CN209766254U - 带有熔断模式的多芯组瓷介电容器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种带有熔断模式的多芯组瓷介电容器，包括：引线框架、单体电容模块和熔断器；引线框架为四边二引出结构，引线框架包括两组一正一负的导电引线，两组导线引线均匀融合交错并由相对的极性引出端口引出，引线框架之间平行并列设置；单体电容模块为多支MLCC芯片粘连拼组而成，MLCC芯片之间并联或串联连接为一独立单元体；单体电容模块的任一端加载熔断器，相对的另一端进行绝缘处理，单体电容模块的绝缘处理端与引线框架的极性引出端相粘接固定，熔断器一端搭焊至另一极的导电引线。通过本实用新型的技术方案，规避或减小了环氧粉末的冲击，降低了整体失效风险，且使得引线框架的受力点达到均衡。
Description
技术领域
本实用新型涉及电容器技术领域，尤其涉及一种带有熔断模式的多芯组瓷介电容器。
背景技术
随着科技的发展，大功率设备使用需求日益增多，对大容量、高耐压的电容器需求正在逐步推高。目前MLCC(Multi-layer Ceramic Capacitors，片式多层陶瓷电容器)单只产品的生产技术难以满足大容量、高耐电压、低ESR 等使用需求。为了满足大容量、高耐电压等使用需求，通常使用多支电容器的并串联方式来增加电容量或是提高耐压等性能需求。
目前瓷介电容器的模压多芯组产品是由多支MLCC电容器，通过并联形式来获取较高的电容量，但由于使用多支单体电容并联而成，在实际应用中会存在一定的风险。再这就是模压过程中由于粉末的冲击，瓷体也会受到不同程度的冲击，从而造成瓷体受损或开裂等现象。
实用新型内容
针对上述问题中的至少之一，本实用新型提供了一种带有熔断模式的多芯组瓷介电容器，通过对引线框架的设计进行全面优化，将新型引线框架对极性引出端口及冲流孔进行均分调整，在模压过程中可规避或减小环氧粉末的冲击，此外，多芯组电容采用分组的单体电容模块，在很大程度上可降低整体失效风险，单体电容模块均匀设置于引线框架内，使得引线框架的受力点达到均衡。
为实现上述目的，本实用新型提供了一种带有熔断模式的多芯组瓷介电容器，包括：引线框架、单体电容模块和熔断器；所述引线框架为四边二引出结构，所述引线框架包括两组一正一负的导电引线，两组所述导电引线均匀交错并由相对的极性引出端口引出，形成正负两极的极性引出端，所述引线框架之间平行并列设置；所述单体电容模块为多支MLCC芯片粘连拼组而成，所述MLCC芯片之间并联或串联连接为一独立单元体；所述单体电容模块的任一端加载所述熔断器，相对另一端进行绝缘处理，所述单体电容模块装配至所述引线框架内，所述单体电容模块的绝缘处理端与所述引线框架的极性引出端相粘接固定，所述熔断器一端搭焊至另一极的导电引线。
在上述技术方案中，优选地，所述引线框架上所述导电引线之间设置冲流孔。
在上述技术方案中，优选地，所述引线框架上靠近所述极性引出端处设置加固通孔。
在上述技术方案中，优选地，并列相连的所述引线框架上，每组所述引线框架的极性引出端外设置定位孔，用于在加工过程中对所述引线框架进行定位。
在上述技术方案中，优选地，所述引线框架采用冲裁模具冲裁方法或激光切割方法对铁镍合金带进行加工，形成所述四边二引出结构。
在上述技术方案中，优选地，所述单体电容模块的多支MLCC芯片之间采用耐高温有机胶粘连，所述单体电容模块的绝缘处理端采用浸渍绝缘漆进行绝缘处理，并通过耐高温有机胶与所述极性引出端相粘接固定。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：通过对引线框架的设计进行全面优化，将新型引线框架对极性引出端口及冲流孔进行均分调整，在模压过程中规避或减小了环氧粉末的冲击，此外，多芯组电容采用分组的单体电容模块，在很大程度上降低了整体失效风险，单体电容模块均匀设置于引线框架内，使得引线框架的受力点达到均衡。
附图说明
图1为本实用新型一种实施例公开的引线框架的结构示意图；
图2为本实用新型一种实施例公开的引线框架相连的结构示意图；
图3为本实用新型一种实施例公开的单体电容模块的安装结构示意图；
图4为本实用新型一种实施例公开的单体电容模块的安装结构侧视图。
图中，各组件与附图标记之间的对应关系为：
1.引线框架，11(11A1、11A2、11B1、11B2).导电引线，12(12A、12B). 极性引出端，13.冲流孔，14.加固通孔，15.定位孔，2.单体电容模块，3.熔断器。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
下面结合附图对本实用新型做进一步的详细描述：
如图1至图4所示，根据本实用新型提供的一种带有熔断模式的多芯组瓷介电容器，包括：引线框架1、单体电容模块2和熔断器3；引线框架1为四边二引出结构，引线框架1包括两组一正一负的导电引线11，两组导电引线均匀融合交错并由相对的极性引出端口引出，形成正负两极(12A、12B) 的极性引出端12，引线框架1之间平行并列设置；单体电容模块2为多支 MLCC芯片粘连拼组而成，MLCC芯片之间并联或串联连接为一独立单元体；单体电容模块2的任一端加载熔断器3，相对的另一端进行绝缘处理，单体电容模块2装配至引线框架1内，单体电容模块2的绝缘处理端与引线框架1 的极性引出端12相粘接固定，熔断器3一端搭焊至另一极的导电引线11。
在上述实施例中，优选地，引线框架1上导电引线11之间设置冲流孔13。
在上述实施例中，优选地，引线框架1上靠近极性引出端12处设置加固通孔14。
