CN209729963U - 一种待极化件、承载台和极化室 - Google Patents

Abstract

本公开实施例涉及高分子薄膜极化技术，尤其涉及一种待极化件、承载台和极化室。所述待极化件包括基底和形成在所述基底上的高分子薄膜，所述基底包括基板、接地电极和接地引脚，所述接地引脚位于基板边缘，所述接地电极包括多个，所述接地电极在基板上间隔排列，所述接地引脚和接地电极设置于所述基板的同一表面，所述高分子薄膜覆盖所述接地电极并暴露所述接地引脚。本公开实施例所提供的待极化件、承载台和极化室，实现了快速极化多个极化件的效果。

Description

一种待极化件、承载台和极化室

技术领域

本公开实施例涉及高分子薄膜极化技术，尤其涉及一种极化室。

背景技术

极化是薄膜材料处理中的一个重要环节，主要目的是使薄膜材料中杂乱取向的分子偶极矩沿着特定方向(如极化电场方向)一致取向，从而使该薄膜材料具有压电性能。在对待极化件进行极化时，一次只能极化一个高分子薄膜，极化速度慢。

因此，如何提供一种极化速度快的极化方案，就成了现有技术的需求。

实用新型内容

本公开实施例提供一种极化室，以实现快速极化待极化件。

第一方面，本公开实施例提供了一种待极化件，所述待极化件包括基底和形成在所述基底上的高分子薄膜，所述基底包括基板、接地电极和接地引脚，所述接地引脚位于基板边缘，所述接地电极包括多个，所述接地电极在基板上间隔排列，所述接地引脚和接地电极设置于所述基板的同一表面，所述高分子薄膜覆盖所述接地电极并暴露所述接地引脚。

第二方面，本公开实施例提供了一种承载台，所述承载台用于承载本公开第一实施例所述的待极化件，所述承载台呈平板状，所述承载台上开设有承载槽，所述承载槽的底部还开设至少两个贯穿所述承载台厚度方向的顶升孔，所述承载台上和承载槽相对的表面上还开设接地孔，所述承载台还包括承载电极，至少部分所述承载电极设置在所述接地孔的底部以及承载槽的侧面。

第三方面，本公开实施例提供了一种极化室，所述极化室用于极化本公开第二实施例所述的承载台上放置的待极化件，所述极化室包括第二顶升装置和顶盖，所述顶盖包括导电片，所述第二顶升装置包括接地导线，所述第二顶升装置位于所述顶盖下方，所述承载台和承载台上的待极化件位于预设的第二位置后，所述第二顶升装置升高使所述承载台升高并和所述顶盖接触，所述顶盖把所述承载台上高分子薄膜露出，所述顶盖的导电片同时和所述待极化件的接地引脚、所述承载台的承载电极电性接触，所述第二顶升装置的接地导线和所述承载电极接触。

与现有技术相比，本公开实施例通过提供一种待极化件、承载台和极化室，待极化件包括基底和形成在所述基底上的高分子薄膜，所述基底包括基板、接地电极和接地引脚，所述接地引脚位于基板边缘，所述接地电极包括多个，所述接地电极在基板上间隔排列，所述接地引脚和接地电极设置于所述基板的同一表面，所述高分子薄膜覆盖所述接地电极并暴露所述接地引脚，使极化后的高分子薄膜能被分割为多个小的极化件，增加了极化小面积极化件的速度。

附图说明

图1为本公开第一实施例提供的极化设备的结构示意图；

图2为本公开第一实施例提供的基底的结构示意图；

图3为本公开第一实施例提供的承载台的结构示意图；

图4为本公开第一实施例提供的准备台的结构示意图；

图5为本公开第一实施例提供的极化室的结构示意图；

图6为本公开第一实施例提供的转移台的结构示意图；

图7为本公开第二实施例提供的极化方法的流程示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。

在更加详细地讨论示例性实施例之前应当提到的是，一些示例性实施例被描述成作为流程图描绘的处理或方法。虽然流程图将各步骤描述成顺序的处理，但是其中的许多步骤可以被并行地、并发地或者同时实施。此外，各步骤的顺序可以被重新安排。当其操作完成时所述处理可以被终止，但是还可以具有未包括在附图中的附加步骤。所述处理可以对应于方法、函数、规程、子例程、子程序等等。

此外，术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种方向、动作、步骤或元件等，但这些方向、动作、步骤或元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个方向、动作、步骤或元件与另一个方向、动作、步骤或元件区分。举例来说，在不脱离本申请的范围的情况下，可以将第一速度差值为第二速度差值，且类似地，可将第二速度差值称为第一速度差值。第一速度差值和第二速度差值两者都是速度差值，但其不是同一速度差值。术语“第一”、“第二”等而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

请参阅图1，本公开第一实施例提供一种极化设备10，用于极化待极化件15，该极化设备10包括准备台11、极化室12、转移台13和承载台14，极化室12位于准备台11和转移台13之间，其中，准备台11用于放置准备进入极化室12的所述承载台14；承载台14用于放置待极化件15；极化室12用于对承载台14上待极化件15的高分子薄膜进行极化；转移台13用于放置完成极化的极化件。具体的，所述承载台14被移动到所述准备台11时，所述待极化件15被放置在所述承载台14上；所述承载台14和所述待极化件15被移动到所述极化室12内时，所述极化室12对所述高分子薄膜进行极化；极化完成后，所述承载台14和所述待极化件15被移动到所述转移台13后，所述承载台14上的所述极化件被转移走。

请参阅图2，待极化件15包括基底151和形成在基底151上的高分子薄膜(图未示)。优选地，高分子薄膜原位形成在基底151上。待极化件15被极化后，可以被切割为多片，由于多个区域同时极化，增加了极化速度。将高分子薄膜原位形成于一基底151表面，从而得到带有所述待极化膜的基底151，即待极化件15。此点为区别于现有技术的一大不同，现有技术的高分子薄膜极化通常是通过采购现有的高分子薄膜成品，然后在通过粘附在基底151上来进行极化。通常，这种成品的高分子薄膜需要先被拉升具有一定应力然后再通过粘合在基底151上再进行极化，此种方法形成的高分子薄膜厚度均在30μm以上，不适应现有电子器件轻薄的发展趋势，而且采用这种极化膜的压电感测装置，由于压电感测膜太厚，因此分辨率较低。而本实用新型所提供的高分子薄膜极化方法，所述高分子薄膜为原位形成在一基底151上的薄膜，比如通过旋涂、丝网印刷、狭缝涂覆等习知方式形成在基底151表面，因此可以形成厚度很薄的高分子薄膜，基本厚度可以维持在9μm以下。因此，采用这种原位形成的极化膜的压电感测装置，分辨率大大提高，也便于实现由不同厚度薄膜构成的器件，从而扩展了器件的系统设计窗口。

高分子薄膜为铁电聚合物薄膜，如聚偏二氟乙烯PVDF；聚偏二氟乙烯三氟乙烯PVDF-TrFE，聚甲基丙烯酸甲酯PMMA，聚四氟乙烯TEFLON等。

基底151包括基板1511、接地电极1512和接地引脚1513，接地引脚1513位于基板1511边缘，接地引脚1513和接地电极1512设置于所述基板1511的同一表面，也即同一侧面，接地电极1512和接地引脚1513电性连接。高分子薄膜覆盖接地电极1512并暴露至少部分接地引脚1513。基板151可以为玻璃基板。

接地电极1512包括多个，接地电极1512在基板1511上呈矩阵间隔排列。高分子薄膜原位形成在基板1511包括接地电极1512和接地引脚1513的表面上。高分子薄膜把接地电极1512覆盖，高分子薄膜可以不覆盖或部分覆盖接地引脚1513。接地引脚1513通过接地电极1512和高分子薄膜电性接触。接地电极1512可以呈片状或网状。接地电极1512和被切割后的多片的待极化件15的每片形状一致。接地电极1512在接地时，使高分子薄膜和接地电极1512接触的表面的电势为0。

请参阅图3，承载台14呈平板状，承载台14上开设有承载槽141，承载槽141的底部还开设至少两个贯穿所述承载台14厚度方向的顶升孔142，承载台14上和承载槽141相对的表面上还开设接地孔143，承载台14上还设置有承载电极144，至少部分承载电极144设置在所述接地孔143的底部，至少部分承载电极144设置在承载槽141的侧面。可以理解，承载槽141的底部可以设置或不设置承载电极144。不同位置的承载电极144是相互电性导通的。承载槽141用于放置所述待极化件15，待极化件15放置在所述承载槽141内时，待极化件15高于承载槽141，或待极化件15和承载槽141的边缘台阶的表面平齐。顶升孔142用于其他装置穿过把承载槽141内的待极化件15顶起。接地孔143用于其他装置插入，把承载电极144电路接地，进一步的，接地孔143还用于其他装置插入把承载台14顶起的同时电路接地。可以理解，可以在承载,141的底部和侧面都设置承载电极144，在开设接地孔143时，使接地孔143足够深，接地孔的底部即为承载电极144。

请继续参阅图4，准备台11包括第一传送装置112和第一顶升装置111，第一顶升装置111位于第一传送装置112的下方，承载台14在第一传送装置112作用下移动到预设的第一位置后，第一顶升装置111升高穿过所述传送装置和所述顶升孔142，外部的第一输送装置把待极化件15放置在所述第一顶升装置111上，第一顶升装置111降低使得待极化件15被放置在承载槽141内。优选地，准备台11还包括第一传感器，第一传感器用于感测承载台14的位置，在承载台14达到第一位置后，第一传感器通过第一传送装置112使承载台14停止移动。第一传感器的类型不做限定，如可以为限位传感器。可以理解，极化设备10还可以包括控制装置，控制装置和第一传感器、第一传送装置112电性连接，控制装置通过第一传感器感测到承载台14到达第一位置时，控制装置控制第一传送装置112停止运行。

第一传送装置112包括多个间隔设置的滚轮(未标号)，使滚轮之间存在缝隙。滚轮转动时，能带动滚轮上的承载台14移动。滚轮之间的缝隙供第一顶升装置111穿过。第一传送装置112的结构不做限定，如第一传送装置112也可以为包括缝隙的传送带。第一顶升装置111降低，待极化件15被放置在承载槽141内后，第一传送装置112运行，带动承载台14进入极化室12。

第一顶升装置111包括第一顶杆1111和第一电机(图未示)，第一电机能驱动第一顶杆1111上下移动。第一顶杆1111可以包括多个，第一顶杆1111的数量和顶升孔142的数量一致，第一顶杆1111的位置和顶升孔142的位置对应，第一顶杆1111上下移动时，第一顶杆1111能从顶升孔142穿过。在第一顶杆1111上升穿过顶升孔142时，外部的第一输送装置把待极化件15放置在所述第一顶升装置111的第一顶杆1111上。优选地，第一顶杆1111和顶升孔142都至少包括三个，放置在第一顶杆1111上的待极化件15能稳定，不易倾倒。

请一并参阅图1和图5，极化室12包括极化组件121、第二传送装置124、第二顶升装置123和顶盖122，顶盖122包括导电片1221，第二顶升装置123包括接地导线1231，第二顶升装置123位于第二传送装置124的下方，极化组件121位于第二传送装置124的上方，顶盖122位于第二传送装置124和极化组件121之间，即极化组件121位于顶盖122的上方。承载台14在第二传送装置124作用下传输到预设的第二位置后，第二顶升装置123升高穿过第二传送装置124并插入顶升孔142，使所述承载台14升高并和所述顶盖122接触，顶盖122把承载台14上的待极化件15的接地引脚1513覆盖并露出所述待极化件15的高分子薄膜。顶盖122的导电片1221同时和待极化件15的接地引脚1513、承载槽141的侧面的承载电极144电性接触，第二顶升装置123的接地导线1231和接地孔143的底部的所述承载电极144接触，所述极化组件121用于对所述高分子薄膜进行极化，极化完成后，所述第二顶升装置123降低，所述待极化件15被第二传送装置124移动到转移台13。优选地，极化室12还包括第二传感器，第二传感器用于感测承载台14的位置，在承载台14达到第二位置后，第二传感器通过第二传送装置124使承载台14停止移动。第二传感器的类型不做限定，如可以为限位传感器。

第二传送装置124的结构可以和第一传送装置112的结构一致。如第二传送装置124包括多个间隔设置的滚轮，使滚轮之间存在缝隙。如第二传送装置124也可以为包括缝隙的传送带。缝隙供第二顶升装置123穿过。

第二顶升装置123还包括第二顶杆(未标号)和第二电机(图未示)，第二电机能驱动第二顶杆上下移动。第二顶杆可以包括多个，第二顶杆的数量和接地孔143的数量一致，第二顶杆的位置和接地孔143的位置对应，第二顶杆上下移动时，第二顶杆能插入接地孔143，带动承载台14上下移动。接地导线1231从第二顶杆穿过，接地导线1231的一端从第二顶杆靠近极化组件121的一端露出，接地导线1231另一端接地，在第二顶杆上升时，接地导线1231能和承载电极144电性导通。

顶盖122的形状不做限定。顶盖122使接地引脚1513、承载电极144之间能电性连接，以使承载台14上的待极化件15的接地电极1512依次经过接地引脚1513、导电片1221、承载电极144和接地导线1231接地，给高分子薄膜的下表面提供接地电压。顶盖122把承载台14上的待极化件15的接地引脚1513覆盖并露出所述待极化件15的高分子薄膜，结合极化组件121在高分子薄膜的上表面提供的较为均匀的极化电压，对高分子薄膜进行极化。

极化组件121包括固定装置和多个模块化的极化模块，固定装置和多个所述极化模块可拆卸连接，多个极化模块用于给待极化件的多个不同的区域进行极化。在某一个极化模块损坏后，能快速更换，方便生产组装和维修。具体的，多个的极化模块和多个接地电极1512位置相对应，多个极化模块分别对多个接地电极1512上的高分子薄膜进行极化。优选地，多个极化组件阵列排布，多个阵列排布的极化模块和多个阵列排布的接地电极1512位置相对应，一个极化模块对一个接地电极1512表面的高分子薄膜进行极化。多个极化组件阵列排布后的形状优选为矩形。优选地，多个所述极化组件位于同一平面内。所述极化模块包括高压电场端和低压电场端，所述低压电场端位于所述顶盖122和所述高压电场端之间，高压电场端位于固定装置和低压电场端之间，即固定装置位于极化模块远离顶盖122、第二顶升装置123的一侧。低压电场端也位于预设的第二位置的上方。高压电场端电势比低压电场端电势高。其中所述高压电场端用于将附近的可离化气体离化产生等离子体，所述可离化气体可以为空气、氮气、氩气或其它可离化气体。所述低压电场端把电荷从等离子体区内吸引出来，并重新均匀分布至所述待极化高分子薄膜表面附近，从而在所述待极化高分子薄膜表面附近形成“虚拟”电极(一层电荷云)，通过该层虚拟电极提供强电场来实现所述待极化高分子薄膜的均匀极化。可以理解，极化模块可以包括高压电场端、低压电场端以及可离化气体，高压电场端将可离化气体离化产生等离子体，低压电场端将等离子体内的电荷均匀分布。

本申请实施例所提供的极化设备10，采用高压电场端离化可离化气体来产生等离子体，同时通过低压电场端将等离子体内的电荷均匀分布并引向所述待极化高分子薄膜表面附近，在所述待极化高分子薄膜表面附近形成“虚拟”电极(一层电荷云),通过该层虚拟电极提供强电场来实现所述薄膜的均匀极化。相较于单一高压电场端的“直接极化”，配备有高压电场端和低压电场端的“间接极化”避免了“直接极化”在有针孔的和较薄的薄膜处产生的电击穿，电击穿会对薄膜下方的微电子器件造成损伤；同时“间接极化”还能实现薄膜的大面积均匀极化。从而有效提高极化膜的生产合格率，实现大规模生产；且制得的极化膜具有较强的压电效应和较长的使用寿命。

高压电场端的电势可以由一电势源提供，优选地，所述高压电场端为阵列针状电极或线状电极，能保证得到所述的高电场。并且所述高压电场端与所述低压电场端之间的距离大于所述低压电场端与承载台14之间的距离。可以理解，低压电场端与承载台14之间的距离，为承载台14被第二顶升装置123顶起时的距离。

