CN209562431U - 智能功率模块和空调器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种智能功率模块和空调器，其中，智能功率模块包括：基板；设置在基板之上的控制芯片；设置在基板之上的逆变电路，逆变电路包括三组逆变模块，每组逆变模块包括第一GaN HEMT管和第二GaN HEMT管，其中，第一GaN HEMT管的漏极与基板上的高压输入端相连，第一GaN HEMT管的源极与第二GaN HEMT管的漏极相连，第二GaN HEMT管的源极与基板上的低电压参考端相连，第一GaN HEMT管的栅极和第二GaN HEMT管的栅极均与控制芯片相连。本实用新型提出了一种空调器，包括前述的智能功率模块。

Description

智能功率模块和空调器

技术领域

本实用新型涉及家用电器技术领域，尤其涉及一种智能功率模块以及一种空调器。

背景技术

IPM(Intelligent Power Module，智能功率模块)是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品，并以其高集成度、高可靠性等优势赢得越来越大的市场，尤其适合于驱动电机的变频器及各种逆变电源，是变频调速，冶金机械，电力牵引，伺服驱动，变频家电的一种理想电力电子器件。

相关技术中，IPM中电力电子器件常采用IGBT管，但是，相关技术存在的问题在于，由于IGBT管的栅极电荷较多，所以在使用过程中，其栅极需要连接电阻进行保护，另外，使用IGBT管还需外并联二极管FRD，从而导致电路复杂，成本升高。

实用新型内容

本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

为此，本实用新型的第一个目的在于提出一种智能功率模块，将控制芯片和逆变电路集成设置在基板之上，不仅能够节省封装的成本，还能够减少裸露的电气连接点，同时在逆变电路中使用GaN HEMT管，还能够简化电路。

本实用新型的第二个目的在于提出一种空调器。

为达上述目的，本实用新型提出了一种智能功率模块，包括：基板；设置在所述基板之上的控制芯片；设置在所述基板之上的逆变电路，所述逆变电路包括三组逆变模块，每组逆变模块包括第一GaN HEMT管和第二GaN HEMT管，其中，所述第一GaN HEMT管的漏极与所述基板上的高压输入端相连，所述第一GaN HEMT管的源极与所述第二GaN HEMT管的漏极相连，所述第二GaN HEMT管的源极与所述基板上的低电压参考端相连，所述第一GaN HEMT管的栅极和第二GaN HEMT管的栅极均与所述控制芯片相连。

根据本实用新型提出的智能功率模块，将控制芯片和逆变电路集成设置在基板之上，逆变电路包括三组逆变模块，每组逆变模块包括第一GaN HEMT管和第二GaN HEMT管，其中，第一GaN HEMT管的漏极与基板上的高压输入端相连，第一GaN HEMT管的源极与第二GaNHEMT管的漏极相连，第二GaN HEMT管的源极与基板上的低电压参考端相连，第一GaN HEMT管的栅极和第二GaN HEMT管的栅极均与控制芯片相连。由此，本发明实施例的智能功率模块，将控制芯片和逆变电路集成设置在基板之上，不仅能够节省封装的成本，还能够减少裸露的电气连接点，同时在逆变电路中使用GaN HEMT管，不需外加并联二极管，另外，还由于GaN HEMT管的栅极电荷远少于IGBT管，所以其栅极不用连接电阻进行保护，进而可简化电路。

另外，本实用新型提出的智能功率模块还可以具有如下附加的技术特征：

进一步地，所述每组逆变模块还包括：第一电容，所述第一电容的一端与所述第一GaN HEMT管的漏极相连，所述第一电容的另一端与所述第二GaN HEMT管的源极相连。

进一步地，所述每组逆变模块还包括：第二电容，所述第二电容的一端与所述控制芯片的第一电平端相连并作为所述基板上的高压区供电电源正端，所述第二电容的另一端与所述第一GaN HEMT管的源极和所述第二GaN HEMT管的漏极均相连，所述第二电容的另一端还与所述控制芯片的第二电平端相连并作为所述基板上的高压区供电电源负端。

进一步地，所述的智能功率模块，还包括：设置在所述基板之上的功率因数校正PFC电路，所述功率因数校正PFC电路包括第三GaN HEMT管和PFC二极管，其中，所述PFC二极管的阴极与所述第一GaN HEMT管的漏极和所述基板上的高压输入端均相连，所述第三GaNHEMT管的漏极与所述PFC二极管的阳极相连，所述第三GaN HEMT管的漏极还与所述基板上的PFC电感连接端相连，所述第三GaN HEMT管的源极与所述基板上的PFC负端相连。

进一步地，所述功率因数校正PFC电路还包括第三电容，所述第三电容的一端与所述第三GaN HEMT管的漏极和所述基板上的PFC电感连接端均相连，所述第三电容的另一端与所述第三GaN HEMT管的源极和所述基板上的PFC负端均相连。

进一步地，所述控制芯片的供电电源端通过二极管连接所述控制芯片的第一电平端，其中，所述二极管的阳极与所述控制芯片的供电电源端相连，所述二极管的阴极与所述控制芯片的第一电平端相连。

进一步地，所述控制芯片的供电电源端用于连接外部电源。

进一步地，所述控制芯片还与空调控制器相连，所述控制芯片还根据所述空调控制器产生的逆变控制信号生成逆变驱动信号，以驱动所述每组逆变模块中的第一GaN HEMT管和第二GaN HEMT管。

进一步地，所述控制芯片还根据所述空调控制器产生的PFC控制信号生成PFC驱动信号，以驱动所述功率因数校正PFC电路中的第三GaN HEMT管。

为达上述目的，本实用新型提出了一种空调器，包括前述的智能功率模块。

根据本实用新型提出的空调器，通过设置的智能功率模块，将控制芯片和逆变电路集成设置在基板之上，不仅能够节省封装的成本，还能够减少裸露的电气连接点，同时在逆变电路中使用GaN HEMT管，不需外加并联二极管，另外，还由于GaN HEMT管的栅极电荷远少于IGBT管，所以其栅极不用连接电阻进行保护，进而可简化电路。

附图说明

图1为根据本实用新型实施例的智能功率模块的方框示意图；

图2为根据本实用新型一个实施例的智能功率模块的方框示意图；

图3为根据本实用新型一个实施例的智能功率模块的电路原理图；

图4为根据本实用新型另一个实施例的智能功率模块的电路原理图。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本实用新型的限制。

下面参考附图描述本实用新型实施例的智能功率模块和空调器。

图1为根据本实用新型实施例的智能功率模块的方框示意图。如图1所示，本实用新型实施例的智能功率模块100包括：基板10、控制芯片20和逆变电路30。

其中，控制芯片20设置在基板10之上；逆变电路30设置在基板10之上。

如图3-4所示，逆变电路30包括三组逆变模块，每组逆变模块包括第一GaN HEMT管和第二GaN HEMT管，其中，第一GaN HEMT管的漏极与基板10上的高压输入端相连，第一GaNHEMT管的源极与第二GaN HEMT管的漏极相连，第二GaN HEMT管的源极与基板10上的低电压参考端相连，第一GaN HEMT管的栅极和第二GaN HEMT管的栅极均与控制芯片20相连。

其中，三组逆变模块分别对应智能功率模块100的U、V和W相。

由此，通过将控制芯片和逆变电路集成设置在基板之上，不仅能够节省封装的成本，还能够减少裸露的电气连接点，同时在逆变电路中使用GaN HEMT管代替相关技术中的IGBT管，可以使第一GaN HEMT管的栅极和第二GaN HEMT管的栅极直接与控制芯片20相连，而不需再通过电阻与控制芯片20相连以进行保护，另外，由于GaN HEMT管的二维电子气特性，第一GaN HEMT管和第二GaN HEMT管不再需要并联二极管FRD，从而，进而可简化电路。

具体来说，如图3-4所示，第一组逆变模块包括第一GaN HEMT管T11和第二GaNHEMT管T21，第二组逆变模块包括第一GaN HEMT管T12和第二GaN HEMT管T22，第三组逆变模块包括第一GaN HEMT管T13和第二GaN HEMT管T23。

其中，第一组逆变模块的第一GaN HEMT管T11的漏极、第二组逆变模块的第一GaNHEMT管T12的漏极以及第三组逆变模块的第一GaN HEMT管T13的漏极连接在一起，并与基板10上的高压输入端P相连。

需要说明的是，基板10上的高压输入端P一般接300V。

第一组逆变模块的第一GaN HEMT管T11的源极与第二GaN HEMT管T21的漏极相连，第二组逆变模块的第一GaN HEMT管T12的源极与第二GaN HEMT管T22的漏极相连，第三组逆变模块的第一GaN HEMT管T13的源极与第二GaN HEMT管T23的漏极相连。

第一组逆变模块的第二GaN HEMT管T21的源极与基板10上的低电压参考端UN相连，第二组逆变模块的第二GaN HEMT管T22的源极与基板10上的低电压参考端VN相连，第三组逆变模块的第二GaN HEMT管T23的源极与基板10上的低电压参考端WN相连。

第一组逆变模块的第一GaN HEMT管T11的栅极与控制芯片20上的高压区输出端HO1相连，第二组逆变模块的第一GaN HEMT管T12的栅极与控制芯片20上的高压区输出端HO2相连，第三组逆变模块的第一GaN HEMT管T13的栅极与控制芯片20上的高压区输出端HO3相连，第一组逆变模块的第二GaN HEMT管T21的栅极与控制芯片20上的低压区输出端LO1相连，第二组逆变模块的第二GaN HEMT管T22的栅极与控制芯片20上的低压区输出端LO2相连，第三组逆变模块的第二GaN HEMT管T23的栅极与控制芯片20上的低压区输出端LO3相连。

进一步地，根据本实用新型的一个实施例，如图3-4所示，每组逆变模块还包括：第一电容，第一电容的一端与第一GaN HEMT管的漏极相连，第一电容的另一端与第二GaNHEMT管的源极相连。

具体来说，如图3-4所示，第一组逆变模块包括第一电容C11，第一电容C11的一端与第一GaN HEMT管的漏极相连，即与基板10上的高压输入端P相连，第一电容C11的另一端与第一组逆变模块的第二GaN HEMT管T21的源极相连，即与基板10上的低电压参考端UN相连。

第二组逆变模块包括第一电容C12，第一电容C12的一端与第一GaN HEMT管的漏极相连，即与基板10上的高压输入端P相连，第一电容C12的另一端与第二组逆变模块的第二GaN HEMT管T22的源极相连，基板10上的低电压参考端VN相连。

第三组逆变模块包括第一电容C13，第一电容C13的一端与第一GaN HEMT管的漏极相连，即与基板10上的高压输入端P相连，第一电容C13的另一端与第三组逆变模块的第二GaN HEMT管T23的源极相连，基板10上的低电压参考端WN相连。

可理解，由于第一GaN HEMT管和第二GaN HEMT管在使用过程中对外围电路的噪音比较敏感，所以通过设置第一电容，可对输入的信号进行滤波，从而解决了GaN HEMT管在使用过程中的高频噪音问题。具体地，第一电容C11用于对U相进行滤波，第一电容C12用于对V相进行滤波，第一电容C13用于对W相进行滤波。

进一步地，根据本实用新型的一个实施例，如图3-4所示，每组逆变模块还包括：第二电容，第二电容的一端与控制芯片20的第一电平端相连并作为基板10上的高压区供电电源正端，第二电容的另一端与第一GaN HEMT管的源极和第二GaN HEMT管的漏极均相连，第二电容的另一端还与控制芯片20的第二电平端相连并作为基板10上的高压区供电电源负端。

其中，第二电容用于对高压区供电进行滤波。

具体来说，如图3-4所示，第一组逆变模块包括第二电容C21，第二电容C21的一端与控制芯片20的第一电平端VB1相连并作为基板10上的高压区供电电源正端UVB，第二电容C21的另一端与第一组逆变模块的第一GaN HEMT管T11的源极和第二GaN HEMT管T21的漏极均相连，第二电容C21的另一端还与控制芯片20的第二电平端VS1相连并作为基板10上的高压区供电电源负端UVS。

