特征在于，所述密封材料为氮化硅或者聚四氟乙烯。
优选方式为，所述密封材料厚度为100nm-500nm。
优选方式为，所述密封材料在垂直于所述侧壁的方向上的宽度为1μm-2μm。
本实用新型还提出一种电子设备，包括如上所述的MEMS麦克风。
本实用新型的MEMS麦克风，包括MEMS芯片，所述MEMS芯片包括侧壁及架设在其上的电容器系统，所述电容器系统包括具有通孔的背极板及设置于所述背极板两侧的振膜，所述振膜与所述侧壁连接处设置有密封材料。此处设置的密封材料，可以加强振膜与侧壁的固定连接，从而改善振膜与侧壁材料不同导致振膜撕裂的问题。
具体实施例中，所述振膜包括设置于所述背极板上侧的第一振膜和设置于所述背极板下侧的第二振膜，所述背极板与所述第一振膜构成第一腔室，所述背极板与所述第二振膜构成第二腔室，所述第一腔室与所述第二腔室均为真空状态。所述密封材料可设置于所述第一腔室靠近第一振膜的一侧，或所述密封材料设置于所述第二腔室靠近第二振膜的一侧，或者同时设置于所述第一腔室靠近第一振膜的一侧及所述第二腔室靠近第二振膜的一侧。通过一侧或者两侧设置的方式，可以选择性的不同程度地加强振膜与侧壁的结合程度。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为现有技术中双振膜MEMS麦克风结构示意图；
图2为本实用新型MEMS麦克风一实施例的结构示意图。
附图标号说明：
| 标号 | 名称 | 标号 | 名称 |
| 1 | 第一振膜 | 5 | 背腔 |
| 2 | 第二振膜 | 6 | 连接柱 |
| 3 | 背极板 | 7 | 密封材料 |
| 4 | 侧壁 |
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
需要说明，本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，在本实用新型中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定；术语“电连接”、“耦合”或者其任何变体意味着在两个或者更多元件之间的任何直接或者间接连接或者耦合，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
另外，本实用新型各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。
本实用新型提出一种MEMS麦克风，通过在振膜与侧壁连接部位设置有密封材料来解决现有双振膜MEMS麦克风振膜与侧壁连接处易撕裂的问题。
如图1所示，现有的双振膜MEMS麦克风，包括侧壁4，侧壁4形成背腔5，固定于侧壁上的背极板3，固定于背极板两侧的振膜，振膜与侧壁4连接处由于材质不同，易出现撕裂造成漏气现象，使得两振膜间的真空状态失效，从而导致整个麦克风性能衰减或丧失。
如图2所示，在本申请的一实施例中，双振膜MEMS麦克风包括侧壁4及架设在所述侧壁4上的电容器系统，所述电容器系统包括具有通孔的背极板3及设置于所述背极板3两侧的振膜，两振膜间设置有连接柱6，振膜与侧壁4连接处设置有密封材料7。通过设置密封材料7，加强了振膜与侧壁的固定连接，提高了振膜的稳定性。在某些实施例中，侧壁包括衬底和设置在两振膜与背极板间的绝缘件(图中未示出)。
本实施例中，振膜包括设置于背极板3上侧的第一振膜1和设置于所述背极板下侧的第二振膜2，背极板3与第一振膜1构成第一腔室，背极板3与第二振膜2构成第二腔室，第一腔室与所述第二腔室均为真空状态。
具体的，如图2所示，本实施例中，密封材料7设置于第一腔室靠近第一振膜1的一侧及所述第二腔室靠近第二振膜2的一侧。通过在上下两个振膜与侧壁连接处均设置有密封材料，可以同时提高上下振膜的坚固性与稳定性；可选的，密封材料7设置于第一腔室靠近第一振膜1的一侧，或密封材料7设置于第二腔室靠近第二振膜2的一侧，即可选择性的将第一振膜或者第二振膜与侧壁结合处加固。
在本实施例中，密封材料7形成密封环结构，即在第一振膜1靠近背极板3的一侧与侧壁4结合处形成一整圈的密封结构，在第二振膜2靠近背极板3的一侧与衬底4结合处形成一整圈的密封结构。此处的密封环结构包括圆形或者方形的环状结构。可选的，密封材料7可孤立对称的设置在振膜与侧壁结合部位，如可设置对称的偶数个密封材料块状结构。
在本实施例中，密封材料7为氮化硅，可选的，密封材料7也可为聚四氟乙烯。
具体的，本发明人发现，密封材料7厚度优选区间为100nm-500nm，如优选300nm。小于100nm厚度的密封材料太薄起到的稳固效果较差，而厚度大于500nm时会导致制作难度加大；在垂直于侧壁4的方向上的宽度优选为1μm-2μm，如1.5μm，在该方向上的宽度过大时，将会影响振膜的振动，从而影响麦克风的整体性能。
本实用新型还提出一种电子设备，该电子设备包括如前所述的MEMS麦克风，该MEMS麦克风的具体结构参照前述实施例，由于本电子设备采用了前述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有前述所有实施例的全部技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的发明构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种MEMS麦克风，包括MEMS芯片，所述MEMS芯片包括侧壁及架设在其上的电容器系统，所述电容器系统包括具有通孔的背极板及设置于所述背极板两侧的振膜，其特征在于，所述振膜与所述侧壁连接处设置有密封材料。
2.如权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述振膜包括设置于所述背极板上侧的第一振膜和设置于所述背极板下侧的第二振膜，所述背极板与所述第一振膜构成第一腔室，所述背极板与所述第二振膜构成第二腔室，所述第一腔室与所述第二腔室均为真空状态。
3.如权利要求2所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述密封材料设置于所述第一腔室靠近第一振膜的一侧，或所述密封材料设置于所述第二腔室靠近第二振膜的一侧。
4.如权利要求2所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述密封材料设置于所述第一腔室靠近第一振膜的一侧及所述第二腔室靠近第二振膜的一侧。
5.如权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述密封材料形成密封环。