在上述实施例中，优选地，并列相连的引线框架1上，每组引线框架1 的极性引出端12外设置定位孔15，用于在加工过程中对引线框架1进行定位。
在上述实施例中，优选地，引线框架1采用冲裁模具冲裁方法或激光切割方法对铁镍合金带进行加工，形成四边二引出结构。
在上述实施例中，优选地，单体电容模块2的多支MLCC芯片之间采用耐高温有机胶粘连，单体电容模块2的绝缘处理端采用浸渍绝缘漆进行绝缘处理，并通过耐高温有机胶与极性引出端12相粘接固定。
上述实施例中带有熔断模式的多芯组瓷介电容器的制备方法，具体包括：制备四边二引出结构的引线框架1，并将引线框架1的两组导电引线11A1、11A2、11B1、11B2均匀交错并由相对的极性引出端12口引出，形成正负两极的极性引出端12；将多支MLCC芯片之间并联或串联后粘连拼组为单体电容模块2，通过标准工装进行整形处理，使单体电容模块2整体更平整；将单体电容模块2的任一端进行绝缘处理，使其处于绝缘状态，另一端加载熔断器3；将单体电容模块2的绝缘处理端与引线框架1的极性引出端12相粘接固定，熔断器3一端搭焊至另一极的导电引线11，形成初级分组的单体电容模块2。将装配完成的模组电容进行三防处理，使电容器更好地阻抗外界因素干扰。之后，将电容进行封装，使其形成完整的带有熔断模式的多芯组瓷介电容器。
在上述实施例中，优选地，在引线框架1上的导电引线11之间设置冲流孔13，在引线框架1上靠近极性引出端12处设置加固通孔14，在并列相连的引线框架1上每组引线框架1的极性引出端12外设置定位孔15。
在上述实施例中，优选地，采用冲裁模具冲裁方法或激光切割方法对铁镍合金带进行加工，形成四边二引出结构的引线框架1。
在上述实施例中，优选地，采用耐高温有机胶对单体电容模块2的多支 MLCC芯片进行粘连，采用浸渍绝缘漆对单体电容模块2的绝缘处理端进行绝缘处理，采用耐高温有机胶对绝缘处理端与极性引出端12进行粘接固定。
以上仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种带有熔断模式的多芯组瓷介电容器，其特征在于，包括：引线框架、单体电容模块和熔断器；
所述引线框架为四边二引出结构，所述引线框架包括两组一正一负的导电引线，两组所述导电引线均匀交错并由相对的极性引出端口引出，形成正负两极的极性引出端，所述引线框架之间平行并列设置；
所述单体电容模块为多支MLCC芯片粘连拼组而成，所述MLCC芯片之间并联或串联连接为一独立单元体；
所述单体电容模块的任一端加载所述熔断器，相对另一端进行绝缘处理，所述单体电容模块装配至所述引线框架内，所述单体电容模块的绝缘处理端与所述引线框架的极性引出端相粘接固定，所述熔断器一端搭焊至另一极的导电引线。
2.根据权利要求1所述的带有熔断模式的多芯组瓷介电容器，其特征在于，所述引线框架上所述导电引线之间设置冲流孔。
3.根据权利要求1或2所述的带有熔断模式的多芯组瓷介电容器，其特征在于，所述引线框架上靠近所述极性引出端处设置加固通孔。
4.根据权利要求3所述的带有熔断模式的多芯组瓷介电容器，其特征在于，并列相连的所述引线框架上，每组所述引线框架的极性引出端外设置定位孔，用于在加工过程中对所述引线框架进行定位。
5.根据权利要求1所述的带有熔断模式的多芯组瓷介电容器，其特征在于，所述引线框架采用冲裁模具冲裁方法或激光切割方法对铁镍合金带进行加工，形成所述四边二引出结构。
6.根据权利要求1所述的带有熔断模式的多芯组瓷介电容器，其特征在于，所述单体电容模块的多支MLCC芯片之间采用耐高温有机胶粘连，所述单体电容模块的绝缘处理端采用浸渍绝缘漆进行绝缘处理，并通过耐高温有机胶与所述极性引出端相粘接固定。
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| CN201920949510.1U CN209766254U (zh) | 2019-06-24 | 2019-06-24 | 带有熔断模式的多芯组瓷介电容器 |
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| CN201920949510.1U Active CN209766254U (zh) | 2019-06-24 | 2019-06-24 | 带有熔断模式的多芯组瓷介电容器 |
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| CN (1) | CN209766254U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110136960A (zh) * | 2019-06-24 | 2019-08-16 | 北京元六鸿远电子科技股份有限公司 | 带有熔断模式的多芯组瓷介电容器和制备方法 |
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2019
- 2019-06-24 CN CN201920949510.1U patent/CN209766254U/zh active Active
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| CN110136960A (zh) * | 2019-06-24 | 2019-08-16 | 北京元六鸿远电子科技股份有限公司 | 带有熔断模式的多芯组瓷介电容器和制备方法 |
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