CN209822687U - 一种发光二极管 - Google Patents

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方斌
蔡家豪
梅震
刘加云
汪俊
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Abstract

本实用新型属于半导体领域,尤其涉及一种发光二极管,其至少包括依次层叠的衬底、外延层以及第一电极和第二电极,其特征在于:所述发光二极管侧面设置有机透明散热层,所述有机透明散热层内分布有高反射率纳米球。本实用新型通过在发光二极管的侧面设置有机透明散热层提升其侧面散热能力,并且在有机透明散热层内设置高反射率纳米球,提升其侧面反光能力,进而提升其出光效率。

Description

一种发光二极管
技术领域
本实用新型属于半导体领域,尤其涉及一种侧面散热效果较好的发光二极管。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是一种半导体发光器件,它利用半导体PN结注入式电致发光原理制成。LED具有能耗低、体积小、寿命长、稳 定性好、响应快和发光波长稳定等好的光电性能,目前已经在照明、家电、显 示屏、指示灯等领域有很好的应用。但提升LED产品的性能仍是继续探索的课题。
发明内容
本实用新型旨在提升发光二极管侧面的散热能力,具体通过在发光二极管侧面设置有机透明散热层,促进其侧面的散热能力。具体技术方案如下:
一种发光二极管,至少包括依次层叠的衬底、外延层以及第一电极和第二电极,其特征在于:所述发光二极管侧面设置有机透明散热层,所述有机透明散热层内分布有高反射率纳米球。
优选的,所述发光二极管的侧面具有粗化结构,有机透明散热层设置于粗化结构上。
优选的,所述有机透明散热层侧面还设置有绝缘保护层。
优选的,所述高反射率纳米球为高反射率金属纳米球。
优选的,所述高反射率金属纳米球为铝、银、金、铁或钼纳米球。
优选的,所述有机透明散热层的厚度范围为100~2000nm.
优选的,所述高反射率纳米球的粒径范围为0.1~1nm
优选的,所述外延层包括N型层、发光层和P型层。
优选的,所述发光二极管为蓝光、绿光或者红光发光二极管。
优选的,所述发光二极管为垂直结构、正装结构或者倒装结构。
本实用新型通过在发光二极管的侧面设置有机透明散热层,提升侧面散热能力,并且在有机透明散热层中设置高反射率纳米球,以反射射入侧面的光线,从而提升发光二极管的出光效率。
附图说明
图1为本实用新型之发光二极管之结构示意图。
具体实施方式
在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本实用新型。根据下面说明和权利要求书,本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。
本实用新型设计的一种发光二极管,至少包括依次层叠的衬底10、外延层20以及第一电极30和第二电极40。
衬底10的材质材料是选自Al2O3、SiC、GaAs、GaN、AlN、GaP、Si、ZnO及上述的任意组合中择其中之一。本实施例的外延成长衬底10以蓝宝石衬底10(sapphire substrate)为例说明,晶格方向例如为(0001),可以进行图形化处理,但本实用新型不限制所使用的衬底10材质与晶格方向。
外延层20包括N型层21、发光层22和P型层23。N型层21可以为N型氮化镓层,P型层23可以为P型氮化镓层。发光层22可以包括多个铟镓氮层和多个氮化镓层,多个铟镓氮层和多个氮化镓层交替层叠设置形成多量子阱结构。外延层20可以利用有机金属化学气相沉积法、液相外延法或分子束外延法来形成,本实施例不受限制。
衬底10和N型层21之间还可以设有缓冲层(图中未显示)。具体地,缓冲层可以为氮化镓层,也可以为氮化铝层,以缓解蓝宝石衬底10和N型层21之间的晶格失配。
发光二极管的侧面具有粗化结构(图1中锯齿所示),采用激光蚀刻和干法蚀刻技术,对发光二极管侧面进行粗化处理,粗化结构设置在包括衬底10侧面和外延层20的侧面,以提升出光效率,同时方便后续镀层的粘附。
粗化结构上设置有机透明散热层50,可以提高发光二极管的散热能力。液态的有机透明散热材料通过涂布方式涂布在发光二极管的侧面,然后通过加热固定形成固体的有机透明散热层50。有机透明散热层的厚度范围为100~2000nm。
同时,为进一步提升反射能力,有机透明散热层50内分布有高反射率纳米球51,进一步地,高反射率纳米球为高反射率金属纳米球,高反射率金属纳米球为铝、银、金、铁或钼纳米球,其粒径范围为0.1~1nm。
有机透明散热层50侧面还设置有绝缘保护层60,绝缘保护层60可以为二氧化硅、碳化硅、氮化硅等,以防止漏电及污染问题。
第一电极30与P型层23电性连接,第二电极40与N型层21电性连接。电流由第一电极30注入P型层23,经过发光层22和N型层21到达第二电极40,同时,P型层23提供的空穴与N型层21提供的电子在发光层22复合从而使发光二极管发射一定波长的光线。发光二极管可以为蓝光、绿光或者红光发光二极管,可以为垂直结构、正装结构或者倒装结构。
本实用新型通过在发光二极管的侧面设置有机透明散热层50,提升侧面散热能力,并且在有机透明散热层50中设置高反射率纳米球51,以反射射入侧面的光线,从而提升发光二极管的出光效率。
应当理解的是,上述具体实施方案为本实用新型的优选实施例,本实用新型的范围不限于该实施例,凡依本实用新型所做的任何变更,皆属本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种发光二极管,至少包括依次层叠的衬底、外延层以及第一电极和第二电极,其特征在于:所述发光二极管侧面设置有机透明散热层,所述有机透明散热层内分布有高反射率纳米球。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述发光二极管的侧面具有粗化结构,有机透明散热层设置于粗化结构上。
3.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述有机透明散热层侧面还设置有绝缘保护层。
4.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述高反射率纳米球为高反射率金属纳米球。
5.根据权利要求4所述的一种发光二极管,其特征在于:所述高反射率金属纳米球为铝、银、金、铁或钼纳米球。
6.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述有机透明散热层的厚度范围为100~2000nm。
7.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:高反射率纳米球的粒径范围为0.1~1nm。
8.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述外延层包括N型层、发光层和P型层。
9.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述发光二极管为蓝光、绿光或者红光发光二极管。
10.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述发光二极管为垂直结构、正装结构或者倒装结构。
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