CN209926855U - 一种防止烧结dbc半导体基板氮气炉炉管变形的装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种防止烧结DBC半导体基板氮气炉炉管变形的装置，其特征在于包括：高温氮气炉管、炉管支撑件、保温层，所述高温氮气炉内设置有多个炉管支撑件，所述高温氮气炉内设置有两根高温氮气炉管，所述炉管支撑件与高温氮气炉管相接触，所述炉管支撑件设置在保温层上。
Description
技术领域
本实用新型属于DBC半导体热电基片生产技术领域，具体涉及一种防止烧结DBC半导体热电基片氮气炉炉管变形的装置。
背景技术
随着功率电子器件的发展，电路板集成度与工作频率不断提高，散热问题已成为功率电子器件发展中必须要解决的关键问题。陶瓷基片是大功率电子器件、集成电路基片的封装材料，是功率电子、电子封装与多芯片模块等技术中的关键配套材料，其性能决定着模块的散热效率和可靠性。
DBC半导体热电基片是用DBC技术将铜片直接烧结到Al2O3或AlN陶瓷表面制成的一种复合覆铜陶瓷板，具有高导热性、高的电绝缘性、电流容量大、机械强度高、与硅芯片相匹配的温度特性等特点。Al2O3陶瓷片制作过程时，需要将陶瓷片基体冲压成单个陶瓷片坯片，并且将陶瓷片坯片两面的杂质去除掉，然后将陶瓷片坯体放置于推板炉中烧制，在烧结DBC半导体基板氮气炉中，炉管很容易变形，使得生产停止，这样很浪费生产效率。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种防止烧结DBC半导体热电基片氮气炉炉管变形的装置。
本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的：
一种防止烧结DBC半导体热电基片氮气炉炉管变形的装置，其特征在于包括：高温氮气炉管、炉管支撑件、保温层，所述高温氮气炉内设置有多个炉管支撑件，所述高温氮气炉内设置有两根高温氮气炉管，所述炉管支撑件与高温氮气炉管相接触，所述炉管支撑件设置在保温层上。
所述保温层为刚玉莫来石层。
所述高温氮气炉内至少设置有10个炉管支撑件。
所述每根高温氮气炉管至少与10个炉管支撑件相连接。
所述炉管支撑件的间距为10-20厘米。
所述两根高温氮气炉管之间的间距至少为30-50厘米。
本技术方案的有益效果如下：
1.本实用新型在烧结DBC半导体基板氮气炉中，炉管不会变形，能够保证生产效率。
附图说明
本实用新型的前述和下文具体描述在结合以下附图阅读时变得更清楚，附图中：
图1是本实用新型的结构示意图；
图2为本实用新型的侧视图；
图中：
1、高温氮气炉管，2、炉管支撑件，3、保温层。
具体实施方式
下面通过几个具体的实施例来进一步说明实现本实用新型目的技术方案，需要说明的是，本实用新型要求保护的技术方案包括但不限于以下实施例。
实施例1
一种防止烧结DBC半导体热电基片氮气炉炉管变形的装置，其特征在于包括：高温氮气炉管1、炉管支撑件2、保温层3，所述高温氮气炉内设置有多个炉管支撑件2，所述高温氮气炉内设置有两根高温氮气炉管1，所述炉管支撑件2与高温氮气炉管1相接触，所述炉管支撑件2设置在保温层3上。
实施例2
一种防止烧结DBC半导体热电基片氮气炉炉管变形的装置，其特征在于包括：高温氮气炉管1、炉管支撑件2、保温层3，所述高温氮气炉内设置有多个炉管支撑件2，所述高温氮气炉内设置有两根高温氮气炉管1，所述炉管支撑件2与高温氮气炉管1相接触，所述炉管支撑件2设置在保温层3上。
所述保温层3为刚玉莫来石层。
实施例3
一种防止烧结DBC半导体热电基片氮气炉炉管变形的装置，其特征在于包括：高温氮气炉管1、炉管支撑件2、保温层3，所述高温氮气炉内设置有多个炉管支撑件2，所述高温氮气炉内设置有两根高温氮气炉管1，所述炉管支撑件2与高温氮气炉管1相接触，所述炉管支撑件2设置在保温层3上。
所述保温层3为刚玉莫来石层。
所述高温氮气炉内至少设置有10个炉管支撑件2。
实施例4
一种防止烧结DBC半导体热电基片氮气炉炉管变形的装置，其特征在于包括：高温氮气炉管1、炉管支撑件2、保温层3，所述高温氮气炉内设置有多个炉管支撑件2，所述高温氮气炉内设置有两根高温氮气炉管1，所述炉管支撑件2与高温氮气炉管1相接触，所述炉管支撑件2设置在保温层3上。
所述保温层3为刚玉莫来石层。
所述高温氮气炉内至少设置有10个炉管支撑件2。
所述每根高温氮气炉管1至少与10个炉管支撑件2相连接。
实施例5
一种防止烧结DBC半导体热电基片氮气炉炉管变形的装置，其特征在于包括：高温氮气炉管1、炉管支撑件2、保温层3，所述高温氮气炉内设置有多个炉管支撑件2，所述高温氮气炉内设置有两根高温氮气炉管1，所述炉管支撑件2与高温氮气炉管1相接触，所述炉管支撑件2设置在保温层3上。
所述保温层3为刚玉莫来石层。
所述高温氮气炉内至少设置有10个炉管支撑件2。
所述每根高温氮气炉管1至少与10个炉管支撑件2相连接。
所述炉管支撑件2的间距为10-20厘米。
实施例6
一种防止烧结DBC半导体热电基片氮气炉炉管变形的装置，其特征在于包括：高温氮气炉管1、炉管支撑件2、保温层3，所述高温氮气炉内设置有多个炉管支撑件2，所述高温氮气炉内设置有两根高温氮气炉管1，所述炉管支撑件2与高温氮气炉管1相接触，所述炉管支撑件2设置在保温层3上。
所述保温层3为刚玉莫来石层。
所述高温氮气炉内至少设置有10个炉管支撑件2。
所述每根高温氮气炉管1至少与10个炉管支撑件2相连接。
所述炉管支撑件2的间距为10-20厘米。
所述两根高温氮气炉管1之间的间距至少为30-50厘米。
Claims (6)
1.一种防止烧结DBC半导体基板氮气炉炉管变形的装置，其特征在于包括：高温氮气炉管（1）、炉管支撑件（2）、保温层（3），所述高温氮气炉内设置有多个炉管支撑件（2），所述高温氮气炉内设置有两根高温氮气炉管（1），所述炉管支撑件（2）与高温氮气炉管（1）相接触，所述炉管支撑件（2）设置在保温层（3）上。
2.根据权利要求1所述一种防止烧结DBC半导体基板氮气炉炉管变形的装置，其特征在于：所述保温层（3）为刚玉莫来石层。
3.根据权利要求1所述一种防止烧结DBC半导体基板氮气炉炉管变形的装置，其特征在于：所述高温氮气炉内至少设置有10个炉管支撑件（2）。
4.根据权利要求1所述一种防止烧结DBC半导体基板氮气炉炉管变形的装置，其特征在于：所述每根高温氮气炉管（1）至少与10个炉管支撑件（2）相连接。
5.根据权利要求1所述一种防止烧结DBC半导体基板氮气炉炉管变形的装置，其特征在于：所述炉管支撑件（2）的间距为10-20厘米。
6.根据权利要求1所述一种防止烧结DBC半导体基板氮气炉炉管变形的装置，其特征在于：所述两根高温氮气炉管（1）之间的间距至少为30-50厘米。
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