6.如权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述密封材料孤立对称设置于所述振膜与所述侧壁连接处。
7.如权利要求1至5中任一项所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述密封材料为氮化硅或者聚四氟乙烯。
8.如权利要求1至5中任一项所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述密封材料厚度为100nm-500nm。
9.如权利要求1至5中任一项所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述密封材料在垂直于所述侧壁的方向上的宽度为1μm-2μm。
10.一种电子设备，包括如权利要求1-9中任一项所述的MEMS麦克风。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201920869029.1U CN209949415U (zh) | 2019-06-11 | 2019-06-11 | Mems麦克风及电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201920869029.1U CN209949415U (zh) | 2019-06-11 | 2019-06-11 | Mems麦克风及电子设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN209949415U true CN209949415U (zh) | 2020-01-14 |
Family
ID=69135508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201920869029.1U Active CN209949415U (zh) | 2019-06-11 | 2019-06-11 | Mems麦克风及电子设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN209949415U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112492490A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-03-12 | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 | Mems器件与mems麦克风的制造方法 |
-
2019
- 2019-06-11 CN CN201920869029.1U patent/CN209949415U/zh active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112492490A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-03-12 | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 | Mems器件与mems麦克风的制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2019154359A1 (zh) | 扬声器组件及电子设备 | |
| CN103686568A (zh) | 一种指向性mems传声器及受音装置 | |
| WO2022142507A1 (zh) | Mems麦克风及其振膜结构 | |
| CN209949415U (zh) | Mems麦克风及电子设备 | |
| CN203840541U (zh) | 一种指向性mems传声器及受音装置 | |
| WO2020258171A1 (zh) | 振动传感器和音频设备 | |
| CN105492373A (zh) | 具有高深厚比褶皱振膜的硅麦克风和有该硅麦克风的封装 | |
| WO2020140573A1 (zh) | Mems麦克风 | |
| WO2019205708A1 (zh) | 一种发声装置及电子设备 | |
| CN108322861A (zh) | 扬声器 | |
| CN216391412U (zh) | Mems麦克风 | |
| CN209659620U (zh) | 压电式mems麦克风 | |
| CN213694056U (zh) | 麦克风以及电子设备 | |
| CN111818434B (zh) | Mems传感器和电子设备 | |
| CN104902410B (zh) | 一种硅电容式麦克风及其制备方法 | |
| WO2023216686A1 (zh) | 双振膜mems麦克风及其制造方法 | |
| CN206350115U (zh) | 一种mems麦克风 | |
| CN201094163Y (zh) | 利用陶瓷封装的电容传声器 | |
| WO2020140571A1 (zh) | 一种mems麦克风 | |
| CN113556657B (zh) | Mems麦克风 | |
| WO2022083592A1 (zh) | Mems芯片 | |
| WO2021000096A1 (zh) | 扬声器 | |
| CN206963064U (zh) | 一种扬声器及电子设备 | |
| WO2022036961A1 (zh) | 一种带音梁及音隧的全频段硅麦 | |
| CN205491100U (zh) | 电容式微机电结构传感器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20200612 Address after: 266104 room 103, 396 Songling Road, Laoshan District, Qingdao, Shandong Province Patentee after: Goer Microelectronics Co.,Ltd. Address before: 266104 Laoshan Qingdao District North House Street investment service center room, Room 308, Shandong Patentee before: GOERTEK TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |