CN209496823U - 热处理装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种热处理装置，其能够根据基板的不同要求规格而选择不同的冷却手段，并且能够高精度地进行处理。该热处理装置用于对基板进行热处理，其特征在于，具有：加热板，其用于对载置的基板进行加热；盖，限定加热板上方的空间；冷却板，其具有驱动部，能够在位于加热板上部的第一位置与位于加热板外部的第二位置之间移动；以及升降机构，其能够使基板升降，热处理装置还具有用于移入和移出基板的基板出入口，该基板出入口设于加热板的与第二位置相反的一侧；在冷却板设有缺口部，该缺口部使该冷却板在位于第一位置时避开升降机构。

Description

热处理装置

技术领域

本实用新型涉及用于对基板进行热处理的热处理装置。

背景技术

在半导体制造工序之一的光刻工序中，利用涂布显影装置在作为加工对象的半导体晶圆(以下简称晶圆)的表面形成抗蚀图案。在该涂布显影装置中，包含用于对晶圆进行各种处理的处理模组，大致按照涂布、前烘、曝光、曝光后烘烤以及显影的顺序进行处理。

实用新型内容

实用新型要解决的问题

在对晶圆进行处理时，根据不同的要求规格，对涂布完药液的晶圆进行PAB热处理的过程中，对冷却精度的要求各不相同。另一方面，提高效率、缩短处理时间也是业界一直的追求。

本实用新型正是鉴于这种情况而完成的，其目的在于提供一种能够根据晶圆的不同要求规格而选择不同的冷却手段，并且能够高精度地进行处理的热处理装置。

用于解决问题的方案

本实用新型的第1技术方案的热处理装置用于对基板进行热处理，在该热处理装置中，具有：加热板，其用于对载置的所述基板进行加热；盖，限定所述加热板上方的空间；冷却板，其具有驱动部，能够在位于所述加热板上部的第一位置与位于所述加热板外部的第二位置之间移动；以及升降机构，其能够使所述基板升降，所述热处理装置还具有用于移入和移出所述基板的基板出入口，该基板出入口设于所述加热板的与所述第二位置相反的一侧；在所述冷却板设有缺口部，该缺口部用于使该冷却板在位于所述第一位置时避开所述升降机构。

采用该热处理装置，由于在冷却板设有缺口部，因此，避免冷却板与升降机构发生干涉，使冷却板在第一位置与第二位置之间切换，从而能够根据基板的不同要求规格而选择不同的冷却手段。另外，由于用于移入和移出所述基板的基板出入口设于加热板的与第二位置相反的一侧，因此，在冷却板位于第二位置而对基板进行高精度的冷却时，基板远离基板出入口，能够避免气流对基板的影响从而提高冷却精度。

在本实用新型的第2技术方案的热处理装置中，所述冷却板在与所述加热板相反的一侧设有冷却液的流入口以及流出口。

采用该热处理装置，由于冷却液的流入口以及流出口远离加热板，因此，进一步提高提高冷却精度。

在本实用新型的第3技术方案的热处理装置中，在所述冷却板的下表面侧设有绝热层。

采用该热处理装置，由于具有绝热层，因此，在冷却板位于第一位置而对基板进行冷却时，能够利用该绝热层抑制加热板对基板的冷却的影响，能够高效且精确地对基板进行冷却。

在本实用新型的第4技术方案的热处理装置中，所述绝热层由陶瓷材料形成或者由在所述冷却板的下表面进行表面处理而形成的表面处理部形成，所述表面处理部的热传导率比形成所述冷却板的上表面的材质的热传导率低。

采用该热处理装置，由于绝热层由陶瓷材料形成或者由在所述冷却板的下表面进行表面处理而形成的表面处理部形成，因此，能够以简单的结构抑制加热板对基板的冷却的影响，能够高效且精确地对基板进行冷却。

在本实用新型的第5技术方案的热处理装置中，所述绝热层通过在所述冷却板的下表面隔开空间地设置绝热板而构成。

采用该热处理装置，能够进一步提高绝热效果，并且由于在冷却板与绝热板之间存在空气层，因此，减少甚至避免冷却板与绝热板在物理上的接触，因此在确保隔热效果的同时，能够采用热传导率较高的材料作为绝热板，因此，能够提高绝热板的材质的选择范围，从而能够容易地选择具有优异的热反射作用的材质作为绝热板，因此，能够进一步提高绝热效果。