优选的，所述低压电场端为栅格电极端或具有贯穿部的平板电极端。低压电场端可以确定低压电场端所在平面的电势，并均匀低压电场端所在处的电场。所述平板电极端上开设有贯穿部以让带电离子通过即可，比如多根互相平行金属线且间隔一定距离而形成的平板电极，多根金属线之间的间隔即形成所述平板状电极的贯穿部。优选的是，所述低压电场端为栅格电极端，该栅格电极端为网格状电极，其中优选的是，网格状电极上每个网格的面积为1-100mm2，也就是说当所述网格为正方形时，所述网格的边长为1-10mm。

优选地，该低压电场端与承载台14之间的距离为1-10mm，通过确定低压电场端与承载台14之间的距离，能更好的控制高分子薄膜内所形成的膜内电场，使得膜内电场处在一个较高且稳定的状态。当然，进一步的是，所述高压电场端与低压电场端之间的距离大于所述低压电场端与承载台14之间的距离。其中优选的是，所述高压电场端与承载台14之间的距离为10-500mm，最优的是，高压电场端与承载台14之间的距离为300mm。

更好的是，极化室12还包括用于控制高压电场端电势的第一电势控制器，可以理解所述第一电势控制器与电势源相连，通过控制电势源的电势即可控制高压电场端的电势，因而通过第一电势控制器可以随时调整高压电场端的电势，可以在极化过程中随时进行调整，或者是适应不同种类的高分子薄膜。

优选的，高分子薄膜极化装置还包括用于控制低压电场端电势的第二电势控制器，可以随时调整低压电场端的电势，可以在极化过程中随时进行调整，或者是适应不同种类的高分子薄膜。第一电势控制器和第二电势控制器协同调控，以控制高压电场端即电势源与低压电场端之间的电势差。

优选地，所述高压电场端的电势为5-50kV，低压电场端的电势为0.3-40kV。通过确定高压电场端的电势以及低压电场端的电势，能保证极化过程的稳定性。在这里需要说明的是，当然仍然需要保证高压电场端的电势高于低压电场端的电势，并且优选的是，高压电场端的电势比低压电场端的电势高5-30kV。例如，所述高压电场端的电势为40kV，所述低压电场端的电势为12kV；或，所述高压电场端的电势为30kV，所述低压电场端的电势为10kV；或，所述高压电场端的电势为20kV，所述低压电场端的电势为7kV；或，所述高压电场端的电势为15kV，所述低压电场端的电势为5kV。其中，较优的是，所述高压电场端的电势为20kV，所述低压电场端的电势为7kV，在该高压电场端的电势及低压电场端的电势下，极化过程的稳定性好，所得极化膜的性能好。

优选地，所述极化室12进一步包括用于测量所述高分子薄膜的薄膜电流的电流感测器，通过监测所述高分子薄膜的薄膜电流可以确定极化终点。电流感测器可以和接地导线1231电性连接。具体的，可以是通过实时获得的薄膜电流的变化，比如斜率变化来进行判断从而终止极化。更优选的是，高分子薄膜极化装置进一步包括控制处理器(图未示)，用于接收前述电流感测器所监测的薄膜电流数据。可以理解，所述控制处理器跟电流感测器可以直接通过数据线进行连接，实现数据的传输；也可以采用无线传输的方式，如蓝牙或WiFi等，实现数据的传输。利用控制处理器可以分析薄膜电流的变化曲线，如利用薄膜电流的斜率变化来准确的确定极化终点。

可以理解，极化室12还包括一壳体，为所述待极化件15极化提供一封闭空间。该壳体并不作为本申请实施例的限制，该壳体可以是盒、箱、桶甚至是一房间均可。可以理解，壳体包括进门和出门，以供承载台14和承载台14上的待极化件15进入，和供承载台14和极化完成的极化件出去。可以理解，待极化件15极化完成后，即为极化件。优选地，顶盖122和壳体弹性连接，在第二顶升装置123使承载台14上升时，承载台14和顶盖122接触不会是刚性接触，使承载台14和顶盖122不会损坏。可以理解，为保证承载台14上移的位置准确，可以采用限位传感器，控制第二电机的转动圈数等以进行限制第二顶杆的行程。