第二组逆变模块包括第二电容C22，第二电容C22的一端与控制芯片20的第一电平端VB2相连并作为基板10上的高压区供电电源正端VVB，第二电容C22的另一端与第二组逆变模块的第一GaN HEMT管T12的源极和第二GaN HEMT管T22的漏极均相连，第二电容C22的另一端还与控制芯片20的第二电平端VS2相连并作为基板10上的高压区供电电源负端VVS。

第三组逆变模块包括第二电容C23，第二电容C23的一端与控制芯片20的第一电平端VB3相连并作为基板10上的高压区供电电源正端WVB，第二电容C23的另一端与第三组逆变模块的第一GaN HEMT管T13的源极和第二GaN HEMT管T23的漏极均相连，第二电容C23的另一端还与控制芯片20的第二电平端VS3相连并作为基板10上的高压区供电电源负端WVS。

进一步地，根据本实用新型的一个实施例，如图2-3所示，智能功率模块100还包括：设置在基板10之上的功率因数校正PFC电路40，功率因数校正PFC电路40包括第三GaNHEMT管T3和PFC二极管D1，其中，PFC二极管D1的阴极与第一GaN HEMT管的漏极和基板10上的高压输入端P均相连，第三GaN HEMT管T3的漏极与PFC二极管D1的阳极相连，第三GaNHEMT管T3的漏极还与基板10上的PFC电感连接端PFC1相连，第三GaN HEMT管T3的源极与基板10上的PFC负端-VP相连。

另外，由于使用GaN HEMT管，其栅极电荷较少，所以第三GaN HEMT管T3的栅极可直接与PFC输出端PFCOUT相连，而不再需要通过电阻与PFC输出端PFCOUT相连以进行保护，从而简化电路，节约成本。

进一步地，根据本实用新型的一个实施例，如图3所示，功率因数校正PFC电路40还包括第三电容C3，第三电容C3的一端与第三GaN HEMT管T3的漏极和基板10上的PFC电感连接端PFC1均相连，第三电容C3的另一端与第三GaN HEMT管T3的源极和基板10上的PFC负端-VP均相连。

其中，第三电容C3用于对输入功率因数校正PFC电路40的信号进行滤波。

进一步地，根据本实用新型的一个实施例，如图3-4所示，控制芯片20的供电电源端通过二极管连接控制芯片20的第一电平端，其中，二极管的阳极与控制芯片20的供电电源端相连，二极管的阴极与控制芯片20的第一电平端相连。其中，控制芯片20的供电电源端用于连接外部电源。

具体来说，如图3-4所示，控制芯片20的供电电源端VCC通过二极管D2连接控制芯片20的第一电平端VB1，其中，二极管D2的阳极与控制芯片20的供电电源端VCC相连，二极管D2的阴极与控制芯片20的第一电平端VB1相连。

控制芯片20的供电电源端VCC通过二极管D3连接控制芯片20的第一电平端VB2，其中，二极管D3的阳极与控制芯片20的供电电源端VCC相连，二极管D3的阴极与控制芯片20的第一电平端VB2相连。

控制芯片20的供电电源端VCC通过二极管D4连接控制芯片20的第一电平端VB3，其中，二极管D4的阳极与控制芯片20的供电电源端VCC相连，二极管D4的阴极与控制芯片20的第一电平端VB3相连。

可以理解的是，供电电源端VCC为控制芯片20的供电电源正端，并通过基板10上的供电电源正端VDD连接外部电源，如图3-4所示，控制芯片20还具有接地端GND，接地端GND为控制芯片20的供电电源负端，与基板10上的低压区供电电源负端COM相连，其中，供电电源端VCC与接地端GND之间的电压可为15V。

进一步地，根据本实用新型的一个实施例，控制芯片20还根据空调控制器产生的PFC控制信号生成PFC驱动信号，以驱动功率因数校正PFC电路40中的第三GaN HEMT管T3。

可理解，如图3所示，控制芯片20通过设置在基板10上的PFCIN引脚接收空调控制器产生的PFC控制信号，PFC控制信号通过控制芯片20上的PFC输入端PFCINP传到PFC输出端PGCOUT以输出PFC驱动信号，从而驱动第三GaN HEMT管T3导通或关断。

需要说明的是，PFC控制信号可为0或5V的逻辑输入信号，PFC驱动信号可为0或15V的逻辑输出信号。

更进一步地，根据本实用新型的一个实施例，控制芯片20还与空调控制器相连，控制芯片20还根据空调控制器产生的逆变控制信号生成逆变驱动信号，以驱动每组逆变模块中的第一GaN HEMT管和第二GaN HEMT管。

可理解，如图3-4所示，控制芯片20通过设置在基板10上的UHIN、VHIN、WHIN、ULIN、VLIN和WLIN引脚接收空调控制器产生的六路逆变控制信号，六路逆变控制信号通过控制芯片20上的输入端HIN1、HIN2、HIN3和LIN1、LIN2、LIN3分别传到高压区输出端HO1、HO2、HO3和低压区输出端LO1、LO2、LO3以输出逆变驱动信号，从而对应驱动第一GaN HEMT管T11、T12、T13和第二GaN HEMT管T21、T22、T23导通或关断，进而可将经功率因数校正PFC电路40校正后的高品质的直流电逆变为交流电以驱动例如压缩机或风机的运转。

需要说明的是，六路逆变控制信号可为0或5V的逻辑输入信号。高压区输出端HO1输出的逆变驱动信号可为第二电平端VS1的电压或者第二电平端VS1的电压加上15V的逻辑输出信号，高压区输出端HO2输出的逆变驱动信号可为第二电平端VS2的电压或者第二电平端VS2的电压加上15V的逻辑输出信号，高压区输出端HO3输出的逆变驱动信号可为第二电平端VS3的电压或者第二电平端VS3的电压加上15V的逻辑输出信号，低压区输出端LO1、低压区输出端LO2以及低压区输出端LO3输出的逆变驱动信号可为0或者15V的逻辑输出信号。

还需说明的是，同一相的输入信号不能同时为高电平，即控制芯片20上的输入端HIN1和输入端LIN1不能同时为高电平、输入端HIN2和输入端LIN2不能同时为高电平、输入端HIN3和输入端LIN3输入的信号不能同时为高电平，也就是说，每组逆变模块的第一GaNHEMT管和第二GaN HEMT管不同同时导通。

另外，本实用新型实施例的智能功率模块还具有过流保护、过压保护和温度检测功能。

其中，可通过在逆变电路30和功率因数校正PFC电路40中设置电流采样单元例如采样电阻，对流经逆变电路30和功率因数校正PFC电路40中各GaN HEMT管源极的电流进行采样，以得到过流保护信号。

此外，控制芯片20的过流保护引脚ITRIP还与基板10上的过流保护引脚MTRIP相连，控制芯片20可通过基板10上的过流保护引脚MTRIP接收过流保护信号，并根据过流保护信号对逆变电路30进行过流保护，例如控制第一GaN HEMT管T11、T12、T13和第二GaN HEMT管T21、T22、T23均关断。其中，过流保护信号用于指示流过逆变电路30的电流大于电流阈值。

可通过在集成电路中设置电压比较电路，将实际电路中的电压与基准电压进行比较，可实现对整个电路的过压保护。

可通过在基板10上设置温度检测单元例如热敏电阻，其中，温度检测单元的一端与基板10上的温度感应引脚相连，温度检测单元的另一端接地。温度检测单元可检测基板10的温度，例如在基板10上的温度变化时，热敏电阻的阻值将会发生变化，从而温度感应引脚处的电压发生变化，通过检测温度感应引脚处的电压可得到基板10的温度，进而实现温度检测功能。

综上，根据本实用新型实施例提出的智能功率模块，将控制芯片和逆变电路集成设置在基板之上，逆变电路包括三组逆变模块，每组逆变模块包括第一GaN HEMT管和第二GaN HEMT管，其中，第一GaN HEMT管的漏极与基板上的高压输入端相连，第一GaN HEMT管的源极与第二GaN HEMT管的漏极相连，第二GaN HEMT管的源极与基板上的低电压参考端相连，第一GaN HEMT管的栅极和第二GaN HEMT管的栅极均与控制芯片相连。由此，本实用新型实施例的智能功率模块，将控制芯片和逆变电路集成设置在基板之上，不仅能够节省封装的成本，还能够减少裸露的电气连接点，同时在逆变电路中使用GaN HEMT管，不需外加并联二极管，另外，还由于GaN HEMT管的栅极电荷远少于IGBT管，所以其栅极不用连接电阻进行保护，进而可简化电路。