在本实用新型的第6技术方案的热处理装置中，该热处理装置还具有用于对所述缺口部进行冷却的冷却机构。

采用该热处理装置，由于具有对缺口部进行冷却的冷却机构，因此在对基板进行冷却时，能够局部地对基板中的位于缺口部之上的部分进行冷却，从而能够抑制基板中的位于缺口部之上的部分相对于其他部分产生温度差别。

在本实用新型的第7技术方案的热处理装置中，在所述冷却板处于上述第一位置时，能够利用所述冷却板对所述基板进行冷却。

采用该热处理装置，由于能够在第一位置对基板进行冷却，因此，能够省略的使冷却板在载置有基板的状态下自第一位置移动到第二位置的动作以及在完成冷却后使冷却板自第二位置向第一位置移动的动作，从而能够节省时间。

在本实用新型的第8技术方案的热处理装置中，在所述冷却板处于上述第二位置时，能够利用所述冷却板对所述基板进行冷却。

采用该热处理装置，由于能够在第二位置对基板进行冷却，因此，避免加热板对基板的冷却的影响，从而能够利用冷却板高精度地对基板进行冷却。

在本实用新型的第9技术方案的热处理装置中，在所述盖的下部设置有温度调节机构，该温度调节机构具有加热功能和/或冷却功能。

采用该热处理装置，由于在盖的下部具有温度调节机构，因此，能够利用该温度调节机构进行温度的调节。在温度调节机构进行加热时，能够防止升华物的附着，提高热处理的精度；在温度调节机构进行冷却时，能够抑制冷却基板在第一位置对基板进行冷却的情况下盖自身的温度的影响。此外，还能够在维修时利用温度调节机构进行急冷，提高维修的安全性且加快维修速度。

在本实用新型的第10技术方案的热处理装置中，所述热处理装置还具有用于开闭所述基板出入口的闸门机构。

采用该热处理装置，由于具有能够开闭基板出入口的闸门机构，因此，能够在加热及冷却时关闭基板出入口，从而降低气流的影响，进一步提高处理精度。

实用新型的效果

采用本实用新型的热处理装置，能够根据基板的不同要求规格而选择不同的冷却手段，并且能够高精度地进行处理。

附图说明

图1是应用有本实用新型的热处理装置的涂布显影装置的立体图。

图2是应用有本实用新型的热处理装置的涂布显影装置的示意性的俯视剖视图。

图3是表示本实用新型的热处理装置的基本结构的俯视图。

图4是图3所示的热处理装置的纵剖视图。

图5是本实用新型的热处理装置中的冷却板移动到加热板的上方的状态下的示意图。

图6(a)是表示将晶圆输送到本实用新型的热处理装置中的图，图6(b)是表示将晶圆载置于加热板进行加热的图，图6(c)是表示在进行了加热后利用冷却板载置晶圆的图，图6(d)是表示使冷却板自加热板的上方退回并对晶圆进行冷却的图，图6(e)是表示将冷却后的晶圆传送至升降机构并准备移出的图。

附图标记说明

1.涂布显影装置；S1.承载模块；S20.处理模块；S2.前方侧处理模块；S3.液处理模块；S4.热处理模块；S5.辅助模块；S6.接口模块；S7.曝光装置；A2、D1、F1.主臂；BCT.防反射膜形成模组；B1～B6.液处理单位模块；C1～C4.热处理单位模块；COT.抗蚀膜形成模组；PAB.热处理模组；NDEV.负显影模组；ITC.保护膜形成模组；BCT.防反射膜形成模组；BST.背面清洗模组；C.承载件；W.晶圆；12.开闭部；13、15.传送臂；14.晶圆保持部；U1、U2、U3、U4、U5、U6、U11、U13、U14、U16.架单元；R1、R2、R3.输送区域；31.壳体；HP.加热板；33.盖；CP.冷却板；P1.第一位置；P2.第二位置；35.升降机构；36.基座；37.柱部；38.冷却机构；311.基板出入口；312.闸门机构；331.顶板部；332.侧板部；333.温度调节机构；341.缺口部；342.颈部；343.头部；344.绝热层；351.升降销；381.狭缝喷嘴；45、46.接口臂。

具体实施方式

接下来，参照附图说明本实用新型的加工装置的实施方式。附图是为了展示本实用新型而适当地进行了强调、省略、比率的调整的示意性的图，有时与实际的形状、位置关系以及比率不同。

图1是应用有本实用新型的热处理模组(热处理装置)的涂布显影装置的立体图。图2是应用有本实用新型的热处理模组的涂布显影装置的示意性的俯视剖视图，是俯视观察图1中的B2-C1-E2层的图。在该涂布显影装置1中，承载模块S1、处理模块S20、辅助模块S5以及接口模块S6呈直线状排列，承载模块S1用于移入移出收纳有多片(例如25片)作为基板的晶圆W的承载件C，处理模块S20用于对晶圆W进行处理。接口模块S6与用于进行液浸曝光的曝光装置S7相连接。

在承载模块S1中，设有用于载置承载件C的载置台、开闭部12以及用于经由该开闭部12自承载件C取出晶圆W的传送臂13。传送臂13在上下方向上具有多个(例如5个)晶圆保持部14，进退自如、升降自如、绕铅锤方向旋转自如且在承载件C的排列方向上移动自如。传送臂13将晶圆W自承载件C向处理模块S20的传送模组传送，传送模组是自承载件C传送晶圆W的模组，且是将晶圆向承载件C返还的模组。另外，将能够载置晶圆W的场所记载为模组，将模组中对晶圆W进行热处理、液处理、气体供给等处理的模组记载为处理模组。并且，将处理模组中的用于向晶圆W供给药液、清洗液的模组记载为液处理模组。

处理模块S20位于承载模块S1的下游侧，自承载模块S1侧向辅助模块S5侧包括前方侧处理模块S2、液处理模块S3以及作为热处理类模块的热处理模块S4。在前方侧处理模块S2中设置有架单元U1、U2，架单元U1、U2由层叠的多个模组形成，若将承载模块S1作为前方侧、将接口模块S6作为后方侧，则架单元U1、U2左右方向排列。

在架单元U1、U2配置有未图示的疏水化处理模组，在架单元U1还设有未图示的传送模组。

在架单元U1、U2之间设有传送臂15，该传送臂15构成为进退自如、升降自如且绕铅锤方向旋转自如。传送臂15在架单元U1、U2以及后述的架单元U3之间传送晶圆W。

如图1所示，在液处理模块S3中，从下往上按顺序层叠有用于对晶圆W进行液处理的第1液处理单位模块B1～第5液处理单位模块B5，第1液处理单位模块B1～第5液处理单位模块B5彼此大致相同地构成，以下，以第2液处理单位模块B2为例进行说明。在该第2液处理单位模块B2的中央形成有沿着前后方向延伸的直线状的作为输送路径的输送区域R1，以自左右夹着该输送区域R1的方式相对地设有抗蚀膜形成模组(抗蚀模组)COT，在抗蚀膜形成模组COT中形成抗蚀膜。

在输送区域R1设有作为主输送机构的主臂A2。该主臂A2进退自如、升降自如、绕铅锤方向旋转自如且在前后方向上移动自如，能够在第2液处理单位模块B2的各模组间进行晶圆W的传送。

另外，针对第1液处理单位模块B1、第3液处理单位模块B3～第5液处理单位模块B5进行简单说明。第1液处理单位模块B1、第3液处理单位模块B3～第5液处理单位模块B5具有与第2液处理单位模块B2相同的布局。即，在各液处理单位模块中，各液处理模组以自左右夹着输送区域R1的方式相对地配置。另外，设于第1液处理单位模块B1、第3液处理单位模块B3～第5液处理单位模块B5的主臂彼此独立地在模组间输送晶圆W。其中，根据需要，既可以针对每个液处理单位模块设置主臂，也可以使上下相邻的液处理单位模块共用主臂。在第1液处理单位模块B1中具有防反射膜形成模组BCT，在第3液处理单位模块B3中具有保护膜形成模组ITC，在第4液处理单位模块B4以及第5液处理单位模块B5中具有显影模组NDEV。

如图2所示，在液处理模块S3中，在承载模块S1侧跨越第1液处理单位模块B1～第5液处理单位模块B5设有架单元U3。架单元U3由层叠的多个模组而形成，经由架单元U3的传送模组(未图示)在液处理模块S3与前方侧处理模块S2之间进行晶圆W的传送。

在液处理模块S3中，在接口模块S6侧跨越第1液处理单位模块B1～第5液处理单位模块B5设有架单元U4。架单元U4由层叠的多个模组形成，经由架单元U4的传送模组(未图示)在液处理模块S3与热处理模块S4之间进行晶圆W的传送。

如图1所示，在热处理模块S4中，从下往上按顺序层叠有用于对晶圆W进行热处理的第1热处理单位模块C1～第4热处理单位模块C4。第1热处理单位模块C1与第1液处理单位模块B1及第2液处理单位模块B2相邻接地设置。另外，第2热处理单位模块C2～第4热处理单位模块C4与第3液处理单位模块B3～第5液处理单位模块B5分别相邻接地设置。第1热处理单位模块C1～第4热处理单位模块C4具有热处理模组、作为单位模块用输送部件的主臂以及供主臂移动的输送区域R2。

第1热处理单位模块C1～第4热处理单位模块C4彼此大致相同地构成，在此，以图2中的第1热处理单位模块C1为代表进行说明。在该第1热处理单位模块C1的中央，输送区域R2沿着前后方向形成。并且，沿着该输送区域R2分别排列有架单元U11、U13以及架单元U14、U16。架单元U11与架单元U13以夹着输送区域R2的方式相对地配置，架单元U14与架单元U16以夹着输送区域R2的方式相对地配置，各架单元U11、U13、U14、U16包含多个热处理模组，例如用于进行前烘的热处理模组PAB、用于进行曝光后烘烤的热处理模组PEB，其中，在本实施方式中，如图2所示，在第1热处理单位模块C1中两两相对地设置4个热处理模组PAB。在输送区域R2中设有主臂D1，该主臂D1为多关节机器人，构成为进退自如、升降自如、绕铅锤方向旋转自如，能够在热处理模块S4的各模组间进行晶圆W的传送。

第1热处理单位模块C1的4个热处理模组PAB的结构大致相同，以下，以架单元U11的热处理模组PAB为例，参照图3～图5详细说明热处理模组PAB的结构。以下，为了便于理解，对于热处理模组PAB，按照图3、图4中标示的方向进行说明。

热处理模组PAB具有：壳体31；加热板HP，其用于对载置的晶圆W进行加热；盖33，限定加热板HP上方的空间；冷却板CP，其具有驱动部，能够在位于加热板HP上部的第一位置P1与位于加热板HP外部的第二位置P2之间移动；以及升降机构35，其能够使晶圆W升降。其中，该热处理模组PAB还具有用于移入移出晶圆W的基板出入口311，该基板出入口311设于加热板HP的与冷却板CP能够移动到的第二位置P2相反的一侧，换言之，以加热板HP位于第二位置P2与基板出入口311之间的方式设置该基板出入口311。另外，在冷却板CP设有缺口部341，该缺口部341使该冷却板CP在位于第一位置P1时避开升降机构35。

壳体31的右侧部分形成为俯视呈圆弧状，基板出入口311以狭缝状形成于壳体31的该右侧部分。在从侧面观察时，基板出入口311形成于能够供主臂D1将晶圆W移入壳体31内而不与壳体31、加热板HP盖33以及升降机构35等发生干涉的高度位置。在基板出入口311的外侧形成有闸门机构312，其利用驱动装置升降来开闭该基板出入口311。

在热处理模组PAB的右侧部分设有基座36，基座36形成为俯视呈大致圆形形状。加热板HP位于该基座36之上，形成为俯视呈大致圆形形状。加热板HP的尺寸稍大于晶圆W的尺寸，基座36的尺寸稍大于加热板HP的尺寸，在晶圆W载置在加热板HP上的状态下，从侧面观察时，晶圆W、加热板HP以及基座36从上往下呈台阶状配置。在加热板HP及基座36中，形成有多个供升降机构35通过贯通孔。

盖33位于加热板HP的上方，盖33包括俯视呈大致圆形形状的顶板部331以及自顶板部331的周缘向下方突出的侧板部332。侧板部332遍及顶板部331的整周，在盖33向下移动到规定位置时，盖33与加热板HP一起将晶圆W留有间隙地包围在内部。在顶板部331的下部设置有温度调节机构333，作为温度调节机构333，例如可以采用帕尔贴元件。

在热处理模组PAB的左侧部分且是前后方向的中央部分立设有柱部37。柱部37能够利用未图示的驱动部相对于热处理模组PAB沿左右方向移动。冷却板CP呈悬臂状自柱部37的上端向右侧伸出，具有颈部342以及头部343。在冷却板CP内部形成有供冷却液流动的冷却液流路，在冷却板CP的靠柱部37的这一侧、即颈部342形成有冷却液连接部345，冷却液连接部345作为冷却液的流入口、流出口发挥作用，供冷却液流入冷却液流路以及从冷却液流路流出。冷却板CP的头部343呈大致圆形形状，其尺寸稍大于晶圆W的尺寸。缺口部341在头部343中沿左右方向延伸，其右端延伸至头部343的边缘而与外部连通。在本实施方式中，2个缺口在冷却板CP前后对称地设置而构成缺口部341，具有供后述的升降销351自由进出的大小。冷却板CP随着驱动部的驱动而与柱部37一起沿左右方向移动，在移动到最右侧时，冷却板CP位于第一位置P1，在移动到最左侧时，冷却板CP位于第二位置P2。

在热处理模组PAB的底部中的位于冷却板CP的下方的位置形成有冷却机构38。更具体而言，如图3、图4所示，冷却机构38形成于位于第二位置P2的冷却板CP中的缺口部341的大致下方，在冷却机构38的上表面形成有冷却用的狭缝喷嘴381，自狭缝喷嘴381向缺口部341喷射冷却用流体(气体)，以使缺口部341的周围处于冷却气氛。

升降机构35位于加热板HP的下方，包括3根升降自如的升降销351，升降销351能够经由加热板HP及基座36的贯通孔上升到加热板HP的上表面的上方，也能够下降到加热板HP的上表面下方。3根升降销351设置成前后两排，在后方侧沿左右方向设置有2根升降销351，在前方侧且是在上述2根升降销351的左右方向上的中央位置设置有1根升降销351。由此，3根升降销351呈等腰三角形的形状排列。

在冷却板CP从第二位置P2向第一位置P1移动时，上升后的3根升降销351逐渐进入缺口部341；在冷却板CP从第一位置P1向第二位置P2移动时，3根升降销351逐渐从缺口部341退出。

在冷却板CP的下表面侧设有绝热层344，绝热层344由陶瓷材料形成。

另外，在壳体31的前后侧的壁部附近，分别设有与排气装置连通的排气管道。

在处理模块S20的下游侧配置有辅助模块S5。如图1所示，在辅助模块S5中，从下往上按顺序层叠有第1辅助单位模块E1～第5辅助单位模块E5。第1辅助单位模块E1、第2辅助单位模块E2与第1热处理单位模块C1相邻接地设置，第3辅助单位模块E3～第5辅助单位模块E5与第2热处理单位模块C2～第4热处理单位模块C4分别相邻接地设置。

针对图2中的第2辅助单位模块E2进行说明。在该第2辅助单位模块E2的中央，输送区域R3沿着前后方向形成，并且以夹着输送区域R3的方式相对地配置有背面清洗模组BST。

在输送区域R3设有作为主输送机构的主臂F1。该主臂F1进退自如、升降自如、绕铅锤方向旋转自如且在前后方向上移动自如，能够在辅助模块S5的各模组间进行晶圆W的传送。

在辅助模块S5的下游侧配置有接口模块S6。在接口模块S6中设置有由层叠的多个传送模组而形成的架单元U6。另外，在接口模块S6中设置有接口臂45、46。该接口臂45、46构成为沿水平方向移动自如。接口臂45在架单元U6的传送模组与曝光装置S7之间传送晶圆W，接口臂46在架单元U6的各传送模组之间传送晶圆W。

以下，参照图6(a)～图6(e)说明上述的热处理模组PAB从处理开始到处理完成的基本流程。

首先，如图6(a)所示，在打开闸门机构312而使基板出入口311敞开的情况下，利用主臂D1将完成了液处理的晶圆W移入到热处理模组PAB内部，并且，使升降销351上升，在升降销351上升到规定位置时，将晶圆W自主臂D1传送至升降销351。然后，升降销351下降，主臂D1自热处理模组PAB退出。接着，如图6(b)所示，闸门机构312封闭了基板出入口311，升降销351下降到加热板HP的上表面的下方而使晶圆W载置于加热板HP，并且盖33向下移动到规定位置而与加热板HP一起将晶圆W留有间隙地包围在内部，在该状态下，加热板HP对晶圆W进行规定的加热，此时冷却板位于第二位置P2。并且，温度调节机构333也根据需要进行温度调节。在完成加热后，温度调节机构333向上移动，升降销351向上移动而将晶圆W自加热板HP顶起，冷却板CP自第二位置P2向第一位置P1移动。接着，如图6(c)所示，在冷却板CP移动到第一位置P1后，升降销351下降使晶圆W载置于冷却板CP。接着，如图6(d)所示，冷却板CP在载置有晶圆W的状态下自第一位置P1移动到第二位置P2，利用冷却板CP对晶圆W进行冷却，并且，自狭缝喷嘴381向冷却板CP的缺口部341喷射冷却用流体。接着，如图6(e)所示，在完成冷却后，冷却板CP自第二位置P2向第一位置P1移动，升降销351升起，晶圆W自冷却板CP传送至升降销351，进行晶圆W的移出准备。

另外，在对冷却精度的要求相对较低、以处理时间优先的情况下，图6(d)中这样自第一位置P1移动到第二位置P2后对晶圆W进行的冷却也可以在图6(c)状态下进行。即，在如图6(c)所示使晶圆W载置于冷却板CP的情况下，利用冷却板CP对晶圆W进行冷却，在完成冷却后，将晶圆W自冷却板CP传送至升降销351，进行晶圆W的移出准备。由此，能够省略使冷却板CP在载置有晶圆W的状态下自第一位置P1移动到第二位置P2的动作以及在完成冷却后使冷却板CP自第二位置P2向第一位置P1移动的动作，因此，能够节省时间。

在上述实施方式中，在基板出入口311的外侧形成有闸门机构312以开闭该基板出入口311，但也可以替代该闸门机构312而使用气幕，例如在基板出入口311的内侧自上向下吹送气体，从而将热处理模组PAB内外隔开。当然，也可以并用闸门机构312和气幕。

在上述实施方式中，由陶瓷材料形成了绝热层344，但也可以是在冷却板CP的下表面进行表面处理而形成比形成冷却板CP的上表面的材质的热传导率低的表面处理部来作为绝热层344。例如，在由铝板构成冷却板CP的情况下，对冷却板CP的下表面进行阳极处理。此外，替代上述绝热层344，还可以在冷却板CP的下表面隔开空间地设置绝热板，即在绝热板与冷却板之间形成空气层，在这种情况下，可以采用例如铝板作为绝热板，此时，绝热板与该空气层发挥绝热层的功能。当然，也可以并用上述绝热层344以及上述隔开空间地设置绝热板而构成的绝热层。

在上述实施方式中，采用帕尔贴元件作为温度调节机构333，但不限于此，温度调节机构333具有加热功能和冷却功能中的至少一种功能即可。

在上述实施方式中，设置3根升降销351作为升降机构35，但不限于此，出于稳定地载置晶圆W的目的，升降机构35至少具有3根升降销351即可。另外，上述3根升降销351呈等腰三角形的形状排列，但只要多根升降销351不排列成一条直线即可。

另外，在上述实施方式中，缺口部341包含2个缺口，但不限于此，缺口部341只需要根据升降销351的数量、布局适当地设置即可。

以下说明本实施方式的热处理模组PAB的效果。

采用本实用新型的热处理模组PAB，由于在冷却板CP设有缺口部341，因此，避免冷却板CP与缺口部341发生干涉，使冷却板CP在第一位置P1与第二位置P2之间切换，从而能够根据晶圆W的不同要求规格而选择不同的冷却手段。另外，由于用于移入和移出晶圆W的基板出入口311设于加热板HP的与述第二位置P2相反的一侧，因此，在冷却板CP位于第二位置P2而对晶圆W进行高精度的冷却时，晶圆W远离基板出入口311，能够避免气流对晶圆W的影响从而提高冷却精度。

采用本实用新型的热处理模组PAB，由于冷却液的流入口以及流出口远离加热板HP，因此，进一步提高提高冷却精度。

采用本实用新型的热处理模组PAB，由于具有绝热层344，因此，在冷却板CP位于第一位置P1而对晶圆W进行冷却时，能够利用该绝热层344抑制加热板HP对晶圆W的冷却的影响，能够高效且精确地对晶圆W进行冷却。

采用本实用新型的热处理模组PAB，由于绝热层344由陶瓷材料形成或者由在冷却板CP的下表面进行表面处理而形成的表面处理部形成，因此，能够以简单的结构抑制加热板HP对晶圆W的冷却的影响，能够高效且精确地对晶圆W进行冷却。