请参阅图6，转移台13包括第三传送装置132和第三顶升装置131，第三顶升装置131位于第三传送装置132的下方，承载台14在第三传送装置132作用下传输到预设的第三位置后，所述第三顶升装置131升高穿过第三传送装置132和顶升孔142，使所述承载台14升高，外部的第二输送装置把完成极化的待极化件15转移走。优选地，转移台13还包括第三传感器，第三传感器用于感测承载台14的位置，在承载台14达到第三位置后，第三传感器通过第三传送装置132使承载台14停止移动。第三传感器的类型不做限定，如可以为限位传感器。

第三传送装置132的结构可以和第一传送装置112的结构一致。如第三传送装置132包括多个间隔设置的滚轮，使滚轮之间存在缝隙。如第三传送装置132也可以为包括缝隙的传送带。缝隙供第二顶升装置123穿过。在第二传送装置124把承载台14传输过来后，第三传送装置132把承载台14移动到预设的第三位置。

第三顶升装置131包括第三顶杆1311和第三电机(图未示)，第三电机能驱动第一顶杆1111上下移动。第三顶杆1311可以包括多个，第三顶杆1311的数量和顶升孔142的数量一致，第三顶杆1311的位置和顶升孔142的位置对应，第三顶杆1311上下移动时，第一顶杆1111能从顶升孔142穿过。在第三顶杆1311上升穿过顶升孔142时，外部的第二输送装置把极化完成的待极化件15转移走。

本公开实施例提供的极化设备10包括准备台11、极化室12、转移台13和承载台14，极化室12位于准备台11和转移台13之间，其中，准备台11用于放置准备进入极化室12的所述承载台14；承载台14用于放置待极化件15；极化室12用于对承载台14上待极化件15的高分子薄膜进行极化；转移台13用于放置完成极化的极化件，实现了极化待极化件15的自动化。极化组件121包括多个阵列排布的极化模块，使极化设备10能极化面积较大的待极化件15，待极化件15被第二顶升装置123顶起时，实现了待极化件15的高分子薄膜的接地，极化步骤简单，极化效果好。

请参阅图7，本申请第二实施例以前述实施例为基础，提供了一种极化方法，该极化方法用于极化待极化件，该极化方法采用了前述实施例的极化设备，所述待极化件包括基底和形成在所述基底上的高分子薄膜，所述极化设备包括准备台、极化室、转移台和承载台，该极化方法包括：

S1：所述准备台上放置准备进入所述极化室的所述承载台；

S2：所述承载台上放置待极化件；

S3：所述承载台进入极化室后，所述极化室对所述承载台上的所述待极化件的所述高分子薄膜进行极化；

S4：极化完成后，所述转移台上放置完成极化的极化件。

在S1中，在准备台放置的承载台上没有放置待极化件。

在S2中，所述承载台被移动到所述准备台时，所述待极化件被放置在所述承载台上。

在S3中，极化室包括极化组件、第二传送装置、第二顶升装置和顶盖，所述顶盖包括导电片，所述第二顶升装置包括接地导线，所述第二顶升装置位于所述第二传送装置的下方，所述极化组件位于第二传送装置的上方，所述顶盖位于所述第二传送装置和所述极化组件之间，承载台呈平板状，所述承载台上开设有承载槽，所述承载台上和承载槽相对的表面上开设接地孔，所述承载台上还设置有承载电极，至少部分所述承载电极设置在所述接地孔的底部以及承载槽的侧面，所述承载台进入极化室后，所述极化室对所述承载台上的所述待极化件的所述高分子薄膜进行极化包括：

承载台和极化待极化件进入极化室中预设的第二位置；

第二顶升装置把承载台和其上的待极化件升高，使待极化件和顶盖的导电片接触电性接触，顶盖的导电片和承载台的承载电极电性接触，承载电极和第二顶升装置的接地导线电性接触；

极化组件给待极化件的高分子薄膜极化。

在S4中，极化完成后，所述承载台和所述待极化件被移动到所述转移台后，所述承载台上的完成极化的所述极化件被转移走。

本公开实施例提供的极化方法，其中，极化设备包括准备台、极化室、转移台和承载台，极化室位于准备台和转移台之间，其中，准备台用于放置准备进入极化室的所述承载台；承载台用于放置待极化件；极化室用于对承载台上待极化件的高分子薄膜进行极化；转移台用于放置完成极化的极化件，实现了极化待极化件的自动化。极化组件包括多个阵列排布的极化模块，使极化设备能极化面积较大的待极化件，待极化件被第二顶升装置顶起时，实现了待极化件的高分子薄膜的接地，极化步骤简单，极化效果好。

与现有技术相比，本公开实施例通过提供一种待极化件、承载台和极化室，待极化件包括基底和形成在所述基底上的高分子薄膜，所述基底包括基板、接地电极和接地引脚，所述接地引脚位于基板边缘，所述接地电极包括多个，所述接地电极在基板上间隔排列，所述接地引脚和接地电极设置于所述基板的同一表面，所述高分子薄膜覆盖所述接地电极并暴露所述接地引脚，使极化后的高分子薄膜能被分割为多个小的极化件，增加了极化小面积极化件的速度。

以上描述仅为本公开的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本公开中所涉及的公开范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离上述公开构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本公开中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种待极化件，其特征在于：所述待极化件包括基底和形成在所述基底上的高分子薄膜，所述基底包括基板、接地电极和接地引脚，所述接地引脚位于基板边缘，所述接地电极包括多个，所述接地电极在基板上间隔排列，所述接地引脚和接地电极设置于所述基板的同一表面，所述高分子薄膜覆盖所述接地电极并暴露所述接地引脚。

2.一种承载台，其特征在于：所述承载台用于承载权利要求1所述的待极化件，所述承载台呈平板状，所述承载台上开设有承载槽，所述承载槽的底部还开设至少两个贯穿所述承载台厚度方向的顶升孔，所述承载台上和承载槽相对的表面上还开设接地孔，所述承载台还包括承载电极，至少部分所述承载电极设置在所述接地孔的底部以及承载槽的侧面。

3.一种极化室，其特征在于：所述极化室用于极化权利要求2所述的承载台上放置的待极化件，所述极化室包括第二顶升装置和顶盖，所述顶盖包括导电片，所述第二顶升装置包括接地导线，所述第二顶升装置位于所述顶盖下方，所述承载台和承载台上的待极化件位于预设的第二位置后，所述第二顶升装置升高使所述承载台升高并和所述顶盖接触，所述顶盖把所述承载台上高分子薄膜露出，所述顶盖的导电片同时和所述待极化件的接地引脚、所述承载台的承载电极电性接触，所述第二顶升装置的接地导线和所述承载电极接触。

4.根据权利要求3所述的极化室，其特征在于：所述极化室还包括第二传送装置，所述第二传送装置位于所述顶盖和所述第二顶升装置之间，所述第二传送装置用于把承载台和承载台上的待极化件传输到预设的第二位置，所述第二顶升装置升高时能穿过所述第二传送装置。

5.根据权利要求3所述的极化室，其特征在于：所述极化室还包括极化组件，所述极化组件位于顶盖的上方，所述极化组件用于对所述高分子薄膜进行极化。

6.根据权利要求5所述的极化室，其特征在于：所述极化组件包括固定装置和多个阵列排布的极化模块，所述固定装置和多个所述极化模块可拆卸连接，所述极化模块包括高压电场端和低压电场端，所述低压电场端位于所述顶盖和所述高压电场端之间，所述多个的极化模块和多个所述接地电极的位置相对应。

7.根据权利要求3所述的极化室，其特征在于：所述极化室还包括一壳体，所述壳体为所述待极化件极化提供一封闭空间，所述顶盖和所述壳体弹性连接。

8.根据权利要求4所述的极化室，其特征在于：所述第二传送装置包括多个间隔设置的滚轮，所述滚轮之间存在缝隙，所述缝隙供所述第二顶升装置穿过。

9.根据权利要求8所述的极化室，其特征在于：所述第二顶升装置还包括第二顶杆和第二电机，所述第二电机能驱动第二顶杆移动。

10.根据权利要求6所述的极化室，其特征在于：所述高压电场端为阵列针状电极或线状电极，所述低压电场端为栅格电极端或具有贯穿部的平板电极端。