基于上述实施例的智能功率模块，本实用新型实施例还提出了一种空调器，包括前述的智能功率模块。

根据本实用新型实施例提出的空调器，通过设置的智能功率模块，将控制芯片和逆变电路集成设置在基板之上，不仅能够节省封装的成本，还能够减少裸露的电气连接点，同时在逆变电路中使用GaN HEMT管，不需外加并联二极管，另外，还由于GaN HEMT管的栅极电荷远少于IGBT管，所以其栅极不用连接电阻进行保护，进而可简化电路。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本实用新型的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本实用新型的限制，本领域的普通技术人员在本实用新型的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种智能功率模块，其特征在于，包括：

基板；

设置在所述基板之上的控制芯片；

设置在所述基板之上的逆变电路，所述逆变电路包括三组逆变模块，每组逆变模块包括第一GaN HEMT管和第二GaN HEMT管，其中，所述第一GaN HEMT管的漏极与所述基板上的高压输入端相连，所述第一GaN HEMT管的源极与所述第二GaN HEMT管的漏极相连，所述第二GaN HEMT管的源极与所述基板上的低电压参考端相连，所述第一GaN HEMT管的栅极和第二GaN HEMT管的栅极均与所述控制芯片相连。

2.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述每组逆变模块还包括：

第一电容，所述第一电容的一端与所述第一GaN HEMT管的漏极相连，所述第一电容的另一端与所述第二GaN HEMT管的源极相连。

3.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述每组逆变模块还包括：

第二电容，所述第二电容的一端与所述控制芯片的第一电平端相连并作为所述基板上的高压区供电电源正端，所述第二电容的另一端与所述第一GaN HEMT管的源极和所述第二GaN HEMT管的漏极均相连，所述第二电容的另一端还与所述控制芯片的第二电平端相连并作为所述基板上的高压区供电电源负端。

4.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，还包括：

设置在所述基板之上的功率因数校正PFC电路，所述功率因数校正PFC电路包括第三GaN HEMT管和PFC二极管，其中，所述PFC二极管的阴极与所述第一GaN HEMT管的漏极和所述基板上的高压输入端均相连，所述第三GaN HEMT管的漏极与所述PFC二极管的阳极相连，所述第三GaN HEMT管的漏极还与所述基板上的PFC电感连接端相连，所述第三GaN HEMT管的源极与所述基板上的PFC负端相连。

5.根据权利要求4所述的智能功率模块，其特征在于，所述功率因数校正PFC电路还包括第三电容，所述第三电容的一端与所述第三GaN HEMT管的漏极和所述基板上的PFC电感连接端均相连，所述第三电容的另一端与所述第三GaN HEMT管的源极和所述基板上的PFC负端均相连。

6.根据权利要求3所述的智能功率模块，其特征在于，所述控制芯片的供电电源端通过二极管连接所述控制芯片的第一电平端，其中，所述二极管的阳极与所述控制芯片的供电电源端相连，所述二极管的阴极与所述控制芯片的第一电平端相连。

7.根据权利要求6所述的智能功率模块，其特征在于，其中，所述控制芯片的供电电源端用于连接外部电源。

8.根据权利要求4所述的智能功率模块，其特征在于，所述控制芯片还与空调控制器相连，所述控制芯片还根据所述空调控制器产生的逆变控制信号生成逆变驱动信号，以驱动所述每组逆变模块中的第一GaN HEMT管和第二GaN HEMT管。

9.根据权利要求8所述的智能功率模块，其特征在于，所述控制芯片还根据所述空调控制器产生的PFC控制信号生成PFC驱动信号，以驱动所述功率因数校正PFC电路中的第三GaNHEMT管。

10.一种空调器，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的智能功率模块。