采用本实用新型的热处理模组PAB，由于在冷却板CP的下表面隔开空间地设置绝热板，因此，能够进一步提高绝热效果，并且由于在冷却板CP与绝热板之间存在空气层，因此，减少甚至避免冷却板CP与绝热板在物理上的接触，因此在确保隔热效果的同时，能够采用热传导率较高的材料作为绝热板，因此，能够提高绝热板的材质的选择范围，从而能够容易地选择具有优异的热反射作用的材质作为绝热板，因此，能够进一步提高绝热效果。

采用本实用新型的热处理模组PAB，由于具有对缺口部341进行冷却的冷却机构38，因此在对晶圆W进行冷却时，能够局部地对晶圆W中的位于缺口部341之上的部分进行冷却，从而能够抑制晶圆W中的位于缺口部341之上的部分相对于其他部分产生温度差别。

采用本实用新型的热处理模组PAB，由于能够在第一位置P1对晶圆W进行冷却，因此，能够省略的使冷却板CP在载置有晶圆W的状态下自第一位置P1移动到第二位置P2的动作以及在完成冷却后使冷却板CP自第二位置P2向第一位置P1移动的动作，从而能够节省时间。

采用本实用新型的热处理模组PAB，由于能够在第二位置P2对晶圆W进行冷却，因此，避免加热板HP对晶圆W的冷却的影响，从而能够利用冷却板CP高精度地对晶圆W进行冷却。

采用本实用新型的热处理模组PAB，由于在盖33的下部具有温度调节机构333，因此，能够利用该温度调节机构333与晶圆W的处理情况相应地进行温度的调节。在温度调节机构333进行加热时，能够防止升华物的附着，提高热处理的精度；在温度调节机构333进行冷却时，能够抑制冷却晶圆W在第一位置P1对晶圆W进行冷却的情况下盖33自身的温度的影响。此外，还能够在维修时利用温度调节机构333进行急冷，提高维修的安全性且加快维修速度。

采用本实用新型的热处理模组PAB，由于具有能够开闭基板出入口311的闸门机构312，因此，能够在加热及冷却时关闭基板出入口311，从而降低气流的影响，进一步提高处理精度。

上述实施方式只是用于说明本实用新型，除此之外，还有多种不同的实施方式，而这些实施方式都是本领域技术人员在领悟本实用新型的技术思想后能够想到的，故，在此不再一一列举。

Claims (10)

1.一种热处理装置，其用于对基板进行热处理，所述热处理装置的特征在于，

该热处理装置具有：

加热板，其用于对载置的所述基板进行加热；

盖，限定所述加热板上方的空间；

冷却板，其具有驱动部，能够在位于所述加热板上部的第一位置与位于所述加热板外部的第二位置之间移动；以及

升降机构，其能够使所述基板升降，

所述热处理装置还具有用于移入和移出所述基板的基板出入口，该基板出入口设于所述加热板的与所述第二位置相反的一侧；

在所述冷却板设有缺口部，该缺口部用于使该冷却板在位于所述第一位置时避开所述升降机构。

2.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，

所述冷却板在与所述加热板相反的一侧设有冷却液的流入口以及流出口。

3.根据权利要求1或2所述的热处理装置，其特征在于，

在所述冷却板的下表面侧设有绝热层。

4.根据权利要求3所述的热处理装置，其特征在于，

所述绝热层由陶瓷材料形成或者由在所述冷却板的下表面进行表面处理而形成的表面处理部形成，所述表面处理部的热传导率比形成所述冷却板的上表面的材质的热传导率低。

5.根据权利要求3所述的热处理装置，其特征在于，

所述绝热层通过在所述冷却板的下表面隔开空间地设置绝热板而构成。

6.根据权利要求1或2所述的热处理装置，其特征在于，

该热处理装置还具有用于对所述缺口部进行冷却的冷却机构。

7.根据权利要求1或2所述的热处理装置，其特征在于，

在所述冷却板处于上述第一位置时，能够利用所述冷却板对所述基板进行冷却。

8.根据权利要求1或2所述的热处理装置，其特征在于，

在所述冷却板处于上述第二位置时，能够利用所述冷却板对所述基板进行冷却。

9.根据权利要求1或2所述的热处理装置，其特征在于，

在所述盖的下部设置有温度调节机构，该温度调节机构具有加热功能和/或冷却功能。

10.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，

所述热处理装置还具有用于开闭所述基板出入口的闸门机构。